CN101276812A - 电容器结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电容器结构，其中，在第一布线层上设置有：第一电极(16)，其具有从第一电极布线(11)的电极基部(14)以梳状突出的多个齿部(15)；和第二电极(26)，其具有从第二电极布线(21)的电极基部(24)以梳状突出的多个齿部(25)。第一电极(16)与第二电极(26)以齿部(15、25)彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置。并且，第一电极(16)其至少一个齿部(15)与形成在第二布线层上的第三电极布线(12)电连接。由此，提供一种与以往同等程度的面积、寄生电感成分和寄生电阻成分比以往小、且具有良好的高频特性的电容器结构。

Description

电容器结构

技术领域

本发明涉及在半导体基板上的集成电路上形成的电容器结构。

背景技术

作为形成在半导体基板上的集成电路上的电容器结构的现有例，存在配置成所谓的交叉指型(interdigitattion)的构成，其中，将形成为梳状的一对对置电极以梳形的各齿部相互啮合的方式配置。根据该电容器结构，齿部彼此之间分别形成电容。即，能增加对置电极的表面积，与简单的平行平板电容器相比，能以相同面积获得大容量的电容器(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：特开平4-268756号公报(第3页、图1)

但是，在上述的现有的电容器结构中，由于并非在电极的主布线上，而是在梳形状电极的齿部形成电容，因此，电极的主布线之间虽然微小，但包含电感成分或电阻成分。所以，例如，在如旁路电容器那样用于除去两个电极间的噪声时，存在噪声衰减特性相对于高频带并不充分的情况。因此，伴随着集成电路的微细化、高速化，需要改善电容器特性。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种与以往同等程度的面积、寄生电感成分和寄生电阻成分比以往小、且具有良好的高频特性的电容器结构。

本发明作为在半导体基板上形成的电容器结构，包括：第一和第二电极布线，形成在第一布线层上；第一电极，其具有从所述第一电极布线的电极基部以梳状突出的多个齿部；和第二电极，其具有从所述第二电极布线的电极基部以梳状突出的多个齿部；所述第一电极与所述第二电极以所述齿部彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置，所述第一电极的所述各齿部中的至少一个与第三电极布线电连接，该第三电极布线形成在与所述第一布线层不同的第二布线层上。

根据本发明的电容器结构，由于在第一布线层的第一电极布线上设置的梳状的第一电极的各齿部的至少一个与第三电极布线电连接，该第三电极布线形成在与第一布线层不同的第二布线层上。因此，第一电极上，在电流从第一电极布线向第三电极布线流动的路径上形成电容器。由此，与现有的电容器结构相比，能减小寄生电感成分和寄生电阻成分。

另外，本发明作为在半导体基板上形成的电容器结构，包括：第一和第二电极布线，形成在第一布线层上；第一电极，其具有从所述第一电极布线延伸的涡旋部；和第二电极，其具有从所述第二电极布线延伸的涡旋部；所述第一电极与所述第二电极以所述涡旋部彼此隔着电介质而相互缠绕的状态对置，所述第一电极的所述涡旋部与第三电极布线电连接，该第三电极布线形成在与所述第一布线层不同的第二布线层上。

根据本发明的电容器结构，由于从第一布线层的第一电极布线延伸的第一电极的涡旋部与第三电极布线电连接，该第三电极布线形成在与第一布线层不同的第二布线层上。因此，第一电极上，在电流从第一电极布线向第三电极布线流动的路径上形成电容器。由此，与现有的电容器结构相比，能减小寄生电感成分和寄生电阻成分。

(发明效果)

根据本发明，由于在电极上电流流动的路径上形成电容器，因此，与现有的电容器结构相比，能减小寄生电感成分和寄生电阻成分。因此，与现有的构成相比，能以同等程度的面积抑制寄生电感成分和寄生电阻成分所引起的特性劣化、大幅度改善高频特性。由此，例如，能提供在高频带的噪声抑制效果高的电容器。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1的电容器结构的俯视图。

