CN101355018A - 气密模块以及该气密模块的排气方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法，能够不降低生产效率地防止在基板的主面形成的图案发生倾倒。基板处理系统的负载锁定模块(5)具有移载臂(31)、腔室(32)以及负载锁定模块排气系统(34)，在腔室(32)内以与搬入到腔室(32)内的晶片(W)的主面相对的方式配置有板状部件(36)，在晶片(W)的主面的正上方，通过晶片(W)的主面和板状部件(36)划分成与腔室(32)的剩余部分隔离的排气流路，该排气流路的截面积比腔室(32)的剩余部分的截面积小。
Description
技术领域
本发明涉及气密模块以及该气密模块的排气方法，特别涉及具有通过被施加规定处理而在主面上形成有图案的基板被搬入用的腔室的气密模块。
背景技术
对作为基板的晶片实施规定的处理、例如等离子体处理的基板处理系统包括：收容晶片并对其实施等离子体处理的处理模块(processmodule)；向该处理模块搬入晶片并且将处理完的晶片从该处理模块搬出的负载锁定模块(load lock module)；和从收容多个晶片的容器中取出晶片并将其交接至负载锁定模块的装载模块(loader module)。
通常，基板处理系统的负载锁定模块具有下述功能，即，其具有用于接收晶片的腔室，在大气压下接收晶片，并在腔室内被真空排气至规定的压力之后，打开处理模块一侧的门，将晶片搬入到处理模块内，若等离子体处理结束，则从处理模块搬出处理完的晶片，并关闭处理模块一侧的门，使腔室内恢复至大气压，将晶片搬出至装载模块(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2006-128578号公报
然而，在上述的负载锁定模块中，实施完等离子体处理而在主面上形成有图案的晶片在大气压下被接收之后，若对腔室内进行真空排气，则形成于晶片主面上的图案会发生倾倒。
作为图案倾倒的产生过程，如图8所示，认为是在真空排气时，存在于腔室内的图案P间的气体分子m与图案P发生冲突，因为该冲突的气体分子m的运动量而使图案P发生倾倒。
在晶片主面上发生图案倾倒的情况，会在由该晶片制造的半导体设备中引起短路等不良情况，从而最终导致降低制造出的半导体设备的生产率。
在现有技术中，为了应对该情况，在负载锁定模块中，通过降低真空排气时的排气速度，来降低腔室内的气体分子的运动量，从而防止发生图案倾倒，但是，会产生下述问题，即，若降低真空排气时的排气速度，则达到规定的真空度需要很长时间，因此基板处理系统的生产效率明显降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法，能够不降低生产效率地防止在基板主面上形成的图案发生倾倒。
为了实现上述目的，本发明第一方面的气密模块，该气密模块具有腔室，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬入到该腔室内，所述气密模块的特征在于，包括：以与所述被搬入的基板的所述主面相对的方式配置的板状部件。
本发明第二方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一方面所述的气密模块中，所述板状部件被配置成与所述主面之间的间隔为5mm以下。
本发明第三方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一或者第二方面所述的气密模块中，所述板状部件为网眼状结构体或者多孔结构体。
本发明第四方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一或者第二方面所述的气密模块中，所述板状部件被施加切口加工。
本发明第五方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一或者第二方面所述的气密模块中，所述板状部件具有贯通该板状部件的多个孔。
本发明第六方面的气密模块，其特征在于：在本发明第五方面所述的气密模块中，所述多个孔沿着相对于所述主面垂直方向形成。
