CN101261969B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种使用塑料基板100代替玻璃基板的显示装置，能够解决由于塑料基板100的热传导率低、放热性能差、难以获得稳定的特性、缺乏可靠性的问题。在该显示装置中，把与纵向配线一体化形成在塑料基板100与薄膜LED 102之间的内面电极107进行层叠，使该内面电极107发挥放热层的作用，导出并释放薄膜LED 102内部产生的热量。
Description
技术领域
本发明涉及一种在塑料基板上接合半导体薄膜元件的显示装置。
背景技术
近年来，显示装置的轻薄化开发正在不断前进，对电子纸张所代表的柔性(flexible)显示装置的需求不断增长。以往的薄型显示装置的基板主要使用刚性(rigid)的玻璃(glass)基板，但玻璃基板的耐冲击性较差，容易发生破碎、裂纹等的损伤。另外，由于玻璃基板的比重较大，存在装置整体过重等的缺点。因此，通过使用塑料基板来代替玻璃基板，可以提高其耐冲击性及装置整体的轻便化。
但是，在使用塑料基板来代替玻璃基板的显示装置中，由于塑料基板的热传导率低、放热性能差，还存在难以获得稳定的特性、缺乏可靠性等必需解决的课题。
【专利文献1】日本特许公开2006-269716号公报
发明内容
本发明提供了一种在塑料基板上接合半导体薄膜元件的显示装置，其特征在于：所述塑料基板与所述半导体薄膜元件之间具有放热层。
另外，在这个显示装置中，所述放热层可以由金属(metal) 层构成，也可以由透明导电膜构成。
另外，在这个显示装置中，所述金属层的局部可以用电解镀金法被加厚。
另外，在这个显示装置中，所述放热层的表层可以为平坦膜。
另外，在这个显示装置中，所述平坦膜使用的可以是有机化合物材料、氧化物材料和氮化物材料中的一种。
进一步，本发明还提供了一种在塑料基板上接合半导体薄膜元件的显示装置，其特征在于：所述半导体薄膜元件表面具有促进放热的薄膜金属层。
另外，在这个显示装置中，所述促进放热的薄膜金属层可以由正极(anode)或负极(cathode)的冗余模式(pattern)构成。
另外，在这个显示装置中，所述促进放热的薄膜金属层可以从正极或负极被电气性地分离。
另外，在这个显示装置中，所述半导体薄膜元件可以整体具有钝化(passivation)膜，该钝化膜上层叠有高热传导率薄膜。
另外，在这个显示装置中，所述钝化膜使用的可以是有机化合物材料、氧化物材料和氮化物材料中的一种。
另外，在这个显示装置中，所述促进放热的薄膜金属层使用的可以是透明导电膜材料、有机化合物材料和金属材料中的一种。
发明效果
根据本发明可以得到这样的效果，即：将内面电极作为放热层介于塑料基板与半导体薄膜元件之间，可以有效释放半导体薄膜元件内部产生的热量，从而可以在长期高输出的前提下确保显示装置的可靠性。
附图说明
图1为实施方式一的显示装置的整体结构平面图；
图2为实施方式一的显示装置的平面放大图；
图3为实施方式一的显示装置的截面放大图；
图4为实施方式二的平面放大图；
图5为实施方式二的显示装置的截面放大图；
图6为实施方式三的显示装置的整体结构平面图；
图7为实施方式三的显示装置的平面放大图；
图8为实施方式三的显示装置的截面放大图(之一)；
图9为实施方式三的显示装置的截面放大图(之二)；
图10为实施方式四的显示装置的整体结构平面图；
图11为实施方式四的显示装置的平面放大图；
图12为实施方式四的显示装置的截面放大图(之一)；
图13为实施方式四的显示装置的截面放大图(之二)；
图14为实施方式五的显示装置的整体结构平面图；
图15为实施方式五的显示装置的截面放大图。
具体实施方式：
实施方式一：
图1是实施方式一的显示装置的整体结构平面图。
