CN101304921A - 含有碳酸亚乙酯材料的充填方法及其充填装置 - Google Patents

含有碳酸亚乙酯材料的充填方法及其充填装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101304921A
CN101304921A CNA2006800419165A CN200680041916A CN101304921A CN 101304921 A CN101304921 A CN 101304921A CN A2006800419165 A CNA2006800419165 A CN A2006800419165A CN 200680041916 A CN200680041916 A CN 200680041916A CN 101304921 A CN101304921 A CN 101304921A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
particle
raw material
pipe arrangement
ethylene carbonate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006800419165A
Other languages
English (en)
Inventor
新妻裕志
饭沼知久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toagosei Co Ltd
Original Assignee
Toagosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toagosei Co Ltd filed Critical Toagosei Co Ltd
Publication of CN101304921A publication Critical patent/CN101304921A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Basic Packing Technique (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

一种含有碳酸亚乙酯材料的充填方法及其充填装置。本发明的充填装置用于在操作环境温度例如常温下,简单、准确且再现性良好地测定作为固体状态的含有碳酸亚乙酯原料中的颗粒的数,稳定地充填质量优良的含有碳酸亚乙酯材料。本发明的方法是将含有碳酸亚乙酯原料从含有碳酸亚乙酯原料储藏部通液到充填用配管内,然后,将上述含有碳酸亚乙酯原料连续地在管线内向从上述配管的途中分支且被加温的颗粒测定用配管内通液,由与上述颗粒测定用配管连接着的颗粒测定装置测定上述含有碳酸亚乙酯原料中的颗粒的数,接着,在0.2微米以上的颗粒的数达到基准值以下的时刻,将上述含有碳酸亚乙酯材料从上述充填用配管的出口充填到充填用容器内。

Description

含有碳酸亚乙酯材料的充填方法及其充填装置
技术领域
本发明涉及将含有碳酸亚乙酯材料充填到充填用容器内的方法及其充填装置,具体地说,是涉及作为除去在电子设备用基板等基体表面上附着的有机膜的剥离液使用,特别是作为除去在半导体用晶片、液晶用基板等上所使用的光致抗蚀剂膜的剥离液应用的、颗粒(微小粒子)被减少了的含有碳酸亚乙酯材料的充填方法及其充填装置(充填系统)。
背景技术
以往,在除去在氧化膜或多晶硅膜的微细加工中使用的光致抗蚀剂膜时,使用剥离液的方法已被公知,作为此剥离液,使用苛性钠、苛性钾等的无机强碱水溶液、硫酸以及过氧化氢的混合物、IPA(异丙醇)、NMP(N-甲基吡咯烷酮)等的有机溶剂、单乙醇胺、TMAH(氢氧化四甲基铵)等的有机碱物质等。
但是,在使用这些剥离液的剥离方法中,不仅不能忽视剥离液本身的火灾危险性和有害性,而且还存在着由于溶解了的抗蚀剂膜积蓄,抗蚀剂膜的剥离能力降低,所以反复使用受到限制的问题。
近年来,为了改善剥离液的反复使用性,有人提出了对处理液进行臭氧氧化以分解抗蚀剂膜的方法,在这样的方法中,作为处理液,使用了碳酸亚乙酯(下称“EC”)和/或碳酸亚丙酯(参照日本特开2001-345304号公报、特开2003-330206号公报、特开2003-305418号公报)。
