CN101341599A - 具有物理上分离的分布式电接触件的太阳电池 - Google Patents

具有物理上分离的分布式电接触件的太阳电池 Download PDF

Info

Publication number
CN101341599A
CN101341599A CNA2006800483617A CN200680048361A CN101341599A CN 101341599 A CN101341599 A CN 101341599A CN A2006800483617 A CNA2006800483617 A CN A2006800483617A CN 200680048361 A CN200680048361 A CN 200680048361A CN 101341599 A CN101341599 A CN 101341599A
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact piece
electric contact
electric
rear side
front side
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006800483617A
Other languages
English (en)
Inventor
乔治·L·鲁宾
安德烈亚什·施奈德
莱昂尼德·B·鲁宾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Day4 Energy Inc
Original Assignee
Day4 Energy Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Day4 Energy Inc filed Critical Day4 Energy Inc
Publication of CN101341599A publication Critical patent/CN101341599A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433Particular geometry of the grid contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

一种光伏装置,具有半导体光伏电池结构,该结构具有通过形成光伏结的半导体材料的相应掺杂的部分而提供的前表面和后表面。多个分离的电接触件嵌入在所述半导体材料的各部分中的相应的一个部分的前侧表面上。所述电接触件二维分布在所述表面上,且彼此分离,并与所述半导体材料的各部分中的相应的一个部分电接触。后侧电接触件被设置在所述半导体材料的相应部分中的另一部分的后表面上,并与其电接触。一种太阳电池装置,包括上述装置以及电极,所述电极用于分别接触所述半导体材料的前和后侧表面上的电接触件。

