CN101308894B - 发光二极管支架的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种发光二极管支架的制造方法，包括：成型一第一金属基板，该第一金属基板成型有一第一支架及至少一电极片，该电极片延伸有接脚；成型一第二金属基板，该第二金属基板成型有一第二支架及一基部；将该第一金属基板及该第二金属基板结合(耦合)，该电极片相邻于该基部，使该基部与该电极片间形成有空隙；将至少一芯片黏设于该第二金属基板的基部上，并将该芯片藉由金属导线进行打线电性连接于该电极片；以及成型一绝缘壳体，将该绝缘壳体包覆于该电极片与该基部，使该接脚外露于该绝缘壳体；藉此，能制成具有二金属基板的发光二极管支架，使第二金属基板中用以承载芯片的基部邻近于第一金属基板的电极片，以缩短芯片与电极片的打线距离而降低成本及减小体积。

Description

发光二极管支架的制造方法

技术领域

本发明有关于一种发光二极管支架的制造方法，尤指一种藉由二金属基板的结合，使其打线间距缩短，进而得到体积较小的表面黏着型发光二极管的制造方法。

背景技术

早在70年代就已经有发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发明，其对人类的生活形态产生极大的影响。数十年来，人们仍不断的努力，希望能发明出更具实用性的有效光源，然而甚多的关键技术上的瓶颈一直无法突破，故将其应用于日常照明上确实存在了许多问题，例如亮度的提升、产品的寿命问题。

近几年来，由于人们在这些技术层面的问题上取得许多重大突破，使得LED的应用面更为广泛。LED与传统光源相较具有许多的优势，包括体积小、发光效率佳、操作反应速度快、可挠式或可陈列式组件，且无热辐射与水银等有毒物质的污染。

目前LED的制造技术已具有一定的成熟度，亮度也已提高到一定的程度，已应用的范围包括：汽车仪表板、液晶显示板背光源、室内照明、扫描机与传真机光源等用途。未来的开发目标在于制作出耗电量低，可大量节省能源的高效率与高亮度的发光二极管；而微型的发光二极管也是另一项重要的开发项目，主要是可将微型化的发光二极管应用于作为电子装置的发光光源，例如行动电话、笔记型计算机或PDA屏幕的背光板光源，依据此类型电子产品的需要，表面黏着组件的发光二极管即非常适用。

而随着集成电路制作技术的进步，电子组件的设计与制作持续朝着细微化的趋势发展，并且由于其具备更大规模、高积集度的电子线路，因此其它产品也更加完整。同时为了因应IC制程技术微小化，以及电子信息产品走向轻薄短小，电子组件连结在印刷电路板上的技术也由插件式演进成表面黏着式(Surface Mount Device，SMD)，具低阻抗、高容量、小型化、寿命长等特色的SMD型芯片电容因而倍受看好。

习知表面黏着组件的发光二极管，其为一金属板经冲压后形成复数个接脚，然后藉由塑料射出将多数个绝缘壳体设置于该金属板上。接着将芯片置入该多数个绝缘壳体中，再利用金属导线将接脚与芯片电性连接，进行打线。通常再用环氧树脂施以封装后即成为表面黏着组件发光二极管。

但，习知表面黏着组件的发光二极管，其金属导线与接脚一般会有一段距离，此时就会增加打线的距离，也就是要增加金属导线的长度，然而通常金属导线为金线，故成本会上升；此外因为金属导线与接脚无法很邻近，故其体积也会随之变大。

再者，以发光效率而言，发光二极管中的芯片所能承受的功率占重要因素，高功率发光芯片的应用，可使单颗发光二极管的亮度往上提升。进一步而言，可有效的增加发光二极管的应用范围，然而当功率提升后，发光二极管中的芯片的工作温度会迅速上升，习知表面黏着组件的发光二极管未能有效解决芯片的散热问题。

因此，本发明人有感上述缺失的可改善，提出一种设计合理且有效改善上述缺失的本发明。

发明内容

本发明的主要目的，在于提供一种发光二极管支架的制造方法，可以缩短打线距离而降低成本，藉此也可以得到体积较小的高功率发光二极管。

本发明的另一目的，在于提供一种发光二极管支架的制造方法，可将集中于高功率芯片的热量向外传递，以达到散热效果。

本发明的又一目的，在于提供一种发光二极管支架的制造方法，第一金属基板与第二金属基板相互结合而产生的高功率发光二极管，比单一金属板有较高的生产良率。

为了达成上述的目的，本发明提供一种发光二极管支架的制造方法，包括下列步骤：成型一第一金属基板，该第一金属基板成型有一第一支架及至少一电极片，该电极片延伸有接脚；成型一第二金属基板，该第二金属基板成型有一第二支架及一基部；将该第一金属基板及该第二金属基板结合，该电极片相邻于该基部，使该基部与该电极片间形成有空隙；将至少一芯片黏设于该第二金属基板的基部上，并将该芯片藉由金属导线进行打线电性连接于该电极片；以及成型一绝缘壳体，将该绝缘壳体包覆于该电极片与该基部，使该接脚外露于该绝缘壳体。