在上述用途中,需要使用微小粒子(颗粒)被减少了的EC,在将由EC制造设备制造的EC充填并储藏在制品用容器内的情况下,在从此容器向用于向抗蚀剂膜的剥离装置供给的储罐充填的情况下,以及在当抗蚀剂膜的剥离装置工作时使之在装置内循环地使用的情况下,都需要对EC中所含的颗粒进行测定、管理。因此,要求颗粒数的测定方法准确,但以往的测定方法是使用图3所示的系统,即使用具有测定用样品瓶1、导入配管4以及6、颗粒测定装置3、注射器采样器5的系统,预先从EC储藏部对EC进行采样,作为测定用样品瓶1,通过使用注射器采样器5的吸引,使液状的EC通液到配管2内,然后,通过导入到颗粒测定装置3内测定颗粒的数。根据此方法,因为是对测定用样品瓶1在采样后测定颗粒数,所以存在着由于测定用样品瓶1的内面和配管2的开口部的污染导致颗粒数增加的危险性,并且由于采样和颗粒测定时的时间滞后导致不能充填颗粒数已被确定的EC而徒劳的情况。
另一方面,因为EC熔点高达36℃,在常温下为固体,所以充填是预先将EC加温使之成为液体状态来进行的,但是,在对颗粒测定用EC进行采样时,存在着在采样配管中固化、不能进行采样的情况。另外,在测定颗粒时,若在采样用容器的内部以及从采样用容器到测定装置为止的配管内固化,则不能测定颗粒数。
这样的EC的固化可通过对采样配管、采样用容器、测定配管等加温,或者将EC添加到颗粒数已知的第二成分(例如碳酸亚丙酯)中做成混合液来防止。在做成混合液时,虽然不需要加温配管等,但是,因为EC中的颗粒数是根据其测定值以及第二成分的颗粒数和添加量通过计算算出的,所以每次都需要测定第二成分中的颗粒数,不仅麻烦,而且若对第二成分的管理松懈,还会产生测定值变动等问题。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的课题是提供一种在操作环境温度例如常温下,简单、准确且再现性良好地测定作为固体状态的含有EC原料中的颗粒的数,将质量优良的含有EC材料稳定地充填到制品用容器等的充填用容器内的方法、以及含有此EC材料的充填装置(充填系统)。
为了解决课题的手段
本发明者们为了解决上述课题进行了专心研究,结果发现了下述情况,实现了本发明,即,在具有作为EC等的制造设备中的接收槽等的含有EC原料储藏部、从此含有EC原料储藏部的出口一直到制品用容器等的充填用容器的入口为止所连接的充填用配管、从此充填用配管的途中分支且与测定颗粒的数的装置连接着的颗粒测定用配管的装置中,在通液液状的含有EC原料时,通过对颗粒测定用配管加温,能够防止含有EC原料的固结,并且能得到变动小的颗粒测定值,同时,能够将被提示为此测定值的含有EC材料充填到充填用容器内。
即,本发明可表示如下。
1.一种含有EC材料的充填方法,用于将含有EC材料充填到充填用容器内,其特征在于,将含有EC原料从含有EC原料储藏部通液到充填用配管内,然后,将上述含有EC原料连续地在管线内向从该充填用配管的途中分支且被加温的颗粒测定用配管内通液,通过与上述颗粒测定用配管连接着的颗粒测定装置来测定上述含有EC原料中的颗粒的数,接着,在0.2μm以上的颗粒的数达到基准值以下的时刻,将上述含有EC材料从上述充填用配管的出口充填到上述充填用容器内。
2.如上述1所述的含有EC材料的充填方法,其特征在于,一边控制上述含有EC原料的流量,一边测定上述含有EC原料中的颗粒的数,使得上述颗粒测定用配管中的上述含有EC原料的流量的变动在±10%以内。
3.如上述1所述的含有EC材料的充填方法,其特征在于,在结束上述含有EC材料的充填后,通过将惰性气体和/或水导入到上述颗粒测定用配管内来清洗上述颗粒测定用配管内部,接着,在除去了该颗粒测定用配管内的含有EC原料的状态下,保持上述惰性气体或者上述水,而在充填再次开始时,重新向上述颗粒测定用配管内通液含有EC原料。
4.一种含有EC材料的充填装置,其特征在于,具有储藏含有EC原料的含有EC原料储藏部;用于充填含有EC材料的充填用容器;从该含有EC原料储藏部向该充填用容器通液上述含有EC原料的充填用配管;作为向测定上述含有EC原料中的颗粒数的装置通液的配管并从上述充填用配管的途中分支且被加温的颗粒测定用配管;作为测定上述含有EC原料中的颗粒数的装置并与上述颗粒测定用配管的出口连接着的颗粒测定装置。
发明效果
根据本发明的含有EC材料的充填方法,在操作环境温度例如常温下,将作为固体状态的含有EC原料通液到从充填用配管分支且被加温的颗粒测定用配管内,然后,对以在管线内的方式导入到颗粒测定装置内以及进行了测定的颗粒的数进行管理,接着,通过从充填用配管向充填用容器充填,能够不会固结地、容易地充填变动小、具有准确的颗粒数的含有EC材料。因为充填用容器内的含有EC材料是通过对其物理特性进行管理的,所以作为除去在电子设备用基板等的基体表面上附着的有机膜、特别是抗蚀剂膜的剥离液是有用的。
