CN101335237A - 用于加工垂直cmos图像传感器的方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种用于加工与半导体器件有关的垂直CMOS图像传感器的方法。有选择地应用高温双退火工艺和/或其他的钝化氮化物薄膜，来改善暗泄漏特性并还防止或减少圆形缺陷的发生，从而提高垂直CMOS图像传感器的质量和可靠性。
Description
相关申请的交叉参考
本申请要求2007年6月26日提交的第10-2007-0062701号韩国专利申请的优先权，在本文中将其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及半导体器件，更具体地涉及一种用于加工垂直(vertical)CMOS图像传感器的方法。
背景技术
一般而言，图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器被大体分类为电荷耦合装置(CCD)或互补金属氧化硅(complementary metal oxide silicon，简称CMOS)图像传感器。
CCD具有复杂的驱动系统，具有相当大的功耗，并需要多步的光学处理。而且，不利之处在于加工CCD的工艺复杂。具体地，在CCD中，难以在一个CCD芯片上集成控制电路、信号处理电路、模拟/数字(A/D)转换器等。因此，难以缩小CCD的尺寸。
最近，作为能够克服CCD的这些不足的下一代图像传感器，对CMOS图像传感器给予了关注。
通过一般的CMOS工艺加工出的CMOS图像传感器具有低功耗、加工工艺简单、低成本、及高度集成的优点。
上述的传统CMOS图像传感器被形成为具有包括光电二极管和晶体管的堆叠结构。首先，在形成硅外延层之后，形成RGB有色光电二极管。然后，形成晶体管。然后，形成金属线和通孔。然后，在蚀刻了上方金属层之后，通过顺序堆叠多层薄膜来形成钝化氧化物薄膜和钝化氮化物薄膜。在完成了堆叠结构之后，通常在400℃的温度下进行退火。
传统CMOS图像传感器仍具有暗泄漏(dark leakage)特性的问题。即，CMOS图像传感器的暗信号电平仍大于通过最理想的加工工艺加工出的CCD的暗信号电平。
发明内容
一般而言，本发明的示例性实施例涉及一种方法，其用于通过改进的氢气退火来加工具有改进的暗泄漏特性的垂直CMOS图像传感器同时防止或减少图像传感器中的圆形缺陷(circular defects)的形成。
将在以下的描述中部分地阐述其他特征，并且对于本领域技术人员来说部分地在分析以下内容时这些特征将变得显而易见，或者可以通过实施本文所教导的内容来获得这些特征。利用所写出的描述及据此的权利要求以及附图中具体指出的手段及其结合可以实现和获得本发明的其他特征。
根据一个实施例，用于加工垂直CMOS图像传感器的方法包括：在硅外延层上形成至少一个有色光电二极管；在具有有色光电二极管的外延层上形成晶体管；在晶体管上形成至少一条金属线；在该至少一条金属线上方形成最上面的金属层之后形成第一钝化薄膜；在形成第一钝化薄膜之后，在第一高温下进行第一退火；以及在第一钝化薄膜上形成第二最上面钝化薄膜。
第一钝化薄膜可以是钝化氧化物薄膜，以及可以在400℃至435℃的温度下进行第一退火。
该方法还可以包括：在形成第二最上面钝化薄膜之后在第二高温下进行第二最终退火。可以在435℃至450℃的温度下进行第二最终退火。
第二最上面的钝化薄膜可以是钝化氮化物薄膜。具体地，第二最上面钝化薄膜可以是SiON钝化薄膜或SiN钝化薄膜。
提供此概要来介绍简化形式的内容节选，这在下面的详细描述中进一步描述。该概要既不旨在确定所要求的主题的关键特征或主要特性，也不旨在用来辅助确定所要求的主题的范围。而且，应当理解本发明的前述总体描述和后续详细描述是示例性和说明性的，用于提供对所要求的本发明的进一步阐述。
附图说明
附图被包括用于提供对本发明的示例性实施例的进一步理解，其结合于此并构成本申请的一部分，附图示出了示例性实施例，并与说明书结合在一起用于阐述示例性实施例的具体特征。在附图中：
图1A至图1C示出了表示在H2退火中根据温度的有色光电二极管的暗泄漏不均匀性(dark leakage non-uniformity，简称DLNU)的图表；
