CN101311365B - 一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法 - Google Patents

一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101311365B
CN101311365B CN2008101031800A CN200810103180A CN101311365B CN 101311365 B CN101311365 B CN 101311365B CN 2008101031800 A CN2008101031800 A CN 2008101031800A CN 200810103180 A CN200810103180 A CN 200810103180A CN 101311365 B CN101311365 B CN 101311365B
Authority
CN
China
Prior art keywords
stove
zno
adulteration
room temperature
evaporation source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101031800A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101311365A (zh
Inventor
常永勤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Science and Technology Beijing USTB
Original Assignee
University of Science and Technology Beijing USTB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Science and Technology Beijing USTB filed Critical University of Science and Technology Beijing USTB
Priority to CN2008101031800A priority Critical patent/CN101311365B/zh
Publication of CN101311365A publication Critical patent/CN101311365A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101311365B publication Critical patent/CN101311365B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法,属于半导体纳米材料制备技术领域,本发明采用气相沉积的方法在ZnO纳米线制备过程中进行原位掺杂,将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源,硅片作为接收衬底,放置在刚玉舟上,且硅片处于蒸发源的正上方,与蒸发源的垂直距离为2~4mm。其后,一起放入管式炉中,在炉中通入300~350ml/min的氩气,5~8min后将氩气流量改为120~160ml/min;将管式炉加热到950~1050℃,炉子内压强维持在0.03~0.05MPa,保温140~160min后自然冷却至室温,得到大面积均匀分布的Fe掺杂ZnO纳米线。本发明解决了在ZnO纳米线中合理掺入磁性元素Fe的问题,获得的Fe掺杂ZnO纳米线具有室温铁磁性。本方法原料廉价,工艺简单,能耗低,产率高,对环境无污染,适于工业化生产。

