CN101319354A - 一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法 - Google Patents
一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101319354A CN101319354A CNA2008100626325A CN200810062632A CN101319354A CN 101319354 A CN101319354 A CN 101319354A CN A2008100626325 A CNA2008100626325 A CN A2008100626325A CN 200810062632 A CN200810062632 A CN 200810062632A CN 101319354 A CN101319354 A CN 101319354A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tube film
- carbon tube
- wall nano
- nano
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 title claims description 106
- 238000000746 purification Methods 0.000 title claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 23
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 35
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000446 fuel Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 92
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 17
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 5
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 4
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 102000004316 Oxidoreductases Human genes 0.000 description 1
- 108090000854 Oxidoreductases Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000006250 one-dimensional material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明公开了一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法。该方法是采用氧化法将薄膜状的单壁纳米碳管中的无定形碳杂质除去，然后，使用一定浓度的盐酸除去金属催化剂颗粒。本方法可快速得到高纯度的单壁纳米碳管，经透射电子显微镜的观察与分析表明，单壁纳米碳管薄膜的纯度在95％以上，且纯化后的单壁纳米碳管薄膜仍以薄膜状态存在。这为单壁纳米碳管薄膜的应用研究提供了大面积、高纯度的薄膜材料。特别是在制备大面积场发射显示器、燃料电池催化剂载体的电极和电磁波的吸波材料等方面有望得到应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种涉及单壁纳米碳管薄膜的纯化方法。
背景技术
电弧放电法制备纳米碳管已有十几年历史，1991年日本科学家Iijima(日本名城大学教授)发现纳米碳管所用的样品就是利用该法制备出的。电弧放电法制备的单壁纳米碳管具有结晶性好，制备时间短的特点。但是，该方法也有一些问题，比如，产量较低，纯度也不高，更重要的是不能像化学气相沉积法那样制备出纳米碳管薄膜。本发明用自主开发出的一套专门的实验装置，利用电弧放电法制备大面积、超薄的单壁纳米碳管薄膜，以此来满足单壁纳米碳管在能源、电子、航空等领域的研究和应用的需要。利用单壁纳米碳管薄膜有望在在场发射平面显示器中得到应用。因为单壁纳米碳管，由于它具有良好的化学稳定性、极大的长径比(102～103)以及尖端纳米级的曲率半径(1～10nm)，被认为是理想的场致电子发射材料之一，它以其独特的准一维结构、优异的物理化学特性以及超强的力学性能。用单壁纳米碳管作场致发射的冷阴极具有普通金属阴极场致发射所无法比拟的优点：是一种端部尖锐的一维材料，具有理想发射源的形状；一平方毫米面积上可制备数以万根的长度为微米量级的纳米碳管，可以通过足够的场发射电流；大多数的单壁纳米碳管具有良好的导电性，并具有很高的机械强度；此外，单壁纳米碳管的制备工艺也相对简单，原材料价格低廉。利用单壁碳纳米管薄膜还有望在燃料电池催化电极上得到应用。利用具有超薄、超大表面积的单壁碳纳米管薄膜作为贵金属Pt、Pd或Pt-M(M为过渡金属等)的载体，制成具有先进技术水平燃料电池的电极。以单壁碳纳米管薄膜为燃料电池为贵金属催化剂载体，不仅可以提高燃料电池的导电性和耐腐食性，还可以提高发电效率并延长燃料电池电极的寿命，更重要的是可以提高贵金属在单壁碳纳米管薄膜表面的分散，降低作为催化剂的贵金属的使用量。
单壁碳纳米管因其自身具有完美的结构，决定了它能够成为一种具有多种优异性能的新型材料，并在包括航空航天等许多领域具有应用前景。已有的研究表明，把单壁碳纳米管制成大面积薄膜对于发挥其多种优异的性能具有重要作用。如燃料电池催化剂载体电极、高灵敏传感器、场发射阴极以及航空领域用的质量轻、强度高、能抵抗宇宙辐射等特殊要求的一些复合材料。单壁碳纳米管薄膜有资格成为具有这些功能的候选材料。
发明内容
本发明的目的是提供一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法。
包括如下步骤：
1)将厚度为1微米～100微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡1～2小时，然后再用30mm×30mm×3mm～50mm×50mm×3mm的普通玻璃基板或硅基板将其捞出，使单壁纳米碳管薄膜平展在普通玻璃基板或硅基板上，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
或者，将直接沉积在普通玻璃基板或硅基板表面上厚度为1微米～100微米的单壁纳米碳管薄膜，直接放入无水酒精中浸泡1～2小时，取出普通玻璃基板或硅基板后，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在普通玻璃基板或硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，氧化温度为380℃～480℃，氧化时间为2～4小时；