如图所示，实施方式一的显示装置1是在塑料基板100上，有多个作为半导体薄膜元件的薄膜LED102以矩阵(matrix)式排列。另外，多个薄膜LED102的同一列的正极与具有连接块(pad)108的横向配线104相连，多个薄膜LED102的同一行的负极与具有连接块108的纵向配线103相连。
图2为实施方式1的显示装置的平面放大图。
图3为实施方式1的显示装置的截面放大图。
该图为在图2中包括薄膜LED102的A-A的截面图。
这里用图2及图3来对显示装置1及薄膜LED102进行详细说明。
如图2所示，显示装置1具有塑料基板100、作为半导体薄膜元件的薄膜LED102、纵向配线103、横向配线104、层间绝缘膜105以及连接线(横)106。
塑料基板100为安装薄膜LED102的基板，是使用了以聚对苯二甲酸乙酯(PET)[polyethylene terephthalate]为代表的薄板。另外，作为有机材料，还可以使用聚酰亚胺(polyimide)、聚乙酸酯(polycarbonate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneNaphthalate)或芳族聚酰胺(aramid)。薄膜LED102是在塑料基板100上形成的薄膜状的M点(dot)×N点的LED。纵向配线103是连接形成在塑料基板100上的薄膜LED102的负极的导电薄膜。该纵向配线103是由金或铝、或上述的金属材料与镍(nickel)、钛(Titan)等金属材料在塑料基板100上进行薄膜层叠而成的金属配线，分别与各薄膜LED102的负极相连接。另外，本实施方式中的纵向配线103与内面电极107为集成体。
横向配线104是连接形成在塑料基板100上的薄膜LED102的正极的导电薄膜。该横向配线104是由金或铝、或上述的金属材料与镍(nickel)、钛(Titan)等金属材料在塑料基板100上进行薄膜层叠而成的金属配线，分别与各薄膜LED102的正极相连 接。
层间绝缘膜105是介于纵向配线103与横向配线104之间进行层间绝缘的积层，如氧化硅等的绝缘薄膜。连接配线(横)106是连接之后进行说明的上侧接触(contact)层109(图3)与横配线104的金属配线，由是由金或铝、或上述的金属材料与镍(nickel)、钛(Titan)等金属材料在塑料基板100上进行薄膜层叠而成。
如图3所示，上侧接触层109、上侧包覆层(clad)110、活性层111、下侧包覆层112以及下侧接触层113层叠，其侧斜面由层间绝缘膜105覆盖，作为薄膜LED102通过内面电极107在塑料基板100上层叠。
内面电极107是将使薄膜LED102发光的电场强度施加于上侧接触层109之间的电极，同时，在本发明中，还可以作为对在使薄膜LED102发光时产生的热量进行有效放热的金属层使用。在本实施方式中，与纵向配线103(图2)集成。
即，薄膜LED102的特征在于：作为放热层构成的内面电极107，如Au、AuGeNi、Al、AlNd、Ti、Ni、Pt、Ag、Pd、Cu等的金属层及，如ITO、ZnO2、In2O3等的透明电极层的表面，通过氢结合的分子间力牢固的接合。另外，这些放热层以周知的蒸发法及飞溅(sputter)法构成，其热传导率最好在50W/mK以上。
如上所述，由于薄膜LED102与作为放热层构成的内面电极107通过氢结合的分子间力牢固接合，因此薄膜LED102的接合(bonding)面及被接合的塑料基板表面的表面粗糙度(即凹凸的最大值及凹面的典型高低差)最好控制在约5nm以下。
为进一步加强接合的牢固状态，最好使用能源波(如等离子[plasma]装置等)对这些接合面进行清洗及活化。另外，涂敷活性剂也是将接合面活化的方法之一。
薄膜LED102，是在将多个一体生成的长方形LED薄膜通过氢结合的分子间力牢固接合在作为放热层形成的内面电极107的表面后，通过影印石版蚀刻法(photo-litho-etching)形成。
