CN101390229A - 低电阻薄膜有机太阳能电池电极 - Google Patents
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Abstract
一种降低光敏性装置的串联电阻的方法，包括：提供布置在透明基底上的第一导电材料的透明膜；在第一导电材料上沉积并图案化掩模，使得在掩模中的开孔具有其狭窄部分靠近基底的倾斜侧面；将第二导电材料直接沉积到在掩模的开孔中暴露的第一导电材料上，至少部分地填充开孔；剥去掩模，留下由在掩模开孔中的沉积物形成的第二导电材料的凹入结构；剥去掩模之后，将第一有机材料沉积到凹入结构之间的第一导电材料上；和在凹入结构之间沉积的第一有机材料上定向地沉积第三导电材料，凹入结构的边缘对齐沉积，从而第三导电材料不直接接触第一导电材料且不直接接触第二导电材料。
Description
美国政府权利
本发明是在美国政府支持下根据美国空军科学研究办公室授予的合同第339-6002号和美国国家可再生能源实验室能源部授予的合同第341-4141号取得的。政府在本发明中具有一定的权利。
共同研究协议
所要求保护的发明是由代表和/或连同下列团体中的一个或多个根据共同大学-公司研究协议取得的：普林斯顿大学、南加利福尼亚大学和全球光能公司(Global Photonic Energy Corporation)。该协议在取得要求保护的发明的日期及其之前都处于生效中，并且作为在该协议范围内进行活动的结果取得了要求保护的发明。
技术领域
本发明一般地涉及有机光敏性光电子装置的制造。更具体地，本发明涉及一种建造具有低电阻透明电极的有机光敏性光电子装置的方法。
背景技术
光电子装置依赖于材料的光学和电子性能，从而电子地产生或检测电磁辐射或从环境电磁辐射产生电流。
光敏性光电子装置将电磁辐射转换成电信号或电流。太阳能电池，也称为光伏(“PV”)装置，是一种特别用来产生电能的光敏性光电子装置。光电导体电池是一种与检测该装置的电阻的信号检测电路联合使用以检测因吸收光而产生的变化的光敏性光电子装置。可以接受施加的偏电压的光检测器是一种与测定光检测器暴露于电磁辐射时产生的电流的电流检测电路联合使用的光敏性光电子装置。
可以根据是否出现如下面定义的整流结并还根据是否用外部施加的电压也称为偏电压运行该装置来区分这三类光敏性光电子装置。光电导体电池没有整流结，通常在偏电压下运行。PV装置具有至少一个整流结，没有偏电压地运行。光检测器具有至少一个整流结，常常但不总是在偏电压下运行。
如这里使用的，术语“整流”尤其表示界面具有非对称传导特性，即该界面优先在一个方向上支持电子电荷传输。术语“半导体”表示当热或电磁激发感应电荷载体时能传导电的材料。术语“光电导性”一般地涉及电磁辐射能被吸收并从而转变成电荷载体的激发能从而载体能在材料中传导(即传输)电荷的过程。术语“光电导性材料”是指因吸收电磁辐射以产生电荷载体的性能而被利用的半导体材料。如这里使用的，“顶端”是指离基底最远，而“底部”是指离基底最近。如果不指出第一层“物理地接触”第二层，可以具有插入层。
当合适能量的电磁辐射入射在有机半导体材料上时，可以吸收光子以生产激发的分子态。在有机光电导性材料中，一般认为产生的分子态是“激子”，即以准粒子传输的束缚态的电子-空穴对。激子在成对复合(“淬灭”)之前可以具有显著的寿命，成对复合指相互复合的原始电子和空穴(与来自其它对的空穴或电子复合相反)。为生产光电流，形成激子的电子-空穴通常在整流结处分开。
在光敏性装置的情况中，整流结称为光伏异质结。有机光伏异质结的类型包括在施主材料与受主材料的界面形成的施主-受主异质结和在光电导性材料与金属的界面形成的肖特基-势垒(Schottky-barrier)异质结。
图1是说明示例性施主-受主异质结的能级图。在有机材料的环境中，术语“施主”和“受主”是指两个接触但不同的有机材料的最高占有分子轨道(“HOMO”)和最低未占有分子轨道(“LUMO”)能级的相对位置。如果接触另一种材料的一种材料的LUMO能级较低，那么该材料是受主。否则它是施主。在没有外部偏电压下，在施主-受主结的电子移动到受主材料中是能量有利的。
如这里使用的，如果第一能级更接近真空能级10，那么第一HOMO或LUMO能级比第二HOMO或LUMO能级大或高。较高的HOMO能级对应着相对于真空能级具有较小绝对能量的电离势能(“IP”)。类似地，较高的LUMO能级对应着相对于真空能级具有较小绝对能量的电子亲和势(“EA”)。在常规的能级图中，顶端是真空能级，材料的LUMO能级比相同材料的HOMO能级高。