根据本发明的含有EC材料的充填装置,能够简单、准确且再现性良好地测定含有EC原料中的颗粒的数,能够将质量优良的含有EC材料稳定地充填到制品用容器等的充填用容器内。
另外,利用本发明,通过将含有EC材料的充填装置配设在抗蚀剂膜的剥离装置内,对在抗蚀剂膜的剥离装置正在工作时使用中的含有EC材料的实际液体管理有用。
附图说明
图1是表示本发明的含有EC材料的充填装置的一个例子的简图。
图2是表示本发明的含有EC材料的充填装置的其它例子的简图。
图3是表示基于以往的方法的颗粒测定系统的简图。
符号说明
1:测定用样品瓶
2:水浴器
3:颗粒计数器
4:导入配管
5:注射器采样器
6:排放配管
7:含有EC原料
8:超净工作台(clean bench)
9:含有EC原料储藏部
10:送液泵
11a:阀
11b:阀
12:充填用配管
13a:阀
13b:阀
14:颗粒测定用配管
15:压力计
16:阀
17:流量控制用阀
18:颗粒计数器
19:流量计
20:阀
21:阀
22:阀
23:旁通阀
24:阀
25:含有EC原料循环用配管
26:旁通管线
27:阀
28:过滤器部
29:阀
30:含有EC原料循环用配管
31:惰性气体供给装置
32:水供给装置
33:充填用容器
具体实施方式
下面,详细说明本发明。
本发明的含有EC材料的充填方法(下面也称为“本发明的充填方法”)是将含有EC材料向充填用容器充填的方法,其特征在于,将含有EC原料从含有EC原料储藏部向充填用配管内通液,然后,将上述含有EC原料连续地在管线内向从上述充填用配管的途中分支且被加温的颗粒测定用配管内通液,通过与上述颗粒测定用配管连接着的颗粒测定装置来测定上述含有EC原料中的颗粒的数,接着,在0.2μm以上的颗粒的数达到基准值以下的时刻,将上述含有EC材料从上述充填用配管的出口充填到上述充填用容器内。
要向上述充填用容器内充填的材料,即,被收容在上述含有EC原料储藏部的材料,在操作环境温度、例如常温下是作为固体状态的含有EC原料。因此,此含有EC原料既可以是EC单体,也可以是包含EC以及其它成分且为固体状态的混合物(含有EC的比例通常在50%质量以上,理想的是在60%质量以上,更理想的是在70%质量以上)。上述含有EC原料中的颗粒的数最好由以液体样本为测定对象的颗粒测定装置测定。液状化的含有EC原料中的颗粒(0.2μm以上的微小粒子)的数通常在100个/毫升以下。另外,作为上述颗粒测定装置,从能够以非接触以及非破坏方式测定颗粒的数的方面出发,最好是光散射式测定装置。
在本发明中,为了充填上述含有EC材料,使用下述的充填装置。
本发明的含有EC材料的充填装置(下称“本发明的充填装置”),其特征在于,具有储藏含有EC原料的含有EC原料储藏部、用于充填上述含有EC材料的充填用容器;将上述含有EC原料从上述含有EC原料储藏部向上述充填用容器通液的充填用配管;作为向测定上述含有EC原料中的颗粒数的装置通液的配管并从上述充填用配管的途中分支且被加温的颗粒测定用配管;作为测定上述含有EC原料中的颗粒数的装置并与上述颗粒测定用配管的出口连接着的颗粒测定装置。
本发明的充填装置的简图如图1所示。即,图1所示的充填装置具有储藏含有EC原料的含有EC原料储藏部9;用于充填上述含有EC材料的充填用容器33;将上述含有EC原料从上述含有EC原料储藏部9向充填用容器33通液的充填用配管12;从此充填用配管12的途中分支且被加温并将上述含有EC原料向颗粒测定装置18通液的颗粒测定用配管14;测定从此颗粒测定用配管14的出口导入的上述含有EC原料中的颗粒的数的颗粒测定装置18。另外,本发明的充填装置还可以加上用于从上述含有EC原料储藏部9将含有EC原料在充填用配管12内进行稳定的送液的送液泵10,以及位于分支成上述颗粒测定用配管14之前的充填用配管12的途中的过滤器部28,在此基础上,还可以配备多个阀11a、11b、13a、13b、16、24以及27、流量控制用阀17、旁通阀23等。另外,配管的加温不仅可以对上述充填用配管12,而且还可以对从上述含有EC原料储藏部9到充填用容器33的充填用配管12等其它配管进行。因此,本发明的充填装置可以配备配管的加热机构,例如,可以举出的有将自控式电加热器缠绕到配管上而成的机构等。
