CN101325231A - 发光二极管导线架的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭露一种发光二极管导线架的制造方法，其步骤为首先提供一金属基板，在该金属基板上冲压复数个包含至少一接脚的导线区域。接着电镀该金属基板。然后在每一所述导线区域上形成一绝缘壳体，并将所述接脚折弯。之后在该金属基板的周围冲压数个缺口。最后裁切每一所述导线区域，以得到数个发光二极管导线架。其中每一所述缺口的形状系被冲压成可降低该金属基板的应力集中因子。

Description

发光二极管导线架的制造方法

技术领域

本发明关于一种发光二极管导线架的制造方法，且特别是有关于一种可降低金属基板的应力集中因子的发光二极管导线架的制造方法。

背景技术

LED是发光二极管(light emitting diode，LED)的简称，一般是作为指示灯、显示板等照明设备。发光二极管不但能够高效率地直接将电能转化为光能，而且拥有长达数万小时的使用寿命，同时具备不易碎裂、省电等优点。然而，无论何种LED都需要设计合理的封装形式。封装的作用是将外引线连接到LED晶片的电极上，藉此可以保护LED晶片，并且根据不同设计，还具有提高发光效率的作用。

因应IC制程技术的微小化，电子元件连结于电路板上的技术也由插件式演进成为表面黏着式(surface mount device，SMD)。表面黏着式LED具有体积小、适合自动化生产等优点。其作为电子装置如行动电话、笔记型电脑或PDA萤幕的背光板光源非常适用。

习知表面黏着式LED，其为一金属基板(metal base)经冲压后形成数个含有接脚的导线区域(lead area)，藉由射出成型(injection molding)的方式将数个绝缘壳体(insulating casing)设置于金属基板的导线区域，然后将接脚折弯并裁剪导线区域以得到数个导线架(lead frame)。接着，将晶片置入所述绝缘壳体中，再将接脚与晶片电性连接，通常再利用环氧树脂施以封装后即成为表面黏着式LED。

然而，在制造过程中，金属基板上会产生应力集中的现象，造成金属基板翘曲变形。此种翘曲变形可能会使金属基板上的绝缘壳体或其他结构产生形变，进而对LED封装的良率产生不良影响。换言之，避免或降低应力集中的现象可以提升LED封装制程的良率。

因此，本发明的范畴在于提供一种发光二极管导线架的制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以避免金属基板翘曲变形的发光二极管(lightemitting diode，LED)导线架(lead frame)的制造方法。

本发明的发光二极管导线架的制造方法，首先提供一金属基板(metal base)，并在该金属基板上冲压出数个导线区域(lead area)，所述导线区域包含至少一接脚。接着，电镀该金属基板，然后在每一导线区域上形成一绝缘壳体(insulatingcasing)。之后，将所述接脚折弯，再于该金属基板的周围冲压数个缺口(notch)。最后，裁切每一所述导线区域，以得到数个发光二极管导线架。

其中，所述缺口可以降低金属基板的应力集中因子(stress concentrationfactor)，并且其形状可根据实际设计需要而有所不同。

该绝缘壳体以射出成型方式形成在每一所述导线区域上。

在该金属基板上形成数个定位孔。

本发明还可以是提供一第一金属基板及一第二金属基板。并在该第一金属基板上冲压数个导线区域，每一所述导线区域包含至少一接脚。另外，在该第二金属基板上冲压数个基部，然后结合该第一金属基板以及该第二金属基板，其中每一所述基部分别对应所述导线区域的其中之一。之后，电镀该第一金属基板，以射出成型方式在每一所述导线区域上形成一绝缘壳体，再将所述接脚折弯。接着，将该第二金属基板从该第一金属基板分离开来，所述基部则会藉由所述绝缘壳体固定于该第一金属基板之上，并与该第二基板分离。最后，在该第一金属基板的周围冲压数个缺口，并裁切每一所述导线区域，以得到数个发光二极管导线架。

其中，所述缺口可以降低金属基板的应力集中因子(stress concentrationfactor)，并且其形状可根据实际设计需要而有所不同。

在该金属基板上形成数个定位孔。

因此，根据本发明的发光二极管导线架的制造方法的有益效果在于，在制造发光二极管导线架的过程中，在金属基板周围冲压缺口可以降低应力集中因子，进而避免金属基板的翘曲变形的状况发生。

关于本发明的优点与精神可以藉由以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。

附图说明

图1是绘示根据本发明的一实施例的发光二极管导线架的制造方法的流程示意图。

图2A是绘示图1中各元件的示意图。

图2B是绘示一冲压不同形状缺口的金属基板的示意图。

图2C是绘示另一冲压不同形状缺口的金属基板的示意图。

图3是绘示应力集中的金属基板翘曲变形的示意图。

图4是绘示根据本发明的另一实施例的发光二极管导线架的制造方法的流程示意图。

图5是绘示图4中第一金属基板及第二金属基板结合的示意图。

具体实施方式

请参阅图1及图2A，图1是绘示根据本发明的一实施例的发光二极管导线架的制造方法的流程图，图2A是绘示图1中各步骤所述元件的示意图。如图1所示，本发明的发光二极管导线架的制造方法包含步骤S11～S15。

