具体实施方式
之后,将参照附图详细描述依照本发明实施例的驱动器。
[第一实施例]
图1是显示应用依照本发明第一实施例的驱动器1的显示系统的结构的框图。该显示系统具有驱动器1、显示面板100和电源200。电源200给驱动器1提供电源电压V。LCD(液晶显示)面板示例为显示面板100。
驱动器1包括存储器10、地址控制电路20、驱动电路30、接口(IF)缓冲器电路40、程序控制电路50、和非易失性存储器60。
IF缓冲器电路40是与存储器10、地址控制电路20、程序控制电路50和外部单元连接的接口。
存储器10包括存储单元11和冗余存储单元12-1到12-n(n是“1”或更大的整数),它们被以矩阵状设置。这里,冗余存储单元可以是单个的。作为存储器,示例为DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)。
非易失性存储器60具有显示质量指定数据存储部61和缺陷地址数据存储部62。显示质量指定数据存储部61包括存储区61-1到61-m(m是“1”或更大的整数),且缺陷地址数据存储部62包括存储区62-1到62-n。缺陷地址数据存储部62的存储区62-1到62-n对应于冗余存储单元12-1到12-n的存储区61-1到61-n。
程序控制电路50与时钟信号(在该情形中为内部时钟信号)同步地工作。例如,通过IF缓冲器电路40从外部单元给程序控制电路50提供指定显示面板100的显示质量的显示质量指定数据W1。在该情形中,程序控制电路50在非易失性存储器60的显示质量指定数据存储部61的存储区61-i(i是满足1≤i≤m的整数)中记录显示质量指定数据W1。例如,假定测试每个存储单元11且在存储单元11中至少一个存储单元是有缺陷的。在该情形中,通过IF缓冲器电路40从外部单元给程序控制电路50提供表示缺陷存储单元的地址的缺陷地址数据W2。此时,程序控制电路50在非易失性存储器60的缺陷地址数据存储部62的存储区61-j(j是满足1≤i≤n的整数)中记录缺陷地址数据W2。这样,通过使用相同的存储方法记录显示质量指定数据W1和缺陷地址数据W2。
地址控制电路20与内部时钟信号同步地工作。地址控制电路20根据缺陷地址数据存储部62的存储区62-j中记录的缺陷地址数据W2用冗余存储单元12-j取代缺陷存储单元11。通过IF缓冲器电路40从外部单元将显示数据DA存储在存储器10中,且用于在显示面板100上显示一个显示线的地址ADD被通过IF缓冲器电路40从外部单元提供到地址控制电路20。在该情形中,地址控制电路20向驱动电路30输出存储器10中存储的显示数据DA的显示数据DL,其对应于一个显示线。
驱动电路30与内部时钟信号同步地工作,且其具有源极驱动器和栅极驱动器。驱动电路30根据显示质量指定数据存储部61中记录的显示质量指定数据W1在显示面板100上显示显示数据DL。
非易失性存储器60是闪存存储器、EPROM或EEPROM之一。如图2中所示,在本实施例中,假定非易失性存储器60是闪存存储器,且显示质量指定数据存储部61的存储区和缺陷地址数据存储部62的存储区的每一个都是扇区。
图3是显示程序控制电路50的工作的流程图。
通过IF缓冲器电路40从外部单元提供显示质量指定数据W1到程序控制电路50(步骤S1-是)。在该情形中,程序控制电路50选择非易失性存储器60的显示质量指定数据存储部61的存储区中空的一个61-i,并在该选择的存储区61-i中记录显示质量指定数据W1(步骤S2)。作为显示质量指定数据W1,示例为与精细控制显示对比度有关的数据。例如,当显示质量指定数据W1是与调整对向电极信号VCOM有关的数据时,该数据被记录在显示质量指定数据存储部61的存储区61-1中。当显示质量指定数据W1是与调整LCD驱动电压的设定值有关的数据时,该数据被记录在显示质量指定数据存储部61的存储区61-2中。通过提供m个显示质量指定数据存储区61-1到61-m,可分别在显示质量指定数据存储区61-1到61-m中记录m个显示质量指定数据W1。
作为多个存储单元11每一个的测试结果,用于指明存储单元11中有缺陷的一个存储单元地址的缺陷地址数据W2被通过IF缓冲器电路40从外部单元提供到程序控制电路50(步骤S3-是)。在该情形下,程序控制电路50选择非易失性存储器60的缺陷地址数据存储部62的存储区中空的一个62-j,并在该选择的存储区62-j中记录缺陷地址数据W2(步骤S4)。因为缺陷地址数据存储部62的存储区62-1到62-n分别对应于冗余存储单元12-1到12-n,所以可在缺陷地址数据存储区62-1到62-n中记录n个缺陷地址数据W2。
应当注意,一对步骤S1和S2以及一对步骤S3和S4没有特别的顺序。
如上所述,依照本发明第一实施例的驱动器1通过程序控制电路50通过使用相同的存储方法记录显示质量指定数据W1和缺陷地址数据W2。这就不必单独制造用于记录显示质量指定数据W1的专用器件和用于记录缺陷地址数据W2的专用器件。此外,如果单独制造专用器件,则程序控制电路50的电路尺寸就会变大。然而,在本实施例中,因为不必单独制造专用器件,所以可通过程序控制电路50共同实现记录显示质量指定数据W1的功能和记录缺陷地址数据W2的功能。这样,可减小程序控制电路50的电路尺寸,还可减小整个驱动器1的电路尺寸。