本发明第七方面的气密模块，其特征在于：在本发明第五或者第六方面所述的气密模块中，该气密模块具有以与所述主面相对的方式配置并且对所述腔室内进行排气的排气装置。
本发明第八方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一～第七方面所述的气密模块的任一个中，该气密模块具有向所述腔室内供给轻元素气体的气体供给装置。
本发明第九方面的气密模块，其特征在于：在本发明第一～第八方面所述的气密模块的任一个中，该气密模块具有使所述板状部件和所述主面隔离开的隔离装置。
为了实现上述目的，本发明第十方面提供一种气密模块，该气密模块具有腔室，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬入到该腔室内，所述气密模块的特征在于，包括：基板抬升装置，该基板抬升装置向着与所述被搬入的基板的所述主面相对的、划分所述腔室的部件抬升该基板。
为了实现上述目的，本发明第十一方面提供一种排气方法，是具有腔室的气密模块的排气方法，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬入到该腔室内，所述排气方法的特征在于，包括：以与所述被搬入的基板的所述主面相对的方式在所述腔室内配置板状部件的配置步骤；和对所述腔室内进行排气的排气步骤。
本发明第十二方面所述的排气方法，其特征在于，在第十一方面的排气方法中，包括：在所述排气步骤之前，将所述腔室内排气至低真空的低真空排气步骤；和向排气至低真空的所述腔室内供给轻元素气体的气体供给步骤。
为了实现上述目的，本发明第十三方面提供一种排气方法，是具有腔室的气密模块的排气方法，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬入到该腔室内，所述排气方法的特征在于，包括：向着与所述被搬入的基板的所述主面相对的、划分所述腔室的部件抬升该基板的基板抬升步骤；和对所述腔室内进行排气的排气步骤。
根据本发明第一方面的气密模块以及第十一方面的气密模块的排气方法，因为以与基板的主面相对的方式设置有板状部件，所以在基板的主面的正上方，通过基板以及板状部件划分成与腔室的剩余部分隔离的排气流路。因为该排气流路的截面积比腔室的剩余部分的截面积小，所以能够使排气流路的传导率比腔室的剩余部分的传导率小。其结果，在真空排气时，使基板的主面的正上方的气体分子，即在基板的主面上形成的图案间存在的气体分子的运动量降低，所以不会因该气体分子的冲突而导致该图案发生倾倒。此外，在腔室内，因为基板的主面的正上方的排气流量相对地微弱，所以上述排气流路的传导率的变化不会受到腔室整体的排气流的传导率的影响。其结果，不会使真空排气时的排气时间变长。因此，能够不降低生产效率地防止在基板主面上形成的图案发生倾倒。
根据本发明第二方面的气密模块，因为板状部件被配置成与基板的主面的间隔为5mm以下，所以，能够使由基板和板状部件划分成的排气流路的传导率为能够可靠地防止图案倾倒的传导率，从而，能够可靠地防止在基板的主面上形成的图案发生倾倒。
根据本发明第三方面的气密模块，因为板状部件为网眼状结构体或者多孔结构体，所以能够防止由基板和板状部件划分成的排气流路的传导率为所需以上地小(即防止传导率过于小)，从而，能够迅速地进行腔室内的真空排气。
根据本发明第四方面的气密模块，因为板状部件被施加切口加工，所以能够防止由基板和板状部件划分成的排气流路的传导率为所需以上地小(即防止传导率过于小)，从而能够迅速地进行腔室内的真空排气。
根据本发明第五方面的气密模块，因为板状部件具有贯通该板状部件的多个孔，所以基板的主面的正上方的气体，其一部分通过多个孔而被排气。因此，在真空排气时，该气体的一部分从基板的主面向板状部件流动，即，相对于在主面上形成的图案大致平行地流动。由此，能够防止一部分的气体分子对该图案的冲突，从而能够可靠地防止图案发生倾倒。
根据本发明第六方面的气密模块，因为贯通板状部件的多个孔相对于基板的主面沿着垂直方向形成，所以，能够使在真空排气时通过该多个孔的气体可靠地相对于在主面上形成的图案平行流动。