在光子6吸收在施主152或受主154中产生激子8之后，激子8在整流界面分离。施主152传输空穴(没有涂黑的圆圈)，受主154传输电子(涂黑的圆圈)。
有机半导体中重要的性能是载体迁移率。迁移率测定电荷载体响应电场而可以移动通过传导材料的容易性。在有机光敏性装置的环境中，由于高电子迁移率而优选由电子传导的材料可以称为电子传输材料。由于高空穴迁移率而优选由空穴传导的材料可以称为空穴传输材料。由于迁移率和/或在装置中的位置而优选由电子传导的层可以称为电子传输层(“ETL”)。由于迁移率和/或在装置中的位置而优选由空穴传导的层可以称为空穴传输层(“HTL”)。优选地，但不必需地，受主材料是电子传输材料，施主材料是空穴传输材料。
基于载体迁移率和相对HOMO和LUMO能级怎样使两种有机光电导性材料成对以在光伏异质结中充当施主和受主在本领域中是公知的，这里不解释。
如这里使用的，术语“有机”包括聚合材料以及可以用来制造有机光电子装置的小分子有机材料。“小分子”是指不是聚合物的任何有机材料，“小分子”可以实际上相当大。在一些情况中小分子可以包括重复单元。例如，使用长链烷基作为取代基不从“小分子”类别中排除该分子。小分子也可以引入到聚合物中，例如作为聚合物骨架上的支链基团或作为骨架的一部分。小分子也可以充当树状大分子的核部分，该树状大分子由一系列建造在该核部分上的化学壳组成。树状大分子的核部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树状大分子可以是“小分子”。一般地，小分子具有确定的化学式，分子量随分子也相同，而聚合物具有确定的化学式，但分子量可以随分子而变化。如这里使用的，“有机”包括烃基配体和杂原子取代的烃基配体的金属络合物。
对于有机光敏性装置领域状态的另外的背景解释和描述，包括它们的一般结构、特性、材料和特征，这里引入授权给Forrest等的美国专利第6,657,378号、授权给Forrest等的美国专利第6,580,027号和授权给Bulovic等的美国专利第6,352,777号供参考。
发明内容
公开降低光敏性装置的串联电阻的方法和结构。
所述方法包括：提供布置在透明基底上的包含第一导电材料的电极；在第一导电材料上沉积并图案化掩模使得掩模中的开孔具有其狭窄部分靠近基底的倾斜侧面；将第二导电材料直接沉积到在掩模的开孔中暴露的第一导电材料上，至少部分地填充开孔；剥去掩模，留下由在掩模的开孔中的沉积物形成的第二导电材料的凹入结构；剥去掩模之后，将第一有机材料沉积到凹入结构之间的第一导电材料上；和在凹入结构之间沉积的第一有机材料上沉积第三导电材料，凹入结构的边缘对齐沉积从而第三导电材料不直接接触第一导电材料且不直接接触第二导电材料。
第二导电材料可以具有与第一导电材料类似的导电率或可以更加导电。
透明电极的第一导电材料可以是金属或金属代替物。这样的金属除了别的以外，还包括氧化物和聚合物。一个示例性导电性氧化物是简并的半导体氧化物。
第二导电材料可以是金属或金属代替物。
所述方法可以进一步包括：使在凹入结构之间沉积的第三导电材料电互连。除了别的方式以外，这还可以通过作为布线步骤的一部分形成互连/通道或通过构造凹入结构从而第三导电材料在沉积时形成单一连续层而实现。
可以使用上述步骤产生施主-受主异质结或肖特基-势垒异质结。为形成施主-受主异质结，所述方法可以进一步包括：在第一有机材料上沉积第二有机材料，第一和第二有机材料形成平面的、块状或混合式施主-受主异质结。或者，所述方法可以进一步包括：用第一有机材料沉积第二有机材料，第一和第二有机材料形成混合、块状或混合式施主-受主异质结。
为形成肖特基-势垒异质结，第一导电材料可以是形成肖特基-势垒异质结的金属、透明电极和第一有机材料。或者，第三导电材料可以是形成肖特基-势垒异质结的金属、第三导电材料和第一有机材料。可以用于透明电极的结构的一个例子是物理接触透明基底的片。
附图说明
图1是说明施主-受主异质结的能级图。
图2说明包括施主-受主异质结的有机光敏性装置。
图3说明形成平面异质结的施主-受主双层。
图4说明包括在施主层和受主层之间的混合的异质结的混合式异质结。
图5说明块状异质结。
图6说明包括肖特基-势垒异质结的有机光敏性装置。
图7说明串联的叠层光敏性电池。
图8说明并联的叠层光敏性电池。
图9A～9F说明一种形成具有低电阻接触的有机光伏装置的方法。