上述含有EC原料储藏部9既可以是EC等的制造设备的接收槽(内部有含有EC原料),也可以是由此接收槽移送的容器(内部有含有EC原料)。为了从上述含有EC原料储藏部9输送含有EC原料,可以配备送液泵10。虽然此送液泵10可以调节含有EC原料的流量,但也可以通过被配设在其下游侧的阀11a来进行。在上述含有EC原料中的颗粒的数达到基准值后,使充填用配管12内通液,向充填用容器33充填。另外,在上述含有EC原料储藏部9的出口和上述颗粒测定用配管14的入口之间的充填用配管12中,可以配备直径大的、用于排出颗粒、夹杂物等的过滤器部28。此过滤器部28例如可以使用具有网孔为0.2μm的过滤器(聚丙烯制、聚四氟乙烯制等)的过滤装置。另外,网孔、芯材等可以根据目的恰当地选择。另外,理想的过滤装置是过滤器的更换以及配设容易的盒型的过滤器。
在本发明中,在向充填用容器33充填前,需要对在上述充填用配管12内通液的含有EC原料中的颗粒的数进行测定。因此,本发明的充填装置具有从上述充填用配管12的途中分支的配管。即,配设了与颗粒测定装置18连接的颗粒测定用配管14。由此,在从上述含有EC原料储藏部9到上述颗粒测定装置18之间,来自外界的颗粒不会混入,能够以在管线内的方式进行高精度的颗粒数的测定。
另外,在本发明的充填装置中,含有EC原料不会扩散到外部,还能够防止对作业环境等的污染。
本发明的特征之一是,在通液含有EC原料时,为了防止在到达颗粒测定装置18之前发生固化,在对颗粒测定用配管14进行加温的同时进行通液,在使用颗粒测定装置18测定的、直径0.2μm以上的颗粒的数达到基准值以下的时刻,向充填用容器33充填上述含有EC材料。
由上述颗粒测定用配管14加热的含有EC原料的温度最好在40℃~80℃的范围内。在加热温度不足40℃时,存在着含有EC原料在颗粒测定用配管14的内部以及颗粒测定装置18的内部固化的情况。若超过80℃,则在颗粒测定装置18使用半导体传感器的情况下,关系到传感器的寿命降低的问题。另外,在颗粒测定装置18中的传感器检测的单元(cell)长度很小的情况下,仅通过对颗粒测定装置18之前的颗粒测定用配管14和颗粒测定装置18之后的排放用配管加温,即可防止在颗粒测定装置18内的含有EC原料的固化。
另外,在向上述充填用容器33充填含有EC材料的时候,通常是在上述含有EC原料中的0.2μm以上的颗粒的数达到80个/毫升以下,最好是达到50个/毫升以下之后开始进行。若将上述颗粒的数超过了100个/毫升的含有EC材料作为抗蚀剂膜的剥离液等使用,则存在电子设备用基板等的生产性降低的情况。
下面,使用附图(图1)来说明具体的操作顺序。
在本发明中,作为要向上述充填用容器33充填的材料的含有EC原料,在含有EC原料储藏部9内,通过加热变成液状。
在测定含有EC原料内的颗粒的数之前,为使配管内的含有EC原料成为一样的原料,对充填用配管12以及直到颗粒测定装置18的跟前的颗粒测定用配管14,进行含有EC原料的净化(purge)。此操作是在将阀11a、13a、13b以及23打开且将阀16、20以及27关闭的状态下,通过送液泵10,将上述含有EC原料储藏部9内的含有EC原料向充填用配管12内通液,然后,从充填用配管12向颗粒测定装置18通液,从旁通管线26排出。通过使直到颗粒测定装置18的跟前的配管内由含有EC原料净化,能够除去或者降低有可能因阀的开闭操作所产生的颗粒。
接着,为了通过颗粒测定装置18测定颗粒数,关闭阀23,打开阀16和24以及流量控制用阀17,将含有EC原料导入到颗粒测定装置18内,测定颗粒的数。因为颗粒的数的测定原理因颗粒测定装置18的种类而不同,所以含有EC原料的导入速度应该在规定的范围内。因此,上述含有EC原料的流速是通过在观察压力计15的指示值以及流量计19的指示值的同时调整阀11a、13a、13b和16以及流量控制用阀17的开度来控制的。
本发明的其它的特征,如上所述,是能够对上述颗粒测定用配管14中的、理想的是在上述颗粒测定装置18之前设置流量控制用阀17、对向颗粒测定装置18导入的含有EC原料的流量进行控制。具体地说,是对上述含有EC原料的流量进行控制,使得上述颗粒测定用配管14中的上述含有EC原料的流量的变动最好在±10%以内。这样的控制能够将上述流量控制用阀17作为与流量计19的指示值联动的控制阀,或者作为可进行微小流量调节的手动针阀,与流量计19的指示值相应地进行手动调整。另外,若上述含有EC原料的流量超过设定流量的±10%地变动,则存在颗粒数的测定值很大地变化,不能获得真值的情况。另外,压力最好在上述颗粒测定装置的耐压以下。
