CN101266919A - 一种选择性刻蚀硅纳米线的方法 - Google Patents
一种选择性刻蚀硅纳米线的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101266919A CN101266919A CNA2008100366722A CN200810036672A CN101266919A CN 101266919 A CN101266919 A CN 101266919A CN A2008100366722 A CNA2008100366722 A CN A2008100366722A CN 200810036672 A CN200810036672 A CN 200810036672A CN 101266919 A CN101266919 A CN 101266919A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- nano
- silicon nano
- selectively etching
- nano line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明针对现有技术所存在的缺陷和市场需求,公开了一种选择性刻蚀硅纳米线的方法,其包括以下顺序步骤:a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口;b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳米线。与现有技术相比,本发明的选择性刻蚀硅纳米线的方法既能够制作出任何想要的图形,又能够获得尺寸规则、排布均匀的硅纳米线阵列,而且工艺简单可靠、成本低、可批量生产,实现了工业化制作硅纳米线电极的目的,为制备多种以硅纳米线为基础的纳机电器件奠定了基础。
Description
技术领域
本发明涉及一种选择性刻蚀硅纳米线的方法,属于纳米材料制备技术领域。
背景技术
硅纳米线由于特有的量子限制效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效应等光学、电学性质以及高表面活性引起了广泛关注。硅纳米线在纳米传感器、单电子晶体管、单电子存储等纳米电子器件及合成其他纳米材料等方面得到广泛应用,它可成为纳米电子学领域的一种极有应用潜力的新材料。如果能用硅纳米线制备出实用的纳米电子器件,将使硅技术的应用从微电子学领域扩展到纳米电子学领域,对未来电子器件及整个电子领域的发展产生不可估量的影响。
在硅纳米线生成纳米电子器件之前,首先要解决的是硅纳米线电极制作的问题。现有的硅纳米线电极制作方法主要有以下两种:①采用传统的标准微电子加工工艺制作电极;②采用标准微电子加工工艺技术与利用化学气相沉积方式生长硅纳米线的方法相结合的方法制作电极。第一种方法存在的缺陷是当电极制作在硅纳米线表面的时候,由于应力作用,纳米线很容易破碎。第二种方法的缺陷是在采用化学气相沉积的方式生长硅纳米线的时候,需要严苛的实验条件,如设备昂贵、高压、高温等,无法批量生产。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术所存在的缺陷和市场需求,提供一种选择性刻蚀硅纳米线的方法,以解决现有硅纳米线电极制作所存在的工艺复杂、成本高、不能批量生产的问题。
为达到上述发明目的,本发明的技术方案如下:
本发明的选择性刻蚀硅纳米线的方法,包括以下顺序步骤:
a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口;
b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳米线。
与现有技术相比,本发明的选择性刻蚀硅纳米线的方法既能够制作出任何想要的图形,又能够获得尺寸规则、排布均匀的硅纳米线阵列,而且工艺简单可靠、成本低、可批量生产,实现了工业化制作硅纳米线电极的目的,为制备多种以硅纳米线为基础的纳机电器件奠定了基础。
附图说明
图1是在硅片表面开窗口的工艺流程图;
图2是选择性刻蚀的硅纳米线的扫描电镜(SEM)图片。
图3是本发明制作的硅纳米线阵列的扫描电镜(SEM)图片。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细、完整的说明:
实施例
本发明的选择性刻蚀硅纳米线的方法,包括以下顺序步骤:
a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口
选用P(100)的两面抛光的硅片,按照图1所示的工艺流程在硅片表面开窗口,即图形化:
②用光刻技术将掩模版上的图形转移到硅片表面;
③用等离子体去除硅片一面的氮化硅;
④用二氧化硅刻蚀剂(BOE)去除二氧化硅。
b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳米线,即:将开好窗口的硅片浸入刻蚀溶液中,在常温常压下处理60分钟;取出,用发烟硝酸除去表面的银;用去离子水清洗;室温下晾干;所述刻蚀溶液为35mM的硝酸银和20%(氢氟酸和去离子水的体积比为1∶4)氢氟酸的混合溶液。图2是选择性刻蚀的硅纳米线的扫描电镜(SEM)图片。所制作的硅纳米线阵列的扫描电镜(SEM)图片见图3所示。
由于利用“自上而下”的方法进行“图形化”,可以制作出任何想要的图形;利用“自下而上”的方法刻蚀硅纳米线,可以获得尺寸规则、排布均匀的硅纳米线阵列,得到不同厚度、可选择性生长的硅纳米线;因此,本发明的选择性刻蚀硅纳米线的方法,解决了现有硅纳米线电极制作所存在的工艺复杂、成本高、不能批量生产的问题,实现了工业化制作硅纳米线电极的目的,为制备多种以硅纳米线为基础的纳机电器件奠定了基础。
Claims (1)
1.一种选择性刻蚀硅纳米线的方法,其特征在于,其包括以下顺序步骤:
a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口;
b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳米线。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200810036672A CN100580876C (zh) | 2008-04-25 | 2008-04-25 | 一种选择性刻蚀硅纳米线的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200810036672A CN100580876C (zh) | 2008-04-25 | 2008-04-25 | 一种选择性刻蚀硅纳米线的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101266919A true CN101266919A (zh) | 2008-09-17 |
CN100580876C CN100580876C (zh) | 2010-01-13 |
Family
ID=39989217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200810036672A Expired - Fee Related CN100580876C (zh) | 2008-04-25 | 2008-04-25 | 一种选择性刻蚀硅纳米线的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100580876C (zh) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101935016A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 诺基亚公司 | 用于创建纳米线的方法和装置 |
CN101508419B (zh) * | 2009-03-24 | 2011-01-12 | 北京大学 | 一种纳米柱森林的加工方法 |
CN102086024A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-06-08 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅纳米线的制备方法 |
CN102181939A (zh) * | 2011-03-25 | 2011-09-14 | 华东师范大学 | 一种控制硅纳米线生长长度的方法 |
