CN101317269A - 可单片集成的电路装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及可单片集成的电路装置(100)，其具有：构造为被差动馈给的线圈的第一电路组件，该第一电路组件具有至少一个围绕内区域(115)的导体环(110a，110b)；并且具有至少一个另外的电路组件(120，121)。按照本发明，该电路装置(100)的所述另外的电路组件(120，121)设置在该内区域(115)中。

Description

可单片集成的电路装置
本发明涉及一种可单片集成的电路装置，其具有构造为被差动馈给的线圈的第一电路组件，该第一电路组件具有至少一个围绕一个内区域的导体环；并且具有至少一个另外的电路组件。
这种电路装置是已知的并且例如用来构建用于压控振荡器(VOC，voltage controlled oscillator)的空腔振荡电路(Tankkreisen)和需要电感性元件的其他电路。
这种电路装置的特别的缺点在于：尤其是基于线圈本身的相对较大的面积需求以及至相邻的电路组件要保持的最小间距，特别是以便于将电磁的相互作用保持得小并由此避免干扰，线圈至可单片集成的电路中的可集成性差。
据此，本发明的任务在于，在其面积需求方面改进开始所述类型的电路装置。
在开始所描述的电路装置中，该任务按照本发明被这样来解决，电路装置的所述另外的电路组件设置在该内区域中。
通过将本发明的电路装置的至少一个另外的电路组件按照本发明设置在线圈的内区域中，有利地减少了总电路装置的面积需求。线圈与设置在内区域中的另外的电路组件之间的相应的引线或者连接线还可以被设计得特别短，这样减小了通常通过引线所引起的寄生效应如欧姆损失或者电容效应。
申请人的研究得到，在线圈被差动馈给的情况下，所产生的磁场在线圈的内部中主要集中在构成导体环的导体周围并且向线圈的内部强烈地减小，使得该内区域可以被用于设置另外的电路组件，而不会干扰线圈的工作或者不会被线圈的磁场影响。
在本发明的特别有利的实施形式中，所述另外的电路组件具有一个或多个无源元件，尤其是电容性元件。将电容性元件按照本发明设置在线圈的内区域中能够有利地实现单片集成的LC组合的构建，如其经常在振荡电路、滤波器和其他的电路中所需的那样。按照本发明的LC组合的总的面积需求明显小于传统的电路装置，在该传统的电路装置中电容性元件没有设置在线圈的内区域中而是设置在线圈外部。同时，由于按照本发明减少了引线长度还得到了其他优点，例如在引线中由于较小的欧姆损失而得到改善的品质并且由于较小的寄生电容而得到在谐振频率方面提高的精度。
在本发明的另一个实施形式中，电容性元件特别有利地被构造为可配置的电容器阵列(CDAC)，在该电容器阵列中可以以不同方式将多个单个的电容器相互连接，并且从而能够实现所得到的各种不同的等效电容的调节。电容性元件构造为变容二极管同样是可能的。此外，所述另外的电路组件按照本发明也可以具有一个或者多个电容器与变容二极管的组合。
此外，在本发明的电路装置中也可以想到的是，在线圈的内区域中设置电阻性元件例如欧姆电阻。
特别有利的是，按照本发明的另一个实施形式，也可以在所述另外的电路组件中设置有源元件尤其是晶体管，所述另外的电路组件按照本发明被设置在线圈的内区域中。
在本发明的另一个极有利的实施形式中，线圈的不同导体区段尤其是线圈的不同的导体环被设置在容纳该电路装置的衬底的不同的金属化平面中。尤其是在线圈被构造为多匝线圈的情况下，使用不同的金属化平面是非常合乎目的的，因为通过这种方式可以使线圈的面积需求保持得低。