根据本发明第七方面的气密模块，因为与基板的主面相对地配置有对腔室内进行排气的排气装置，所以，能够进一步使在真空排气时通过该多个孔的气体可靠地相对于在主面上形成的图案平行流动。
根据本发明第八方面的气密模块，因为向腔室内供给轻元素气体，所以能够将腔室内的气体置换成轻元素气体。其结果，在真空排气时，能够使基板的主面的正上方的气体分子，即在基板的主面上形成的图案间所存在的气体分子的运动量降低，从而，能够可靠地防止在基板的主面上形成的图案发生倾倒。
根据本发明第九方面的气密模块，因为使板状部件和基板的主面隔离开，所以能够控制由基板和板状部件划分成的排气流路的传导率。而且，通过根据真空排气时的腔室内的压力控制板状部件的间隔量，能够根据真空排气时的腔室内的压力适当地控制该排气流路的传导率。
根据本发明第十方面的气密模块以及第十三方面的气密模块的排气方法，基板向着与该基板的主面相对的、划分腔室的部件而被抬升。此时，在基板的主面的正上方，通过基板以及划分腔室的部件，形成与腔室的剩余部分隔离的排气流路。因为该排气流路的截面积比腔室的剩余部分的截面积小，所以能够使排气流路的传导率比腔室的剩余部分的传导率小。由此，能够实现上述第一方面的气密模块以及第十一方面的气密模块的排气方法相同的效果。
根据本发明第十二方面的气密模块的排气方法，因为使腔室内排气至低真空，并且向腔室内供给轻元素气体，所以能够将腔室内的气体置换成轻元素气体。其结果，在真空排气时，能够使基板的主面的正上方的气体分子，即在基板的主面上形成的图案间所存在的气体分子的运动量降低，从而，能够可靠地防止在基板的主面上形成的图案发生倾倒。
附图说明
图1是简要表示具有本发明的实施方式所涉及的气密模块的基板处理系统的结构的截面图。
图2是用于说明作为本实施方式所涉及的气密模块的负载锁定模块的排气方法的排气处理的图。
图3是表示负载锁定模块的腔室的真空排气中的腔室内压力和排气时间之间关系的图表。
图4是用于说明作为本实施方式所涉及的气密模块的负载锁定模块的排气方法的排气处理的变形例的工序图。
图5是用于说明作为本实施方式所涉及的气密模块的负载锁定模块的变形例的排气方法的排气处理的图。
图6是用于说明作为本实施方式所涉及的气密模块的负载锁定模块具有隔离装置时的说明图。
图7是用于说明作为本实施方式所涉及的气密模块的负载锁定模块的变形例的说明图。
图8是用于说明在真空排气时的基板的主面上所形成的图案倾倒的图。
标号说明
m：气体分子
P：图案
S：处理空间
W：晶片
1：基板处理系统
5、37：负载锁定模块
31、41：移载臂
32：腔室
33：气体供给系统
34、38：负载锁定模块排气系统
36、39：板状部件
40：孔
43：抬升销(lift pin(升降销))
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
首先，对具有本发明的实施方式所涉及的气密模块的基板处理系统进行说明。
图1是简要表示具有本发明的实施方式所涉及的气密模块的基板处理系统的结构的截面图。
在图1中，基板处理系统1包括：处理模块2，其相对于作为基板的半导体用晶片W(以下简称为“晶片W”)单个地进行成膜处理、扩散处理、蚀刻处理等各种等离子体处理；装载模块4，其从收纳有规定个数的晶片W的晶片盒3中取出晶片W；和负载锁定模块5(气密模块)，其被配置在该装载模块4以及处理模块2之间，用于从装载模块4向处理模块2或者从处理模块2向装载模块4搬送晶片W。
处理模块2以及负载锁定模块5通过门阀6连接，负载锁定模块5以及装载模块4通过门阀7连接。此外，负载锁定模块5的内部以及装载模块4的内部通过中途配置有自由开闭的阀8的连通管9而连通。
处理模块2具有由金属制成的、例如铝或者不锈钢制成的圆筒型腔室10，在该腔室10内配置有作为载置台的圆柱状的基座11，用于载置例如直径为300mm的晶片W。
在腔室10的侧壁和基座11之间形成有排气流路12，该排气流路12起到使后述的处理空间S的气体向腔室10之外排出的流路的作用。在该排气流路12的中途配置有环状的排气板13，作为排气流路12的比排气板13更下游的空间的总管(歧管)14，与作为可变式蝶形阀(butterfly valve)的自动压力控制阀(Adaptive Pressure Control Valve)(以下简称为“APC阀”)15连通。APC阀门15与作为抽真空用的排气泵的涡轮分子泵(以下简称为“TMP”)16连接。此处，排气板13防止在处理空间S中产生的等离子体向总管14流出。APC阀门15对腔室10内的压力进行控制，TMP16将腔室10内减压至大致真空状态。