Description

具有物理上分离的分布式电接触件的太阳电池
发明背景
1.技术领域
本发明涉及太阳电池,更具体而言,涉及半导体光伏电池以及一种用于形成太阳电池结构中的电接触件的方法。
2.背景技术
公知的是,在光照下,包含半导体晶片的光伏(PV)太阳电池产生电流。可借助于晶片上的前侧和后侧金属化而从电池中收集该电流,所述晶片充当太阳电池的前侧和后侧上的电接触件。通过掩模将通常包含银和/或铝的部分导电浆丝网印刷到所述电池的前表面和后表面上。对于太阳电池结构的前(活动)侧,掩模通常具有开口,通过所述开口,所述浆接触要金属化的表面。所述开口配置确定了所述浆要在电池表面上形成的图案的形状以及电接触件的最终形状。前侧掩模通常被配置成生成多个薄的平行线接触件以及两个或更多个较粗的线,所述较粗的线连接到所述平行线接触件并通常垂直延伸至所述平行线接触件。
将所述浆敷在掩模上之后,去除掩模,并对承载部分导电浆的晶片进行初始加热,使得所述浆变干。之后,晶片在炉上“焙烧”,所述浆进入金属相,所述浆的至少部分扩散通过太阳电池的前侧表面并进入到电池结构中,而一部分则留下凝固在所述前侧表面上。这样,多个薄的平行线形成被称作“指”的薄的平行线性电接触件,与被称作“汇流条”的较粗的垂直线交叉。所述指的目的在于从PV电池的前侧收集电流。所述汇流条的目的在于从所述指接收电流并将电流从电池中传递出去。
典型地,每个指的宽度和高度分别为约120微米和10微米。丝网印刷技术中固有的技术局限又在指的高度上引入了1-10微米的起伏,而在宽度上引入了10-30微米或更大的起伏。尽管所述指足以获取小电流,但所述汇流条需要从多个指中收集大得多的电流,因此具有实质上更大的横截面和宽度。
后侧金属化包括在除几个小区域之外的电池的整个后表面上的包含铝的部分导电浆的层。在初始加热中,所述浆变干。然后,银/铝浆被丝网印刷在还没印刷有铝浆的特定区域中,并进一步进行干燥。之后,当晶片经受“焙烧”时,其中铝浆形成被称作背场(Back Surface Field,BSF)的钝化层和铝接触层,而银/铝浆形成银/铝垫。铝接触层从PV电池自身收集电流,并将其传送至银垫。使用银/铝垫将电流从PV电池中取走。
太阳电池的前侧上的指和汇流条所占据的区域被称作遮蔽区,其阻止太阳能辐射到达太阳电池的表面。该遮蔽区降低了太阳电池的转换效率。现代太阳电池遮蔽占据有效的太阳电池表面面积的6-10%。
此外,前侧上的金属化以及后侧上的银/铝垫的存在导致PV电池所产生的电压与金属化面积成比例地减少。因此,为了获得PV电池的最大转换效率,期望使前侧金属化所占据的面积最小。另外,还期望使后侧上的银金属化的面积最小,特别地以降低所需要的银/铝的量。这会提高电池效率,并会在总体上降低太阳电池制造的成本,因为银/铝浆是昂贵的。
现代丝网印刷技术在前侧金属化中的使用,通过优化正在生产的太阳电池的指和汇流条的宽度和厚度而获得了某一最小水平的金属化。但是,存在阻止金属化面积进一步降低的原理上的局限。首先,指的横截面尺寸不能小于特定尺寸,以避免由于在太阳电池工作期间流过指的电流而导致的过度的电阻损耗。另外,也是为了避免工作期间的电阻损耗,要求汇流条具有最小的横截面尺寸。另外,常规技术不允许去除太阳电池的后侧上的银/铝垫,因为PV模块的生产要求通过焊接到银/铝垫的镀锡铜片而使太阳电池串联地互连。
有几篇文章描述了用于印刷非常窄的小于或等于70微米宽的指的方法(B.Raabe、F.Huster、M.McCann、P.Fath的“HIGH ASPECT RATIOSCREEN PRINTED FINGERS”,Proc.of the 20th European PhotovoltaicSolar Energy Conference,2005年6月6-10日,巴塞罗纳,西班牙;JaapHoornstra、Arthur W.Weeber、Hugo H.C.de Moor、Wim C.Sinke的“THE IMPORTANCE OF PASTE RHEOLOGY IN IMPROVING FINELINE,THICK FILM  SCREEN PRINTING OF FRONT  SIDEMETALLIZATION”,Proc.of the 14th European Photovoltaic SolarEnergy Conference,1997年6月30日至7月4日,巴塞罗纳,西班牙;以及A.R.Burgers、H.H.C.de Moor、W.C.Sinke、P.P.Michiels的“INTERRUPTION TOLERANCE OF METALLIZATION PATTERNS”,Proc.of the 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference,1994年4月11-15日,阿姆斯特丹,荷兰)。不幸的是,小于或等于70微米的常规指具有窄的横截面,该横截面太小,以致不能在没有过度的电阻损耗的情况下处理能够由太阳电池产生的必要的电流电平。为了获得适当的指的传导性,需要利用电镀技术,将第二层丝网印刷的浆施加到第一个的上面,或将金属层施加到初始的丝网印刷的金属化的上面。这些方法的最后成本和复杂度为光电池的生产添加了令人望而却步的高花费。
到目前为止,看起来还没有生产具有减小的前侧遮蔽并且在后侧上没有常规丝网印刷的银/铝垫的光伏太阳电池的简单途径。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种光伏装置。所述装置包括半导体光伏电池结构,该结构具有通过形成光伏结的半导体材料的相应掺杂的部分而提供的前侧表面和后侧表面。所述装置还包括多个电接触件,所述多个电接触件嵌入在半导体材料的各部分中的相应的一个部分的前表面上,所述电接触件二维分布在表面上,且彼此分离,并与半导体材料的各部分中的相应的一个部分电接触。所述装置还包括后侧电接触件,所述后侧电接触件在半导体材料的相应部分中的另一部分的后表面上并与其电接触。
所述电接触件可在两个正交的方向上分布于表面之上。
所述电接触件可在两个正交的方向上均匀分布。
所述电接触件可布置成阵列。
所述电接触件可布置成行和列。
所述交替行的接触件可布置成:位于与相邻行中的接触件之间的空间相邻的位置。
通常,所述电接触件中的每个可具有接触表面,该接触表面大体上面向前侧表面的垂直方向,并可操作用于连接到导体。
所述接触表面可具有大体为矩形的形状。
所述接触表面可具有大体为圆形的形状。
所述接触表面可具有星形的形状。
太阳电池装置可由光伏装置制成,并可进一步包括用于接触所述电接触件的第一电极。第一电极可包括:具有表面的电绝缘透光膜;在所述膜的表面上的黏着层;嵌入在所述黏着层中的至少一个电导体,其中所述电导体的导体表面从所述黏着层突出;以及合金,将所述电导体接合到所述电接触件中的至少一些电接触件,使得由所述电导体汇集通过所述电接触件从太阳电池中收集的电流。
所述电导体可以连接到公共母线。
所述电接触件可布置成行和列。所述电极可包括相互分隔开的、平行布置的多个电导体,且所述电导体可与相应行或列中的多个电接触件相接触。
所述电导体中的每个可连接到母线。
所述太阳电池装置还可包括用于接触所述后侧电接触件的第二电极。第二电极可包括:具有第二表面的第二电绝缘膜;在第二膜的第二表面上的第二黏着层;嵌入在所述第二黏着层中的至少一个第二电导体,其中所述第二电导体的第二导体表面从所述第二黏着层突出;以及第二合金,将所述第二电导体接合到所述后侧电接触件,使得由所述电导体提供从所述后侧电接触件在太阳电池处接收的电流。
根据本发明的另一方面,提供了一种用于形成半导体光伏电池结构中的接触件的方法。该方法包括:在包括形成光伏结的半导体材料的相应的掺杂部分的半导体光伏电池结构的前侧表面上二维分布电接触件浆的多个个体部分;使电接触件浆的个体部分嵌入在所述前侧表面中,使得电接触件浆的个体部分形成所述前侧表面中的相应的分离的电接触件,其中所述相应的分离的电接触件与半导体材料的对应的掺杂部分电接触;以及在后侧表面上形成后侧电接触件,该后侧表面由半导体材料的相应部分中的另一部分来提供,并且所述后侧电接触件与所述后侧表面电接触。
分布可包括:将电接触件浆的个体部分印刷在所述前侧表面上。
印刷可包括丝网印刷。
分布可包括:在两个正交的方向上将电接触件浆的个体部分分布在所述表面上。
分布可包括:在两个正交的方向上均匀分布电接触件浆的个体部分。
分布可包括:将电接触件浆的个体部分分布成阵列。
分布可包括:将电接触件浆的个体部分分布成行和列。
分布可包括:使交替行中的电接触件浆的个体部分位于与相邻行中的接触件之间的空间相邻的位置。