图2是表示本发明的实施方式2的电容器结构的俯视图。

图3是表示本发明的实施方式3的电容器结构的俯视图，(a)是上布线层的平面结构，(b)是下布线层的平面结构。

图4是表示本发明的实施方式3的电容器结构的剖视图。

图5是表示本发明的实施方式4的电容器结构的俯视图，(a)是上布线层的平面结构，(b)是下布线层的平面结构。

图6是表示本发明的实施方式4的电容器结构的剖视图。

图7是表示本发明的实施方式5的电容器结构的剖视图。

图8是表示本发明的实施方式6的电容器结构的俯视图，(a)是上布线层的平面结构，(b)是下布线层的平面结构。

图9是表示本发明的实施方式6的电容器结构的剖视图。

图10是表示本发明的实施方式7的电容器结构的俯视图，(a)是上布线层的平面结构，(b)是下布线层的平面结构。

图11是表示本发明的实施方式7的电容器结构的剖视图。

图12是表示本发明的实施方式8的电容器结构的剖视图。

图中：11-第一电极布线；12-第三电极布线；13-过孔；14-电极基部；15-齿部；16-第一电极；17-电极基部；18-齿部；19-第三电极；21-第二电极布线；22-第四电极布线；23-过孔；24-电极基部；25-齿部；26-第二电极；27-电极基部；28-齿部；29-第四电极；31-第一电极布线；32-第三电极布线；33-过孔；35-涡旋部；36-第一电极；37-电极基部；38-突出部；39-第三电极；41-第二电极布线；42-第四电极布线；43-过孔；45-涡旋部；46-第二电极；47-电极基部；48-突出部；49-第四电极；53-下布线层(第二布线层)；54-上布线层(第一布线层)；63-下布线层(第二布线层)；64-上布线层(第一布线层)；77、78-过孔；81-电极基部；82-齿部；83-第三电极；84-电极基部；85-齿部；86-第四电极；87、88-过孔；91-电极基部；92-突出部；93-第三电极；94-电极基部；95-突出部；96-第四电极；97、98-过孔；101-第一电极布线；102-第三电极布线；103-过孔；104-电极基部；105、106、107、108、109-齿部；110-第一电极；201-第二电极布线；202-第四电极布线；203-过孔；204-电极基部；205、207、208、209-齿部；210-第二电极。

具体实施方式

下面，利用附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，以下所示的各实施方式表示本发明的一个方式，并不对本发明进行限定，在本发明的范围内可进行任意组合或变更。

(实施方式1)

图1是表示本发明的实施方式1的形成在半导体基板上的集成电路上的电容器结构的俯视图。图1中，11、21是在作为第一布线层的上布线层上形成的第一和第二电极布线。在第一电极布线11上形成有第一电极16。第一电极16具有从第一电极布线11的电极基部14以梳状突出的多条(图1中为5条)齿部15。在第二电极布线21上形成有第二电极26。第二电极26具有从第二电极布线21的电极基部24以梳状突出的多条(图1中为5条)齿部25。第一电极16和第二电极26以齿部15、25彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置。即，第一电极16和第二电极26成为所谓的交叉指型的配置。

而且，第一电极16的各齿部15的前端部经由过孔13而与第三电极布线12电连接，该第三电极布线12形成在与第一布线层不同的作为第二布线层的下布线层上。第二电极26的各齿部25的前端部经由过孔23而与形成在下布线层上的第四电极布线22电连接。

根据图1那样构成的本实施方式的电容器结构，对置的第一和第二电极16、26成为交叉指型的配置，因此对置电极的表面积增大，与简单的平行平板电容器相比，能以相同面积获得大容量的电容器。进而，由于第一和第二电极16、26的各齿部15、25的前端部与下布线层的第三和第四电极布线12、22电连接，因此，第一和第二电极16、26中，在电流流动的路径(从第一电极布线11到第三电极布线12，从第二电极布线21到第四电极布线22)上形成电容器。由此，能减小电容器的寄生电感成分和寄生电阻成分。

因此，根据本实施方式，在与现有的电容器同等程度的空间内，能实现大容量、且由寄生电感成分和寄生电阻成分引起的特性劣化少的电容器。

此外，在图1的构成中，对相对置的电极的齿部的每一个，使前端部与下布线层的电极布线电连接，但本发明并不限定于此，至少使一个齿部与下布线层的电极布线电连接即可。采用该构成，也能使电容器的寄生电感成分和寄生电阻成分比以往减小。而且，也可使相对置的电极的齿部的前端部以外的部分与下布线层的电极布线电连接。其中，为了获得更良好的电容器特性，优选采用如图1所示的使电极的各齿部的前端部分别与电极布线电连接的构成。