此外,本发明的驱动器1采用了闪存存储器实现非易失性存储器60的功能,其编程方法没有采用激光修整(trimming)熔丝。当采用激光修整熔丝时,在驱动器1中必须提供用于允许激光束照射在激光修整熔丝上的开口。在这种情形中,根据安装工序,灰尘可能通过开口从外部进入驱动器1。如果灰尘偶然进入了,则在安装之后在操作过程期间造成驱动器1中短路的可能性就会增加。另一方面,当采用闪存存储器时,不必对驱动器1提供开口。此外,在闪存存储器中,通过将数据发送到驱动器1中,而不是通过在驱动器1中照射激光来记录显示质量指定数据W1和缺陷地址数据W2。因此,可在安装之后对显示器件1进行编程。
此外,在依照本实施例的驱动器1中,当存储器10是DRAM作为用于存储器10的程序的应用时,由于在安装之后单元保持特性的下降,其可缓解缺陷的存储单元。
[第二实施例]
在依照本发明第二实施例的驱动器中,将省略与第一个实施例中相同的描述。
如图4中所示,代替电流熔化型熔丝,非易失性存储器60由电熔丝组成。在第二实施例中,假定显示质量指定数据存储部61的存储区61-1到61-m和缺陷地址数据存储部62的存储区62-1到62-n的每一个都包括一组电熔丝F1到FN(N是“1”或更大的整数)。
显示质量指定数据W1被通过IF缓冲器电路40从外部单元提供到程序控制电路50(步骤S1-是)。在该情形中,程序控制电路50给在非易失性存储器60的显示质量指定数据存储部61的存储区61-i中的一组电熔丝F1到FN中将要切断的电熔丝提供电流,从而在存储区61-i中记录显示质量指定数据W1(步骤S2)。例如,假定N是12,将要被切断的电熔丝是F9到F11。在该情形中,没有被切断的每个电熔丝F1到F8表示“0”,且切断的每个电熔丝F9到F11表示“1”。因而,程序控制电路50在存储区61-i中的一组电熔丝F1到FN中记录显示质量指定数据W1。
作为多个存储单元11每一个的测试结果,用于指明多个存储单元11中有缺陷的一个存储单元的地址的缺陷地址数据W2被通过IF缓冲器电路40从外部单元提供到程序控制电路50(步骤S3-是)。在该情形中,程序控制电路50给在非易失性存储器60的缺陷地址数据存储部62的存储区62-j中的一组电熔丝F1到FN中将要切断的电熔丝提供电流,从而在存储区62-j中记录缺陷地址数据W2(步骤S4)。例如,假定N是12,将要被切断的电熔丝是F9到F11。在该情形中,没有被切断的每个电熔丝F1到F8表示“0”,被切断的每个电熔丝F9到F11表示“1”。因为缺陷地址数据存储部62的存储区62-1到62-n分别对应于冗余存储单元12-1到12-n,所以可在缺陷地址数据存储区62-1到62-n中记录n个缺陷地址数据W2。
如上所述,本发明的驱动器1采用了该组电熔丝F1到FN作为非易失性存储器60的一个存储区,其编程方法没有采用激光修整熔丝。如果采用激光修整熔丝,则对于驱动器1,必须提供用于允许激光束照射在激光修整熔丝上的开口窗口。在这种情形中,根据安装工序,灰尘可能通过开口窗口从外部进入驱动器1。如果灰尘偶然进入了,则在安装之后在操作过程期间造成驱动器1中短路的可能性就会增加。另一方面,在该组电熔丝F1到FN中,不必在驱动器1中提供开口窗口。此外,通过将数据发送到驱动器1中并切断与该数据对应的电熔丝,而不是通过在驱动器1中照射激光来记录显示质量指定数据W1和缺陷地址数据W2。因此,可在安装之后对显示器件1进行编程。
[第三实施例]
在依照本发明第三实施例的驱动器中,将省略与第一和第二个实施例相同的描述。
图5显示了应用依照本发明第三实施例的驱动器1的显示系统的结构。驱动器1还设置有BIST(内置自测试)电路70。BIST电路70与内部时钟信号同步地工作。
图6是显示BIST电路70和程序控制电路50的工作的流程图。BIST电路70测试多个存储单元11的每一个(步骤S11)。假定多个存储单元11中至少一个存储单元是有缺陷的存储单元(步骤S12-是)。在该情形中,BIST电路70向程序控制电路50输出用于指明缺陷存储单元的地址的缺陷地址数据W2(步骤S13)。此时,程序控制电路50执行上述的步骤S4(步骤S14)。就是说,程序控制电路50从BIST电路70接收缺陷地址数据W2,选择缺陷地址数据存储部62中空的存储区62-j并在非易失性存储器60的选择的该存储区62-j中记录缺陷地址数据W2。这样,作为对于存储器10应用的程序,本发明的驱动器1可实现自修复功能。
[第四实施例]
在依照本发明第四实施例的驱动器中,将省略与第一到第三实施例相同的描述。
图7显示了应用依照本发明第四实施例的驱动器的显示系统的结构。驱动器1还设置有电源开启监视电路80。
图8是显示电源开启监视电路80、BIST电路70和程序控制电路50的工作的流程图。