使电接触件浆的个体部分嵌入在所述前侧表面中可包括:以足够的温度将上面具有电接触件浆的各部分的半导体光伏电池结构加热足够的时间,以使电接触件浆的每个个体部分中的至少一些电接触件浆进入金属相,并扩散通过所述前侧表面并进入半导体材料在所述前侧表面以下的部分中,同时使处于金属相的电接触件浆中的足够的部分留在所述前侧表面上,以充当如此形成的分离的电接触件的电接触表面。
所述方法还可包括:在所述前侧表面上设置电极,其中所述电极包括电绝缘透光膜,该膜具有黏着层,至少一个电导体嵌入在所述黏着层中,使得所述至少一个电导体的承载有包含低熔点合金的涂层的导电表面从所述黏着层突出,使得所述导电表面与形成在半导体光伏电池结构前侧表面上的多个电接触件接触;以及使所述低熔点合金熔化,以将所述导电表面接合到所述多个电接触件,以使所述电接触件电连接至所述电导体,以允许所述电导体通过所述电接触件从太阳电池中汲取电流。
所述方法还可包括:将所述至少一个电导体连接至母线。
所述电接触件可布置成行和列,且所述电极可包括相互分隔开的、平行布置的多个电导体。所述电极可被设置于所述前侧表面上,以使每个电导体与相应行或列中的多个电接触件接触。
所述方法还可涉及:将所述电导体中的每个连接至公共母线。
所述方法还可涉及:在所述后侧表面上设置由第二电绝缘膜构成的电极,所述第二电绝缘膜具有第二黏着层,至少一个第二电导体嵌入在所述第二黏着层中,使得所述至少一个第二电导体的承载有包含第二低熔点合金的第二涂层的第二导电表面从所述第二黏着层突出,使得所述第二导电表面与形成在半导体光伏电池结构后侧表面上的后侧电接触件接触;以及使所述第二低熔点合金熔化,以将所述第二导电表面接合到所述后侧电接触件,以使所述后侧电接触件电连接至所述第二电导体,以允许所述电导体通过所述后侧电接触件向太阳电池提供电流。
对于本领域的普通技术人员来说,在研读了下文结合附图的对本发明的具体实施例的描述后,本发明的其他方面和特征将变得明显。
附图说明
在示出了本发明的实施例的附图中:
图1是示出了根据本发明第一实施例的一种用于形成半导体晶片上的接触件的方法的相继阶段的过程示意图;
图2是将通过图1的方法形成电接触件的半导体光伏电池结构的横截面视图;
图3是根据本发明的另一方面的一个实施例的一个装置的横截面/透视图,在该装置上已经通过图1的过程形成了电接触件;
图4是图3所示的装置的俯视图,示出了具有矩形形状的电接触件;
图5是根据本发明另一实施例的装置的俯视图,其中电接触件为圆形;
图6是根据本发明第三实施例的装置的俯视图,其中电接触件为矩形且布置成交错的行;
图7是根据本发明第四实施例的装置的俯视图,其中电接触件为圆形且布置成交错的行;
图8是根据本发明另一实施例的具有星形形状的电接触件的俯视图;
图9是根据本发明另一实施例的具有十字形状的电接触件的俯视图;
图10是图3、4、5、6或7所示类型的装置的透视图,其中示出电极连接至前侧电接触件和后侧铝接触层;以及
图11是第一和第二电极已被分别固定至所述前侧电接触件和后侧铝接触层以后的图10所示装置的侧视图。
具体实施方式
参考图1,根据本发明第一方面的第一实施例的一种用于形成半导体光伏电池结构11中的电接触件的方法总体上示出为149。
半导体光伏电池结构
参考图2,在该实施例中,半导体光伏电池结构11包括硅晶片,形成pn结的n型区20和p型区22已被扩散在该硅晶片中。替选地,n型区20和p型区22可以颠倒。在所示的实施例中,由n型区20的一个表面提供了前侧表面14,而p型区22紧邻n型区并限定后侧表面13。在所示的实施例中,n型区的厚度为约0.6微米,而p型区的厚度为约200-600微米。
形成电接触件的过程
再参考图1,形成电接触件的过程涉及:在包括形成光伏结的半导体材料的相应的掺杂部分的半导体光伏电池结构的前侧表面上二维分布电接触件浆的多个个体部分;以及使电接触件浆的个体部分嵌入在所述前侧表面中,使得电接触件浆的个体部分形成所述前侧表面中的相应的分离的电接触件。所述相应的分离的电接触件与形成光伏结的半导体材料的对应的掺杂部分电接触。该过程还涉及:在半导体材料的相应部分中的另一部分的后侧表面上形成后侧电接触件,并使所述后侧电接触件与所述后侧表面电接触。
该过程可始于例如通过丝网印刷将电接触件浆157的个体部分印刷在前侧表面14上。印刷可涉及丝网印刷,其中制造了具有多个开口152的掩模150,以接收一定量的在溶剂中含有铝、银、黏合剂和硅的电接触件浆157,其中所述多个开口被布置成期望的分布,例如被布置成行和列154和156的阵列。然后,在掩模150上拖曳涂布器158,使得所述浆157二维分布在前侧表面14之上,通过掩模150中的开口152。
例如,涂布器158可以在连续的时间点在两个正交的方向上移动,以使电接触件浆157在两个正交的方向上分布在前侧表面14上。可以使用自动机器跨过前侧表面14,通过掩模150中的开口152。
在掩模150中可采用各种开口形状和布置,以使电接触件浆分布成任何期望的分布,例如均匀分布在两个正交的方向上、不均匀地分布在两个正交的方向上、分布成阵列、分布成行和列、分布成交错的行(其中交替的行位于与相邻行中的开口之间的空间相邻的位置)、在一个/或两个方向上分布成高斯分布、分布成向着掩模的一侧和/或一端开口的密度增加的分布、或者分布成任何其他分布。
在分布了电接触件浆之后,可使掩模150与表面分离,例如,以期望的分布模式(即行和列、均匀的行和列、不均匀的行和列、交错的行和列等),将分布式的电接触件浆留在160所示的分离的隔离岛中,
然后,加热电接触件浆160,直至干燥。当浆160变干时,在结构11的整个后侧表面13施加后侧金属化浆15,并加热至干燥。当电接触件浆160和后侧金属化浆15二者均已干燥时,电接触件浆160的个体部分被嵌入在前侧表面14中,使得电接触件浆的个体部分形成前侧表面14中的相应的分离的电接触件,而后侧金属化浆15被熔到后侧表面13中。在所示的实施例中,该动作总体上示为162,其中上面有分布式电接触件浆160和后侧金属化浆15的半导体电池结构11被传递通过炉164,在炉164中以足够的温度将其加热足够的时间,以使电接触件浆的每个个体部分中的一小部分电接触件浆进入金属相,并扩散通过前侧表面14,并进入下面的半导体光伏电池结构中,同时将处于金属相的电接触件浆160的足够(几乎所有)的部分留在前侧表面14。
电接触件浆160形成前侧表面14中的电接触件16,所述电接触件与活动侧表面下的n型半导体材料相接触,但与其他接触件分离。每个电接触件16具有电接触表面37,该电接触表面37由留在前侧表面14上的处于金属相的电接触件浆160的部分形成。电接触件16因此间歇性地设置在前侧表面14之上。
相似地,后侧金属化浆15被熔到半导体光伏电池结构11的后侧表面13,从而产生背场,并提供后侧电接触件17。
在所示的实施例中,炉164具有出口166,通过该出口166,提供了完整的半导体光伏电池装置12,该半导体光伏电池装置12具有:前侧表面14,其中多个分离的电接触件16嵌入在前侧表面中;以及后侧电接触件17,包括熔入其中的单个大接触件。
半导体光伏电池装置
作为图1所示的过程的结果,生成了如图3中总体示为12的根据本发明第一实施例的完整的半导体光伏电池装置。装置12包括半导体光伏电池结构,该半导体光伏电池结构具有由形成光伏结23的半导体材料的相应的掺杂部分20和22提供的前侧表面和后侧表面13、嵌入在半导体材料的各部分中的相应的一个部分的前侧表面14中的多个电接触件16。电接触件16二维分布在表面14上,彼此分离,且与半导体材料的各部分中的相应的一个部分电接触。所述装置还包括后侧电接触件17,该后侧电接触件17在半导体材料的相应部分中的另一部分的后侧表面上,并与其电接触。
参考图4,完整的半导体电池装置12的电接触件16二维分布在前侧表面14上,所述分布是利用图1所示的掩模150建立的。电接触件16彼此分离,但他们电连接到前侧表面14下的半导体光伏结构。
在所示的实施例中,电接触件16分布在如总体上示为30和32的两个正交的方向上,而且在该实施例中,他们均匀分布在这两个方向上。换言之,第一方向30上的接触件之间的间隔是一致的,而第二方向32上的接触件之间的间隔也是一致的。在所示的实施例中,接触件被布置成行和列,第一行总体上示为34,而第一列总体上示为36。这样,在该实施例中,接触件被布置成阵列。
替选地,可通过图1所示的掩模150设置其他分布的接触件。例如,前侧表面14上的接触件的密度可沿第一方向30、第二方向32或两个方向增加。或者,可使用沿第一和/或第二方向的高斯分布或任何其他分布。
