CN101378448A - 光电转换设备及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及光电转换设备及其驱动方法。所述光电转换设备包括公共信号读取线，通过该公共信号读取线，从多个传感器芯片的多个光接收元件读出信号。在顺序地将信号从多个单位块中包括的第一光接收元件读出到公共信号读取线之后，并且在顺序地将信号从同一个传感器芯片中包括的第一光接收元件之外的光接收元件读出到公共信号读取线之前，信号被从其它传感器芯片中的单位块中包括的光接收元件读出到公共信号读取线。由此，提供了芯片尺寸缩小并保证预期性能的多芯片型图像传感器。

Description

光电转换设备及其驱动方法

技术领域

本发明涉及光电转换设备以及其驱动方法，更具体地，涉及其中设置有传感器芯片(各传感器芯片包括多个光接收元件)的光电转换设备及其驱动方法。

背景技术

常规上，使用光电转换设备的线性图像传感器常常被用作传真机、扫描仪等等的读取设备。

由于这些线性图像传感器是在硅晶片上制造的，因此，它们的传感器长度受它们的晶片尺寸的限制。因此，难以制造与原件的长度相同的线性图像传感器芯片，通常只能获得具有较短传感器长度的线性图像传感器芯片。

相应地，读取设备利用光学系统减小了来自原件的反射光，并将反射光减小地投影到线性图像传感器上以读取图像。

然而，使用这样的减小光学系统的读取装置必须为光学系统占用大的空间，并且不能获得足够的分辨率。

相应地，为了解决该问题，已经使用了多芯片型的图像传感器，该图像传感器包括在直线上设置的多个线性图像传感器。

日本专利No.2823578中所公开的配置常规上被称为多芯片型图像传感器的配置。

为了通过尽可能地增大从一个硅晶片产生的芯片的数量来降低制造成本，常规上已经进行了减小(下文中也称为缩小)芯片尺寸的努力。

作为缩小芯片尺寸的方法，通常已知这样的方法：多个光接收元件共享扫描移位寄存器、用于临时存储在光接收元件中生成的电信号的电容器元件等等。

由于该方法能减小诸如移位寄存器和电容器元件之类的元件和组件的数量(它们占用相对来说较大的面积)，该方法能缩小芯片尺寸。

在通过该方法实现的图像传感器芯片的情况下，多个光接收元件共享移位寄存器和电容器元件。因此，不可能通过单个读出扫描操作来读出在所有光接收元件中生成的电信号。

为了执行所有光接收元件的读出操作，首先，通过扫描移位寄存器，按顺序执行在一部分光接收元件中生成的电信号的读出操作。

接下来，通过再次扫描移位寄存器，执行在前面的扫描中没有执行其读出操作的由光接收元件生成的电信号的读出操作。

通过将上文所提及的读出扫描重复等于共享移位寄存器和电容器元件的光接收元件的数量的次数，完成所有光接收元件的读出操作。

然而，在上文所提及的读出方法的情况下，为执行下一次读出扫描而切换到其它光接收元件的时间段变成不能输出光学信号的消隐时间段。因此，光学信号输出时间段中的消隐时间段与扫描的重复次数成比例地增大。

具体来说，在多芯片型图像传感器的情况下，对于各图像传感器芯片需要重复扫描。因此，消隐时间段与连接的图像传感器芯片的数量和扫描的重复次数成比例地增大。结果，有时不能执行光学信号输出的高速度读出。

相应地，本发明旨在提供芯片尺寸缩小并保证预期性能的多芯片型图像传感器。

发明内容

作为用于解决上文所提及的问题的单元，本发明的一个方面是一种光电转换设备的驱动方法，所述光电转换设备包括多个传感器芯片，各传感器芯片包括多个单位块，各单位块包括：多个光接收元件；多个第一开关，各第一开关与所述多个光接收元件中的各光接收元件相对应地设置，以用于从各光接收元件读取信号；以及多个第二开关，各第二开关与所述多个第一开关中的多个第一开关相对应地设置，以用于从第一开关读取信号，其中，所述光电转换设备进一步包括公共信号读取线，通过公共信号读取线，从所述多个传感器芯片的所述多个光接收元件读出信号，并且，其中，在顺序地将信号从所述多个单位块中包括的第一光接收元件读出到公共信号读取线之后，并且在顺序地将信号从同一个传感器芯片中包括的第一光接收元件之外的光接收元件读出到公共信号读取线之前，信号被从其它传感器芯片中的单位块中包括的光接收元件读出到公共信号读取线。