电源开启监视电路80监视电源200(步骤S21)。当电源电压V被从电源200提供到驱动器1时(步骤S21-是),电源开启监视电路80给BIST电路70输出电源开启信号PON(步骤S22)。此时,执行上述步骤S11到S14。就是说,响应于电源开启信号PON,BIST电路70测试多个存储单元11的每一个(步骤S11),并给程序控制电路50输出用于指明缺陷存储单元的地址的缺陷地址数据W2(步骤S13)。程序控制电路50在非易失性存储器60的缺陷地址数据存储部62的存储区的空的存储区62-j中记录缺陷地址数据W2(步骤S14)。这样,作为对于存储器10应用的程序,通过将电源开启自测试和这些操作组合,依照本发明第四实施例的驱动器1在最终的产品中能实现自修复功能。
[第五实施例]
在依照本发明的第五实施例中,将省略与第一到第四实施例相同的描述。
图9显示了应用依照本发明第五实施例的驱动器1的显示系统的结构。该系统还设置有输入单元300。
通过用户操作输入单元300,可改变由显示质量指定数据W1表示的显示质量。此时,所需要的是用户在非易失性存储器60的显示质量指定数据存储部61中记录显示质量指定数据W1。然而,不理想的是,用户错误地将该数据记录在非易失性存储器60的缺陷地址数据存储部62中。此外,更不理想的是下述情形,即显示质量指定数据存储部61和缺陷地址数据存储部62每个都由一组电熔丝F1到FN(电流熔化型熔丝)组成,且显示质量指定数据W1被错误地记录在缺陷地址数据存储部62中。
根据上面的情形,在第五实施例中,给予用户显示质量指定数据存储部61的访问权,但不给予用户缺陷地址数据存储部62的访问权。在该情形中,程序控制电路50保持访问权命令W1CMD,其表示对显示质量指定数据存储部61的访问权。将描述与此有关的操作。
图10是显示程序控制电路50到输入单元300的操作的流程图。用户操作输入单元300,从而通过IF缓冲器电路40给程序控制电路50提供包括表示显示质量变化的显示质量变化数据W1’的指令和命令W1’CMD(步骤S31)。在该情形中,程序控制电路50将该指令中包括的命令W1’CMD与由程序控制电路50保持的访问权命令W1CMD进行核对(步骤S32)。当命令W1’CMD和访问权命令W1CMD彼此一致时(步骤S32-是),程序控制电路50访问显示质量指定数据存储部61(步骤S33),并根据指令中包括的显示质量变化数据W1’更新显示质量指定数据W1(步骤S34)。这样,作为对于显示面板100应用的编程,依照本发明第五实施例的驱动器1可使用户将显示质量指定数据M1记录在非易失性存储器60的显示质量指定数据存储部61中。因而,用户可将显示质量变化为用户喜欢的一种。此外,通过将驱动器1配置以给予用户非易失性存储器60的显示质量指定数据存储部61的访问权而不给予用户对缺陷地址数据存储部62的访问权,驱动器1可保证驱动器1的规范。
[第六实施例]
在依照本发明的第六实施例的描述中,将省略与第一到第五实施例相同的描述。
图11显示了应用依照本发明第六实施例的驱动器1的显示系统的结构。
此外,驱动器1还设置有电源开启监视电路80。该电源开启监视电路80监视是否从电源200向驱动器1提供电源电压V。
非易失性存储器60表示OTP(一次性PROM(可编程只读存储器))。非易失性存储器60包括按下述顺序使用的多个存储块60-1到60-4、和读出放大器电路63。当该非易失性存储器60被制造成存储器芯片时,该多个存储块60-1到60-4和读出放大器电路63被制造在相同的存储器芯片上。这里,假定多个存储块60-1到60-4之一,例如存储块60-1是有效的。
多个存储块60-1到60-4的每一个都具有16×32位的存储部。16×32位的存储部分为16×30位的显示质量指定数据存储部61的缺陷地址数据存储部62和16×2位的缺陷地址数据存储部62。就是说,显示质量指定数据存储部61和缺陷地址数据存储部62共享读出放大器电路63。16×30位的显示质量指定数据存储部61包含16×28位的第一显示质量指定数据存储部611和16×2位的第二显示质量指定数据存储部612。例如,第一显示质量指定数据存储部w1-1具有28个存储区,且第二显示质量指定数据存储部w1-2具有2个存储区。16×2位的缺陷地址数据存储部62也具有2个存储区。
上述显示质量指定数据W1包含制造显示面板100的面板制造商的第一显示质量指定数据W1-1和制造驱动器1的显示器件制造商的第二显示质量指定数据W1-2。因此,第一显示质量指定数据W1-1被记录到存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611,且第二显示质量指定数据W1-2被记录到存储块60-1中的第二显示质量指定数据存储部612。此外,上述缺陷地址数据W2被记录到存储块60-1的缺陷地址数据存储部62。