本发明的另一个有利的实施形式的特征在于，在导体环的内区域中设置有屏蔽装置，该屏蔽装置至少部分地延伸在线圈的至少一个导体环和所述另外的电路组件之间。屏蔽装置用于进一步减少线圈的内区域中的电或磁的场强并且例如可以与本发明的电路装置的地电势相连接。
本发明的另一个极有利的实施形式的特征在于，该线圈具有至少一对分别相互对称的腿部。线圈的这种对称构造与线圈的差动馈给相结合保证了线圈内区域中的磁场强度特别小。
在另一个按照本发明的实施形式中，特别有利地规定，所述另外的电路组件和/或与所述另外的电路组件对应的控制线被设置在线圈的延伸在所述腿部之间的对称轴线的区域中。将上述组件设置在对称轴线的区域中，保证了线圈磁场和设置在其内区域的组件之间的最小化的电磁相互作用。
在线圈外部沿着对称轴线的延伸的区域也具有特别小的磁场强度，使得在这些区域中也可以有利地设置电路组件、控制线和类似物。
作为本发明任务的另一种解决方案，给出了具有至少一个本发明的电路装置的单片集成的电路。
本发明的电路的一种特别有利的实施形式的特征在于具有至少两个金属化平面。
其他的优点、特征和细节由后面的描述得到，在这些描述中参照附图说明了本发明的各种不同的实施例。在此，在权利要求和在说明书中提到的特征对于其本身单个分别或者以任意组合地具有发明实质。
在附图中：
图1以俯视图示出本发明的电路装置的第一实施形式，
图2示出本发明的电路装置的第二实施形式，
图3示出本发明的电路装置的第三实施形式，
图4示出本发明的电路装置的第四实施形式，
图5示出了本发明的、具有带有两个匝的线圈的电路装置的实施形式，
图6示出了本发明的、具有带有两个匝的线圈的电路装置的另一个实施形式。
图1示出了本发明的可单片集成的电路装置100的第一实施形式，该电路装置具有构造为被差动馈给的线圈的第一电路组件。该线圈基本上由导体环110a构成，导体环110a被分成相互对称的腿部110a’、110a”。此外，线圈还具有端子111a’，111a”，在所述端子上线圈被馈给以差动信号。
线圈的差动馈给在当前的例子中通过具有有源元件的另外的电路组件121来进行，其与线圈的端子111a’，111a”分别通过未详细表示的连接线连接。
此外，本发明的电路装置100还具有一个另外的电路组件120，它优选具有无源元件尤其是电容性元件，并且它通过相应的引线112a’、112a”同样与线圈的端子111a’，111a”连接。
在图1中示出的电路例如可以涉及压控振荡器(VCO)，其中本发明的线圈连同另外的电路组件120的电容器元件构成一个空腔振荡电路，它通过另外的电路组件121的有源元件被供给能量。另外的电路组件121的有源元件相应地通过控制线121a被一个未被示出的控制电路来施加控制信号。
将所述另外的电路组件120、121按照本发明设置在本发明的线圈的导体环110a内的、在传统的电路装置的情况下不使用的内区域115中，使得电路装置100能够以最小化的面积需求来构建。
有利的是，另外的电路组件120以及配置给它的控制线120a沿着在线圈的两个腿部110a’、110a”之间延伸的对称轴线(未示出)设置，因为当图1中示出的电路装置100工作时在该区域中的磁场强度特别小。在当前的例子中，控制线120a直接延伸在该对称轴线上。