在基座11上，通过匹配器18连接有高频电源17，高频电源17向基座11供给高频电力。由此，基座11起到下部电极的作用。此外，匹配器18降低来自于基座11的高频电力的反射并且使该高频电力向基座11的供给效率最大。
在基座11上，配置有用于通过库仑力或者称为约翰逊-拉别克(Johnsen-Rahbek)力来吸附保持晶片W的电极板(图未示出)。由此，晶片W被吸附保持在基座11的上面。此外，在基座11的上部配置有由硅(Si)等构成的圆环状的聚焦环19，该聚焦环19使产生于基座11以及后述的喷淋头20之间的处理空间S中的等离子体向着晶片W收束聚集。
此外，在基座11的内部设置有环状的制冷剂室(图未示出)。该制冷剂室被循环供给有规定温度的制冷剂，例如冷却水，利用该制冷剂的温度对基座11上的晶片W的处理温度进行调整。其中，向晶片W和以及基座11之间供给氦气(Helium Gas)，利用该氦气将晶片W的热量传递至基座11。
在腔室10的顶部配置有圆板状的喷淋头20。在该喷淋头20上通过匹配器22连接有高频电源21，高频电源21将高频电力供给至喷淋头20。由此，喷淋头20起到上部电极的作用。其中，匹配器22的功能与匹配器18的功能相同。
此外，喷淋头20与供给处理气体例如CF类气体以及其它种类的气体的混合气体的处理气体导入管23连接，喷淋头20向处理空间S导入从处理气体导入管23供给的处理气体。
在该处理模块2的腔室10内的处理空间S中，被供给高频电力的基座11和喷淋头20向处理空间S施加高频电力，在处理空间S中由处理气体产生高密度的等离子体。产生的等离子体通过聚焦环19被收束聚集在晶片W的表面，例如，对晶片W的表面进行物理或者化学蚀刻。
装载模块4具有载置晶片盒3的晶片盒载置台24以及搬送室25。晶片盒3以等间距并且多层地载置收容有例如25个晶片W。搬送室25为长方体状的箱状物，在其内部具有搬送晶片W的标量型的搬送臂26。
搬送臂26具有：构成为能够屈伸的多关节型的搬送臂腕部27；和安装在该搬送臂腕部27的前端的拾取器28，该拾取器28构成为能够直接载置晶片W。搬送臂26构成为能够自由旋转，并且通过搬送臂腕部27能够自由弯曲，由此，能够在晶片盒3以及负载锁定模块5之间自由地搬送载置于拾取器28上的晶片W。
此外，在搬送室25的顶部连接有供空气向搬送室25内流入的流入管29，在搬送室25的底部连接有供搬送室25内的空气流出的流出管30。因此，在搬送室25内，从搬送室25的顶部流入的空气从搬送室25的底部流出。因此，流入至搬送室25内的空气形成为下降流(downflow：下降气流)。
负载锁定模块5具有：配置有自由屈伸以及旋转地构成的移载臂31的腔室32；向该腔室32内供给作为吹扫气体的氮气(N2)等不活泼性气体以及作为置换气体的氦气(He)等轻元素气体的气体供给系统(气体供给装置)33；和对腔室32进行真空排气的负载锁定模块排气系统34。此处，移载臂31为由多个腕部构成的标量型的搬送臂，具有安装在其前端的拾取器35。该拾取器35构成为直接载置晶片W。此外，在腔室32内配置有板状部件36。该板状部件36在该腔室32的真空排气期间、在腔室32的一个地方与持续载置晶片W的拾取器35相对。即，板状部件36被配置成与搬入到腔室32内的晶片W的主面相对。
板状部件36的大小与晶片W的大小大致相同，当板状部件36与晶片W的主面相对时，板状部件36覆盖晶片W的大致整个表面。此时，在晶片W的主面的正上方通过晶片W以及板状部件36形成与腔室32的残留部分隔离的排气流路。
当从装载模块4向处理模块2搬送晶片W的情况下，当打开门阀7时，移载臂31在大气压下从搬送室25内的搬送臂26接收晶片W，在关闭门阀7使腔室32内真空排气至规定的压力之后，打开门阀6时，移载臂31进入到处理模块2的腔室10内，将晶片W载置在基座11上。此外，当从处理模块2向装载模块4搬送晶片W的情况下，当打开门阀6时，移载臂31进入到处理模块2的腔室10内，从基座11上接收晶片W，在关闭门阀6使腔室32内恢复到大气压之后，打开门阀7时，移载臂31向搬送室25内的搬送臂26交接晶片W。