Description

一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法
技术领域
本发明属于半导体纳米材料制备技术领域,涉及化学气相沉积生长Fe掺杂ZnO纳米线的一种制备技术。
背景技术
作为提供自旋载流子的源,磁性半导体材料的制备一直是半导体自旋电子学的最关键性环节,能否保持室温铁磁性是决定它是否具有实用性的关键因素。过渡族元素Fe掺杂ZnO被认为是最有希望成为高居里温度的半导体之一,引起了人们很大的研究兴趣。此外,基于ZnO制备的磁性半导体由于带隙宽,激子束缚能大,具有明显的磁光效应,在磁光器件方面也具有广泛的应用前景。随着纳米科技的飞速发展,Fe掺杂ZnO纳米结构吸引了诸多研究者的关注。目前,Palomino等采用溶胶-凝胶方法获得室温铁磁性的Fe掺杂ZnO纳米颗粒[A.Parra-Palomino,O.Perales-Perez,R.Singhal,M.Tomar,Jinwoo Hwang,P.M.Voyles,J.Appl.Phys.103(2008)07D121]。Seonghoon等采用低温水热合成方法制备出Fe掺杂ZnO纳米柱,发现Fe掺杂后提高了其光学性能[Seonghoon Baek,Jaejin Song,Sangwoo Lim,Physica B 399(2007)101].Xu等制备出铁磁性的Fe掺杂ZnO纳米带,但是其中含有Fe团簇[Xu C X,Sun X W,Dong Z L,Yu M B,Yong Z X and Chen J S,Appl.Phys.Lett.86(2005)173110-1]。目前获得高质量室温铁磁性的Fe掺杂ZnO纳米结构在技术上仍然比较困难。因而有必要寻求一种合适的方法获得高纯度的具有室温铁磁性的Fe掺杂ZnO纳米线,为自旋电子器件的实用化提供材料基础。本发明采用化学气相沉积的方法合成出高纯的Fe掺杂ZnO纳米线,而且具有室温铁磁性,不含任何杂质相。
发明内容
本发明采用气相沉积的方法在ZnO纳米线制备过程中进行原位掺杂,以解决在ZnO纳米线中合理掺入磁性元素Fe的问题,Fe掺杂后以置换Zn位置的方式形成固溶体。获得的Fe掺杂ZnO纳米线具有室温铁磁性。
本发明的目的在于提供一种简便的制备室温铁磁性Fe掺杂ZnO磁性半导体纳米线的方法,本发明是通过如下方案实现的:
1、将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源均匀混合后放置在刚玉舟中。硅片作为接收衬底,放置在刚玉舟上,且硅片处于蒸发源的正上方,与蒸发源的垂直距离为2~4mm。
2、将放有硅片和蒸发源的刚玉舟放入管式炉中,在炉中通入300~350ml/min的氩气,5~8min后将氩气流量改为120~160ml/min。将管式炉加热到950~1050℃,炉子内压强维持在0.03~0.05MPa,保温140~160min后自然冷却至室温,得到大面积均匀分布的Fe掺杂ZnO纳米线。
本发明所述的Fe含量的取值范围为1~5at.%。Fe掺杂ZnO纳米线的直径为28~170nm,长度为10~35μm。
本发明的优点:
采用气相沉积的方法在ZnO纳米线中实现磁性元素Fe的原位掺杂,掺杂后并不产生夹杂相。获得的Fe掺杂ZnO纳米线为单晶,结晶质量非常高,而且具有室温铁磁性。
磁性元素Fe的掺杂含量可通过调整合成温度、环境压强和氩气流量来控制,而且通过调整磁性元素Fe的掺杂含量可以调控掺杂纳米线的磁性和居里温度。
本方法原料廉价,工艺简单,操作方便,能耗低,产率高,对环境无污染,适于工业化生产。
Fe掺杂ZnO纳米线具有独特的一维输运和磁光特性,在未来的纳米自旋电子器件中具有重要的作用。本发明为未来集磁、光、电于一体的低功耗的新型自旋电子器件的研发奠定了材料基础。
附图说明
图1Fe掺杂ZnO纳米线的X射线衍射图谱。
图2Fe掺杂ZnO纳米线的扫描电镜照片,表明产物由纳米线组成。
图3室温条件下Fe掺杂ZnO纳米线的M-H曲线,表明产物在室温下具有铁磁性。
具体实施方式
实施例1
1、将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源均匀混合后放置在刚玉舟中。硅片作为接收衬底,放置在刚玉舟上,且硅片处于蒸发源的正上方,与蒸发源的垂直距离为3mm。
2、将放有硅片和蒸发源的刚玉舟放入管式炉中,在炉中通入350ml/min的氩气,5min后将氩气流量改为140ml/min。将管式炉加热到1000℃,炉子内压强维持在0.04MPa,保温150min后自然冷却至室温,得到大面积均匀分布的Fe掺杂ZnO纳米线。
产物的X射线衍射图谱如图1所示,所有的衍射峰均可以用ZnO来解释,说明产物为ZnO纤维锌矿结构。没有观察到Fe或其氧化物的衍射峰,表明Fe以置换Zn原子的方式固溶入ZnO晶格结构中,并没有形成第二相。在扫描电镜下观察产物的形貌,如图2所示,硅片表面覆盖了一层纳米线,说明这种制备方法可以获得大面积均匀分布的产物。图3为Fe掺杂ZnO(x=4.5at.%)纳米线在室温下的M-H曲线,可以看到样品在室温下仍具有明显的磁滞回线,说明Fe掺杂ZnO纳米线具有室温铁磁性,其居里温度高于室温。
实施例2
1、将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源均匀混合后放置在刚玉舟中。硅片作为接收衬底,放置在刚玉舟上,且硅片处于蒸发源的正上方,与蒸发源的垂直距离为2mm。
2、将放有硅片和蒸发源的刚玉舟放入管式炉中,在炉中通入320ml/min的氩气,7min后将氩气流量改为125ml/min。将管式炉加热到980℃,炉子内压强维持在0.05MPa,保温160min后自然冷却至室温,得到大面积均匀分布的Fe掺杂ZnO纳米线。
实施例3
1、将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源均匀混合后放置在刚玉舟中。硅片作为接收衬底,放置在刚玉舟上,且硅片处于蒸发源的正上方,与蒸发源的垂直距离为4mm。
2、将放有硅片和蒸发源的刚玉舟放入管式炉中,在炉中通入300ml/min的氩气,8min后将氩气流量改为160ml/min。将管式炉加热到1050℃,炉子内压强维持在0.04MPa,保温140min后自然冷却至室温,得到大面积均匀分布的Fe掺杂ZnO纳米线。