而且，也可采用仅使相对置的电极的任一方例如第一电极16的齿部与下布线层的电极布线电连接的构成。该构成例如在使第二电极26接地的情况下采用即可。

还有，在图1的构成中，第一和第二电极16、26形成在上布线层上，第三和第四电极布线12、22形成在下布线层上，但所形成的布线层的层间关系并不限定于此。例如，可在形成有第一和第二电极16、26的布线层上的布线层上形成第三和第四电极布线12、22。并且，在形成第一和第二电极16、26的布线层与形成第三和第四电极布线12、22的布线层之间，也可夹持一层以上的布线层。

(实施方式2)

图2是表示本发明的实施方式2的形成在半导体基板上的集成电路上的电容器结构的俯视图。图2所示的电容器结构是将图1所示的实施方式1的电容器结构中的梳状电极替换为涡旋状电极的构成。

图2中，31、41是在作为第一布线层的上布线层上形成的第一和第二电极布线。在第一电极布线31上形成有第一电极36。第一电极36具有从第一电极布线31延伸的涡旋部35。在第二电极布线41上形成有第二电极46。第二电极46具有从第二电极布线41延伸的涡旋部45。第一电极36和第二电极46以涡旋部35、45彼此隔着电介质而相互缠绕的状态对置。

而且，第一电极36的涡旋部35的前端部、即涡旋的中心部经由过孔33而与第三电极布线32电连接，该第三电极布线32形成在与第一布线层不同的作为第二布线层的下布线层上。第二电极46的涡旋部45的前端部、即涡旋的中心部经由过孔43而与形成在下布线层上的第四电极布线42电连接。

根据图2那样构成的本实施方式的电容器结构，对置的第一和第二电极36、46成为涡旋部35、45彼此相互缠绕的构成，因此，对置电极的表面积增大，与简单的平行平板电容器相比，能以相同面积获得大容量的电容器。进而，由于第一和第二电极36、46的涡旋部35、45的前端部与下布线层的第三和第四电极布线32、42电连接，因此，第一和第二电极36、46中，在电流流动的路径(从第一电极布线31到第三电极布线32，从第二电极布线41到第四电极布线42)上形成电容器。由此，能减小电容器的寄生电感成分和寄生电阻成分。

因此，根据本实施方式，与实施方式1同样，在与现有的电容器同等程度的空间内，能实现大容量、且由寄生电感成分和寄生电阻成分引起的特性劣化少的电容器。

此外，在图2的构成中，使相对置的电极的涡旋部的前端部与下布线层的电极布线电连接，但本发明并不限定于此，也可使相对置的电极的涡旋部的前端部以外的部分与下布线层的电极布线电连接。其中，为了获得更良好的电容器特性，优选采用如图2所示的使电极的涡旋部的前端部与电极布线电连接的构成。

而且，也可采用仅使相对置的电极的任一方例如第一电极36发热涡旋部与下布线层的电极布线电连接的构成。该构成例如在使第二电极46接地的情况下采用即可。

还有，在图2的构成中，第一和第二电极36、46形成在上布线层上，第三和第四电极布线32、42形成在下布线层上，但所形成的布线层的层间关系并不限定于此。例如，可在形成有第一和第二电极36、46的布线层上的布线层上形成第三和第四电极布线32、42。并且，在形成第一和第二电极36、46的布线层与形成第三和第四电极布线32、42的布线层之间，也可夹持一层以上的布线层。

(实施方式3)

图3是表示本发明的实施方式3的在半导体基板上的集成电路上形成的电容器结构的俯视图，该图中，(a)表示上布线层的平面结构，(b)表示下布线层的平面结构。还有，图4是图3的线A-A’的剖视图。

图3和图4的电容器结构以图1的电容器结构为基本构成，进而，采用在下布线层内和上下布线层间通过电极相对置而形成电容的构成。

如图3所示，在上布线层上形成有第一电极16和第二电极26。第一电极16具有从第一电极布线11的电极基部14以梳状突出的多个齿部15，第二电极26具有从第二电极布线21的电极基部24以梳状突出的多个齿部25。并且，第一电极16的各齿部15的前端部经由过孔13而与形成在下布线层上的第三电极布线12电连接，第二电极26的各齿部25的前端部经由过孔23而与形成在下布线层上的第四电极布线22电连接。以上构成与图1的电容器结构相同。