此外，本发明的另一个方面是一种光电转换设备，包括多个传感器芯片，各传感器芯片包括多个单位块，各单位块包括：多个光接收元件；多个第一开关，各第一开关与所述多个光接收元件中的各光接收元件相对应地设置，以用于从各光接收元件读取信号；以及多个第二开关，各第二开关与所述多个第一开关中的多个第一开关相对应地设置，以用于从第一开关读取信号，其中，所述光电转换设备进一步包括公共信号读取线，通过公共信号读取线，从所述多个传感器芯片的所述多个光接收元件读出信号，并且，其中，所述多个传感器芯片中的各传感器芯片具有输入部，所述输入部输入用于开始从光接收元件的信号读取的信号，并且第一级的传感器芯片从其输入部接收从最后一级的传感器芯片输出的信号。

根据本发明，例如，可以同时实现芯片尺寸的缩小和加快速度。

通过以下参考附图对示范性实施例的描述，本发明的其它特征将变得显而易见。

附图说明

图1是显示了构成作为本发明的第一实施例的光电转换设备的、包括多个设置的图像传感器芯片的多芯片型图像传感器的配置的图。

图2是用于描述作为本发明的第一实施例的光电转换设备的操作的时序图。

图3是显示了构成作为本发明的第二实施例的光电转换设备的、包括多个设置的图像传感器芯片的多芯片型图像传感器的配置的图。

图4是用于描述作为本发明的第二实施例的光电转换设备的操作的时序图。

图5是显示了构成作为本发明的第三实施例的光电转换设备的、包括多个设置的图像传感器芯片的多芯片型图像传感器的图。

图6是用于描述作为本发明的第三实施例的光电转换设备的操作的时序图。

具体实施方式

(第一实施例)

图1显示了构成作为本发明的第一实施例的光电转换设备的、包括多个设置的图像传感器芯片的多芯片型图像传感器的配置，图2显示了时序图。

在图1中，多芯片型图像传感器包括彼此连接的图像传感器芯片(以下简称为传感器芯片)1-1、1-2、...、1-m。

传感器芯片1-1、1-2、...、1-m分别包括光接收元件2-1-1到2-1-n、2-2-1到2-2-n以及2-m-1到2-m-n。各光接收元件2将输入的光学信号转换为电信号。

传感器芯片1-1、1-2、...、1-m进一步分别包括作为第一开关的第一MOS开关11-1-1到11-m-n，以及分别包括第二MOS开关3-1-1到3-m-k。

作为第二开关的各第二MOS开关3对于t个第一MOS开关11设置，以彼此连接。

传感器芯片1-1、1-2、...、1-m进一步分别包括选择电路14-1到14-m。选择电路14-1到14-m分别控制第一MOS开关11-1-1到11-m-n的接通和断开。

传感器芯片1-1、1-2、...、1-m进一步分别包括移位寄存器4-1-1到4-1-k，用于进行信号读取。移位寄存器4-1-1到4-1-k分别控制第二MOS开关3-1-1到3-m-k的接通和断开。

传感器芯片1-1、1-2、...、1-m进一步分别包括前移位寄存器4-1-i和4-1-j到4-m-i和4-m-j，分别用于延迟到读取移位寄存器4-1-1到4-1-k的开始信号。

传感器芯片1-1、1-2、...、1-m进一步分别包括控制电路5-1到5-m。控制电路5的操作受来自前移位寄存器4的信号的控制。

传感器芯片1-1、1-2、...、1-m进一步分别包括信号放大电路6-1到6-m，用于分别放大由光接收元件2-1-1到20-m-n生成的电信号。信号放大电路6-1到6-m包括恒流电路(未显示)，其操作状态和等待状态分别由控制电路5-1到5-m来切换。