图10A和10B说明可以用于图9B所说明的简化普通阳极和阴极产生的步骤的掩模。图10A是该结构的横截面，图10B是俯视图，线A-A’提供图之间的参照系。
图11A和11B说明由图10A和10B所示的掩模得到的导体图案。图11A是该结构的横截面，图11B是俯视图，线B-B’提供图之间的参照系。
这些图不必按比例地绘制。
具体实施方式
有机光敏性装置包含至少一个光活性区域，在该区域中吸收光以形成激子，随后可以分离成电子和空穴。图2显示的例子，在有机光敏性光电子装置100中光活性区域150包含施主-受主异质结。“光活性区域”是光敏性装置的吸收电磁辐射以产生为了产生电流而可以分离的激子的部分。装置100包含在基底110上的阳极120、阳极光滑层122、施主152、受主154、激子阻挡层(“EBL”)156和阴极170。
EBL 156的例子描述在授权给Forrest等的美国专利第6,451,415号中，这里参考地引入它的关于EBL的公开内容。EBL的另外的背景解释也可以在Peumans等的“Efficient photon harvesting at high opticalintensities in ultrathin organic double-heterostructure photovoltaic diodes(超薄有机双异质型光伏二极管中在高光密度下的有效光子捕获)”Applied Physics Letters 76，2650-52(2000)中找到。EBL通过防止激子迁移出施主和/或受主材料减少淬灭。
这里可相互交换地使用的术语“电极”和“接触”是指给将光生电流传输到外电路或给该装置提供偏电流或电压而提供介质的层。如图2所示，阳极120和阴极170是例子。电极可以由金属或“金属代替物”构成。这里使用术语“金属”包括由元素上纯的金属和为由两种或多种元素上纯的金属构成的材料的金属合金构成的两种材料。术语“金属代替物”是指不是正常定义内的金属但具有类金属性能例如导电性的材料，例如掺杂的宽带隙半导体、简并半导体、导电氧化物和导电性聚合物。电极可以包含单层或多层(“复合”电极)，可以是透明、半透明或不透明。电极和电极材料的例子包括授权给Bulovic等的美国专利第6,352,777号和授权给Parthasarathy等的美国专利第6,420,031号中公开的那些，这里参考地引入这些各自特点的公开内容。如这里使用的，如果材料传递相关波长的至少50％的环境电磁辐射，就说该材料是“透明的”。
基底110可以是提供需要的结构性能的任何合适的基底。基底可以是柔性或刚性、平面的或非平面的。基底可以是透明、半透明或不透明。刚性塑料和玻璃是优选的刚性基底材料的例子。柔性塑料和金属箔是优选的柔性基底材料的例子。
阳极光滑层122可以位于阳极层120和施主层152之间。阳极光滑层描述在授权给Forrest等的美国专利6,657,378中，这里参考地引入它的关于该特征的公开内容。
在图2中，光活性区域150包含施主材料152和受主材料154。用在光活性区域中的有机材料可以包括有机金属化合物，包括环金属化的有机金属化合物。如这里使用的术语“有机金属”如本领域技术人员一般理解的，例如在Gary L.Miessler和Donald A.Tarr的“InorganicChemistry”(第二版)，Prentice Hall(1999)的第13章中找到的。
可以使用真空沉积、旋涂、有机气相沉积、喷墨印刷和本领域知道的其它方法制造有机层。
图3～5中显示了各种施主-受主异质结的例子。图3说明形成平面异质结的施主-受主双层。图4说明包括包含施主和受主材料的混合物的混合异质结153的混合式异质结。图5说明理想化的“块状”异质结。在理想光电流情况中，块状异质结具有施主材料252和受主材料254之间的单个连续界面，尽管在实际装置中通常存在多个界面。作为具有多个材料域的结果，混合和块状异质结可以具有多个施主-受主界面。可以电孤立被相反型材料包围的域(例如施主材料的被受主材料包围的域)，使得这些域对光电流没贡献。可以用渗透途径(连续光电流途径)连接其它域，使得这些其它域可以对光电流有贡献。混合异质结与块状异质结之间的区别在于施主与受主材料之间的相分离程度。在混合异质结中，有很少或没有相分离(域很小，例如小于几纳米)，而在块状异质结中，具有明显的相分离(例如形成具有几纳米至100nm尺寸的域)。
小分子混合的异质结可以例如通过使用真空沉积或气相沉积共沉积施主和受主材料而形成。小分子块状异质结可以例如通过控制的生长、具有沉积后退火的共沉积或溶液处理而形成。聚合物混合的或块状异质结可以例如通过溶液处理施主和受主材料的聚合物混合物而形成。