本发明具有以下的有益效果：本发明可制成具有二金属基板的发光二极管支架，使该第二金属基板中用以承载芯片的基部邻近于第一金属基板的电极片，以缩短该芯片与该电极片的打线距离而降低成本，藉此也可以得到体积较小的高功率发光二极管。

再者，本发明在第二金属基板的基部底部突伸成型一凸块，藉由该凸块可将集中于高功率芯片的热量向外传递，以达到散热效果。同时利用第一金属基板与第二金属基板相互结合而产生的高功率发光二极管，比单一金属板有较高的生产良率。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明的流程图。

图2为本发明第一实施例的第一金属基板的示意图。

图3为本发明第一实施例的第二金属基板的示意图。

图4为本发明第一实施例的支架的立体分解图。

图5为本发明第一实施例的支架的立体组合图。

图6为本发明第一实施例的发光二极管的剖面图。

图7为本发明第二实施例的支架的立体分解图。

图8为本发明第三实施例的支架的立体分解图。

图9为本发明第二实施例的基座黏设芯片及进行打线的立体示意图。

主要组件符号说明

1  第一金属基板

11  第一支架       12  电极片

121  第一电极片    122  第二电极片

13  第一固定片     14  容置空间

15  接脚

2  第二金属基板

21  第二支架      22  基部

23  第二固定片    24  凸块

3  绝缘壳体

4  芯片

5  金属导线

6  金属导线

具体实施方式

请参阅图1至图6所示，本发明提供一种发光二极管支架的制造方法，该制造方法包括下列步骤：

(a)冲压成型一第一金属基板1，该第一金属基板1成型有一第一支架11及至少一电极片12，该第一支架11呈一框架体。

该电极片12成型于该第一支架11中心处，该电极片12以第一固定片13连接于第一支架11，使该电极片12固定于第一支架11上。在第一实施例中该电极片12包含一第一电极片121及一第二电极片122，该第一电极片121及第二电极片122之间成型一容置空间14。

该第一电极片121与第二电极片122的侧边各成型有至少一接脚15，该接脚15向外延伸。在第二实施例中该电极片12仅成型为一个电极片121(如图7)。

(b)冲压成型一第二金属基板2，该第二金属基板2为一薄材质，该第二金属基板2也可为一厚材质(如图8)或任何材质，其成型有一第二支架21及一基部22，该第二支架21呈一框架体，可与第一支架11相匹配。

该基部22成型于该第二支架21中心处，该基部22以第二固定片23连接于第二支架21，使该基部22固定于第二支架21上，在第一实施例中该第二固定片23为一个呈S形状的片体，该第二固定片23也可为其它形状(图略)。该基部22底部一体成型突伸一凸块24。

(c)将第一金属基板1的第一支架11及第二金属基板2的第二支架21相互对准，而后将该第一支架11及第二支架21相叠结合(耦合)(如图5)，并令该第二金属基板2的基部22容置于第一金属基板1的容置空间14，使该第一电极片121及第二电极片122相邻于基部22，且该基部22周边与该第一电极片121及第二电极片122间形成有空隙。

(d)将芯片4黏设于该第二金属基板2的基部22上，并将该芯片4藉由金属导线进行打线步骤，以使芯片4电性连接于该第一、第二电极片121、122；一般金属导线为金线，其所进行的打线结合是半导体IC封装制程的一站，是自IC晶粒或芯片各电极上，以金属导线进行各式打线结合，再牵线至第一、第二电极片121、122以完成互连。在第一实施例中，该基部22上的芯片4邻近于该第一电极片121与第二电极片122，所以可减少打线的距离，因此可降低成本及缩小体积。

(e)成型一绝缘壳体3(如图6)，该绝缘壳体3以射出成型的方式包覆于该第一、第二电极片121、122与该基部22上，该射出成型为在树脂注射成形机中，用两半金属模夹住金属基板1、2的规定部分，在金属模的空间内部加压注入熔化的树脂，接着使其冷却固化，嵌入模压加工一定形状和尺寸的树脂。该凸块24外露于该绝缘壳体3底面，用以散热该芯片4的工作温度，该接脚15折弯外露于该绝缘壳体3。在第一实施例中该接脚15为二个且折弯外露于该绝缘壳体3侧边，然而该接脚15也可折弯外露于该绝缘壳体3其它部位。另，可选择性的将第一支架11及第二支架21去除，也可仅将第一支架11或第二支架21去除。