图2A和图2B示出了表示H2退火温度对金属层的影响的图表；
图3A是示出不同的退火条件的表格；以及图3B是示出与各个不同的退火条件对应的缺陷产生率的表格；
图4A和图4B示出了表示不同的退火条件对下面的金属层的影响的图表；
图5A至图5C示出了表示根据不同的退火条件及其对应温度的有色光电二极管的DLNU的图表；以及
图6示出了根据本发明实施例所加工的垂直CMOS图像传感器的堆叠结构。
具体实施方式
在以下详细的实施例描述中，将详细地参考本发明的具体实施例，其示例在附图中示出。无论何处，将在所有的附图中使用相同的参考编号来表示相同或相似的部分。将对这些实施例进行充分详细地描述，以使本领域技术人员能够实施本发明。也可以采用其他实施例，在不背离本发明范围的情况下，可以进行结构的、逻辑的、及电的改变。而且，应当理解，本发明的多个实施例尽管互不相同但不一定互相排斥。例如，一个实施例中所描述的具体特征、结构、或特性也可以包括在其他实施例中。因此，以下的详细描述并不被理解为限制意义的，并且本发明的范围仅由所附权利要求限定，这些权利要求连同其等价物的全部范围一起给予权利。
下文中，作为实例，参考具有3.3μm×3.3μm的单位像素尺寸以及2.8V的工作电压的直接(direct)CMOS图像传感器。然而，应当理解，所描述的原理也可应用于其他的CMOS图像传感器。
根据本发明实施例的CMOS图像传感器具有垂直的三层结构，并可以通过单独的多-5(poly-5)金属工艺利用0.18μm CMOS逻辑技术来加工。在形成槽(moat)图案之前可以通过三个外延步骤来在硅外延层中形成红色光电二极管和绿色光电二极管。在栅极蚀刻工艺之后还可以形成蓝色光电二极管。
为了改善CMOS图像传感器的暗泄漏特性可以在特定温度下进行退火工艺。该退火可以采用氢气退火。
退火温度可以从通常的400℃的温度升高到介于435℃和450℃之间的温度。升高退火温度改善了CMOS图像传感器的暗泄漏特性。然而，升高退火温度会导致各种副作用现象。
副作用现象涉及金属层、金属层间介电质(IMD)层等的材料。例如，会出现作为副作用现象的圆形缺陷，即，IMD层的介电质材料中的裂缝。出现圆形缺陷是IMD层的金属的热膨胀系数和介电质材料的热膨胀系数之间的差造成的。
因此，可以采用高温双退火工艺(high-temperature doubleannealing process)和/或不同于传统的钝化氮化物薄膜的钝化氮化物薄膜来防止或减少会作为升高退火温度的副作用而出现的圆形缺陷。
双退火工艺可以包括第一退火(即，预退火)和第二最终退火。可以首先在400℃到435℃的温度下执行预退火。在执行预退火之后，可以在钝化氧化物薄膜上沉积氮化物来形成钝化氮化物薄膜。然后，可以在更高的温度下(例如，在435℃到450℃下)执行最终的退火。
图1A至图1C示出了表示有色光电二极管的暗泄漏不均匀性(DLNU)与H2(氢)退火温度之间的关系的图表。
通常，氢气退火会修缮CMOS图像传感器的硅层中的缺陷、STI薄膜的边缘处的缺陷、以及IMD层中的缺陷。
在图1A到图1C的图表中示出了氢气退火的修缮效果。从这些图表中可明显看出，退火温度越高，在减少DLNU并从而改善图像传感器质量方面就越高效。进一步地，由于蓝色光电二极管比其他光电二极管离硅层表面更近，因此高温退火对位于第三外延层中的蓝色光电二极管更高效。
图2A和图2B示出了表示H2退火温度对金属层的影响的图表。具体地，图2A的图表示出了下方的(即，下面的)金属层的薄层电阻(Rs，Ω/sq)与温度之间的关系，图2B的图表示出了上方的(即，上面的)金属层的薄层电阻(Rs，Ω/sq)与温度之间的关系。
随着温度升高，下面的金属层的薄层电阻比上面的金属层的薄层电阻改变得更迅速。因为使下面的金属层中的铝化钛的浓度或水平比上面的金属层中的铝化钛的浓度或水平高，以及因为响应于更高的退火温度下面的金属层在体积上更加膨胀，所以在氢气退火期间在下面金属层中的薄层电阻变化得更迅速。
因此，在接触下面的金属层的IMD层的介电质材料中可能更容易形成会导致裂缝的圆形缺陷。圆形缺陷影响IMD层和金属层的可靠性。