并且，在下布线层上，第三电极布线12上形成有第三电极19，该第三电极19具有从电极基部17以梳状突出的多个齿部18。而且，在第四电极布线22上形成有第四电极29，该第四电极29具有从电极基部27以梳状突出的多个齿部28。第三电极19和第四电极29以齿部18、28彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置。即，第三电极19和第四电极29成为所谓的交叉指型的配置。

而且，上布线层的第一电极16与下布线层的第三电极19经由过孔13电连接，上布线层的第二电极26与下布线层的第四电极29经由过孔23电连接。

在图4的剖视图中，51是半导体基板，52是层间绝缘膜，53是下布线层，54是上布线层。并且，如图4所示，形成在上布线层54上的第二电极26的齿部25与形成在下布线层53上的第三电极19的齿部18对置，形成在上布线层54上的第一电极16的齿部15与形成在下布线层53上的第四电极29的齿部28对置。

根据如图3和图4那样构成的本实施方式的电容器结构，由于采用了图1的电容器结构为基本构成，因此，能获得与实施方式1同样的作用效果。进而，不仅在上布线层，而且在下布线层内和上下布线层之间，电极也对置，因此，除上布线层内的对置电极的电容C1之外，还形成下布线层内的对置电极的电容C2和上下布线层间的对置电极的电容C3。因此，本实施方式的电容器结构能保持(C1+C2+C3)的电容。与实施方式1相比，能在电极的电流路径上形成更大容量的电容器。

此外，在下布线层也可采用省略了相对置的电极中的任一方的构成，例如采用省略第四电极29而仅形成第三电极19的构成。该情况下，在下布线层内不形成电容，但在上下布线层之间，第二电极26与第三电极19对置，形成电容。进而，该情况下，也可省略第四电极布线22。

而且，在图3和图4的构成中，使下布线层的齿部分别与上布线层的电极的齿部对置，但本发明并不限定于此，使下布线层的齿部与上布线层的电极的至少一个齿部对置即可。

(实施方式4)

图5是表示本发明的实施方式4的在半导体基板上的集成电路上形成的电容器结构的俯视图，该图中，(a)表示上布线层的平面结构，(b)表示下布线层的平面结构。还有，图6是图5的线B-B’的剖视图。

图5和图6的电容器结构以图2的电容器结构为基本构成，进而，采用在下布线层内和上下布线层间通过电极相对置而形成电容的构成。

如图5所示，在上布线层上形成有第一电极36和第二电极46，第一电极36具有从第一电极布线31延伸的涡旋部35，第二电极46具有从第二电极布线41延伸的涡旋部45。而且，第一电极36的涡旋部35的前端部经由过孔33而与形成在下布线层上的第三电极布线32电连接，第二电极46的涡旋部45的前端部经由过孔43而与形成在下布线层上的第四电极布线42电连接。以上构成与图2的电容器结构相同。

并且，在下布线层上，第三电极布线32上形成有第三电极39，该第三电极39具有从电极基部37突出的多个突出部38。而且，在第四电极布线42上形成有第四电极49，该第四电极49具有从电极基部47突出的多个突出部48。第三电极39和第四电极49以突出部38、48彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置。

而且，上布线层的第一电极36与下布线层的第三电极39经由过孔33电连接，上布线层的第二电极46与下布线层的第四布线49经由过孔43电连接。

在图6的剖视图中，61是半导体基板，62是层间绝缘膜，63是下布线层，64是上布线层。并且，如图6所示，形成在上布线层64上的第一电极36的涡旋部35与形成在下布线层63上的第四电极49的突出部48对置，形成在上布线层64上的第二电极46的涡旋部45与形成在下布线层63上的第三电极39的突出部38对置。

根据如图5和图6那样构成的本实施方式的电容器结构，由于采用了图2的电容器结构为基本构成，因此，能获得与实施方式2同样的作用效果。进而，不仅在上布线层，而且在下布线层内和上下布线层之间，电极也对置，因此，除上布线层内的对置电极的电容C1a之外，还形成下布线层内的对置电极的电容C2a和上下布线层间的对置电极的电容C3a。因此，本实施方式的电容器结构能保持(C1a+C2a+C3a)的电容，与实施方式2相比，能在电极的电流路径上形成更大容量的电容器。