请参阅图7及图9，在第二实施例中该电极片12仅成型为一个第一电极片121，该第一电极片121作为一极性接点(如阳极接点)，该第二金属基板2则可作为另一极性接点(如阴极接点)。将芯片4黏设于该第二金属基板2的基部22上，并将该芯片4藉由金属导线5及6进行打线步骤，以使芯片4电性连接于该第一电极片121及第二金属基板2。

本发明提供一种发光二极管支架的制造方法，可制成具有二金属基板1、2的发光二极管支架，使该第二金属基板2中用以承载芯片4的基部22邻近于第一金属基板1的第一电极片121与第二电极片122，以缩短该芯片4与该第一电极片121与第二电极片122的打线距离而降低成本，藉此也可以得到体积较小的高功率发光二极管。

再者，本发明在第二金属基板2的基部22底部突伸成型一凸块24，藉由该凸块24可将集中于高功率芯片4的热量向外传递，以达到散热效果。同时利用第一金属基板1与第二金属基板2相互结合而产生的高功率发光二极管，比单一金属板有较高的生产良率。

但，以上所述仅为本发明的较佳实施例，非意欲局限本发明的专利保护范围，故举凡运用本发明说明书及图式内容所为的等效变化，均同理皆包含于本发明的权利保护范围内，合予陈明。

Claims (12)

1.一种发光二极管支架的制造方法，包括下列步骤：

成型一第一金属基板，该第一金属基板成型有一第一支架及至少二电极片，该二电极片延伸有接脚，且该二电极片之间形成一容置空间；

成型一第二金属基板，该第二金属基板成型有一第二支架及一基部，该基部底部成型一凸块；

将该第一金属基板及该第二金属基板结合，该第二金属基板的基部容置于第一金属基板的容置空间，该二电极片相邻于该基部，使该基部与该二电极片间形成有空隙；

将芯片黏设于该第二金属基板之基部上，并将该芯片由金属导线进行打线电性连接于该二电极片；以及

成型一绝缘壳体，将该绝缘壳体包覆于该二电极片与该基部，使该接脚外露于该绝缘壳体，且该基部底部的凸块外露于该绝缘壳体底面，以散热该芯片的工作温度。

2.如权利要求1所述的发光二极管支架的制造方法，其中，该二电极片成型于该第一支架中心处，该二电极片是以第一固定片连接于该第一支架。

3.如权利要求1所述的发光二极管支架的制造方法，其中，该基部成型于该第二支架中心处，该基部是以第二固定片连接于该第二支架。

4.如权利要求1所述的发光二极管支架的制造方法，其中，该绝缘壳体是以射出成型的方式包覆于该二电极片与该基部。

5.如权利要求1所述的发光二极管支架的制造方法，其中，包括一将该第一支架及第二支架去除的步骤。

6.如权利要求1所述的发光二极管支架的制造方法，其中，包括一将该第一支架去除的步骤。

7.如权利要求1所述的发光二极管支架的制造方法，其中，包括一将该第二支架去除的步骤。

8.一种发光二极管支架的制造方法，包括下列步骤：

成型一第一金属基板，该第一金属基板成型有一第一支架及一电极片，该电极片延伸有接脚，该电极片作为一极性接点，且该第一金属基板成型一容置空间；

成型一第二金属基板，该第二金属基板成型有一第二支架及一基部，该第二金属基板作为另一极性接点，该基部底部成型一凸块；

将该第一金属基板及该第二金属基板结合，该电极片相邻于该基部，使该基部与该电极片间形成有空隙，将该第二金属基板的基部容置于该容置空间；

将芯片黏设于该第二金属基板之基部上，并将该芯片由金属导线进行打线电性连接于该电极片及第二金属基板；以及

成型一绝缘壳体，将该绝缘壳体包覆于该电极片与该基部，使该接脚外露于该绝缘壳体，且该基部底部的凸块外露于该绝缘壳体底面，以散热该芯片的工作温度。

9.如权利要求8所述的发光二极管支架的制造方法，其中，该绝缘壳体是以射出成型的方式包覆于该电极片与该基部。

10.如权利要求8所述的发光二极管支架的制造方法，其中，包括一将该第一支架及第二支架去除的步骤。

11.如权利要求8所述的发光二极管支架的制造方法，其中，包括一将该第一支架去除的步骤。

12.如权利要求8所述的发光二极管支架的制造方法，其中，包括一将该第二支架去除的步骤。

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