其中，对于构成基板处理系统1的处理模块2、装载模块4以及负载锁定模块5的各构成要素的动作，通过基板处理系统1所具有的作为控制装置的计算机(图未示出)、与基板处理系统1连接的作为控制装置的外部服务器(图未示出)等控制。
下面，对作为本实施方式所涉及的气密模块的负载锁定模块的排气方法进行说明。
图2是用于说明作为本实施方式所涉及的气密模块的负载锁定模块的排气方法的排气处理的图。其中，对于本排气处理而言，是在例如从装载模块4向处理模块2搬送已被实施上述各种等离子体处理而在主面上形成有图案的晶片W的情况下，在大气压下将晶片W收入到腔室32内之后实施的。
在图2中，首先，负载锁定模块5的移载臂31在大气压下从搬送室25内的搬送臂26接收晶片W，将晶片W搬入到腔室32内，使该晶片W的主面与板状部件36相对。然后，负载锁定模块排气系统34对腔室32内进行真空排气。
图3是表示负载锁定模块的腔室的真空排气中的腔室内压力和排气时间之间关系的图表。
在图3的图表中，虚线B表示通过晶片W以及板状部件36划分成的排气通路中的压力转移，实线A表示腔室32的剩余部分中的压力转移。
因为腔室32的剩余部分的传导率(conductance)较大，所以在腔室32的剩余部分在真空排气的初期阶段，压力急剧下降，但是，在由晶片W和板状部件36划分成的排气通路中，因为该排气通路的传导率比腔室32的剩余部分的传导率小，所以压力缓慢降低。即，在上述排气通路中能够使排气速度降低，从而能够降低该排气通路中的气体分子的运动量。
根据本排气处理，因为以与晶片W的主面相对的方式配置板状部件36，所以在晶片W的主面的正上方通过晶片W以及板状部件36划分成与腔室32的剩余部分隔离的排气流路。该排气流路的截面积因为比腔室32的剩余部分的截面积小，所以能够使排气流路的传导率(晶片W的主面的正上方的传导率(以下简称为“正上方传导率”))比腔室32的剩余部分的传导率小。其结果，在真空排气时，晶片W的主面的正上方的气体分子、即形成于晶片W的主面上的图案间所存在的气体分子的运动量降低，因此，不会因该气体分子的冲突而导致该图案发生倾倒。此外，在腔室32内，因为晶片W的主面的正上方的排气流量相对地为微量，所以正上方传导率的变化不会对腔室32内整体的排气流的传导率产生影响。其结果，不会使真空排气时的排气时间变长。因此，能够不会降低基板处理系统1的处理效率地防止在晶片W的主面上形成的图案发生倾倒。
其中，为了防止图案倾倒，本发明者确认，可以使正上方传导率与没有配置板状部件36时的传导率相比为1/10以下。具体而言，使沿着由晶片W和板状部件36划分成的排气流路的排气流方向的长度(图2中的左右方向的长度)为379mm，沿着与腔室32的气体的流动方向成直角的方向的长度(图2中的纵深方向的长度)为309mm，搬入到腔室32内的晶片W的主面和与该主面相对的腔室32的顶面(天井)之间的间隔为15.7mm，则实现能够防止图案倾倒的传导率，因此，确认可以配置板状部件36使其与晶片W的主面的间隔为5mm以下。
此外，上述板状部件36也可以为网眼结构体或者多孔(porous：有孔隙)结构体，也可以被施加切口(slit)加工。此时，能够防止正上方传导率变得过于小，即必要以上的小，而且，能够迅速地进行腔室32内的真空排气。
此外，上述板状部件36也可以具有贯通该板状部件36的多个孔(图未示出)。此时，因为晶片W的主面的正上方的气体，其一部分通过多个孔被排出，所以该气体的一部分在真空排气时从基板的主面向板状部件流动，即，相对于在主面上形成的图案大致平行地流动。由此，能够防止通过多个孔而被排气的图案间所存在的气体分子向该图案的冲突，从而，能够可靠地防止图案倾倒。
此外，优选贯通上述板状部件39的多个孔的各个，沿着相对于与该板状部件39相对配置的晶片W的主面垂直的方向形成。此时，在真空排气时，通过该多个孔的气体能够可靠地相对于形成在主面上的图案平行地流动。