Claims (2)

1.一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法,其特征在于,将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源均匀混合后放置在刚玉舟中,再将硅片作为接收衬底,垂直放置在蒸发源的正上方,硅片与蒸发源的垂直距离为2~4mm;其后,一起放入管式炉中,在炉中通入300~350ml/min的氩气,5~8min后将氩气流量改为120~160ml/min;将管式炉加热到950~1050℃,炉内压强维持在0.03~0.05MPa,保温140~160min后自然冷却至室温,得到Fe掺杂ZnO纳米线。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的Fe含量的取值范围为1~5at.%。
CN2008101031800A 2008-04-01 2008-04-01 一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法 Expired - Fee Related CN101311365B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101031800A CN101311365B (zh) 2008-04-01 2008-04-01 一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101031800A CN101311365B (zh) 2008-04-01 2008-04-01 一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101311365A CN101311365A (zh) 2008-11-26
CN101311365B true CN101311365B (zh) 2010-07-21

Family

ID=40100194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101031800A Expired - Fee Related CN101311365B (zh) 2008-04-01 2008-04-01 一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101311365B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103966662B (zh) * 2014-04-01 2016-06-15 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种在硅电极上定位横向生长氧化锌纳米线的方法
CN105926029B (zh) * 2016-05-09 2018-11-27 郑州云江科技有限公司 一种利用微波快速合成氧化锌晶须的方法
CN108760104B (zh) * 2018-07-03 2020-10-09 宁波工程学院 一种N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器及其制备方法
CN115212319B (zh) * 2022-07-14 2023-08-11 福州大学 一种小尺寸铁掺杂氧化锌纳米复合颗粒的制备及应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101045553A (zh) * 2007-04-06 2007-10-03 北京科技大学 一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101045553A (zh) * 2007-04-06 2007-10-03 北京科技大学 一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张斌等.铁掺杂氧化锌纳米悬臂阵列的拉曼光谱与发光特性研究.科学通报53 4.2008,53(4),390-393.
张斌等.铁掺杂氧化锌纳米悬臂阵列的拉曼光谱与发光特性研究.科学通报53 4.2008,53(4),390-393. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101311365A (zh) 2008-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103526297B (zh) 一种制备拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的方法
CN102358938B (zh) 一种低温大面积可控合成具有优良场发射特性的单晶wo2和wo3纳米线阵列的方法
Zhang et al. Preparation of ZnO nanoparticles by a surfactant-assisted complex sol–gel method using zinc nitrate
CN101311365B (zh) 一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法
CN102040187B (zh) 一种核壳结构ZnO纳米线阵列的生长方法
CN102874775B (zh) 一种氮化钪立方晶体的制备方法
CN100567163C (zh) 一种制备铜掺杂氧化锌纳米线的方法
CN103668453B (zh) 一种二维硅烯薄膜及其制备方法
CN102345162A (zh) 一维轴向型的纳米氧化锌/硫化锌异质结及其制备方法
CN101435067B (zh) 基于物理气相沉积的碲纳米线阵列的制备方法
CN103352253A (zh) 一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法
CN101289172B (zh) 通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法
Li et al. Long silicon nitride nanowires synthesized in a simple route
CN100554500C (zh) 一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法
CN101693528B (zh) 一种生长ZnSe单晶纳米线的方法
CN101693550B (zh) 一种生长CdO纳米线束的方法
Jin et al. Doped colloidal ZnO nanocrystals
CN101434455B (zh) 采用物理气相沉积法制备碲化铋纳米线阵列的方法
CN102304699A (zh) 一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法
CN102557004A (zh) 一种通过磁场控制碳纳米材料生长形貌的方法
CN100357499C (zh) 一种制备室温铁磁性Zn1-xMnxO稀磁半导体纳米线的方法
CN101531374B (zh) 硼纳米线的制备方法
CN101302033B (zh) 使用多种还原剂热蒸发制备氧化锌微/纳米结构的方法
CN101550600B (zh) 高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法
CN100582014C (zh) 一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100721

Termination date: 20130401