具体地，由于通常在下面的金属层的热膨胀系数和IMD层的介电质材料的热膨胀系数之间存在的差会导致更容易产生圆形缺陷。在氢气退火期间，下面的金属层中的金属材料比IMD层中的介电质材料膨胀得更多。因此，位于金属材料的拐角中的介电质材料会经受抗张(tensile)残余应力。进一步地，金属材料的拐角开始出现裂缝，在冷却期间该裂缝会蔓延。
图3A是表示不同的退火条件的表格。图3B是表示与各个不同的退火条件对应的缺陷产生率的表格。
表格中的前三项对应于在形成包括了沉积最上面的氮化硅(SiN)钝化薄膜的整个堆叠结构之后执行的单独的“最终”退火。如图3B所示，在这些退火条件下，随着氢气退火温度升高，缺陷数目增加。
为了防止或减少由于温度升高而产生的缺陷，可以执行双退火工艺。在双退火工艺中，可以在沉积钝化氮化物薄膜之前执行第一退火工艺，可以在完成沉积钝化氧化物薄膜中的氮化物之后执行第二退火工艺。第一退火工艺有效地减小了IMD层中的介电质材料的应力。因此，在第二退火工艺期间或之后不太可能产生圆形缺陷。
此外，除了双退火工艺之外或者替换双退火工艺，可以使用替换的钝化氮化物薄膜，诸如，氮氧化硅(SiON)。通常，由于硅和氮之间的较强的共价键而导致SiON具有比SiN低的热膨胀系数。因此，通过反复的热处理SiN较容易出现裂缝，因此通过退火工艺SiN比SiON更容易破裂。由金属材料和钝化氮化物薄膜的不匹配的温度导致了裂缝缺陷(其也作为圆形缺陷)。另一方面，包括在SiON中的氧用于减小膨胀应力。
图4A和图4B示出了表示不同的退火条件对下面的金属层的影响的图表，其示出了金属层的薄层电阻(Rs，Ω/sq)和温度之间的关系。
在双退火工艺中，由于该金属层的薄层电阻高于通过单步退火工艺所退火的该金属层的薄层电阻，所以在该下面的金属层中形成更多的铝化钛。然而，由于在沉积钝化氮化物薄膜之前所执行的第一退火工艺用于减小应力，所以在双退火工艺中不会产生圆形缺陷。
图5A至图5C示出了表示根据不同的退火条件及其对应温度的有色光电二极管的DLNU的图表。
如图5A至图5C的图表所示，双退火工艺比在最终沉积之后在400℃下执行的单步的氢气退火更高效地改善了暗泄漏特性。除了改善暗泄漏特性之外，双退火工艺还高效地防止或减少了圆形缺陷。
而且，尽管SiON钝化薄膜防止或减少了圆形缺陷的出现，但是因为其折射率不同，因此其比SiN低效。SiON的折射率(1.69)比SiN的折射率(2.1)低。因此，当使用SiON时，SiON比SiN具有更大的光传输深度，并且不在硅层上形成焦点。
因此，可以选择使用SiON钝化薄膜来去除圆形缺陷，既考虑了垂直CMOS图像传感器的视觉增益(visual gain)又考虑了其必要性。因此，可以有选择地将SiON或SiN用作形成在最上面的部分的钝化氧化物薄膜。
因此，在最终沉积了最上面的钝化薄膜之后，在升高的温度下执行氢气退火来改善暗泄漏特性。而且，为了减少或避免会负面影响器件可靠性的圆形缺陷，可以有选择地采用双退火工艺和/或SiON钝化氮化物薄膜来消除圆形缺陷。
图6示出了可以根据上述的示例性方法加工的垂直CMOS图像传感器的堆叠结构。
CMOS图像传感器包括光电二极管和晶体管。首先，在形成硅外延层1(例如，三层结构)之后，可以在硅外延层1上形成RGB有色光电二极管2。然后，可以通过顺序形成源极/漏极3、浅沟槽隔离(STI)薄膜4、及栅极5来形成晶体管。
可以在形成晶体管之后在其上沉积IMD层6，并可以在IMD层6中形成通孔7。通孔7电连接在将要形成的多条金属线之间，并电连接在多条金属线和晶体管之间。然后，在其上形成金属线8和9，并可以形成最上面的金属层10。
在用于形成最上面的金属层10的蚀刻工艺之后，可以沉积氧化物来形成钝化氧化物薄膜11。在形成钝化氧化物薄膜11之后，可以执行预退火，预退火是双退火工艺的第一步。可以将用于预退火步骤的退火温度维持在400℃至435℃。
在执行预退火之后，可以将氮化物沉积在钝化氧化物薄膜11上来形成钝化氮化物薄膜12。在形成钝化氮化物薄膜12之后，可以执行最终退火，最终退火是双退火工艺的第二步。可以将用于最终退火步骤的退火温度维持在比预退火步骤的温度高的温度，例如，在435℃至450℃。
尽管可以通过升高退火温度来改善暗泄漏特性，也仍可以有选择地应用高温双退火工艺和/或其他的钝化氮化物薄膜(诸如SiON)来去除圆形缺陷，从而提高垂直CMOS图像传感器的质量和可靠性。