此外，若对腔室32内进行真空排气，则有可能在腔室内卷起颗粒，该卷起的颗粒有可能向晶片W的主面飞来，但是，在负载锁定模块5中，因为板状部件36与晶片W的主面相对配置，所以飞向晶片W的主面的颗粒其前进路线被板状部件36所阻碍，不会到达晶片W的主面。因此，能够提高由晶片W制造的半导体设备的生产率。
图4是用于说明作为本实施方式所涉及的气密模块的负载锁定模块的排气方法的排气处理的变形例的工序图。
首先，负载锁定模块5的移载臂31在大气压下从搬送室25内的搬送臂26接收晶片W，将晶片W搬入到腔室32内，使得在腔室32中，该晶片W的主面与板状部件36相对。然后，负载锁定模块排气系统34将腔室32内排气至低真空(图4(A))。
接着，气体供给系统33向被排气至低真空的腔室32内供给作为轻元素的氦气(图4(B))。
然后，负载锁定模块排气系统34对腔室32内进行真空排气(图4(C))。
根据本排气处理的变形例，以与晶片W的主面相对的方式配置板状部件36，所以能够实现与上述图2的排气处理相同的效果。而且，在被排气至低真空的时刻，向腔室32内供给作为轻元素气体的氦气，所以腔室32内的气体被置换成作为轻元素气体的氦气。其结果，在真空排气时，能够使晶片W的主面的正上方的气体分子，即在晶片W的主面上形成的图案间所存在的气体分子的运动量进一步降低，从而，能够可靠地防止在晶片W的主面上形成的图案发生倾倒。此外，当不以降低气体分子的运动量为目的时，即，也可以维持在与氦气置换前相同的运动量的情况下，也可以提高排气速度，由此，能够提高基板处理系统1的生产效率。
其中，根据本排气处理的变形例，通过将腔室32内的气体置换为作为轻元素气体的氦气，能够降低在晶片W的主面上形成的图案间所存在的气体分子的运动量，所以，例如，即便不配置板状部件36，也能够在某种程度防止发生图案倾倒。
图5是用于说明作为本实施方式所涉及的气密模块的负载锁定模块的变形例的排气方法的排气处理的图。其中，本排气处理按照与上述图2的排气处理相同的顺序进行。
在图5中，负载锁定模块37具有配置在腔室32的上方并且对该腔室32内进行排气的负载锁定模块排气系统38(排气装置)，在腔室32内以与拾取器35的晶片载置面相对的方式配置有板状部件39，该板状部件39具有多个贯通该板状部件39的孔40。负载锁定模块37的移载臂31在大气压下从搬送室25内的搬送臂26接收晶片W，将晶片W搬入到腔室32内，在腔室32内使该晶片W的主面与板状部件39相对。然后，负载锁定模块排气系统38从上方对腔室32内进行真空排气。
根据本排气处理，因为以与晶片W的主面相对的方式配置板状部件39，所以能够实现与上述图2的排气处理相同的效果。而且，板状部件39具有多个贯通该板状部件39的孔40，腔室32内的气体从上方被真空排出，所以在晶片W的主面的正上方的气体其大部分都通过多个孔40而被排气。其结果，在真空排气时，能够使晶片W的主面的正上方的气体的流动方向为相对于在该主面上形成的图案大致平行的方向。由此，能够防止在图案间存在的气体分子对该图案的冲突，而且，能够可靠地防止图案发生倾倒。
此外，上述贯通板状部件39的多个孔40的各个，优选沿着相对于与该板状部件39相对配置的晶片W的主面垂直的方向形成。此时，在真空排气时，能够可靠地使晶片W的主面的正上方的气体的流动方向相对于在该主面上形成的图案为平行方向，
此外，具有沿着相对于晶片W的主面垂直的方向形成的多个孔40的板状部件，以横截腔室32内的空间的方式配置，该板状部件将腔室32内的空间分割成两个空间而配置在腔室32的上方也可以。此时，在真空排气时，能够使被分割为两个空间的腔室32内的空间中的下方的空间、即晶片W被搬入的空间中的所有的气体的流动方向相对于晶片W的主面上所形成的图案成为大致平行的方向。
此外，在图5的排气处理中，负载锁定模块排气系统38被配置在腔室32的上方，但是，当被搬入到腔室32内的晶片W的主面不向着上方，例如向着下方时，以向着晶片W的主面的方式，即在腔室32的下方配置负载锁定模块排气系统38。由此，能够实现与上述图5的排气处理相同的效果。