由光接收元件2进行了光电转换的信号通过第一MOS开关11和第二MOS开关3被输出到信号放大电路6。

光电转换设备包括连接到各传感器芯片1的信号放大电路6的信号输出端子7和作为输入部的开始信号输入端子8。光电转换设备进一步包括时钟信号输入端子9，通过该时钟信号输入端子9，从多芯片型图像传感器的外部输入时钟信号CLK。

传感器芯片1-1、1-2、...、1-m进一步分别包括END信号输出端子10-1到10-m，用于向传感器芯片1的外部输出从移位寄存器4的各个第p级4-1-p，4-2-p到4-m-p输出的信号。

开始信号SP1被输入到作为位于从多芯片型图像传感器的外部起的第一级处的第一传感器芯片的传感器芯片1-1的开始信号输入端子8-1。

从位于各个前一级处的传感器芯片1输出的END信号被输入到在第二级(作为第二传感器芯片)和之后设置的传感器芯片1-2到1-m的各个开始信号输入端子8-2到8-m。

例如，END信号被从第一传感器芯片1-1的END信号输出端子10-1输入到第二传感器芯片1-2的开始信号输入端子8-2。

前面所说的字母k表示设置于各传感器芯片1中的移位寄存器4的级的数量和第二MOS开关3的数量，而字母n表示设置于各传感器芯片1中的光接收元件2和第一MOS开关11的数量。

字母m表示构成多芯片型图像传感器的传感器芯片1的数量。

此外，各传感器芯片1包括k个单位块，各单位块包括：t个光接收元件2；与光接收元件2的数量相同数量的第一MOS开关11；以及第一MOS开关11共同连接的一个第MOS开关3。

各选择电路14选择各单位块中的t个第一MOS开关11中的一个，以控制选择的第一MOS开关11以接通，从而，选择单位块中的一个光接收元件2，以将选择的光接收元件2改变为处于接收读出操作的状态。

通过使用变量k、n、m以及t使上文所提及的关系妥当，在一个传感器芯片1中形成的光接收元件2的数量n由关系n＝k×t来表达。

此外，多芯片型图像传感器中的所有光接收元件2的数量是m×n。

接下来，将参考图1和2按照事件的顺序描述本发明的第一实施例的多芯片型图像传感器的读出操作。

在进行光聚积之后，通过与输入到时钟信号输入端子9的时钟信号CLK同步地从开始信号输入端子8向第一传感器芯片1-1输入开始信号SP1，开始读出操作。

开始信号SP1通过用于使开始信号SP1延迟某一时间段的移位寄存器4-1-I被转移到下一级的移位寄存器4-1-j，并且被输出到控制电路5-1。

当控制电路5-1接收开始信号SP1(通过用于延迟的前移位寄存器4-1-i，已经延迟了某一时间段)时，控制电路5-1输出用于改变信号放大电路6-1中的恒流电路以使其处于其操作状态的控制信号，并将信号放大电路6-1改变为能够执行放大操作的状态。

开始信号SP1进一步穿过用于延迟的前移位寄存器4-1-j，以便输入到移位寄存器4-1-1。

当移位寄存器4-1-1从移位寄存器4-1-j接收到信号SP1时，移位寄存器4-1-1与时钟信号CLK同步地顺序地使第二MOS开关3-1-1到3-1-k处于导电状态。

此时，在时间段S-1期间，选择电路14-1控制第一MOS开关11-1-1到11-1-n以使它们中的k个处于导电状态，以便使得能够总共读取各单位块中的一个光接收元件2以及总共k个光接收元件2。

例如，在本实施例中，假设选择了第一MOS开关11-1-1、11-1-(t+1)、...、11-1-(t×(x-1)+1)的MOS开关。字母x表示从1到k范围内的整数，包括1和k两者。

从而，由信号放大电路6-1放大了来自通过第一MOS开关11-1-1、...、11-1-(t×(k-1)+1)和各第二MOS开关3-1-1到3-1-k连接到信号放大电路6-1的光接收元件2的信号。然后，经放大的信号被作为信号输出Vout而输出到信号输出端子7。