程序控制电路50包括排序器51和52、R/W(读取/写入)控制部53、命令解码器54、OTP逻辑电路55、面板/显示器件寄存器56和缺陷地址寄存器57。面板/显示器件寄存器56包含面板寄存器56-1和显示器件寄存器56-2。当电源电压V被从电源200提供到驱动器1时,排序器51输出读取信号以从存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62读取第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2。排序器52输出信号以另外地写入客户数据(面板制造商的数据)。然而,因为排序器52与本发明没有直接关系,所以省略排序器52的详细描述。R/W控制部53对读取指令和写入指令分别输出控制信号(读取信号和写入信号)。命令解码器54解码输入的读取指令和写入指令。OTP逻辑电路55将来自排序器51和52、和R/W控制部53的信号转换为适于非易失性存储器(OTP)60的信号。
如图12中所示,终端用户(用户)对存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62具有访问权,在测试时面板制造商、显示器件制造商和存储器10的制造商对存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62具有访问权。就是说,在测试时面板制造商、显示器件制造商和存储器10的制造商可操作第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62。显示器件制造商和存储器件制造商可以是相同的制造商,例如,显示器件制造商可被分为制造驱动器1的分制造商和制造存储器10的分制造商。
存储器10由SRAM(静态随机存取存储器)组成。在该情形中,当电源电压V被从电源200提供到驱动器1时,根据缺陷地址数据W2,必须用冗余存储单元12的地址取代存储器10中的存储单元11中有缺陷的存储单元的地址。因此,如图13中所示,当电源电压V被从电源200提供到驱动器1时,优选地驱动器1从存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62自动读出第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2。
图14是显示通过依照本发明第六实施例的驱动器1的自动电源开启读取操作的框图,图15是显示电源开启监视电路80、程序控制电路50和读出放大器电路63的工作的流程图。
电源开启监视电路80监视电源200(步骤S41)。当电源电压V被从电源200提供到驱动器1(步骤S41-是)时,电源开启监视电路80给排序器51输出电源开启信号PON(步骤S42)。排序器51响应于电源开启信号PON,通过OTP逻辑电路55给非易失性存储器60输出第一到第三读取信号,用于从存储块60-1中的第一和第二显示质量指定数据存储部611和612、和缺陷地址数据存储部62读出第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2(步骤S43)。
读出放大器电路63响应于第一到第三读取信号,分别从存储块60-1中的第一和第二显示质量指定数据存储部611和612、和缺陷地址数据存储部62读出第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2以及缺陷地址数据W2(步骤S44)。读出放大器电路63将第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2以及缺陷地址数据W2存储在面板寄存器56-1、显示器件寄存器56-2和缺陷地址寄存器57中(步骤S45)。
通过地址控制电路20参考缺陷地址寄存器57。就是说,根据记录在缺陷地址数据存储部62中的缺陷地址数据W2,地址控制电路20用冗余存储单元12取代多个存储单元11中有缺陷的存储单元。地址控制电路20从存储在存储器10中的显示数据DA接收用于一个显示线的显示数据DL,并将其输出到驱动电路30。
通过驱动电路30参考面板寄存器56-1和显示器件寄存器56-2。就是说,根据面板寄存器56-1和显示器件寄存器56-2中设置的第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2,驱动电路30在显示面板100上显示显示数据DL。
这样,依照本发明第六实施例中的驱动器1,当电源电压V被从电源200提供到驱动器1时,驱动器1可从存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62自动读出第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2。
[第七实施例]
在第七实施例的描述中,将省略与上述第一到第六实施例相同的描述。