在所示的实施例中,电接触件16具有电接触表面37,该电接触表面37具有延长的矩形形状,其长度38在约0.5mm至约2mm之间,宽度40在约0.1mm至约1mm之间。在所示的实施例中,每个接触表面37具有大体上相同的长度和宽度尺寸,并以大体上相同的方向而取向,即在第一正交方向30上对准。应该理解,每个接触件16是物理分离的,因为其与每个其他电接触件是分隔开的。但是,每个接触件16亦与前侧表面14下的n型材料电接触,以形成与半导体光伏电池结构11的电连接。因此,尽管当从太阳电池结构的前侧表面14观看时电接触件16看起来是物理分离的,但是他们实际上电连接到前侧表面14下的半导体光伏电池结构。在一种意义上说,接触件16看起来是前侧表面14上的间歇性的“指”,而不是如现有技术中的连续的线性指。
参考图5,根据本发明第二实施例的半导体光伏电池装置总体上示出为50。在该实施例中,半导体光伏电池装置与图3中的12所示的装置相同,不同之处在于其电接触件52具有圆形接触表面53,而不是图4所示的矩形接触件。
再参考图5,在该实施例中,每个电接触件52在相同的两个正交方向30和32上分布于半导体光伏结构的表面上,并且均匀分布在这两个方向上。此外,电接触件52被布置成行和列,其中第一行总体上示为54,而第一列总体上示为56。同样,在该实施例中,电接触件52在第一正交方向上间隔一距离58,而在第二方向32上间隔一第二距离60。
这些距离可以相等或不同。同样,替选地,接触件52可以沿第一和/或第二方向30和32密度增加的方式而分布于前侧表面14上,或更通用地,以沿这两个方向密度恒定或变化的方式而分布于前侧表面14上。
如上所述,每个电接触件52具有圆的接触表面53,该圆的接触表面53的直径62为约1毫米。同样,每个电接触件52嵌入在前侧表面14中,并到半导体光伏电池结构11的n型层20中。可使用图1所述的掩模150中的圆形开口来制造如图所示的具有圆形接触表面53的电接触件。
参考图6,根据本发明第三实施例的半导体光伏电池装置总体上示出为70。该装置70包括如图2所示的同样的半导体光伏电池结构11,并包括多个矩形接触件,所述矩形接触件之一示出为72,所述多个矩形接触件在相同的两个正交方向30和32上分布于半导体光伏电池结构的前侧表面14上。在实施例中,接触件72被布置成多个交错的行,所述行中的一行总体上示为74,所述行中的第二行总体上示为76。在该实施例中,给定行(如行74)的接触件72之间具有间隔78,而且每行的接触件具有相同的间隔78。但是,第二行76的接触件72被布置成大约与相邻行(即第一行74)中的接触件之间的中心对准。贯穿所有行的接触件都是这样,使得交替行的接触件被布置成位于与相邻行中的接触件之间的空间相邻的位置。换言之,相邻行以距离79交错。个体矩形接触件72的尺寸和间隔具有与图4中的接触件16相同的形状、尺寸和间隔。
参考图7,根据本发明第四实施例的半导体光伏电池装置总体上示出为80。该实施例的装置80与上述实施例(图6)的装置的相似之处在于,其包括被布置成交错的行的接触件82,其中所述行中的一行示为84,而所述行中的第二行示为86,使得交替行的接触件被布置成位于与相邻行中的接触件之间的空间相邻的位置。不同地,图7中所示的任何给定行中的接触件82具有与图5中所示的接触件52相同的形状、尺寸和间隔。
参考图8和图9,电接触件的接触表面可以具有如图8中的81所示的星形形状、如图9中的83所示的X形状、或在所有侧边上被该接触件与下一最近接触件之间的空隙、空间、绝缘体或半导体包围的任何期望的形状。
太阳电池单元
参考图10,根据图3到图7中描述的装置中的任一个的半导体光伏电池装置可制造于“太阳电池单元”中,并可通过将例如示为92的第一电极紧固于前侧表面14以接触电接触件72并通过将第二电极93紧固于后侧电接触件17而连接到电路。
在图10所示的实施例中,第一电极92包括具有表面96的电绝缘透光膜94和在该表面上的黏着层98。电极92还包括至少一个电导体100,该电导体100嵌入在黏着层98中并具有从该黏着层突出的导体表面102。使用合金104将电导体100接合到所述电接触件72中的至少一些电接触件,使得所述电导体汇集通过所述电接触件从半导体光伏电池装置收集的电流。
在所示的实施例中,将电导体100接合到所述电接触件中的至少一些电接触件的合金包含能够被加热以凝固并将电导体100电接合和连接至行中的多个电接触件72的材料。例如,该合金可以是导体表面102上的涂层。
如图10所示,电极92包括多个导体,所述多个导体包括导体100以及导体112、114和116。在该实施例中,导体100、112、114和116被平行设置在所述电极的黏着层上,互相间隔开,例如,其中间隔对应于半导体电池装置12的前侧表面14上的相邻的接触件列36、118、120和112之间的间隔78。因此,在该实施例中,实际上,电接触件72被布置成行和列,而电极92包括多个电导体100、112、114和116,所述多个电导体100、112、114和116被平行布置并相互间隔开,使得当该电极被施加到半导体电池装置12的前侧表面14时,所述电导体与相应列36、118、120和122中的多个电接触件72相接触。
开始时,第一电极92可以是卷曲的,如图10所示,以使电极的后缘106与半导体电池装置12的后缘108对准,然后可将膜94连同导体100、112、114和116所嵌入的黏着层98向下压到半导体电池装置12的前侧表面14上,以将电极92铺开,并使黏着层紧固于前侧表面14,使得电导体100、112、114和116与半导体电池结构的后缘108和半导体光伏装置的前缘110之间的相应的接触件列中的相继的电接触件72接触。
替选地,第一电极92的后缘106可以与半导体电池装置12的右手侧缘124对准,并以如下的方式铺开在半导体电池装置的前侧表面14上:使得导体100、112、114和116与半导体电池装置12的前侧表面14上的相应行的电接触件72中的多个电接触件72接触。
在所示的实施例中,电导体100、112、114和116延伸超过透光膜94,并终止于与公共母线107的接触,该公共母线107可以由金属箔(例如铜)形成。
第一电极92的通用和另外的构造的进一步的细节可从申请人的以国际公布号WO 2004/021455A1公布的国际专利申请中获得,该申请通过引用合并于此。
第二电极93在所有方面均与第一电极92相似,而且实际上多个上述的第一电极可以被预先制造,并且按照需要各自被施加到前侧表面14或后侧电接触件17。但是,应该注意,第二电极93不需要象第一电极那样透光,因为不欲以后侧接收光。
后侧电接触件17没有成行的接触件,而是单个平坦的平面接触件,延伸跨过半导体电池结构的整个后侧表面13。第二电极93的导体100、112、114和116是以低熔点合金浆制备的,并且该电极93被黏附到后侧电接触件17,使得所述低熔点合金在被充分加热时可操作用于将所述导体接合到后侧电接触件17。
如图11所示,第二电极93可施加到后侧电接触件17,使得其母线95与半导体电池装置12的后缘108相邻,而第一电极92的母线107位于与半导体电池装置12的前缘110相邻。例如,这允许通过将相邻的太阳电池结构放置得彼此相邻并通过允许相邻半导体电池结构的汇流条95和107彼此重叠或彼此接触,而将相邻的太阳电池结构串联起来。
在第一电极92被设置在前侧表面14的上面使得导体100、112、114和116接触(例如)相应列36、118、120和122的接触件72、而且第二电极93被设置在后侧电接触件17上之后,结果的装置可视为一个组件。然后,加热该组件,使得与第一电极92相关联的低熔点合金熔化,以使第一电极92的相应导体100、112、114和116的导电表面接触相应行的电接触件72的接触表面,以将所述电接触件电连接到所述电导体,并使得与第二电极93相关联的低熔点合金熔化,以使相应导体的导电表面接合到后侧电接触件17,以允许所述电导体通过所述电接触件使电流通过太阳电池。一旦低熔点合金完成该接合,如图11中的10所示的完整的太阳电池则准备就绪以用于电路中,这样就生产了太阳电池。
如上所述生产的太阳电池可提供几个优点。由于前侧表面中的电接触件所占用的面积减少,pn结的遮蔽会变小,可使通过太阳电池的电流多5-10%。另外,由于金属化占用的面积变小而背场区域没有被银/铝指打断,因此,与常规电池相比,该电池可多产生高达3%的电压。总的来说,这两个效应可使太阳电池的效率提高10-15%。另外,由于在形成接触件时使用了实质上较少量的银,因此所述类型的太阳电池的生产成本低于常规太阳电池的成本。
尽管已描述和示出了本发明的具体实施例,但这样的实施例应视为仅为示例性的,而不应视为对本发明的限制。本发明根据所附权利要求来解释。