上述颗粒数的测定值,是对由颗粒测定装置18测定的颗粒数连续地监视,取数值已稳定时的值。在测定值为0.2μm以上的颗粒数达到基准值以下,即达到80个/毫升以下的时刻,关闭阀13a,打开阀27,将含有EC原料向充填用配管12内通液,开始向充填用容器33充填含有EC材料。另外,在由上述颗粒测定装置18测定的颗粒数多的情况下,再次关闭阀16,打开阀23,通过含有EC原料进行净化。
上述充填用容器33可以做成与目的相应的形状、大小等。在充填上述含有EC材料之前,既可以在充满了氮气等惰性气体的状态下开始充填,也可以使用从上述充填用配管12的出口排出的初期的含有EC原料,在进行了同液清洗后开始充填。
本发明的其它的特征是,在结束了含有EC材料的充填的情况下,以及在中断和中止了颗粒数的连续测定的情况下,为了容易再利用本发明的充填装置,对上述颗粒测定用配管14内进行清洗。即,在上述含有EC原料的通液停止后,通过从上述颗粒测定用配管14的上游导入氮气等惰性气体和/或超纯水等水,来清洗上述颗粒测定用配管14内部。为了进行此工序,本发明的充填装置可以配备惰性气体供给装置31以及水供给装置(超纯水供给装置)32(参照图1)。在使用这些装置的情况下,例如,首先,可以从惰性气体供给装置31供给氮气,风干残留在上述颗粒测定用配管14的内部以及上述颗粒测定装置18的内部的含有EC原料,然后,从上述水供给装置32供给超纯水等,除去残存物。通过这样的操作,在运转停止时,能够防止因上述颗粒测定用配管14的温度降低而固化的残存含有EC原料在因再加温而再溶解时体积膨胀、损坏上述颗粒测定用配管14和上述颗粒测定装置18的传感器的损害于未然。另外,在通液超纯水等时,最好监视颗粒数,一直通液至与超纯水原液的颗粒数达到同等水平为止。
在清洗了上述颗粒测定用配管14内部以后,最好在除去了上述颗粒测定用配管14内的含有EC原料的状态下保持上述惰性气体或者上述超纯水,另外,在再次开始上述含有EC材料的充填时,最好重新向上述颗粒测定用配管14内通液,即,进行含有EC原料的净化。
具体的操作如下所述。即,在结束了向充填用容器33的充填后,停止送液泵10的工作,关闭阀13a,停止向颗粒测定装置18通液含有EC原料。然后,在导入高纯度氮气等惰性气体的情况下,打开阀20以及21,另外,在导入超纯水等的情况下,则打开阀20以及22。也可以同时导入惰性气体以及超纯水这两者。作为通常的操作,首先,关闭阀22以及23,打开阀20、21以及24,供给高纯度氮气,逐出残留在颗粒测定用配管14内以及颗粒测定装置18内的含有EC原料,进行配管风干。风干结束后,通过确认已经没有液体从上述颗粒测定装置18的出口出来进行判断。然后,关闭阀21以及23,打开阀22以及24,向相同管线通液超纯水等,进行颗粒测定用配管14内以及颗粒测定装置18内的清洗。
在清洗结束后,在颗粒测定停止时,关闭阀20、21、22以及24,直至下次测定之前,最好一直使颗粒测定用配管14内充满着超纯水等放置。
另外,在本发明中,因为测定含有EC原料中的颗粒数时的含有EC原料的使用量可以是少量,所以,如图2所示的那样,可以使用还具有阀29以及向含有EC原料储藏部9送液的含有EC原料循环用配管30的装置。图2所示的循环装置是为了测定含有EC原料中的颗粒数而能够将一部分含有EC原料向颗粒测定装置18通液,剩余的含有EC原料通过上述含有EC原料循环用配管30,将被过滤了的含有EC原料返回到含有EC原料储藏部9的装置。
实施例
下面,列举实施例,具体地说明本发明。另外,本发明不受这些实施例的任何限制。
在以下的实施例1以及2中,使用图1所示的充填装置,在进行了仅对EC(下称“EC原料”)的颗粒测定之后,向充填用容器充填了EC材料。
图1所示的充填装置,具有储藏着已被加温到60℃而呈液状化的EC原料的含有EC原料储藏部9(配设在EC制造装置上的储罐);用于以5m3/小时进行来自此含有EC原料储藏部9的EC原料的送液的送液泵10;用于充填EC材料的充填用容器33;从含有EC原料储藏部9向充填用容器33通液EC原料的充填用配管12(直径1英寸);在此充填用配管12分支前配设的过滤器部28(网孔0.2μm的聚四氟乙烯制过滤器);从充填用配管12的途中分支并被加温且将EC原料向颗粒测定装置18通液的颗粒测定用配管14(直径1英寸);测定从此颗粒测定用配管14的出口导入的EC原料中的颗粒的数的颗粒测定装置18(日本理音公司制“KL-28型”)。另外,从颗粒测定用配管14到颗粒测定装置18的导入口,使用了变换接头,导入口的直径为4mm。另外,上述充填用配管12被蒸汽管道(steam trace)加温至大约80℃,上述颗粒测定用配管14通过缠绕电热带(ribbon heater)被加温至大约70℃。