此外，在下布线层也可采用省略了相对置的电极中的任一方的构成，例如采用省略第四电极49而仅形成第三电极39的构成。该情况下，在下布线层内不形成电容，但在上下布线层之间，第二电极46与第三电极39对置，形成电容。进而，该情况下，也可省略第四电极布线42。

而且，在图5和图6的构成中，使下布线层的突出部与上布线层的电极的涡旋部的大致整体对置，但本发明并不限定于此，使下布线层的突出部与涡旋部的至少一部分对置即可。

(实施方式5)

本发明的实施方式5中，在实施方式1的电容器结构中，在第一和第二电极16、26的各齿部15、25的上或下形成过孔。或者，在实施方式2的电容器结构中，在第一和第二电极36、46的涡旋部35、45的上或下形成过孔。

图7是表示本实施方式的剖视图。俯视图与图1相同。如图7所示，在第一电极16的各齿部15下形成有过孔77，在第二电极26的各齿部25下形成有过孔78。

根据图7所示的本实施方式的电容器结构，不仅在上布线层内的对置电极，而且在其下配置的过孔彼此之间也形成电容。因此，与实施方式1或2相比，能在电极的电流路径上形成更大容量的电容器。

(实施方式6)

图8是表示本发明的实施方式6的在半导体基板上的集成电路上形成的电容器结构的俯视图，该图中，(a)表示上布线层的平面结构，(b)表示下布线层的平面结构。还有，图9是图8的线C-C’的剖视图。

图8和图9的电容器结构以图1的电容器结构为基本构成，进而，采用在下布线层内和上下布线层间通过电极以及过孔相对置而形成电容的构成。

如图8所示，在上布线层上形成有第一电极16和第二电极26。第一电极16具有从第一电极布线11的电极基部14以梳状突出的多个齿部15，第二电极26具有从第二电极布线21的电极基部24以梳状突出的多个齿部25。并且，第一电极16的各齿部15的前端部经由过孔13而与形成在下布线层上的第三电极布线12电连接，第二电极26的各齿部25的前端部经由过孔23而与形成在下布线层上的第四电极布线22电连接。以上构成与图1的电容器结构相同。

并且，在下布线层上，第三电极布线12上形成有第三电极83，该第三电极83具有从电极基部81以梳状突出的多个齿部82。而且，在第四电极布线22上形成有第四电极86，该第四电极86具有从电极基部84以梳状突出的多个齿部85。第三电极83和第四电极86以齿部82、85彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置。即，第三电极83和第四电极86成为所谓的交叉指型的配置。

而且，为了将上布线层的第一电极16的各齿部15与下布线层的第三电极83的各齿部82电连接，形成有过孔87。还有，为了将上布线层的第二电极26的各齿部25与下布线层的第四电极86的各齿部85电连接，形成有过孔88。

在图9的剖视图中，51是半导体基板，52是层间绝缘膜，53是下布线层，54是上布线层。并且，如图9所示，形成在上布线层54上的第二电极26的齿部25与形成在下布线层53上的第四电极86的齿部85经由过孔88而电连接，形成在上布线层54上的第一电极16的齿部15与形成在下布线层53上的第三电极83的齿部82经由过孔87而电连接。

根据如图8和图9那样构成的本实施方式的电容器结构，由于采用了图1的电容器结构为基本构成，因此，能获得与实施方式1同样的作用效果。进而，不仅在上布线层，而且在下布线层内电极以及过孔也对置，因此，除上布线层内的对置电极的电容C1之外，还形成下布线层内的对置电极的电容C4和对置过孔的电容C5。因此，本实施方式的电容器结构能保持(C1+C4+C5)的电容。与实施方式1相比，能在电极的电流路径上形成更大容量的电容器。

而且，在图8和图9的构成中，设置了用于使下布线层的齿部分别与上布线层的电极的齿部连接的过孔，但本发明并不限定于此，使下布线层的齿部经由过孔与至少一个齿部连接即可。

(实施方式7)

图10是表示本发明的实施方式7的在半导体基板上的集成电路上形成的电容器结构的俯视图，该图中，(a)表示上布线层的平面结构，(b)表示下布线层的平面结构。还有，图11是图10的线D-D’的剖视图。