3)将经氧化后的附着在普通玻璃基板或硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡8～24小时，以除去金属催化剂颗粒。
所述的单壁纳米碳管薄膜采用铁粉为催化剂，铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为380℃，氧化时间为4小时。
所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶0.3∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为480℃，氧化时间为2小时。
所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶0.5∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为400℃，氧化时间为3小时。
所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶1∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为480℃，氧化时间为2小时。
本发明的纯化工艺简单，省时省力，可容易得到高纯度单壁纳米碳管薄膜，单壁纳米碳管薄膜的纯度在95％以上，且纯化后的单壁纳米碳管薄膜仍以薄膜状态存在，这为单壁纳米碳管薄膜的应用研究提供了大面积、高纯度的薄膜材料。特别是在制备大面积场发射显示器、燃料电池催化剂载体的电极和电磁波的吸波材料等方面有望得到应用。
附图说明
图1是本发明的单壁纳米碳管薄膜制备装置结构示意图；
图2是本发明制备的单壁纳米碳管薄膜纯化后的透射电子显微镜低倍照片；
图3是本发明制备的单壁纳米碳管薄膜纯化后的透射电子显微镜高倍照片；
图中：电弧放电真空室1、上石墨板2、普通玻璃基板3、石墨棒阴极4、石墨棒阳极5、下石墨板6、抽气口7、充气口8、直流电源9。
具体实施方式
本发明利用特有技术结合电弧放电法，在作为阴极的上石墨板内表面和用导电胶粘贴在上石墨极板内侧的普通玻璃基板或硅基板上直接沉积单壁纳米碳管薄膜。经电子显微镜观察可知，单壁纳米碳管薄膜的厚度可达微米量级，表面积巨大，在利用氧化和酸氧化方法纯化时，单壁纳米碳管薄膜中无定形碳等杂质能够更加充分氧化而被除去，单壁纳米碳管薄膜中的金属催化剂更易被氧化而被去除。以薄膜形式纯化能够更加容易得到高纯度的单壁纳米碳管薄膜。
用于沉积单壁碳纳米管的电弧放电装置如图1所示。在电弧放电真空室1中安装有两块平行放置的上石墨板2，下石墨板6，上、下石墨板的直径为128mm，厚度为4mm，板间距离为150mm，石墨板内侧表面的粗糙度Ra为3.5微米。在上石墨板内侧的中心垂直安装有石墨棒阴极4，在下石墨板内侧的中心垂直安装有石墨棒阳极5，在石墨棒阳极内含有以Fe、Mo中的一种或两种与石墨粉混合均匀的金属催化剂粉末，石墨棒阳极直径6mm和石墨棒阴极的直径为8mm，石墨棒阳极和石墨棒阴极分别与直流电源9正、负极相连接；
将作为阴极的石墨极板安装在电弧放电真空室中，玻璃基板或硅基板用导电胶粘贴在上石墨极板2上。在下石墨板6上安装内含有金属催化剂的石墨棒阳极，对蒸发室实施真空排气后，充入氢气和氩气的混合气体作为氛围气体，接通电源后在石墨棒阴、阳极板间实施电弧放电，放电电流在80A，使用氢气和氩气的混合气体，其压力比为2∶3，总压强为200Torr，放电时间30秒。取出上石墨板，发现在上石墨板内表面上和粘贴在上石墨板上的普通玻璃基板或硅基板的表面都沉积有单壁纳米碳管薄膜。
实施例1
1)将厚度为1微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡1小时，然后再用30mm×30mm×3mm的普通玻璃基板将其捞出，使单壁纳米碳管薄膜平展在普通玻璃基板上，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在普通玻璃基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，所述的单壁纳米碳管薄膜采用铁粉为催化剂，铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为380℃，氧化时间为4小时；
3)将经氧化后的附着在普通玻璃基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡8小时，以除去金属催化剂颗粒。
实施例2
1)将厚度为100微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡2小时，然后再用50mm×50mm×3mm的硅基板将其捞出，使单壁纳米碳管薄膜平展在硅基板上，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶0.3∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为480℃，氧化时间为2小时；
3)将经氧化后的附着在硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡12小时，以除去金属催化剂颗粒。
实施例3
1)将厚度为5微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡1小时，然后再用30mm×30mm×3mm的普通玻璃基板将其捞出，使单壁纳米碳管薄膜平展在普通玻璃基板上，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在普通玻璃基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶0.5∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为400℃，氧化时间为3小时；
3)将经氧化后的附着在普通玻璃基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡24小时，以除去金属催化剂颗粒。
实施例4
1)将厚度为10微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡1小时，然后再用50mm×50mm×3mm的硅基板将其捞出，使单壁纳米碳管薄膜平展在普通玻璃基板上，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶1∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为480℃，氧化时间为2小时；