另外,如图1所示,此充填装置具有阀13a、13b、16、20、24以及27、流量控制用阀17、旁通阀23、压力计15、流量计19、旁通管线26、用于清洗颗粒测定用配管14的惰性气体供给装置31(供给高纯度氮气)、水供给装置32(供给超纯水)等。
实施例1
在测定EC原料中的颗粒数前,以及在向充填用容器33充填EC材料前,在从充填用配管12一直到颗粒测定装置18跟前的颗粒测定用配管14为止的配管内,进行了EC原料净化。
开始,关闭阀16、20以及27,打开阀11a、13a、13b以及旁通阀23。然后,使送液泵10工作,一边浸浴内部,一边从含有EC原料储藏部9向颗粒测定用配管14内通液EC原料(流速5m3/小时),除去了伴随着阀开闭产生的颗粒。接着,打开阀16、24以及流量控制用阀17,关闭旁通阀23,向颗粒测定装置18通液EC原料。对EC原料的颗粒测定装置18的压力为0.26MPa,颗粒测定装置18的容许压力在0.3MPa以下。
然后,调整了流量控制阀17,使得在颗粒测定用配管14内流动的EC原料的流速根据流量计成为10毫升/分钟。由此,上述颗粒测定用配管14中的上述EC原料的流量的变动在±10%以内。然后,每一分钟读取一次由颗粒测定装置18检测出的颗粒数,监视测定值变化。在开始连续测定后,不存在因EC原料的固化而导致的配管内闭塞,在从开始通液后经过大约10分钟~15分钟后,颗粒数成为大致恒定状态,得到表1所示的测定值。
表1
    颗粒数(个/毫升)
    0.2μm以上     23
    0.5μm以上     8
如表1那样,因为0.2μm以上的颗粒的数在50个/毫升以下,所以,关闭阀13a,打开阀27,向充填用配管12内通液EC原料,将EC材料充填到充填用容器33内。
实施例2
在实施例1中充填结束后,停止送液泵10的工作,中止EC原料的送液。然后,关闭阀13a,打开阀20以及21,从惰性气体供给装置31通气高纯度氮气,由此进行了颗粒测定用配管14内以及颗粒测定装置18内的残留EC原料的逐出。在确认来自颗粒测定装置18的出口的EC原料流出停止后,关闭阀21,打开阀22,从水供给装置32通液超纯水。监视通液的超纯水的废液中的颗粒数,在确认此颗粒数与超纯水原液的颗粒数是同等的以后,再次按照实施例1中记载的同样的顺序通液EC原料。接着,与实施例1同样地进行,关闭阀20、23以及27,打开阀13a、13b、16以及流量控制用阀17,送液EC原料,测定了颗粒值。其结果,得到了表2所示的测定值。从表1以及表2看,通过反复测定,确认到具有再现性。
表2
   颗粒数(个/毫升)
    0.2μm以上    20
    0.5μm以上    4
比较例1
从图1所示的充填装置的含有EC原料储藏部9进行间歇测定用EC原料的采样,利用图3所示的系统,测定了EC原料中的颗粒数。另外,颗粒数的测定通过间歇式测定装置(日本理音公司制“KS-58型”)进行。详细情况如下所示。
首先,关闭阀16、20以及27,打开阀11a、13a、13b以及旁通阀23。然后,使送液泵10工作,一边浸浴内部的同时,一边从含有EC原料储藏部9向颗粒测定用配管14通液EC原料,除去了伴随着阀开闭产生的颗粒。接着,从旁通管线26前在无尘洁净相同下,采样到五个样本瓶。
然后,将收容了EC原料的测定用样本瓶1浸入到超净工作台内的水浴器2内,加温到60℃(参照图3)。另外,同样地将电热带缠绕在导入配管4、排放配管6上,加温到大约60℃,并保温。然后,通过注射器采样器5,以10毫升/分钟的注入速度,将EC原料导入到颗粒测定装置3内,测定了颗粒数。将其结果表示在图3中。另外,从EC原料的采样到颗粒测定操作,在改日进行了实施时,颗粒数成为表4所示的结果。尽管都是从相同制品储罐(含有EC原料储藏部9)采样的EC原料,但是缺乏测定值的再现性,变动也大,所以未能决定真值。因此,不能开始向充填用容器33充填。
另外,在表3以及表4中,σ表示标准偏差。另外,CV(%)是变动系数,按下述的公式算出。
CV(%)=(σ/颗粒数的平均值)×100
表3
Figure A20068004191600181
表4
比较例2
在无尘洁净棚下,通过网孔为0.1μm的过滤器过滤了作为防止固化用添加成分使用的工业用碳酸亚丙酯(下称“PC”)(样本数:5个)。然后,以与比较例1同样地进行的方式测定过滤PC中的颗粒数。