如图2的时序图所示，上文所提及的多芯片型图像传感器按顺序输出对应于各光接收元件2-1-1、2-1-(t+1)、...、2-m-(t×(k-1)+1)的k×m个信号，作为信号输出Vout。

如上文所描述的，本实施例的多芯片型图像传感器按照不同于光接收元件2的设置顺序的顺序执行由选择电路14-1选择的光接收元件2的读出操作。

此外，在传感器芯片1-1的读出操作序列中，与通过移位寄存器4-1-p的输出信号接通第二MOS开关3-1-p同时地，从END信号输出端子10-1向外部输出END信号。

然后，作为开始信号，向下一级的传感器芯片1-2的开始信号输入端子8-2a输入所输出的END信号。

也是在下一级传感器芯片1-2中，类似于在传感器芯片1-1中，执行信号的读出操作和END信号的输出。

在如此执行前一级传感器芯片1的读出操作的同时，通过在预定的定时顺序地将前面级的END信号输入到下一级传感器芯片1中的开始信号输入端子8中，连续地执行信号的读出操作。

当对最后一级的传感器芯片1-m已经执行了信号的读出操作时，选择电路14-1到14-m在时间段S-2切换第一MOS开关11的状态。

然后，启动与不同于前面已经从第一级的传感器芯片1-1读取的光接收元件2的光接收元件2对应的信号的读出操作。

可以通过下面所描述的方法实现选择电路14中的第一MOS开关11的切换控制。

一种方法是选择电路14从传感器芯片1的外部接收触发信号，以执行切换控制。另一种方法是，多芯片型图像传感器的读取时间段被预先存储在内置计数器中，并且在来自内置计数器的预定定时，执行选择电路14的切换控制。

例如，在本实施例中，假设接下来选择第一MOS开关11-1-2、11-1-(t+2)、...、11-1-(t×(x-1)+2)的每t个第一MOS开关11。字母x是从1到k范围内的整数，包括1和k两者。

类似于前面的读出操作，通过将开始信号SP1经过开始信号输入端子8输入到第一传感器芯片1-1中，来启动操作。

通过接收开始信号SP1，移位寄存器4-1-1到4-1-k与时钟信号CLK同步地分别按顺序地使MOS开关3-1-1到3-1-k处于导电状态。

此时，第一MOS开关11之中的第一MOS开关11-1-2、11-1-(t+2)、...、11-1-(t×(k-1)+2)被选择电路14-1预先设置为导电状态。

因此，由连接到选择的第一MOS开关11的光接收元件2通过进行光电转换而生成的信号经过第一MOS开关11和第二MOS开关3，以被信号放大电路6-1放大。然后，经放大的信号被作为信号输出Vout输出到信号输出端子7。

如上文所描述的，通过将利用选择电路14对光接收元件2进行的切换控制以及读出操作序列重复t次，对所有光接收元件2执行读出操作。

本实施例的上述操作描述是针对从第一级的传感器芯片1-1的开始信号输入端子8输入开始信号SP1的情况的操作作为示例而给出的。

然而，本发明也可以应用于通过传感器芯片1-1中的内部逻辑电路将开始信号输入到控制电路5-1和移位寄存器4-1-1的一般经常实现的配置。

如上文所描述的，本实施例可以将用于选择光接收元件2的时间段缩短到t次，而常规配置需要t×m次，因为通过常规配置对构成多芯片型图像传感器的所有各个m个传感器芯片进行读出扫描已经重复t次。因此，可以执行光学信号输出的高速读出。此外，既可以实现高速读出，又可以减小(缩小)芯片尺寸。

(第二实施例)