此外，对于实施上述的各排气处理的负载锁定模块5(37)而言，如图6所示，也可以具有使板状部件36(39)和晶片W的主面隔离的隔离装置(图未示出)。此时，该隔离装置根据真空排气时的腔室32内的压力来控制板状部件36(39)和晶片W的上面的隔离量。由此，能够根据真空排气时的腔室32内的压力来适当地控制正上方传导率。具体而言，腔室32内的压力越低，越使板状部件36(39)和晶片W的主面分离。由此，能够使通过晶片W和板状部件36(39)划分成的排气通路的传导率缓缓变大，从而，能够迅速地进行腔室32内的真空排气。
此外，在负载锁定模块5(37)中，也可以在腔室32内配置在顶端安装有拾取器42的移载臂41。拾取器42具有将配置在该拾取器42上的晶片W抬升的多个抬升销43(基板抬升装置)。负载锁定模块40的移载臂41在大气压下从搬送室25内的搬送臂26接收晶片W，在移载臂41将晶片W搬入到腔室32内之后，拾取器42的多个抬升销43向着与该晶片W的主面相对的划分腔室32的部件、即腔室32的顶部(天井)抬升晶片W。此时，晶片W的主面的正上方，通过晶片W和腔室32的顶部，划分成与腔室32的剩余部分隔离开的排气流路。因为该排气流路的截面积比腔室32的剩余部分的截面积小，所以能够使正上方传导率变小，从而，能够实现与上述图2的排气处理相同的效果。
本发明适用于作为气密模块的负载锁定模块，但是其并不局限于使用气密模块，只要是具有形成有图案的晶片被搬入的腔室的模块或者装置均适用于本发明。
此外，在上述实施方式中，基板为半导体用晶片，但是基板并不局限于此，例如，也可以是LCD(liquid Crystal Display(液晶显示器))、FPD(Flat Panel Display(平板显示器))等的玻璃基板。
Claims (13)
1.一种气密模块，该气密模块具有腔室，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬入到该腔室内，所述气密模块的特征在于，包括：
以与所述被搬入的基板的所述主面相对的方式配置的板状部件。
2.如权利要求1所述的气密模块，其特征在于：
所述板状部件被配置成与所述主面之间的间隔为5mm以下。
3.如权利要求1或2所述的气密模块，其特征在于：
所述板状部件为网眼状结构体或者多孔结构体。
4.如权利要求1或2所述的气密模块，其特征在于：
所述板状部件被施加切口加工。
5.如权利要求1或2所述的气密模块，其特征在于：
所述板状部件具有贯通该板状部件的多个孔。
6.如权利要求5所述的气密模块，其特征在于：
所述多个孔沿着相对于所述主面垂直方向形成。
7.如权利要求5或6所述的气密模块，其特征在于：
该气密模块具有以与所述主面相对的方式配置并且对所述腔室内进行排气的排气装置。
8.如权利要求1～7中任一项所述的气密模块，其特征在于：
该气密模块具有向所述腔室内供给轻元素气体的气体供给装置。
9.如权利要求1～8中任一项所述的气密模块，其特征在于：
该气密模块具有使所述板状部件和所述主面隔离开的隔离装置。
10.一种气密模块，该气密模块具有腔室，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬入到该腔室内，所述气密模块的特征在于，包括：
基板抬升装置，该基板抬升装置向着与所述被搬入的基板的所述主面相对的、划分所述腔室的部件抬升该基板。
11.一种排气方法，是具有腔室的气密模块的排气方法，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬入到该腔室内，所述排气方法的特征在于，包括：
以与所述被搬入的基板的所述主面相对的方式在所述腔室内配置板状部件的配置步骤；和
对所述腔室内进行排气的排气步骤。
12.如权利要求11所述的排气方法，其特征在于，包括：
在所述排气步骤之前，将所述腔室内排气至低真空的低真空排气步骤；和
向排气至低真空的所述腔室内供给轻元素气体的气体供给步骤。
13.一种排气方法，是具有腔室的气密模块的排气方法，被实施规定的处理而在主面上形成有图案的基板被搬入到该腔室内，所述排气方法的特征在于，包括：
向着与所述被搬入的基板的所述主面相对的、划分所述腔室的部件抬升该基板的基板抬升步骤；和
对所述腔室内进行排气的排气步骤。
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