如果光活性区域包括混合层(153)或块状层(252、254)和施主(152)和受主层(154)中的一个或两个，就说光活性区域包括“混合式”异质结。图4中层的布置是一个例子。对于混合式异质结的另外解释，这里参考地引入2004年8月4日提交的Jiangeng Xue等的题为“Highefficiency organic photovoltaic cells employing hybridized mixed-planarheterojunctions(使用混合式混合的-平面异质结的高效有机光伏电池)”的美国申请10/910,371。
一般地，平面异质结具有良好的载体传导但差的激子分离；混合层具有差的载体传导但良好的激子分离，块状异质结具有良好的载体传导且良好的激子分离，但在材料“cul-de-sacs”末端可以经历电荷累积，降低效率。除非另外指出，在这里公开的整个实施方案中，可以相互交换地使用平面、混合的、块状和混合式异质结作为施主-受主异质结。
图6显示有机光敏性光电子装置300的一个例子，在有机光敏性光电子装置300中光活性区域350是肖特基-势垒异质结的一部分。装置300包含透明接触320、包含有机光电导性材料358的光活性区域350和肖特基接触370。通常将肖特基接触370形成为金属层。如果光电导性层358是ETL，可以使用高功函数金属例如金，而如果光电导性层是HTL，可以使用低功函数金属例如铝、镁或铟。在肖特基-势垒电池中，与肖特基势垒相关的内置电场将激子中的电子和空穴推开。一般地，该场辅助的激子分离不如在施主-受主界面的分离效率高。
将所示的装置连接到元件190。如果该装置是光伏装置，那么元件190是消耗或储存功率的电阻性负载。如果该装置是光检测器，那么元件190是电流检测电路，测定当光检测器暴露于光时产生的电流，并且可以将偏电压施加给该装置(例如描述在授权给Forrest等的2005年5月26日公布的美国专利申请2005-0110007A1中)。如果从该装置排除整流结(例如使用单种光电导性材料作为光活性区域)，得到的结构可以用作光导体电池，在这种情况中元件190是检测因吸收光的跨越该装置的电阻变化的信号检测电路。除非另外指出，这些布置和修改的每个可以用于这里公开的每个附图和实施方案的装置。
有机光敏性光电子装置也可以包含透明电荷转移层、电极或电荷复合区。电荷转移层可以是有机或无机，并且可以是或不是光电导活性的。电荷转移层与电极类似，但没有至该装置的外部电连接，仅将电荷载体从光电子装置的一个分部传输到邻接的分部。电荷复合区与电荷传递层类似，但是允许在光电子装置的邻接分部之间复合电子和空穴。电荷复合区可以包括包含纳米簇、纳米粒子和/或纳米棒的半透明金属或金属代替物复合中心，例如在授权给Forrest等的美国专利第6,657,378号、2004年8月11日提交的Rand等的题为“OrganicPhotosensitive Devices(有机光敏器件)”的美国专利申请10/915,410和2004年11月3日提交的Forrest等的题为“Stacked OrganicPhotosensitive Devices(堆叠的有机光敏器件)”的美国专利申请10/979,145中描述的，这里参考地引入各自的复合区材料和结构的公开内容。电荷复合区可以或不包括嵌入复合中心的透明基质层。电荷转移层、电极或电荷复合区可以充当光电子装置的分部的阴极和/或阳极。电极或电荷转移层可以充当肖特基接触。
图7和8说明包括这样的透明电荷转移层、电极和电荷复合区的叠层装置的例子。在图7的装置400中，将光活性区域150和150’与插入导电性区域460串联电堆叠。如所示，没有外部电连接，插入导电性区域460可以是电荷复合区或可以是电荷转移层。作为复合区，区域460包含具有或没有透明基质层的复合中心461。如果没有基质层，形成该区的材料的布置在区域460上可以是不连续的。图8的装置500说明并联地电堆叠的光活性区域150和150’，顶端电池是颠倒的构造(即阴极在下)。在图7和8中的每一个图中，根据应用，光活性区域150和150’和阻挡层156和156’可以用相同的各个材料或不同的材料形成。同样地，光活性区域150和150’可以是同类型(即平面、混合的、块状、混合式)的异质结，或可以是不同类型。