所述LED薄膜是通过周知的有机金属化学蒸发法(MOCVD法)、有机金属化学气相外延附生(epitaxy)法(MOVPE法)以及分子线外延附生法(MBE法)等，在GaAs基板、蓝宝石(sapphire)基板、InP基板、玻璃基板、石英基板或Si基板上介入牺牲层制作而成的。
由于LED薄膜(薄膜LED102)可以薄化至5μm以下，因此具有柔韧性极强的特征。另外，与液晶及有机EL不同，LED薄膜(薄膜LED102)使用的是通过半导体外延生长法制作的材料，可以确保产品的高品质及高可靠性。
LED薄膜是设置可选择性蚀刻的牺牲层进行外延生长，通过对牺牲层进行选择性的蚀刻，使用升离法形成LED薄膜。另外，难以对牺牲层进行选择性蚀刻的化合物半导体，如GaN系的LED元件等，可以使用对基板内面进行研磨(grind)处理的方法进行薄膜化。这时，作为LED发光元件必需将包括外延生长层在内的厚度薄化至约50μm以下才可将该LED薄膜作为发光元件使用。柔性基板上的形成的LED薄膜通过周知的光刻(photolithographic)技术排列成薄膜LED102。
向横向配线104和纵向配线103之间以顺偏压(bias)方向 注入电流时，塑料基板100上的薄膜LED102发光。由于薄膜LED102可薄化至5μm以下，因此柔韧性极强，在塑料基板上组成时也可以作为确保高品质、高可靠性的发光元件活动。另外，在薄膜LED102动作时，因对发光无用的电或对放出光的吸收等，会产生大量的热。根据本发明，在这里作为放热层介入内面电极107，可有效的向装置外部散发所产生的热量。
根据上述说明，通过将作为放热层的内面电极107介于塑料基板100及薄膜LED102之间，可以对薄膜LED102内部产生的热量进行有效释放。因此可以实现使用了薄膜LED的显示装置使用寿命长、输出高、可靠性强的效果。
实施方式二
图4为实施方式二的平面放大图。
图5为实施方式二的显示装置的截面放大图。
该图为在图4中包括薄膜LED102的A-A的截面图。
这里用图4及图5来对显示装置2及薄膜LED102进行详细说明。
另外，实施方式二的显示装置的整体结构平面图与图1相同，在此略去说明。
如图4所示，显示装置2具有塑料基板100、作为半导体薄膜元件的薄膜LED102、纵向配线103、横向配线104、层间绝缘膜204以及连接线(横)106。以下仅对与实施方式一不同的部分进行说明，与实施方式一相同的部分则标记与实施方式一相同，并省略说明。
层间绝缘膜204是介于纵向配线103与横向配线104之间进 行层间绝缘的积层，如氧化硅等的绝缘薄膜。在本实施方式中，还作为覆盖厚膜热传导层203(图5)的绝缘薄膜。
如图5所示，上侧接触层109、上侧包覆层110、活性层111、下侧包覆层112以及下侧接触层113层叠，其侧斜面由层间绝缘膜204覆盖，作为薄膜LED102通过厚膜热传导层203在内面电极107上层叠。
厚膜热传导层203是设置在薄膜LED102的发热范围正下方的5μm至10μm放热金属层。该厚膜化手法有电解镀金等，可仅在发热范围的正下方进行厚膜化来制作布线图案(patterning)。另外，作为电解镀金的材料，与实施方式一同样有多种材料可选，但最好具有热传导率在50W/mK以上的特性。
本实施方式所示的塑料基板100上的薄膜LED102也与实施方式一相同，在向横向配线104与纵向配线103之间以顺偏压方向注入电流时薄膜LED102发光。另外，与实施方式一相同，由于LED薄膜(薄膜LED102)可薄化至5μm以下，因此柔韧性极强，形成在塑料基板上时也可以作为确保高品质、高可靠性的发光元件活动。
而且，在实施方式二中，在发热范围正下方设置有厚膜化的厚膜热传导层203，在发热量集中的部分，可以将热容量局部性的增大。因此，与实施方式一相比，可以适应急剧的温度变化，且可以有效放热。