CN102205943A (zh) * | 2011-04-11 | 2011-10-05 | 北京理工大学 | 一种单晶硅纳米结构的制备方法 |
CN102592769A (zh) * | 2012-03-05 | 2012-07-18 | 华东师范大学 | 一种镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料的制备方法 |
CN103011181A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-04-03 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法 |
CN103257178A (zh) * | 2013-04-25 | 2013-08-21 | 南通大学 | 一种一维纳米电极材料及其制备方法与应用 |
US8772174B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-07-08 | Nexeon Ltd. | Method of fabricating structured particles composed of silicon or silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US8870975B2 (en) | 2007-07-17 | 2014-10-28 | Nexeon Ltd. | Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
CN102239584B (zh) * | 2008-10-10 | 2014-12-10 | 奈克松有限公司 | 制造由硅或硅基材料构成的结构化粒子的方法 |
US8945774B2 (en) | 2010-06-07 | 2015-02-03 | Nexeon Ltd. | Additive for lithium ion rechageable battery cells |
US8962183B2 (en) | 2009-05-07 | 2015-02-24 | Nexeon Limited | Method of making silicon anode material for rechargeable cells |
US9184438B2 (en) | 2008-10-10 | 2015-11-10 | Nexeon Ltd. | Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US9583762B2 (en) | 2006-01-23 | 2017-02-28 | Nexeon Limited | Method of fabricating fibres composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US9608272B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-03-28 | Nexeon Limited | Composition for a secondary battery cell |
US9647263B2 (en) | 2010-09-03 | 2017-05-09 | Nexeon Limited | Electroactive material |
CN107046228A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-08-15 | 华南师范大学 | 一种电吸收调制激光器及其制备方法 |
US9853292B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-12-26 | Nexeon Limited | Electrode composition for a secondary battery cell |
US9871248B2 (en) | 2010-09-03 | 2018-01-16 | Nexeon Limited | Porous electroactive material |
US9871249B2 (en) | 2007-05-11 | 2018-01-16 | Nexeon Limited | Silicon anode for a rechargeable battery |
CN108996471A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-14 | 深圳清华大学研究院 | 硅纳米线及其制备方法、硅纳米线的图形化制备方法 |
-
2008
- 2008-04-25 CN CN200810036672A patent/CN100580876C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9583762B2 (en) | 2006-01-23 | 2017-02-28 | Nexeon Limited | Method of fabricating fibres composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US9871249B2 (en) | 2007-05-11 | 2018-01-16 | Nexeon Limited | Silicon anode for a rechargeable battery |
US8870975B2 (en) | 2007-07-17 | 2014-10-28 | Nexeon Ltd. | Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US8940437B2 (en) | 2007-07-17 | 2015-01-27 | Nexeon Limited | Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US9871244B2 (en) | 2007-07-17 | 2018-01-16 | Nexeon Limited | Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US9184438B2 (en) | 2008-10-10 | 2015-11-10 | Nexeon Ltd. | Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US8932759B2 (en) | 2008-10-10 | 2015-01-13 | Nexeon Ltd. | Method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material |
CN102239584B (zh) * | 2008-10-10 | 2014-12-10 | 奈克松有限公司 | 制造由硅或硅基材料构成的结构化粒子的方法 |
CN101508419B (zh) * | 2009-03-24 | 2011-01-12 | 北京大学 | 一种纳米柱森林的加工方法 |
US8962183B2 (en) | 2009-05-07 | 2015-02-24 | Nexeon Limited | Method of making silicon anode material for rechargeable cells |
US9608272B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-03-28 | Nexeon Limited | Composition for a secondary battery cell |
US9853292B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-12-26 | Nexeon Limited | Electrode composition for a secondary battery cell |
US10050275B2 (en) | 2009-05-11 | 2018-08-14 | Nexeon Limited | Binder for lithium ion rechargeable battery cells |
CN104591081A (zh) * | 2009-06-30 | 2015-05-06 | 诺基亚公司 | 用于创建纳米线的方法和装置 |