3)将经氧化后的附着在硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡12小时，以除去金属催化剂颗粒。
实施例5
1)将直接沉积在30mm×30mm×3mm普通玻璃基板上厚度为1微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡1小时，取出普通玻璃基板后，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在普通玻璃基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，所述的单壁纳米碳管薄膜采用铁粉为催化剂，铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为380℃，氧化时间为4小时；
3)将经氧化后的附着在普通玻璃基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡8小时，以除去金属催化剂颗粒。
实施例6
1)将直接沉积在50mm×50mm×3mm硅基板上厚度为100微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡2小时，取出普通玻璃基板后，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶0.3∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为480℃，氧化时间为2小时；
3)将经氧化后的附着在硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡12小时，以除去金属催化剂颗粒。
实施例7
1)将直接沉积在30mm×30mm×3mm普通玻璃基板上厚度为5微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡1小时，取出普通玻璃基板后，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在普通玻璃基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶0.5∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为400℃，氧化时间为3小时；
3)将经氧化后的附着在普通玻璃基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡24小时，以除去金属催化剂颗粒。如图2和图3的透射电子显微镜照片。
实施例8
1)将直接沉积在50mm×50mm×3mm硅基板上厚度为10微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡1小时，取出普通玻璃基板后，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶1∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为480℃，氧化时间为2小时；
3)将经氧化后的附着在硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡12小时，以除去金属催化剂颗粒。
Claims (5)
1.一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法，其特征在于包括如下步骤：
1)将厚度为1微米～100微米的单壁纳米碳管薄膜，放入无水酒精中浸泡1～2小时，然后再用30mm×30mm×3mm～50mm×50mm×3mm的普通玻璃基板或硅基板将其捞出，使单壁纳米碳管薄膜平展在普通玻璃基板或硅基板上，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
或者，将直接沉积在普通玻璃基板或硅基板表面上厚度为1微米～100微米的单壁纳米碳管薄膜，直接放入无水酒精中浸泡1～2小时，取出普通玻璃基板或硅基板后，单壁纳米碳管薄膜上的无水酒精会被自然蒸发；
2)把附着在普通玻璃基板或硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入管式炉中进行氧化，以除去无定形碳，氧化温度为380℃～480℃，氧化时间为2～4小时；
3)将经氧化后附着在普通玻璃基板或硅基板上的单壁纳米碳管薄膜放入浓度为3M的盐酸溶液中浸泡8～24小时，以除去金属催化剂颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法，其特征在于所述的单壁纳米碳管薄膜采用铁粉为催化剂，铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为380℃，氧化时间为4小时。
3.根据权利要求1所述的一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法，其特征在于所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶0.3∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为480℃，氧化时间为2小时。
4.根据权利要求1所述的一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法，其特征在于所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶0.5∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为400℃，氧化时间为3小时。
5.根据权利要求1所述的一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法，其特征在于所述的单壁纳米碳管薄膜采用钼粉和铁粉二元催化剂，钼粉、铁粉与石墨粉的摩尔比为1∶1∶100条件下制备的，单壁纳米碳管薄膜的氧化温度为480℃，氧化时间为2小时。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2008100626325A CN101319354A (zh) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | 一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2008100626325A CN101319354A (zh) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | 一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101319354A true CN101319354A (zh) | 2008-12-10 |