图3显示了构成根据本发明的第二实施例的光电转换设备的、包括设置的图像传感器芯片的多芯片型图像传感器的配置，图4是显示了时序图的图。

与图1和2共同的组件通过相同参考编号来表示，并省略对它们的描述。

多芯片型图像传感器包括切换信号输入端子13-1到13-m，向其输入了最后一级的传感器芯片1-m的END信号，如图3所示。多芯片型图像传感器进一步包括切换信号延迟电路15-1到15-m，它们是如下电路，其用于将输入到切换信号输入端子13-1到13-m的信号延迟某一恒定时间段，然后，将被延迟的信号输出到选择电路14-1到14-m。

此外，在本实施例中，在如图4所示的定时END10-m，从最后一级的传感器芯片1-m的END信号输出端子10-m输出其END信号。

下面，将描述根据本发明的第二实施例的多芯片型图像传感器的操作。

在本实施例中，在进行光聚积之后，与来自时钟信号输入端子9的时钟信号CLK同步地，通过开始信号SP1从开始信号输入端子8输入到第一传感器芯片1-1中，启动本实施例的操作。

当输入开始信号SP1时，类似于第一个实施例，顺序地执行传感器芯片1的信号读出操作。

如图4的时序图所示，由信号放大电路6分别放大对应于相应的光接收元件2-1-1、2-1-(t+1)、...、2-m-(t×(k-1)+1)的k×m个信号，以作为信号输出Vout顺序地输出。

此外，在最后一级的传感器芯片1-m的读出操作过程中，从END信号输出端子10-m输出END信号。

在图4中，来自END信号输出端子10-m的END信号被显示为END10-m，并作为光接收元件2的切换信号，输入到所有传感器芯片1-1到1-m的切换信号输入端子13-1到13-m。

输入到切换信号输入端子13-1到13-m的END信号10-m被延迟了从输出END信号10-m的定时到传感器芯片1-m的光学信号输出结束为止的时间段Td的消逝。延迟是通过各个传感器芯片1-1到1-m中的切换信号延迟电路15-1到15-m执行的。然后，延迟的END信号10-m被输入到传感器芯片1-1到1-m中的选择电路14-1到14-m。

从而，在传感器芯片1-m的信号输出时间段完成的定时，切换到已经经受了前一读出的光接收元件2之外的光接收元件2。

在切换光接收元件2时，执行与第一个实施例的操作相同的操作。

例如，按如下方式执行读出操作情况下的操作，

首先，第一MOS开关11-1-1、11-1-(t+1)、...、11-1-(t×(x-1)+1)被控制以处于它们的接通状态，并且读出操作结束。然后，通过此切换控制，第一MOS开关11-1-2、11-1-(t+2)、...、11-1-(t×(x-1)+2)的每t个第一MOS开关11被控制到处于它们的接通状态。字母x是从1到k范围内的整数，包括1和k两者。

在光接收元件2的前述切换控制之后，开始信号SP1被从开始信号输入端子8输入到第一传感器芯片1-1，从而，再次启动与前面的读出操作相同的读出操作。

通过将利用选择电路14对光接收元件2进行的切换控制以及信号读出操作重复t次，对所有m×n个光接收元件2执行读出操作。

对本实施例的上述操作描述是针对从第一级的传感器芯片1-1的开始信号输入端子8输入开始信号SP1的情况的操作作为示例而给出的。

然而，本发明也可以应用于通过传感器芯片1-1中的内部逻辑电路将开始信号SP1输入到控制电路5-1和移位寄存器4-1-1的一般经常实现的配置。

此外，虽然对实施例的操作的上述描述是针对将开始信号SP1输入到开始信号输入端子8t次以便执行所有光接收元件2的读出扫描的情况的操作作为示例而给出的，但是，本发明的读出方法不限于上面的一种。

例如，也可以采用这样的配置：当传感器芯片1-1中的选择电路14-1从切换信号输入端子13-1接收光接收元件2的切换信号时，选择电路14-1自动地生成到控制电路5-1和移位寄存器4-1-1的开始信号。

在前面所说的情况下，将开始信号SP1单次输入到开始信号输入端子8中使得能够对所有光接收元件2-1-1到2-m-n进行读出扫描。

如上文所描述的，本实施例可以将用于选择光接收元件2的时间段缩短到t次，而常规配置需要t×m次，因为通过常规配置对构成多芯片型图像传感器的所有各个m个传感器芯片进行读出扫描已经重复t次。因此，可以执行光学信号输出的高速读出。此外，既可以实现高速读出，又可以减小(缩小)芯片尺寸。