Claims (29)

1.一种光伏装置,包括:
半导体光伏电池结构,该结构具有通过形成光伏结的半导体材料的相应掺杂的部分而提供的前侧表面和后侧表面;
多个电接触件,所述多个电接触件嵌入在所述半导体材料的部分中的相应的一个部分的所述前表面上,所述电接触件二维分布在所述表面之上,且彼此分离,并与所述半导体材料的部分中的所述相应的一个部分电接触;以及
后侧电接触件,所述后侧电接触件在所述半导体材料的相应部分中的另一部分的所述后侧表面上,并与其电接触。
2.如权利要求1所述的光伏装置,其中所述电接触件在两个正交方向上分布于所述表面之上。
3.如权利要求2所述的光伏装置,其中所述电接触件在所述的两个正交方向上均匀分布。
4.如权利要求1所述的光伏装置,其中所述电接触件被布置成阵列。
5.如权利要求1所述的光伏装置,其中所述电接触件被布置成行和列。
6.如权利要求5所述的光伏装置,其中交替行的接触件被布置成:位于与相邻行中的接触件之间的空间相邻的位置。
7.如权利要求1所述的光伏装置,其中所述电接触件中的每个通常具有接触表面,该接触表面大体上面向所述前侧表面的垂直方向,并可操作用于连接到导体。
8.如权利要求7所述的光伏装置,其中所述接触表面具有大体为矩形的形状。
9.如权利要求7所述的光伏装置,其中所述接触表面具有大体为圆形的形状。
10.如权利要求7所述的光伏装置,其中所述接触表面具有星形的形状。
11.一种太阳电池装置,包括如权利要求1所述的光伏装置,并进一步包括:用于接触所述电接触件的第一电极,其中所述电极包括:具有表面的电绝缘透光膜;在所述膜的所述表面上的黏着层;嵌入在所述黏着层中并具有从所述黏着层突出的导体表面的至少一个电导体;以及合金,将所述电导体接合到所述电接触件中的至少一些电接触件,使得由所述电导体汇集通过所述电接触件从所述太阳电池中收集的电流。
12.如权利要求11所述的太阳电池装置,其中所述电导体连接到公共母线。
13.如权利要求11所述的太阳电池装置,其中所述电接触件被布置成行和列,以及其中所述电极包括相互分隔开的、平行布置的多个电导体,以及其中所述电导体与相应行或列中的多个所述电接触件相接触。
14.如权利要求13所述的太阳电池装置,其中所述电导体中的每个连接到公共母线。
15.如权利要求11所述的太阳电池装置,还包括用于接触所述后侧电接触件的第二电极,其中所述第二电极包括:具有第二表面的第二电绝缘膜;在所述第二膜的所述第二表面上的第二黏着层;嵌入在所述第二黏着层中并具有从所述第二黏着层突出的第二导体表面的至少一个第二电导体;以及第二合金,将所述第二电导体接合到所述后侧电接触件,使得由所述电导体提供从所述后侧电接触件在所述太阳电池处接收的电流。
16.一种用于制造如权利要求1所述的光伏装置的方法,包括:
在所述半导体光伏电池结构的所述前侧表面之上二维分布电接触件浆的多个个体部分;以及
使所述电接触件浆的个体部分嵌入在所述前侧表面中,使得所述电接触件浆的个体部分形成所述前侧表面中的相应的分离的电接触件;以及
在所述后侧表面上形成所述后侧电接触件。
17.如权利要求16所述的方法,其中分布包括:将所述电接触件浆的个体部分印刷在所述前侧表面上。
18.如权利要求17所述的方法,其中印刷包括丝网印刷。
19.如权利要求16所述的方法,其中分布包括:在两个正交方向上将所述电接触件浆的个体部分分布在所述表面上。
20.如权利要求19所述的方法,其中分布包括:在所述的两个正交方向上均匀分布所述电接触件浆的个体部分。
21.如权利要求16所述的方法,其中分布包括:将所述电接触件浆的个体部分分布成阵列。
22.如权利要求16所述的方法,其中分布包括:将所述电接触件浆的个体部分分布成行和列。
23.如权利要求22所述的方法,其中分布包括:使交替行中的所述电接触件浆的个体部分位于与相邻行中的接触件之间的空间相邻的位置。
24.如权利要求16所述的方法,其中使所述电接触件浆的个体部分嵌入包括:以足够的温度将上面具有所述电接触件浆的各部分的所述半导体光伏电池结构加热足够的时间,以使电接触件浆的每个个体部分中的至少一些所述电接触件浆进入金属相,并扩散通过所述前侧表面并进入半导体材料在所述前侧表面以下的部分中,同时使处于金属相的电接触件浆中的足够的部分留在所述前侧表面上,以充当如此形成的所述分离的电接触件的电接触表面。
25.一种用于形成太阳电池装置的方法,该方法包括如权利要求16所述的方法,还包括:
设置第一电极,其中所述第一电极包括第一电绝缘透光膜,该膜具有第一黏着层,至少一个第一电导体嵌入在所述第一黏着层中,使得所述至少一个第一电导体的承载有包含第一低熔点合金的第一涂层的第一导电表面从所述黏着层突出,使得所述第一导电表面与形成在所述半导体光伏电池结构前侧表面上的多个所述电接触件接触;以及
使所述第一低熔点合金熔化,以将所述第一导电表面接合到所述多个电接触件,以使所述电接触件电连接至所述第一电导体,以允许所述第一电导体通过所述第一电接触件从所述太阳电池装置中汲取电流。
26.如权利要求25所述的方法,还包括:将所述至少一个电导体连接至母线。
27.如权利要求25所述的方法,其中所述电接触件被布置成行和列,以及其中所述电极包括相互分隔开的、平行布置的多个电导体,以及其中所述电极被设置于所述前侧表面上,以使每个电导体与相应行或列中的多个所述电接触件接触。
28.如权利要求27所述的方法,还包括:将所述电导体中的每个连接至公共母线。
29.如权利要求25所述的方法,还包括:
设置第二电极,所述第二电极包括第二电绝缘膜,所述第二电绝缘膜具有第二黏着层,至少一个第二电导体嵌入在所述第二黏着层中,使得所述至少一个第二电导体的承载有包含第二低熔点合金的第二涂层的第二导电表面从所述第二黏着层突出,使得所述第二导电表面与形成在所述半导体光伏电池结构后侧表面上的所述后侧电接触件接触;以及
使所述第二低熔点合金熔化,以将所述第二导电表面接合到所述后侧电接触件,以使所述后侧电接触件电连接至所述第二电导体,以允许所述电导体通过所述后侧电接触件向所述太阳电池装置提供电流。
CNA2006800483617A 2005-12-23 2006-12-22 具有物理上分离的分布式电接触件的太阳电池 Pending CN101341599A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/317,530 2005-12-23
US11/317,530 US20070144577A1 (en) 2005-12-23 2005-12-23 Solar cell with physically separated distributed electrical contacts