接着,以与比较例1同样地进行的方式进行间歇测定用EC(EC原料)的采样,从旁通管线26前在无尘洁净棚下,采样到五个颗粒数测定完毕的装有PC的容器,使得其中的EC含有量约为60%质量。
然后,以与比较例1同样地进行的方式对测定用样品瓶1中的由EC和PC组成的混合物原料的颗粒数进行了测定。另外,因为不担心因EC的固化导致的配管闭塞,所以没有对混合物原料、导入配管4以及排放配管6进行加温。
EC中的颗粒数根据混合物原料中的测定值、PC中的测定值以及混合物原料中的EC含有比例通过计算算出,成为表5所示的结果。另外,从EC(EC原料)的采样到颗粒测定操作在改日进行了实施时,颗粒数成为表6所示的结果。尽管都是从相同制品储罐(含有EC原料储藏部9)采样的EC(EC原料),但是缺乏测定值的再现性,变动也大,因此未能决定真值。
表5
Figure A20068004191600191
表6
Figure A20068004191600192
产业上利用的可能性
根据本发明的含有EC材料的充填方法,因为能够稳定地将减少了颗粒的含有EC材料充填、储藏到充填用容器内,所以不仅对半导体晶片、液晶用基板等电子设备用基板的生产性提高作出了贡献,而且还能够在测定含有EC原料中的颗粒数时,防止含有EC原料扩散到大气中污染环境。

Claims (4)

1.一种含有碳酸亚乙酯材料的充填方法,用于将含有碳酸亚乙酯材料充填到充填用容器内,其特征在于,
将含有碳酸亚乙酯原料从含有碳酸亚乙酯原料储藏部通液到充填用配管内,
然后,将上述含有碳酸亚乙酯原料连续地在管线内向从该充填用配管的途中分支且被加温的颗粒测定用配管内通液,通过与上述颗粒测定用配管连接着的颗粒测定装置来测定上述含有碳酸亚乙酯原料中的颗粒的数,
接着,在0.2μm以上的颗粒的数达到基准值以下的时刻,将上述含有碳酸亚乙酯材料从上述充填用配管的出口充填到上述充填用容器内。
2.如权利要求1所述的含有碳酸亚乙酯材料的充填方法,其特征在于,一边控制上述含有碳酸亚乙酯原料的流量,一边测定上述含有碳酸亚乙酯原料中的颗粒的数,使得上述颗粒测定用配管中的上述含有碳酸亚乙酯原料的流量的变动在±10%以内。
3.如权利要求1所述的含有碳酸亚乙酯材料的充填方法,其特征在于,在结束上述含有碳酸亚乙酯材料的充填后,通过将惰性气体和/或水导入到上述颗粒测定用配管内来清洗上述颗粒测定用配管内部,接着,在除去了该颗粒测定用配管内的含有碳酸亚乙酯原料的状态下,保持上述惰性气体或者上述水,而在充填再次开始时,重新向上述颗粒测定用配管内通液含有碳酸亚乙酯原料。
4.一种含有碳酸亚乙酯材料的充填装置,其特征在于,具有储藏含有碳酸亚乙酯原料的含有碳酸亚乙酯原料储藏部;用于充填含有碳酸亚乙酯材料的充填用容器;从该含有碳酸亚乙酯原料储藏部向该充填用容器通液上述含有碳酸亚乙酯原料的充填用配管;作为向测定上述含有碳酸亚乙酯原料中的颗粒数的装置通液的配管并从上述充填用配管的途中分支且被加温的颗粒测定用配管;作为测定上述含有碳酸亚乙酯原料中的颗粒数的装置并与上述颗粒测定用配管的出口连接着的颗粒测定装置。
CNA2006800419165A 2005-11-11 2006-11-07 含有碳酸亚乙酯材料的充填方法及其充填装置 Pending CN101304921A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP326873/2005 2005-11-11
JP2005326873 2005-11-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101304921A true CN101304921A (zh) 2008-11-12

Family

ID=38023210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006800419165A Pending CN101304921A (zh) 2005-11-11 2006-11-07 含有碳酸亚乙酯材料的充填方法及其充填装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPWO2007055207A1 (zh)
CN (1) CN101304921A (zh)
TW (1) TW200724253A (zh)
WO (1) WO2007055207A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106733949A (zh) * 2016-12-08 2017-05-31 宁波科尼管洁净科技有限公司 管清洗工艺