此外，由于本实施例使用了最后一级的传感器芯片1-m的END信号作为光接收元件2的切换控制的定时，因此，与第一个实施例不同，本实施例不需要内置计数器和来自外部的切换信号。因此，可以实现配置更为简化的配置的多芯片型图像传感器。

(第三实施例)

图5显示了构成根据本发明的第三实施例的光电转换设备的、包括设置的图像传感器芯片的多芯片型图像传感器的配置，图6是显示了时序图的图。

多芯片型图像传感器包括如图5所示的图像传感器芯片(以下称为传感器芯片)1-1、1-2、...、1-m。在图5中，与图1中所显示的相同组件通过相同参考编号来表示。

在本实施例的多芯片型图像传感器的配置中，将来自最后一级的传感器芯片1-m的END信号连接到第一传感器芯片1-1的开始信号输入端子8-1。

下面，将按照事件顺序描述根据本发明的第三个实施例的多芯片型图像传感器的操作。

在本实施例中，在进行光聚积之后，与来自时钟信号输入端子9的时钟信号CLK同步地，通过将开始信号SP1从开始信号输入端子8输入到第一传感器芯片1-1，启动其操作。

当输入开始信号SP1时，类似于第一实施例的操作，顺序地执行传感器芯片1-1的信号读出操作。

当完成传感器芯片1-1的读出操作时，从传感器芯片1-1中的移位寄存器4-1-k向选择电路14-1输出表示读出扫描完成的信号。

选择电路14-1切换第二MOS开关11-1-1到11-1-m的接通-断开控制，以便选择对其执行下一次读出操作的k个光接收元件2。

对于光接收元件2的切换，执行与第一个实施例的操作相同的操作。

作为示例，执行下面的操作。假设第一MOS开关11-1-1、11-1-(t+1)、...、11-1-(t×(x-1)+1)被控制到处于它们的接通状态，并且它们的读出操作已经完成。通过切换控制，第一MOS开关11-1-2、11-1-(t+2)、...、11-1-(t×(x-1)+2)的每t个第一MOS开关11被控制到处于它们的接通状态。字母x表示从1到k范围内的整数，包括1和k两者。

此外，在传感器芯片1-1的读出操作序列中，与通过移位寄存器4-1-p的输出信号接通MOS开关3-1-p同时地，从END信号输出端子10-1向外部输出END信号。

然后，作为开始信号，向下一级的传感器芯片1-2的开始信号输入端子8-2输入所输出的END信号。

在第二级以及第二级之后，在传感器芯片1中连续地执行与传感器芯片1-1相同的操作，对所有传感器芯片1顺序地执行信号读出操作和光接收元件2的切换控制。

图6中的END10-m表示最后一级的传感器芯片1-m的END信号。

在最后一级的传感器芯片1-m中启动信号读出操作，并进行第4-m-p级的移位寄存器的读出。同时，将END信号10-m作为开始第二读出扫描的信号，输入到传感器芯片1-1的开始信号输入端子8-1。

当向第一传感器芯片1-1的开始信号输入端子8-1输入END信号10-m时，类似于前一读出操作，启动第二读出扫描。

通过将信号读出操作序列以及利用选择电路14对光接收元件2进行的切换控制重复t次，对所有m×n个光接收元件2执行读出操作。

然而，在本实施例中，紧接在读出扫描完成之后，各传感器芯片1-1到1-m进行其自己的光接收元件2的切换控制。

因此，不需要将切换光接收元件2的时间段安排在下一个读出操作的开始之前。由此，可以缩短在信号输出Vout的第二次以及以后的读出扫描的信号输出Vout中的消隐的时间段(对应于图2中的时间段S-2)。