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101341599A true CN101341599A (zh) 2009-01-07

Family

ID=38188241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006800483617A Pending CN101341599A (zh) 2005-12-23 2006-12-22 具有物理上分离的分布式电接触件的太阳电池

Country Status (13)

Country Link
US (1) US20070144577A1 (zh)
EP (1) EP1974395A4 (zh)
JP (1) JP2009521102A (zh)
KR (1) KR20080091346A (zh)
CN (1) CN101341599A (zh)
AU (1) AU2006329211A1 (zh)
BR (1) BRPI0620301A2 (zh)
CA (1) CA2633461A1 (zh)
IL (1) IL192252A0 (zh)
MX (1) MX2008008227A (zh)
TW (1) TW200733408A (zh)
WO (1) WO2007071064A1 (zh)
ZA (1) ZA200805715B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102029776A (zh) * 2010-10-26 2011-04-27 宁波升日太阳能电源有限公司 一种用于印刷硅太阳能电池电极的网板
CN102148265A (zh) * 2010-01-19 2011-08-10 阳光世界发明股份有限公司 用于电连接光电池的光电池电极和方法
CN102318081A (zh) * 2009-02-13 2012-01-11 应用材料公司 低汇聚性平坦分布光伏模块
CN103117312A (zh) * 2013-02-25 2013-05-22 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
DE10239845C1 (de) * 2002-08-29 2003-12-24 Day4 Energy Inc Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US7481244B2 (en) * 2006-06-05 2009-01-27 Bioquiddity, Inc. Fluid flow control device
US20080290368A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Day4 Energy, Inc. Photovoltaic cell with shallow emitter
US20100147368A1 (en) * 2007-05-17 2010-06-17 Day4 Energy Inc. Photovoltaic cell with shallow emitter
US7888168B2 (en) 2007-11-19 2011-02-15 Applied Materials, Inc. Solar cell contact formation process using a patterned etchant material
CN101884113B (zh) * 2007-12-11 2012-12-05 长青太阳能股份有限公司 具有细的指状物的光电板和电池及其制造方法
US20100000602A1 (en) * 2007-12-11 2010-01-07 Evergreen Solar, Inc. Photovoltaic Cell with Efficient Finger and Tab Layout
KR20100097219A (ko) * 2007-12-18 2010-09-02 데이4 에너지 인코포레이티드 Pv 스트링으로 에지 액세스를 수행하는 광전지 모듈, 연결 방법, 장치, 및 시스템
US8933320B2 (en) 2008-01-18 2015-01-13 Tenksolar, Inc. Redundant electrical architecture for photovoltaic modules
US8212139B2 (en) 2008-01-18 2012-07-03 Tenksolar, Inc. Thin-film photovoltaic module
US20090183764A1 (en) * 2008-01-18 2009-07-23 Tenksolar, Inc Detachable Louver System
US8748727B2 (en) * 2008-01-18 2014-06-10 Tenksolar, Inc. Flat-plate photovoltaic module
WO2010009297A2 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
AU2008359970A1 (en) * 2008-07-28 2010-02-04 Day4 Energy Inc. Crystalline silicon PV cell with selective emitter produced with low temperature precision etch back and passivation process
JP5261110B2 (ja) * 2008-09-29 2013-08-14 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池
CN102405531B (zh) * 2009-02-23 2016-03-02 腾克太阳能公司 高效可再生能源系统
DE102009023901A1 (de) * 2009-06-04 2010-12-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Photovoltaisches Modul mit flächigem Zellverbinder
CN102484154B (zh) 2009-06-15 2014-12-24 腾克太阳能公司 无光照限制的太阳能电池板
US20110023952A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 Evergreen Solar, Inc. Photovoltaic cell with semiconductor fingers
WO2011011855A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Day4 Energy Inc. Method for interconnecting back contact solar cells and photovoltaic module employing same
CN102687279B (zh) * 2009-11-13 2015-08-19 三菱电机株式会社 太阳能电池单元
US8586862B2 (en) 2009-11-18 2013-11-19 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US8796060B2 (en) 2009-11-18 2014-08-05 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US9773933B2 (en) 2010-02-23 2017-09-26 Tenksolar, Inc. Space and energy efficient photovoltaic array
US9299861B2 (en) 2010-06-15 2016-03-29 Tenksolar, Inc. Cell-to-grid redundandt photovoltaic system
CN103155172B (zh) 2010-08-10 2016-04-06 腾克太阳能公司 高效太阳能电池阵列
DE102011000753A1 (de) * 2011-02-15 2012-08-16 Solarworld Innovations Gmbh Solarzelle, Solarmodul und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
DE102011001999A1 (de) * 2011-04-12 2012-10-18 Schott Solar Ag Solarzelle
CN102786883A (zh) 2011-05-17 2012-11-21 旺能光电股份有限公司 电极胶带和太阳能电池模块及其制作方法
TWI433331B (zh) 2011-05-17 2014-04-01 Neo Solar Power Corp 電極膠帶之製作機台
TWI478361B (zh) 2011-10-20 2015-03-21 Au Optronics Corp 太陽能電池模組
TWI574280B (zh) * 2011-11-04 2017-03-11 賀利氏貴金屬北美康舍霍肯有限責任公司 用於導電性漿料之有機載體
DE102012017564B4 (de) 2012-09-05 2018-10-11 Universität Konstanz Vorrichtung zur nicht-permanenten elektrischen Kontaktierung von Solarzellen zur Messung elektrischer Eigenschaften
USD754597S1 (en) * 2013-04-26 2016-04-26 Soliculture, Inc. Solar module
US9054238B1 (en) 2014-02-26 2015-06-09 Gtat Corporation Semiconductor with silver patterns having pattern segments
TWD171916S (zh) * 2015-04-02 2015-11-21 新日光能源科技股份有限公司 太陽能電池基板之電極之部分
JP6394618B2 (ja) * 2016-01-26 2018-09-26 三菱電機株式会社 太陽電池および太陽電池の製造方法