在第七实施例中,面板制造商、显示器件制造商、和存储器件制造商使用测试器进行测试,从而分别进行图像调整、图像/电路调整、和电路(存储器10)调整。在该情形下,如图13中所示,在测试时,检测面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商在存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62中是否写入了第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2。此外,在测试时,检测面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商是否从存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62读出第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2。
图16是显示依照本发明第七实施例的驱动器1的写入操作的视图,且图17是显示图16的程序控制电路的工作的流程图。
如上所述,面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商在测试时分别使用测试器。为了区分面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商分别使用的测试器,把它们称作第一到第三测试器91到93。面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商将第一到第三写入指令通过IF缓冲器电路40从测试器91到93输入到程序控制电路50的命令解码器54(步骤S51)。第一到第三写入指令包含第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2和缺陷地址数据W2以及存储块60-1中的第一和第二显示质量指定数据存储部611和612的地址和缺陷地址数据存储部62的地址。
命令解码器54解码第一到第三写入指令(步骤S52)。控制部53响应于由命令解码器54解码的第一到第三写入指令,通过OTP逻辑电路在存储块60-1中的第一和第二显示质量指定数据存储部611和612和缺陷地址数据存储部62中写入第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2和缺陷地址数据W2(步骤S53)。
图18是显示依照本发明第七实施例的驱动器1的读取操作的视图,且图19是显示图18中的程序控制电路50和读出放大器电路63的工作的流程图。
通过程序控制电路50的命令解码器54,面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商通过IF缓冲器电路40从测试器91到93接收第一到第三读取指令(步骤S61)。第一到第三读取指令包含第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2和缺陷地址数据W2以及存储块60-1中的第一和第二显示质量指定数据存储部611和612和缺陷地址数据存储部62的地址。
命令解码器54解码第一到第三读取指令(步骤S62)。控制部53响应于由命令解码器54解码的第一到第三读取指令,通过OTP逻辑电路将第一到第三读取信号输出到非易失性存储器60(步骤S63)。读出放大器电路63响应于第一到第三读取信号,输出从存储块60-1中的第一和第二显示质量指定数据存储部611和612和缺陷地址数据存储部62读出的第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2和缺陷地址数据W2(步骤S64)。读出放大器电路63将第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2和缺陷地址数据W2分别存储在面板寄存器56-1、显示器件寄存器56-2和缺陷地址寄存器57中(步骤S65)。
通过地址控制电路20参考缺陷地址寄存器57。就是说,和通常的冗余操作一样,根据对缺陷地址数据存储部62设置的缺陷地址数据W2,地址控制电路20用冗余存储单元12取代多个存储单元11中有缺陷的存储单元。地址控制电路20将用于一个显示线的显示数据DL从存储在存储器10中的显示数据DA输出到驱动电路30。由驱动电路30参考面板寄存器56-1和显示器件寄存器56-2。就是说,根据面板寄存器56-1和显示器件寄存器56-2中设置的第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2,驱动电路30在显示面板100上显示显示数据DL。
这样,依照本发明第七实施例的驱动器1,在测试时,面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商检查在存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62是否分别写入了第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2。此外,在测试时,面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商检查是否分别从存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62读出第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2。