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201012796A (en) * 2008-09-02 2010-04-01 Solvay Fluor Gmbh Method for removal of contaminants
JP5821844B2 (ja) * 2010-06-07 2015-11-24 セントラル硝子株式会社 保護膜形成用薬液
US9228120B2 (en) 2010-06-07 2016-01-05 Central Glass Company, Limited Liquid chemical for forming protecting film

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326199A (ja) * 2000-05-17 2001-11-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106733949A (zh) * 2016-12-08 2017-05-31 宁波科尼管洁净科技有限公司 管清洗工艺
CN106733949B (zh) * 2016-12-08 2019-11-12 宁波科尼管洁净科技有限公司 管清洗工艺

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007055207A1 (ja) 2007-05-18
JPWO2007055207A1 (ja) 2009-04-30
TW200724253A (en) 2007-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4255494B2 (ja) フォトレジスト塗布液供給装置及びそれを用いたフォトレジスト塗布液供給方法、ならびにそれを用いたフォトレジスト塗布装置
JP4986632B2 (ja) ウェハ輸送コンテナのパージング
KR100846408B1 (ko) 가스 스트림 중 입자의 측정 및/또는 분석을 위한 시스템및 이를 포함하는 방법
JP3093975B2 (ja) レジスト剥離液管理装置
CN101304921A (zh) 含有碳酸亚乙酯材料的充填方法及其充填装置
KR0131698B1 (ko) 레지스트박리액 관리장치
KR101924277B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2010253471A (ja) 連続式混合装置を用いた化学組成物の製造装置
WO2006006370A1 (ja) 水質評価方法、該方法を用いる超純水評価装置及び超純水製造システム
JP5087839B2 (ja) 水質評価方法、該方法を用いる超純水評価装置及び超純水製造システム
CN101071097A (zh) 就产生颗粒的杂质对反应性气体例如硅烷进行分析
CN102264448A (zh) 用于液体的移动式净化方法和移动式净化模块
JPS63161453A (ja) レジスト組成物を回収、再使用するための方法および装置
TWI404670B (zh) 包裝,運送,儲存及取出液晶之方法及系統
CN106645075B (zh) 一种用于原位测量聚合物薄膜中溶剂蒸汽膨胀的装置
KR20170009774A (ko) 세정용 수소수의 제조방법 및 제조장치
CN110429046A (zh) 一种用于基板干燥的流体供给装置和基板干燥设备
KR100770361B1 (ko) 화학약품의 고순도 충전 방법 및 장치
CN220583884U (zh) 一种电子级特种气体取样和检测装置
CN214808888U (zh) 一种电子化学品颗粒物控制过滤填充系统
JPS60173109A (ja) 重合装置の洗浄液循環洗浄方法
CN112229769B (zh) 一种n-甲基吡咯烷酮颗粒度的检测系统及检测方法
JP6022765B2 (ja) 液体管理システム
CN109668876A (zh) 工业硝化纤维素长期化学稳定性的定量测试装置
JPH03165033A (ja) 超純水引き上げ乾燥装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20081112