US8610100B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-12-17 | Nokia Corporation | Apparatus comprising nanowires |
CN101935016A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 诺基亚公司 | 用于创建纳米线的方法和装置 |
US8772174B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-07-08 | Nexeon Ltd. | Method of fabricating structured particles composed of silicon or silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
US8945774B2 (en) | 2010-06-07 | 2015-02-03 | Nexeon Ltd. | Additive for lithium ion rechageable battery cells |
US9368836B2 (en) | 2010-06-07 | 2016-06-14 | Nexeon Ltd. | Additive for lithium ion rechargeable battery cells |
US9947920B2 (en) | 2010-09-03 | 2018-04-17 | Nexeon Limited | Electroactive material |
US9647263B2 (en) | 2010-09-03 | 2017-05-09 | Nexeon Limited | Electroactive material |
US9871248B2 (en) | 2010-09-03 | 2018-01-16 | Nexeon Limited | Porous electroactive material |
CN102086024B (zh) * | 2010-12-31 | 2014-05-21 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅纳米线的制备方法 |
CN102086024A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-06-08 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅纳米线的制备方法 |
CN102181939A (zh) * | 2011-03-25 | 2011-09-14 | 华东师范大学 | 一种控制硅纳米线生长长度的方法 |
CN102205943A (zh) * | 2011-04-11 | 2011-10-05 | 北京理工大学 | 一种单晶硅纳米结构的制备方法 |
CN102592769A (zh) * | 2012-03-05 | 2012-07-18 | 华东师范大学 | 一种镍纳米颗粒/硅纳米线磁性复合材料的制备方法 |
CN103011181B (zh) * | 2012-12-14 | 2014-08-13 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法 |
CN103011181A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-04-03 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法 |
CN103257178A (zh) * | 2013-04-25 | 2013-08-21 | 南通大学 | 一种一维纳米电极材料及其制备方法与应用 |
CN107046228A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-08-15 | 华南师范大学 | 一种电吸收调制激光器及其制备方法 |
CN107046228B (zh) * | 2017-04-07 | 2019-08-06 | 华南师范大学 | 一种电吸收调制激光器及其制备方法 |
CN108996471A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-14 | 深圳清华大学研究院 | 硅纳米线及其制备方法、硅纳米线的图形化制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100580876C (zh) | 2010-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100580876C (zh) | 一种选择性刻蚀硅纳米线的方法 | |
US20170154701A1 (en) | Metal nanowire having core-shell structure coated with graphene, and manufacturing method therefor | |
CN102084467A (zh) | 制作纳米线阵列的方法 | |
CN107032328B (zh) | 一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法 | |
KR20150017422A (ko) | 그래핀/실리콘 나노선 분자 센서 또는 이의 제조 방법과 이를 이용한 분자 확인 방법 | |
CN105023629B (zh) | 石墨烯‑铜纳米线复合薄膜及其制备方法 | |
CN1946634A (zh) | 纳米结构和制备这种纳米结构的方法 | |
US20190221683A1 (en) | Screen printing electrical contacts to nanostructured areas | |
CN109648096B (zh) | 一种任意纳米锥阵列原位转化为银纳米片构筑的微/纳米结构阵列的方法 | |
CN102354669B (zh) | 硅纳米线器件的制作方法 | |
KR101671627B1 (ko) | 그래핀을 촉매로 한 실리콘의 화학적 식각 방법 | |
CN103489753B (zh) | 一种大面积小尺寸核壳结构硅纳米线阵列的制备方法 | |
CN105304499A (zh) | 一种制备柔性碳纳米管场效应晶体管的方法 | |
US7022621B1 (en) | Iridium oxide nanostructure patterning | |
CN115285996B (zh) | 一种在铜箔-石墨烯衬底上制备SiC纳米线网络薄膜的方法 | |
KR100855882B1 (ko) | 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이 및 그의 제조방법 | |
US20170125519A1 (en) | Process for fabricating vertically-aligned gallium arsenide semiconductor nanowire array of large area | |
KR101164113B1 (ko) | 다직경 실리콘 와이어 구조체의 제조방법 | |
CN102583384A (zh) | 一种转移阵列硅纳米线的方法 | |
CN103489754B (zh) | 一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法 | |
CN102030310B (zh) | Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法 | |
CN102030309B (zh) | Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47纳米线阵列的制备方法 | |
CN104445057A (zh) | 砷化镓纳米线阵列及其制备方法 | |
KR101984696B1 (ko) | 나노와이어-그래핀 구조체, 이를 포함한 소자 및 그 제조 방법 | |
CN102592996A (zh) | 一种基于核/壳结构硅纳米线组的肖特基二极管的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100113 Termination date: 20120425 |