对本实施例的操作的描述是针对从第一级的传感器芯片1-1的开始信号输入端子8输入开始信号SP1的情况的操作作为示例而给出的。

然而，本发明也可以应用于通过传感器芯片1-1中的内部逻辑电路将开始信号SP1输入到控制电路5-1和移位寄存器4-1-1的一般经常实现的配置。

此外，虽然上述描述是针对直接将从最后一级的传感器芯片1-m的END信号输出端子10-m输出的信号输入到传感器芯片1-1的开始信号输入端子8-1的情况而给出的，但是，本发明的输入方法不限于上面的一种。可以采用这样的配置：设置一个开关，该开关可以将待连接到传感器芯片1-1的开始信号输入端子8-1的端子在多芯片型图像传感器的开始信号输入端子8和传感器芯片1-m的END信号输出端子10-m之间切换。

如上文所描述的，本实施例可以将用于选择光接收元件2的时间段缩短到最初的一次，而常规配置需要t×m次，因为通过常规配置对构成多芯片型图像传感器的所有相应的m个传感器芯片进行读出扫描已经重复t次。

因此，可以实现光学信号输出的高速读出和芯片尺寸的减小(缩小)。

此外，由于本实施例使用最后一级的传感器芯片1-m的END信号作为光接收元件2的切换控制的定时，构成多芯片型图像传感器的设置的传感器芯片1的数量可以改变。

虽然已经参考示范性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于所公开的示范性实施例。以下权利要求的范围应该被给予最广泛的解释，以便包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (6)

1.一种光电转换设备的驱动方法，所述光电转换设备包括多个传感器芯片，各传感器芯片包括多个单位块，各单位块包括:

多个光接收元件；多个第一开关，各第一开关与所述多个光接收元件中的各光接收元件相对应地设置，以用于从各光接收元件读取信号；以及多个第二开关，各第二开关都与所述多个第一开关中的多个第一开关相对应地设置，以用于从第一开关读取信号，

其中，所述光电转换设备进一步包括公共信号读取线，通过公共信号读取线，从所述多个传感器芯片的所述多个光接收元件读出信号，并且，

其中，在顺序地将信号从所述多个单位块中包括的第一光接收元件读出到公共信号读取线之后，并且在顺序地将信号从同一个传感器芯片中包括的第一光接收元件之外的光接收元件读出到公共信号读取线之前，信号被从其它传感器芯片中的单位块中包括的光接收元件读出到公共信号读取线。

2.根据权利要求1所述的驱动方法，其中

所述多个传感器芯片包括第一传感器芯片和被设置在第一传感器芯片的下一级处的第二传感器芯片，基于来自第一传感器芯片的读取开始信号，执行从第二传感器芯片中的单位块中包括的光接收元件的信号读取。

3.根据权利要求1或2所述的驱动方法，其中

在从所述多个传感器芯片之中的第一级的传感器芯片的单位块中包括的第一光接收元件读出信号之后，基于来自最后一级的传感器芯片的读取开始信号，执行开始从单位块中包括的第一光接收元件之外的光接收元件的信号读取。

4.一种光电转换设备，包括多个传感器芯片，各传感器芯片包括多个单位块，各单位块包括:

多个光接收元件；多个第一开关，各第一开关与所述多个光接收元件中的各光接收元件相对应地设置，以用于从各光接收元件读取信号；以及多个第二开关，各第二开关与所述多个第一开关中的多个第一开关相对应地设置，以用于从第一开关读取信号，

其中，所述光电转换设备进一步包括公共信号读取线，通过公共信号读取线，从所述多个传感器芯片的所述多个光接收元件读出信号，并且，

其中，所述多个传感器芯片中的各传感器芯片具有输入部，所述输入部输入用于开始从光接收元件的信号读取的信号，并且第一级的传感器芯片从其输入部接收从最后一级的传感器芯片输出的信号。

5.根据权利要求4所述的光电转换设备，其中

从最后一级的传感器芯片输出的信号被输入到最后一级的传感器芯片之外的所有传感器芯片的输入部，并且传感器芯片具有用于延迟输入到输入部的信号的延迟电路。

6.根据权利要求4或5所述的光电转换设备，进一步包括:

用于驱动公共信号读取线的读出电路。

Images