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3982964A (en) * 1975-01-17 1976-09-28 Communications Satellite Corporation (Comsat) Dotted contact fine geometry solar cell
US4080703A (en) * 1975-08-01 1978-03-28 The Stolle Corporation Radiating or absorbing heat exchange panel
US3996067A (en) * 1975-12-30 1976-12-07 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Silicon nitride coated, plastic covered solar cell
FR2412164A1 (fr) * 1977-12-13 1979-07-13 Radiotechnique Compelec Procede de creation, par serigraphie, d'un contact a la surface d'un dispositif semi-conducteur et dispositif obtenu par ce procede
US4173496A (en) * 1978-05-30 1979-11-06 Texas Instruments Incorporated Integrated solar cell array
US4200472A (en) * 1978-06-05 1980-04-29 The Regents Of The University Of California Solar power system and high efficiency photovoltaic cells used therein
US4256513A (en) * 1978-10-19 1981-03-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photoelectric conversion device
US4287473A (en) * 1979-05-25 1981-09-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Nondestructive method for detecting defects in photodetector and solar cell devices
DE2926754A1 (de) * 1979-07-03 1981-01-15 Licentia Gmbh Solarzellen-anordnung
US4320154A (en) * 1980-07-18 1982-03-16 Westinghouse Electric Corp. Method of forming solar cells by grid contact isolation
US4315096A (en) * 1980-07-25 1982-02-09 Eastman Kodak Company Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses
US4380112A (en) * 1980-08-25 1983-04-19 Spire Corporation Front surface metallization and encapsulation of solar cells
US4330680A (en) * 1980-10-28 1982-05-18 Fraunhofer Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Integrated series-connected solar cell
US4376872A (en) * 1980-12-24 1983-03-15 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration High voltage V-groove solar cell
US4341918A (en) * 1980-12-24 1982-07-27 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration High voltage planar multijunction solar cell
US4517403A (en) * 1983-05-16 1985-05-14 Atlantic Richfield Company Series connected solar cells and method of formation
US4594471A (en) * 1983-07-13 1986-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
US4499658A (en) * 1983-09-06 1985-02-19 Atlantic Richfield Company Solar cell laminates
US4697041A (en) * 1985-02-15 1987-09-29 Teijin Limited Integrated solar cells
US4703553A (en) * 1986-06-16 1987-11-03 Spectrolab, Inc. Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells
US4735662A (en) * 1987-01-06 1988-04-05 The Standard Oil Company Stable ohmic contacts to thin films of p-type tellurium-containing II-VI semiconductors
DE68923061T2 (de) * 1988-11-16 1995-11-09 Mitsubishi Electric Corp Sonnenzelle.
US4993021A (en) * 1989-03-23 1991-02-12 Telettra-Telefonia Elettronica E Radio Spa Automatic transmit power level control in radio links
US5389158A (en) * 1989-04-17 1995-02-14 The Boeing Company Low bandgap photovoltaic cell with inherent bypass diode
JPH036867A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Mitsubishi Electric Corp 光発電素子の電極構造、形成方法、及びその製造装置
US5078803A (en) * 1989-09-22 1992-01-07 Siemens Solar Industries L.P. Solar cells incorporating transparent electrodes comprising hazy zinc oxide
US5011567A (en) * 1989-12-06 1991-04-30 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells
EP0440869A1 (de) * 1990-02-09 1991-08-14 Bio-Photonics, Inc. Photovoltaisches Bauelement zur Umwandlung des Sonnenlichts in elektrischen Strom und photoelektrische Batterie
JP2593957B2 (ja) * 1990-11-09 1997-03-26 シャープ株式会社 バイパスダイオード付太陽電池
JP2703673B2 (ja) * 1991-05-17 1998-01-26 三菱電機株式会社 半導体装置
US5164019A (en) * 1991-07-31 1992-11-17 Sunpower Corporation Monolithic series-connected solar cells having improved cell isolation and method of making same
JP2912496B2 (ja) * 1991-09-30 1999-06-28 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
US6541695B1 (en) * 1992-09-21 2003-04-01 Thomas Mowles High efficiency solar photovoltaic cells produced with inexpensive materials by processes suitable for large volume production
US5391236A (en) * 1993-07-30 1995-02-21 Spectrolab, Inc. Photovoltaic microarray structure and fabrication method
AU695669B2 (en) * 1994-05-19 1998-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element, electrode structure thereof, and process for producing the same
US5457057A (en) * 1994-06-28 1995-10-10 United Solar Systems Corporation Photovoltaic module fabrication process
US5498297A (en) * 1994-09-15 1996-03-12 Entech, Inc. Photovoltaic receiver
JP2992464B2 (ja) * 1994-11-04 1999-12-20 キヤノン株式会社 集電電極用被覆ワイヤ、該集電電極用被覆ワイヤを用いた光起電力素子及びその製造方法
AUPM996094A0 (en) * 1994-12-08 1995-01-05 Pacific Solar Pty Limited Multilayer solar cells with bypass diode protection
JP2992638B2 (ja) * 1995-06-28 1999-12-20 キヤノン株式会社 光起電力素子の電極構造及び製造方法並びに太陽電池
US5616185A (en) * 1995-10-10 1997-04-01 Hughes Aircraft Company Solar cell with integrated bypass diode and method
JPH09107119A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Canon Inc 太陽電池モジュール及び製造法
DE69736151T2 (de) * 1996-05-17 2007-05-10 Canon K.K. Photovoltaische Anordnung und Herstellungsverfahren
US5871591A (en) * 1996-11-01 1999-02-16 Sandia Corporation Silicon solar cells made by a self-aligned, selective-emitter, plasma-etchback process
US6091021A (en) * 1996-11-01 2000-07-18 Sandia Corporation Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process
JP3722326B2 (ja) * 1996-12-20 2005-11-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US6552414B1 (en) * 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
DE19741832A1 (de) * 1997-09-23 1999-03-25 Inst Solarenergieforschung Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
WO1999048136A2 (de) * 1998-03-13 1999-09-23 Steffen Keller Solarzellenanordnung
US6248948B1 (en) * 1998-05-15 2001-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module and method of producing the same
JP3754841B2 (ja) * 1998-06-11 2006-03-15 キヤノン株式会社 光起電力素子およびその製造方法
DE19845658C2 (de) * 1998-10-05 2001-11-15 Daimler Chrysler Ag Solarzelle mit Bypassdiode
US6807059B1 (en) * 1998-12-28 2004-10-19 James L. Dale Stud welded pin fin heat sink
US6635507B1 (en) * 1999-07-14 2003-10-21 Hughes Electronics Corporation Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly
NL1012961C2 (nl) * 1999-09-02 2001-03-05 Stichting Energie Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
JP2001210849A (ja) * 2000-01-24 2001-08-03 Sumitomo Wiring Syst Ltd 太陽電池パネル用のコネクタ
JP2001326370A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池の製造方法及びその太陽電池
DE10046170A1 (de) * 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
US6620645B2 (en) * 2000-11-16 2003-09-16 G.T. Equipment Technologies, Inc Making and connecting bus bars on solar cells
KR100378016B1 (ko) * 2001-01-03 2003-03-29 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지용 반도체 기판의 텍스처링 방법
US6638820B2 (en) * 2001-02-08 2003-10-28 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices, method of precluding diffusion of a metal into adjacent chalcogenide material, and chalcogenide comprising devices
JP3838979B2 (ja) * 2001-03-19 2006-10-25 信越半導体株式会社 太陽電池
US6774300B2 (en) * 2001-04-27 2004-08-10 Adrena, Inc. Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure
US20030000568A1 (en) * 2001-06-15 2003-01-02 Ase Americas, Inc. Encapsulated photovoltaic modules and method of manufacturing same
US6815818B2 (en) * 2001-11-19 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Electrode structure for use in an integrated circuit
US6690041B2 (en) * 2002-05-14 2004-02-10 Global Solar Energy, Inc. Monolithically integrated diodes in thin-film photovoltaic devices
US6803513B2 (en) * 2002-08-20 2004-10-12 United Solar Systems Corporation Series connected photovoltaic module and method for its manufacture
DE10239845C1 (de) * 2002-08-29 2003-12-24 Day4 Energy Inc Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul
US6784358B2 (en) * 2002-11-08 2004-08-31 The Boeing Co. Solar cell structure utilizing an amorphous silicon discrete by-pass diode
US7153722B2 (en) * 2003-06-06 2006-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for manufacturing photovoltaic device
US7406800B2 (en) * 2004-05-18 2008-08-05 Andalay Solar, Inc. Mounting system for a solar panel
DE102004036734A1 (de) * 2004-07-29 2006-03-23 Konarka Technologies, Inc., Lowell Kostengünstige organische Solarzelle und Verfahren zur Herstellung
US7375378B2 (en) * 2005-05-12 2008-05-20 General Electric Company Surface passivated photovoltaic devices
US20070095386A1 (en) * 2005-06-06 2007-05-03 Solaria Corporation Method and system for integrated solar cell using a plurality of photovoltaic regions
US20070102038A1 (en) * 2005-11-11 2007-05-10 Christian Kirschning Holding Element For Photovoltaic Modules