在上述每个装置中，可以省略层，例如激子阻挡层。可以加入其它层，例如反射层或另外的光活性区域。可以改变或颠倒层的顺序。可以使用集线器或捕获构造以增加效率，如例如在授权给Forrest等的美国专利第6,333,458号和授权给Peumans等的美国专利第6,440,769号中公开的，这里参考地引入这两个专利。可以使用涂层以将光能聚集到装置的需要区域中，如例如在2004年6月1日提交的Peumans等的题为“Aperiodic dielectric multilayer stack(非周期性多层介质堆栈)”的美国专利申请10/857,747中公开的，这里参考地引入该专利。在叠层装置中，可以在电池之间形成透明绝缘层，通过电极提供电池之间的电连接。并且在串联装置中，一个或多个光活性区域可以是肖特基-势垒异质结而不是施主-受主异质结。可以使用不同于具体描述的那些布置的布置。
现在的小分子和聚合物光敏性电池中流行的设计利用透明的非导电材料用于基底110和透明导电性膜用于阳极120，入射光辐射到基底的暴露表面上。这样的设计在效率上受限于大的串联电阻，大多由于阳极120，因为光学透射率的原因阳极一般制成薄的。为了促进效率，需要生产具有较低电阻接触的低成本模块。
本发明的实施方案包括形成具有电导率改进的透明基底侧电极的有机光敏性装置的方法以及得到的装置。
图9A～9F说明改进导电率的方法。在图9A中，在包含布置在非导电性透明基底110上的第一导电材料920的透明膜上形成掩模层930。根据特定的应用，透明膜可以是连续的或形成图案的。连续膜的例子包括与基底110物理接触的片或涂层。透明膜可以充当电极层或可以充当一层复合电极。掩模层930可以用光致抗蚀剂或容易形成图案并适合用作牺牲层的任何其它材料制成。
第一材料920可以包含金属或金属代替物，如上面为电极和肖特基接触描述的。除了其它的以外，例子还包括导电性氧化物或聚合物、金属(如上面定义的以包括金属合金)的薄涂层或掺杂的半导体。导电性氧化物的例子是简并半导体氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化镓铟锡(GITO)和氧化锌铟锡(ZITO)。特别地，ITO是具有约3.2eV带隙的高度掺杂的简并n+半导体，致使它对比约3900
大的波长是透明的。合适的透明聚合物的例子是聚苯胺(PANI)和它的化学相关物。
如上面所述，透明基底110可以是刚性或柔性，但是对该结构一般优选刚性以避免层剥离或分离和最终装置中短路。基底也可以是平面的或非平面的。
在图9B中，使掩模层930形成图案(例如光刻)以产生具有其狭窄部分靠近所述基底110的倾斜侧面的凹入开孔932。用于掩模层930的示例性图案显示在图10A和10B中。尽管不需要，但是，作为连接图案形成开孔932的好处是在最终装置中简化布线。
在图9C中，将第二导电材料924直接沉积到掩模930的凹入开孔932中暴露的第一材料920上，至少部分地填充开孔932。第二材料924可以具有与第一材料920的导电率相同或类似的导电率，但是优选更加导电。第二材料924的例子包括如上述的金属和金属代替物。第二材料924可以与第一材料920相同或可以不同。
在图9D中，剥离牺牲掩模层930，留下第二材料924的凹入结构。如这里使用的，凹入是指结构的侧面指向内，该结构的横截面朝着其底部(即基底110)变窄的几何形状。
在图9E中，沉积一层或多层有机层950。这些有机层950包括在最终装置中将是光活性区域的层。如果要形成施主-受主异质结，有机层950可以包括施主层152、252、受主层154、254和/或混合层153，形成平面的、混合的、块状或混合式异质结。如果要形成肖特基结，有机层950可以包括光电导性材料358。
在图9F中，在沉积在凹入结构924之间的有机材料950上定向地沉积第三导电材料970。第三材料970的例子包括如上述的金属和金属代替物。通过在第二材料924的凹入结构之间定向地沉积，沉积本身对齐。得到的缝隙975防止透明膜和凹入结构与第三材料970之间短路。图11A和11B说明如果使用来自图10A和10B的掩模的相应结果。
即使第一材料920和第二材料924相同，与使用单独的第一材料920的透明膜相比，第二材料924的凹入结构也降低电阻和提供增加的电流密度。
不需要覆盖该装置。可以通过在图案化和沉积时重叠电极而布线电池。但是，如果需要覆盖或胶囊化，可以使用任意多的技术。例如，在布线电极之后可以加入涂层(例如环氧树脂)。优选地，选择用来沉积任何覆盖材料并图案化的过程，以使对有机层950的热和反应性影响最小化。