事实上，单独使用高温双退火工艺(即，不使用SiON钝化氮化物薄膜)也改善暗泄漏特性，同时防止或减少圆形缺陷。
对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中进行各种修改和变化。因此，在本发明的修改和变化处于所附权利要求及其等价物的范围之内的情况下，本发明用于覆盖这些修改和变化。
Claims (18)
1.一种用于加工垂直CMOS图像传感器的方法，包括：
在硅外延层上形成至少一个有色光电二极管；
在具有所述有色光电二极管的所述外延层上形成晶体管；
形成至少一条金属线；
在所述金属线的上方形成金属层；
形成第一钝化薄膜；
在第一温度下执行第一退火；以及
在所述第一钝化薄膜上方形成第二钝化薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一钝化薄膜是钝化氧化物薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在400℃至435℃的所述第一温度下执行所述第一退火。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在第二温度下执行第二退火。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在比所述第一温度高的温度下执行所述第二退火。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，在435℃至450℃的所述第二温度下执行所述第二退火。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二钝化薄膜是钝化氮化物薄膜。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二钝化薄膜是SiON钝化薄膜。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二钝化薄膜是SiN钝化薄膜。
10.一种用于加工垂直CMOS图像传感器的方法，包括：
在硅外延层上形成至少一个有色光电二极管；
在具有所述有色光电二极管的所述外延层上形成晶体管；
形成金属线；
在所述金属线上方形成金属层；
形成第一钝化薄膜；
在第一温度下执行第一退火；以及
在第二温度下执行第二退火，其中，所述第二温度高于所述第一温度。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在所述第一钝化薄膜上方形成第二钝化薄膜。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一钝化薄膜是钝化氧化物薄膜。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一温度约为400℃至435℃。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二温度约为435℃至450℃。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二钝化薄膜是钝化氮化物薄膜。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二钝化薄膜是SiON钝化薄膜。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二钝化薄膜是SiN钝化薄膜。
18.一种用于加工垂直CMOS图像传感器的方法，包括：
在硅外延层上形成至少一个有色光电二极管；
在具有所述有色光电二极管的所述外延层上形成晶体管；
形成金属线；
在所述金属线上方形成金属层；
形成第一钝化氧化物薄膜；
在第一温度下执行第一退火；
在所述第一钝化氧化物薄膜上方形成第二钝化薄膜；以及
在第二温度下执行第二退火，其中，所述第二温度高于所述第一温度。
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Cited By (2)
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