图10和图11的电容器结构以图2的电容器结构为基本构成，进而，采用在下布线层内通过电极以及过孔相对置而形成电容的构成。

如图10所示，在上布线层上形成有第一电极36和第二电极46，第一电极36具有从第一电极布线31延伸的涡旋部35，第二电极46具有从第二电极布线41延伸的涡旋部45。而且，第一电极36的涡旋部35的前端部经由过孔33而与形成在下布线层上的第三电极布线32电连接，第二电极46的涡旋部45的前端部经由过孔43而与形成在下布线层上的第四电极布线42电连接。以上构成与图2的电容器结构相同。

并且，在下布线层上，第三电极布线32上形成有第三电极93，该第三电极93具有从电极基部91突出的多个突出部92。而且，在第四电极布线42上形成有第四电极96，该第四电极96具有从电极基部94突出的多个突出部95。第三电极93和第四电极96以突出部92、95彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置。

而且，为了使上布线层的第一电极36的涡旋部35与下布线层的第三电极93的突出部92电连接而形成有过孔97。还有，为了使上布线层的第二电极46的涡旋部45与下布线层的第四布线96的突出部95电连接而形成有过孔98。

在图11的剖视图中，61是半导体基板，62是层间绝缘膜，63是下布线层，64是上布线层。并且，如图11所示，形成在上布线层64上的第一电极36的涡旋部35与形成在下布线层63上的第三电极93的突出部92经由过孔97而电连接，形成在上布线层64上的第二电极46的涡旋部45与形成在下布线层63上的第四电极96的突出部95经由过孔98而电连接。

根据如图10和图11那样构成的本实施方式的电容器结构，由于采用了图2的电容器结构为基本构成，因此，能获得与实施方式2同样的作用效果。进而，不仅在上布线层，而且在下布线层内，电极以及过孔也对置，因此，除上布线层内的对置电极的电容C1a之外，还形成下布线层内的对置电极的电容C4a和对置过孔的电容C5a。因此，本实施方式的电容器结构能保持(C1a+C4a+C5a)的电容，与实施方式2相比，能在电极的电流路径上形成更大容量的电容器。

(实施方式8)

图12是表示本发明的实施方式8的在半导体基板上的集成电路上形成的电容器结构的俯视图。图12中，101、201是在作为第一布线层的上布线层上形成的第一和第二电极布线。在第一电极布线101上形成有第一电极110。第一电极110具有从第一电极布线101的电极基部104以梳状突出的多个齿部105、106、107、108、109。在第二电极布线201上形成有第二电极210。第二电极210具有从第二电极布线201的电极基部204以梳状突出的多个齿部205、206、207、208、209。第一电极110和第二电极210以齿部105～109、205～209彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置。即，第一电极110和第二电极210成为所谓的交叉指型的配置。

而且，第一电极110的各齿部105～109的前端部经由过孔103而与第三电极布线102电连接，该第三电极布线102形成在与第一布线层不同的作为第二布线层的下布线层上。第二电极210的各齿部205～209的前端部经由过孔203而与形成在下布线层上的第四电极布线202电连接。

图12的电容器结构与图1相比，电极布线从梳状电极延伸的基端的位置不同。即，在将梳状电极视为矩形的情况下，在图1的电容器结构中，电极布线从该矩形的对角的位置开始延伸，相对于此，在图12的电容器结构中，电极布线从相对的边的中央部开始延伸。

并且，在图12的电容器结构中，第一电极110的各齿部105～109的布线宽度不同，并非固定。具体而言，对各齿部105～109的布线宽度而言，该齿部的基端与第一电极布线101的电极基部104的基端的距离越长，其布线宽度越粗。即，最靠近第一电极布线101的基端的齿部107的布线宽度最细，最远离第一电极布线101的基端的齿部105、109的布线宽度最粗。对于第二电极210的各齿部205～209的布线宽度而言也是同样的，相互不同。