按照图1的另外的电路组件120的电容性元件例如构造为可配置的电容器阵列，它们根据借助控制线120a输入的控制信号以各种不同的方式相互连接并且从而能够调谐由线圈和电容性元件构成的空腔振荡电路的谐振频率。
通过将另外的电路组件120按照本发明设置在线圈的内区域115中，还极其有利地得到引线112a’、112a”的特别小的长度，这些引线将线圈或者其端子111a’，111a”与另外的电路组件120的电容性元件相连接，由此，出现了与传统的电路装置相比在引线112a’、112a”中的相对较小的欧姆损失。
引线112a’、112a”中的这种欧姆损失的减小，尤其是在电路装置被构造为LC振荡电路的情况下是极其合乎目的的，因为在谐振情况下特别大的电流流过所涉及的元件和连接它们的引线112a’、112a”。在传统的、具有设置在线圈之外的电容的电路装置中，由于相应的引线的长度较大而产生相对较大的欧姆损失并且从而降低振荡电路品质。
相应地，在本发明的电路装置100或者在由此实现的LC振荡电路中由于引线112a’、112a”的长度小而得到特别高的振荡电路品质。
由于减小了引线长度而产生的另一有益效果在于，电路装置100总体具有的噪声水平比传统的、具有较长的引线的电路装置的要小。
通过按照本发明减小的面积需求以及电路装置100的随之而来地减小的横截面积，进一步极有利地得到电路装置100的提高的抗干扰安全性。
本发明的另一个有利的实施形式在图2中被示出。与根据图1的实施形式不同，图2中示出的实施形式的线圈具有圆形构造的导体环110a，而不是八角形的导体环。
原则上，本发明的电路装置100的线圈也可以具有带有任意其他形状的导体环，然而其中线圈的对称构造是有利的，以便在内区域115中得到尽可能小的磁场强度。
还在图3中示出本发明的另一个有利的实施形式。按照图3的电路装置100示出了在引线112a’、112a”的区域中或者在线圈的端子区域中的多个被构造为电容器130的电容性元件的布置以及被构造为晶体管140的有源元件的布置。
在使用具有不同大小的电容的电容器130的情况下，特别有利的是，具有最大电容的电容器被设置在有源元件140附近，具有较小电容的电容器被设置在引线112a’、112a”的离开有源元件140的端部上。由此避免了，引线112a’、112a”的处于图3上部的端部不必要地被特别是在谐振运行中大的电流流过并由此形成相应的欧姆损失。
在本发明的、图4中示意性示出的另一极有利的实施形式中，在线圈的内区域115中附加地设置有屏蔽装置150，该屏蔽装置保证了内部115的由该屏蔽装置围绕的区域的很大程度的无场性。屏蔽装置150例如可以与电路装置100的地电势相连接。
在图5和6中分别示出了具有带有两个匝的线圈，其中在两个导体环110a、110b的内区域115中又设置有电容性元件130或者一个或多个控制线120a。
与图5中示出的配置不同，在图6中示出的电路装置100中，由电容器130组成的可配置的电容器阵列与线圈的内导体环110b相连接，而晶体管140与前面一样被设置在线圈的端子区域中。
电容器130的这种布置能够对线圈的电特性产生综合的影响，尤其是当在LC振荡电路或类似电路中使用本发明的电路100时用于线圈电感的平衡。
同样可能的是，将晶体管140与线圈的内导体环110b连接并且将电容器130设置在线圈的端子区域中即在外导体环110a的端子中。
也可以想到本发明的其他实施形式，尤其是具有带有多于两个匝的线圈的实施形式，其中这种配置特别有利地在单片集成的电路中被实现，该电路可具有多个金属化平面。