首先于步骤S11，提供金属基板1。接着于步骤S12，冲压数个导线区域2，并且每一导线区域2包含至少一接脚20。于步骤S13，电镀金属基板1。之后，于步骤S14，以射出成型方式在每一导线区域2上形成绝缘壳体22，再将接脚20折弯。最后，于步骤S15，在金属基板1的周围冲压数个缺口3，并裁切每一导线区域2，以得到数个发光二极管导线架。另外，于上述步骤中，另包含有一在金属基板1上形成数个定位孔4的步骤。

一般制造发光二极管导线架的过程，会出现应力集中的现象，此现象会造成金属基板1翘曲变形，如图3的金属基板C1所示。于此实施例中，步骤S15将缺口3的形状冲压成可降低金属基板1的应力集中因子，可降低应力集中的现象，进而避免金属基板发生翘曲变形，如图3的金属基板C2所示。值得一提的是，根据实际设计需求，缺口3的形状可有所变化，并不限于本实施例所冲压出的缺口3形状，如图2B以及图2C所示。

请一并参阅图4及图5，图4是绘示根据本发明的另一实施例的发光二极管导线架的制造方法的流程图，其制造方法包含S21～S27。图5为图4中各步骤所述第一金属基板1’及第二金属基板1”的示意图。

首先于步骤S21，提供第一金属基板1’及第二金属基板1”。接着于步骤S22，在第一金属基板1’上冲压数个导线区域2’，并且每一导线区域包含至少一接脚20’，另外，在第二金属基板1”上冲压数个基部10”。于步骤S23，结合第一金属基板1’以及第二金属基板1”，每一基部10”分别对应导线区域2’的其中之一。于步骤S24，电镀第一金属基板1’。于步骤S25，以射出成型方式在每一导线区域2’上形成绝缘壳体(未绘示于图5)，再将其接脚20’折弯。于步骤S26，将第二金属基板1”从第一金属基板1’分离开来，基部10”藉由绝缘壳体固定于第一金属基板1’的导线区域2’中，并与第二基板1”分离。最后，于步骤S27，在第一金属基板1’的周围冲压数个缺口(如图2A所示的缺口3)，并裁切每一导线区域2’，以得到复数个发光二极管导线架。

于此实施例中，第一金属基板1’周围的缺口形状被冲压成可降低应力集中因子，并且同样地，其形状可根据实际设计需求而有所不同。

相较于先前技术，根据本发明的发光二极管导线架的制造方法，在将接脚折弯后，进一步于金属基板周围冲压缺口，可降低应力集中的现象，使制造过程不致因应力集中的现象而造成金属基板翘曲变形，进而改善发光二极管封装制程的良率。

藉由以上较佳具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的专利范围的范畴内。因此，本发明所申请的专利范围的范畴应该根据上述的说明作最宽广的解释，以致使其涵盖所有可能的改变以及具相等性的安排。

Claims (8)

1.一种发光二极管导线架的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一金属基板；

在该金属基板上冲压数个导线区域，每一所述导线区域包含至少一接脚；

电镀该金属基板；

在每一所述导线区域上形成一绝缘壳体；

将所述接脚折弯；

在该金属基板的周围冲压数个缺口；以及

裁切每一所述导线区域，以得到数个发光二极管导线架。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，每一所述缺口的形状被冲压成可降低该金属基板的应力集中因子的形状。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该绝缘壳体以射出成型方式形成在每一所述导线区域上。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，进一步包含下列步骤：

在该金属基板上形成数个定位孔。

5.一种发光二极管导线架的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一第一金属基板以及一第二金属基板；

在该第一金属基板上冲压数个导线区域，每一所述导线区域包含至少一接脚；

在该第二金属基板上冲压数个基部；

结合该第一金属基板以及该第二金属基板，每一所述基部分别对应所述导线区域的其中之一；

电镀该第一金属基板；

在每一所述导线区域上形成一绝缘壳体；

将所述接脚折弯；

将该第二金属基板从该第一金属基板分离开来；

在该第一金属基板的周围冲压数个缺口；以及

裁切每一所述导线区域，以得到数个发光二极管导线架。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，每一所述缺口的形状被冲压成可降低该第一金属基板的应力集中因子的形状。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，该绝缘壳体以射出成型方式形成在每一所述导线区域上。

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，进一步包含下列步骤：

在该第一金属基板上形成数个定位孔。

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