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102318081A (zh) * 2009-02-13 2012-01-11 应用材料公司 低汇聚性平坦分布光伏模块
CN102148265A (zh) * 2010-01-19 2011-08-10 阳光世界发明股份有限公司 用于电连接光电池的光电池电极和方法
CN102148265B (zh) * 2010-01-19 2014-10-29 阳光世界发明股份有限公司 用于电连接光电池的光电池电极和方法
CN102029776A (zh) * 2010-10-26 2011-04-27 宁波升日太阳能电源有限公司 一种用于印刷硅太阳能电池电极的网板
CN102029776B (zh) * 2010-10-26 2012-10-10 宁波升日太阳能电源有限公司 一种用于印刷硅太阳能电池电极的网板
CN103117312A (zh) * 2013-02-25 2013-05-22 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009521102A (ja) 2009-05-28
US20070144577A1 (en) 2007-06-28
TW200733408A (en) 2007-09-01
ZA200805715B (en) 2009-07-29
BRPI0620301A2 (pt) 2011-11-08
AU2006329211A1 (en) 2007-06-28
CA2633461A1 (en) 2007-06-28
EP1974395A1 (en) 2008-10-01
MX2008008227A (es) 2008-09-24
WO2007071064A1 (en) 2007-06-28
IL192252A0 (en) 2008-12-29
KR20080091346A (ko) 2008-10-10
EP1974395A4 (en) 2009-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101341599A (zh) 具有物理上分离的分布式电接触件的太阳电池
US8859322B2 (en) Cell and module processing of semiconductor wafers for back-contacted solar photovoltaic module
US20200152813A1 (en) One-dimensional metallization for solar cells
US20080092944A1 (en) Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure
JP2017529704A (ja) メインゲートフリーで高効率なバックコンタクト太陽電池モジュール、アセンブリ及び製造プロセス
CN102651407B (zh) 太阳电池、太阳电池模块以及制备太阳电池的方法
US20110023952A1 (en) Photovoltaic cell with semiconductor fingers
EP3258503B1 (en) Hybrid weave for electrically contacting photovoltaic cells
WO2012163908A2 (de) Solarzellenmodul und verfahren zum verschalten von solarzellen
NL2015899B1 (en) Interconnection of back-contacted solar cell, a solar panel having such interconnection.
JP2021077852A (ja) ハイブリッド高密度太陽電池、ソーラーモジュールの相互接続、および関連する製造方法
CN105122459A (zh) 无母线背接触式太阳能电池及其太阳能模块和制造方法
KR102087156B1 (ko) 태양전지 모듈
CN113871499A (zh) 一种n基硅背接触太阳能电池及其制备方法
KR101637825B1 (ko) 태양전지의 후면전극 구조 및 그 제조방법
US20210313479A1 (en) High Power Density Solar Module and Methods of Fabrication
CN219321360U (zh) 太阳能电池片
KR20120090553A (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR101070661B1 (ko) 실리콘 태양전지
KR101026362B1 (ko) 실리콘 태양전지
KR20180000070A (ko) 후면접합 양면수광형 태양전지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090107