这样，通过调整各齿部的布线宽度，能使从梳状电极的入口到出口的所有路径的电阻值大致恒定。由此，能使流经梳状电极的各路径的电流大致相等，因此，作为耐迁移的对策有效。

此外，在图12中，表示了电极布线从梳状电极所构成的矩形的相对的边的中央部开始延伸的结构，但电极布线延伸的基端的位置并不限定于图12所示的位置，可设定在任意位置。该情况下，只要根据电极布线延伸的基端的位置，按照使从梳状电极的入口到出口的所有路径的电阻值大致恒定的方式来调整各齿部的布线宽度即可。即，在想要增大电阻值的情况下减小布线宽度即可，在想要减小电阻值的情况下增大布线宽度即可。

如上所述，根据本实施方式，根据集成电路的布局，即使在梳状电极中任意地配置电极布线所延伸的基端的位置的情况下，也能容易地实现耐电迁移的对策，并且，与实施方式1的电容器结构同样，能实现大容量且特性劣化少的电容器。

(工业上的可利用性)

在本发明中，能提供具有良好的高频特性的电容器，因此，例如，能提高高频带的噪声抑制效果。因此，在作为旁路电容器等除去宽频带的噪声方面是有用的。

Claims (10)

1、一种电容器结构，其形成在半导体基板上，

该电容器结构包括：

第一和第二电极布线，形成在第一布线层上；

第一电极，其具有从所述第一电极布线的电极基部以梳状突出的多个齿部；和

第二电极，其具有从所述第二电极布线的电极基部以梳状突出的多个齿部；

所述第一电极与所述第二电极以所述齿部彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置，

所述第一电极的所述各齿部中的至少一个与第三电极布线电连接，该第三电极布线形成在与所述第一布线层不同的第二布线层上。

2、根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，

还包括第三电极，其具有从所述第三电极布线的电极基部以梳状突出的多个齿部，

所述第二电极的所述各齿部中的至少一个与所述第三电极的所述齿部对置。

3、根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，

所述第一和第二电极在所述各齿部之上或之下形成有过孔。

4、根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，

所述第二电极的所述各齿部中的至少一个与形成在所述第二布线层上的第四电极布线电连接，

该电容器结构还包括：

第三电极，其具有从所述第三电极布线的电极基部以梳状突出的多个齿部；和

第四电极，其具有从所述第四电极布线的电极基部以梳状突出的多个齿部；

所述第三电极与所述第四电极以所述齿部彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置，

所述第一电极的所述齿部中的至少一个经由过孔而与所述第三电极的所述齿部连接，

所述第二电极的所述齿部中的至少一个经由过孔而与所述第四电极的所述齿部连接。

5、根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，

所述第一电极的所述各齿部中的至少一个的布线宽度与其他齿部不同。

6、根据权利要求5所述的电容器结构，其特征在于，

对所述第一电极的所述各齿部而言，该齿部的基端与所述第一电极布线的所述电极基部的基端之间的距离越长，其布线宽度越粗。

7、一种电容器结构，其形成在半导体基板上，

该电容器结构包括：

第一和第二电极布线，形成在第一布线层上；

第一电极，其具有从所述第一电极布线延伸的涡旋部；和

第二电极，其具有从所述第二电极布线延伸的涡旋部；

所述第一电极与所述第二电极以所述涡旋部彼此隔着电介质而相互缠绕的状态对置，

所述第一电极的所述涡旋部与第三电极布线电连接，该第三电极布线形成在与所述第一布线层不同的第二布线层上。

8、根据权利要求7所述的电容器结构，其特征在于，

还包括第三电极，其具有从所述第三电极布线的电极基部突出的多个突出部，

所述第二电极的所述涡旋部的至少一部分与所述第三电极的所述突出部对置。

9、根据权利要求7所述的电容器结构，其特征在于，

所述第一和第二电极在所述涡旋部之上或之下形成有过孔。

10、根据权利要求7所述的电容器结构，其特征在于，

所述第二电极的所述涡旋部与形成在所述第二布线层上的第四电极布线电连接，

该电容器结构还包括：

第三电极，其具有从所述第三电极布线的电极基部突出的多个突出部；和

第四电极，其具有从所述第四电极布线的电极基部突出的多个突出部；

所述第三电极与所述第四电极以所述突出部彼此隔着电介质而相互啮合的状态对置，

所述第一电极的所述涡旋部经由过孔而与所述第三电极的所述突出部连接，

所述第二电极的所述涡旋部经由过孔而与所述第四电极的所述突出部连接。

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