Claims (10)

1.可单片集成的电路装置(100)，其具有：构造为被差动馈给的线圈的第一电路组件，该第一电路组件具有至少一个围绕一内区域(115)的导体环(110a，110b)；并且具有至少一个另外的电路组件(120，121)，其特征在于，该电路装置(100)的所述另外的电路组件(120，121)设置在该内区域(115)中。
2.根据权利要求1所述的电路装置(100)，其特征在于，所述另外的电路组件(120)具有一个或多个无源元件、尤其是电容性元件(130)。
3.根据权利要求2所述的电路装置(100)，其特征在于，所述电容性元件(130)被构造为可配置的电容器阵列和/或变容二极管。
4.根据上述权利要求之一所述的电路装置(100)，其特征在于，所述另外的电路组件(121)具有一个或多个有源元件、尤其是晶体管(140)。
5.根据上述权利要求之一所述的电路装置(100)，其特征在于，所述线圈的不同导体区段、尤其是所述线圈的不同的导体环(110a，110b)被设置在容纳所述电路装置(100)的衬底的不同的金属化平面中。
6.根据上述权利要求之一所述的电路装置(100)，其特征在于，具有设置在所述导体环(110a，110b)的该内区域(115)中的屏蔽装置(150)，该屏蔽装置至少部分地延伸在所述线圈的至少一个导体环(110a，110b)和所述另外的电路组件(120，121)之间。
7.根据上述权利要求之一所述的电路装置(100)，其特征在于，该线圈具有至少一对分别相互对称的腿部(110a’，110a”)。
8.根据权利要求7所述的电路装置(100)，其特征在于，所述另外的电路组件(120，121)和/或与所述另外的电路组件(120，121)对应的控制线(120a，121a)被设置在所述线圈的延伸在所述腿部(110a’，110a”)之间的对称轴线的区域中。
9.单片集成的电路，具有至少一个根据上述权利要求之一的电路装置(100)。
10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，它具有至少两个金属化平面。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8068003B2 (en) * 2010-03-10 2011-11-29 Altera Corporation Integrated circuits with series-connected inductors
US8643461B2 (en) * 2011-04-28 2014-02-04 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrated transformer
DE102013010695B4 (de) 2013-02-11 2022-09-29 Sew-Eurodrive Gmbh & Co Kg Vorrichtung mit Wicklungsanordnung und Anordnung, insbesondere Ladestation, zur berührungslosen Energieübertragung an ein Elektro-Fahrzeug, mit einer Wicklungsanordnung
JP5719000B2 (ja) * 2013-09-17 2015-05-13 学校法人慶應義塾 集積回路装置
GB2562043B (en) * 2017-04-28 2020-04-29 Drayson Tech Europe Ltd Loop RF Power Harvester
US11152150B2 (en) * 2018-05-09 2021-10-19 Realtek Semiconductor Corp. LC tank circuit having improved resonant frequency stability and fabrication method thereof

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5541442A (en) * 1994-08-31 1996-07-30 International Business Machines Corporation Integrated compact capacitor-resistor/inductor configuration
US5793272A (en) * 1996-08-23 1998-08-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit toroidal inductor
EP0862214A1 (en) * 1997-02-28 1998-09-02 TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (publ) An integrated circuit having a planar inductor
JPH10335590A (ja) * 1997-06-04 1998-12-18 Nec Corp 受動素子回路
DE69840827D1 (de) * 1998-06-30 2009-06-25 Asulab Sa Induktiver Sensor
CN1520612A (zh) * 1999-02-24 2004-08-11 ��³����ʽ���� 集成电路元件及其制造方法和承载集成电路元件的信息载体及其制造方法
WO2002013271A2 (de) * 2000-08-04 2002-02-14 Infineon Technologies Ag Integrierte elektronische schaltung mit wenigstens einer induktivität und verfahren zu ihrer herstellung
FR2820875B1 (fr) * 2001-02-12 2003-07-11 St Microelectronics Sa Structure d'inductance integree
US7038294B2 (en) * 2001-03-29 2006-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Planar spiral inductor structure with patterned microelectronic structure integral thereto
JP4496516B2 (ja) * 2002-01-31 2010-07-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波用配線
KR20050089036A (ko) * 2002-12-13 2005-09-07 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 평면 유도 소자 및 집적 회로
KR100698617B1 (ko) * 2005-02-15 2007-03-21 삼성전자주식회사 집적 인덕터를 포함한 집적회로

Also Published As

Publication number Publication date
US20080245543A1 (en) 2008-10-09
WO2007045409A1 (de) 2007-04-26
CN101317269B (zh) 2010-05-19
EP1938377A1 (de) 2008-07-02
DE102005050484B4 (de) 2010-01-28
DE102005050484A1 (de) 2007-05-03

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