如上述，也可以沉积图中没有图示的另外的层。例如，可以在第三导电材料970上沉积反射涂层；可以在第一导电材料920上沉积光滑层(122)；可以将防反射涂层加到基底110的底部和/或基底110与第一导体920之间；可以在施主-受主异质结上方或下方形成激子阻挡层(156)作为有机层950的一部分。第三导电材料970可以充当电极层或可以充当一层复合电极。
可以使用自对齐沉积步骤产生叠层电池。可以使凹入结构924足够高(比叠层电池中总有机层厚度厚得多)以防止短路。通过反复地重复处理步骤，可以在有机层950上加入另外的光活性区域和一个或多个插入电荷复合层或电荷转移层，产生包括如上面参照图7讨论的层的叠层电池。
类似地，可以使用自对齐重复过程以包括中间电极和另外的光活性区域，如上面参照图8讨论的，利用自对齐过程以形成中间电极以便不直接接触凹入结构924。但是，与通常的依次堆叠的叠层电池相反，形成并联的叠层电池包括：产生对中间电极的外部接触。根据用于该中间电极的材料的厚度和导电率，可以任选地产生另外的凹入结构以接触中间电极。
通常地，在最终装置中，第一导电材料920变成阳极，第三导电材料970变成阴极。但是，可以用相同的过程形成颠倒的装置，阳极在顶端，阴极在底端。尽管上面在阳极环境中描述，但是在颠倒装置中可以包括光滑层122以使阴极光滑。
如上述，可以使用本发明的有机光敏性装置由入射电磁辐射产生电能(例如光伏装置)，或可以使用它检测入射电磁辐射(例如光检测器或光导体电池)。
这里解释和/或描述了本发明的具体例子。但是，将认识到在不偏离本发明的精神和范围下，本发明的修改和变化被上面的教导覆盖并在所附带的权利要求的范围内。
Claims (13)
1.一种方法，包括：
提供布置在透明基底上的包含第一导电材料的透明膜；
在所述第一导电材料上沉积并图案化掩模，使得在所述掩模中的开孔具有其狭窄部分靠近所述基底的倾斜侧面；
将第二导电材料直接沉积到在所述掩模的所述开孔中暴露的所述第一导电材料上，至少部分地填充所述开孔；
剥去所述掩模，留下由在所述掩模的所述开孔中的所述沉积形成的所述第二导电材料的凹入结构；
在所述剥去之后，将第一有机材料沉积到在所述凹入结构之间的所述第一导电材料上；和
在所述凹入结构之间沉积的所述第一有机材料上沉积第三导电材料，所述凹入结构的边缘对齐沉积，从而所述第三导电材料不直接接触所述第一和第二导电材料。
2.如权利要求1所述的方法，所述第二导电材料比所述第一导电材料更导电。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料是氧化物或聚合物。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述氧化物是简并半导体氧化物。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述第二导电材料是金属。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述透明膜的所述第一导电材料是金属的透明涂层。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二导电材料是金属。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包含：使在所述凹入结构之间沉积的所述第三导电材料电互连。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在所述第一有机材料上沉积第二有机材料，所述第一和第二有机材料形成平面的、块状或混合式施主-受主异质结。
10.如权利要求1所述的方法，进一步包含：用所述第一有机材料沉积第二有机材料，所述第一和第二有机材料形成混合的、块状或混合式施主-受主异质结。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料是金属，所述透明膜和所述第一有机材料形成肖特基-势垒异质结。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述第三导电材料是金属，所述第三导电材料和所述第一有机材料形成肖特基-势垒异质结。
13.如权利要求1所述的方法，其中所述透明膜是与所述透明基底物理接触的片。
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