Family
ID=40179613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2008100626325A Pending CN101319354A (zh) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | 一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101319354A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102610493A (zh) * | 2012-03-22 | 2012-07-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法 |
| CN104071767A (zh) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | 苏州捷迪纳米科技有限公司 | 碳纳米管生长基底的处理方法 |
-
2008
- 2008-06-27 CN CNA2008100626325A patent/CN101319354A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102610493A (zh) * | 2012-03-22 | 2012-07-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法 |
| CN102610493B (zh) * | 2012-03-22 | 2015-08-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法 |
| CN104071767A (zh) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | 苏州捷迪纳米科技有限公司 | 碳纳米管生长基底的处理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | The development trend of graphene derivatives | |
| CN101831622B (zh) | 石墨烯泡沫及其制备方法 | |
| CN102515152B (zh) | 制备球状石墨烯的方法 | |
| Li et al. | Study on electrochemical performance of multi-wall carbon nanotubes coated by iron oxide nanoparticles as advanced electrode materials for supercapacitors | |
| CN102568853A (zh) | 一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极及其制作方法 | |
| Yu et al. | Electrospun ZnCo2O4/C composite nanofibers with superior electrochemical performance for supercapacitor | |
| Zeng et al. | Synthesis and application of carbon nanotubes | |
| CN100595139C (zh) | 一种采用化学气相沉积法批量制备竹节状碳纳米管的方法 | |
| CN202473615U (zh) | 一种基于垂直取向石墨烯的超级电容器电极 | |
| Chang et al. | Surface modification of carbon cloth anodes for microbial fuel cells using atmospheric-pressure plasma jet processed reduced graphene oxides | |
| Su et al. | Multi-wall carbon nanotubes: Purification, morphology and field emission performance | |
| CN115403029B (zh) | 一种单壁碳纳米管的制备方法 | |
| Zhang et al. | Preparation of boron-doped diamond nanospikes on porous Ti substrate for high-performance supercapacitors | |
| CN100593510C (zh) | 碳纳米管的制备方法 | |
| Ugwuoke et al. | The application of carbon and graphene quantum dots to emerging optoelectronic devices | |
| CN101319354A (zh) | 一种单壁纳米碳管薄膜的纯化方法 | |
| US8124044B2 (en) | Carbon nanotubes, a method of preparing the same and an element using the same | |
| CN1135588C (zh) | 一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法 | |
| JP5549028B2 (ja) | フレーク状ナノ炭素材料の製造方法及び電子放出素子並びに面発光素子 | |
| Yu | Preparation, purification and properties of carbon nanotubes | |
| CN101318645A (zh) | 利用丙酮为碳源制备碳纳米管阵列的方法 | |
| JP7165365B1 (ja) | 三次元束状多層カーボンナノチューブとその調製方法並びに作用電極の応用 | |
| JP5549027B2 (ja) | 粒子状ナノ炭素材料の製造方法及び電子放出素子並びに面発光素子 | |
| US12012335B2 (en) | Preparation method and working electrode application of 3D bundle-shaped multi-walled carbon nanotubes | |
| TWI794965B (zh) | 三維束狀多壁奈米碳管及其製備方法與工作電極應用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20081210 |