[第八实施例]
在第八实施例的描述中,将省略与上述第一到第七实施例相同的描述。
在上述第七实施例中,在测试时面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商从存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62分别读出第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2。
另一方面,在第八实施例中,如图13中所示,在测试时,优选地面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商检查从存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62读出的第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2是否被分别设置在面板寄存器56-1、显示器件寄存器56-2和缺陷地址寄存器57中。
图20是显示依照本发明第八实施例的驱动器1的读取操作的框图,且图21是显示图20的程序控制电路50的工作的流程图。
面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商通过IF缓冲器电路40分别将第一到第三寄存器读取指令从测试器91到93输入到命令解码器54(步骤S71)。第一到第三寄存器读取指令分别包含面板寄存器56-1、显示器件寄存器56-2和缺陷地址寄存器57的地址。
命令解码器54解码第一到第三寄存器读取指令(步骤S72)。控制部53响应于由命令解码器54解码的第一到第三寄存器读取指令,分别从面板寄存器56-1、显示器件寄存器56-2和缺陷地址寄存器57读取第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2和缺陷地址数据W2。控制部53将第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2和缺陷地址数据W2分别输出到测试器91到93(步骤S73)。
这样,依照本发明第八实施例的驱动器1,在测试时,面板制造商、显示器件制造商和存储器件制造商能够检查从存储块60-1中的第一显示质量指定数据存储部611、第二显示质量指定数据存储部612、和缺陷地址数据存储部62读出的第一显示质量指定数据W1-1、第二显示质量指定数据W1-2和缺陷地址数据W2是否已经被分别设置在面板寄存器56-1、显示器件寄存器56-2和缺陷地址寄存器57中。
[第九实施例]
在第九实施例的描述中,将省略与上述第一到第八实施例相同的描述。
在上述第六到第八实施例中,有时希望擦除非易失性存储器60中的多个存储块60-1到60-4的存储块60-1的数据。然而,当非易失性存储器60是OTP时,不可能进行电擦除。在第九实施例中,在测试时,面板制造商在存储块60-1和存储块60-2之间变化,代替存储块60-1而使用存储块60-2,以擦除存储块60-1的数据。
图22是显示依照本发明第九实施例的驱动器1的擦除操作的框图,且图23是显示图22的程序控制电路50的工作的流程图。
面板制造商通过IF缓冲器电路40从测试器91向程序控制电路50的命令解码器54输入擦除指令,以擦除目前有效的存储块60-1的数据(步骤S81)。命令解码器54解码擦除指令(步骤S82)。响应于由命令解码器54解码的擦除指令,控制部53使存储块60-1无效,然后使多个存储块60-1到60-4中的存储块60-2有效。就是说,有效的存储块从存储块60-1切换到存储块60-2(步骤S83)。因而,可在存储块60-2中的第一和第二显示质量指定数据存储部611和612和缺陷地址数据存储部62中记录第一和第二显示质量指定数据W1-1和W1-2和缺陷地址数据W2。
这样,当面板制造商通过使用测试器91第一次输入擦除指令时,存储块60-1变为无效,且之后存储块60-2变为有效。以相同的方式,当面板制造商通过使用测试器91第二次输入擦除指令时,使得存储块60-2无效,且之后使得存储块60-3有效。以相同的方式,当面板制造商通过使用测试器91第三次输入擦除指令时,使得存储块60-3变为无效,且之后使得存储块60-4变为有效。在依照本发明第九实施例的驱动器1中,存储块的数量为4,且存储块可擦除三次。然而,本发明并不限于此。通过增加存储块的数量,可增加擦除操作的次数。
依照本发明第九实施例的驱动器1,当非易失性存储器60是OTP时,在测试时面板制造商可使用替代的存储块用于存储块的擦除操作。
尽管上面结合几个实施例描述了本发明,但本领域技术人员应当清楚,提供这些实施例仅仅是用于示例本发明,不应依赖其以限制理解的方式来解释权利要求书。