通过在薄膜LED102的发热范围正下方设置厚膜化的放热金属层(厚膜热传导层203)，热容量随之增大，可以适应急剧的温度变化，从而可以更加有效地进行放热。
实施方式三
图6为实施方式三的显示装置的整体结构平面图。
如图所示，实施方式三的显示装置3中，热传导层310及平滑层301层叠在塑料基板上，其上有多个作为半导体薄膜元件的薄膜LED102呈矩阵状层叠。另外，多个薄膜LED102的同一列的正极与具有连接块108的横向配线104相连，多个薄膜LED102的同一行的负极与具有连接块108的纵向配线103相连。显示装置3的周围四边层叠有放热用金属框(metal frame)303。放热用金属框303是通过热传导层310接收薄膜LED102产生的热量，并向空气中散热的放热板。
图7为实施方式三的显示装置的平面放大图。
图8为实施方式三的显示装置的截面放大图。
该图为在图7中包括薄膜LED102的A-A的截面图。
这里使用图7及图8对显示装置3及薄膜LED102进行详细说明。
如图7所示，显示装置3具有作为半导体薄膜元件以矩阵式层叠在位于塑料基板100上的热传导层310(图8)和层叠在平滑层301上的薄膜LED102、纵向配线305、横向配线104、层间绝缘膜105、连接线(106)能及连接线(纵)308。以下仅对与实施方式一不同的部分进行说明，与实施方式一相同的部分则标记与实施方式一相同并省略说明。
热传导层310(图8)是层叠在塑料基板100上对薄膜LED102产生的热量进行放热的金属层，可以使用如Au、AuGeNi、Al、AlNd、Ti、Ni、Pt、Ag、Pd、Cu等，通过周知的蒸发法及飞溅 法形成。而且热传导率最好在50W/mK以上。
平滑面301是为控制薄膜LED102的接合面表面的粗糙度(即凹凸的最大值及凹面的典型高低差)在5nm以下的平滑表面涂层。为尽可能增加薄膜LED102与热传导层310之间的热传导使之不被阻断，该平滑层301设定在2μm以下。一般情况下其材质最好使用有机化合物材料、或氧化物材料、或氮化物材料，通过周知的化学气相成长法(CVD法)、旋转涂层法(spincoating)、狭缝涂层法(slit coating)、在溶液中浸渍涂层以及喷射涂层(spray coating)形成。
纵向配线305是与塑料基板100上的薄膜LED102的负极相连接的导电薄膜。该纵向配线305是由铁或铝、或其中的金属材料与镍、钛等金属材料在塑料基板100上进行薄膜层叠而成的金属配线，分别与各薄膜LED102的负极相连接。在本实施方式中，纵向配线305与薄膜LED102的负极不是直接连接，而是通过连接线(纵)308来连接。
如图8所示，上侧接触层109、上侧包覆层(clad)110、活性层111、下侧包覆层112以及下侧接触层113层叠，其侧斜面被层间绝缘膜105覆盖的薄膜LED102层叠在塑料基板100上的热传导层302及平滑层301之上。另外，纵向配线305与薄膜LED102的下侧接触层113不是直接连接，而是通过连接线(纵)308来连接。
本实施方式所示的在塑料基板100上形成的薄膜LED102与实施方式一及实施方式二的元件同样，在正极、负极及连接线之间以顺偏压方向注入电流时，薄膜LED102发光。另外，由于 LED薄膜(薄膜LED102)可薄化至5μm以下，因此具有极高的柔韧性，形成在塑料基板上时也可以作为确保高品质、高可靠性的发光元件活动。
另外，与实施方式一及实施方式二同样，薄膜LED102的内面设有热传导层310，可将薄膜LED102动作时产生的热量有效释放。在本实施方式中，通过在热传导层310上涂布平滑层301，加之在实施方式一及实施方式二中提出的功能，改善了表面的平滑性，可以获得更加牢固的接合性。
在实施方式一及实施方式二中，通过将薄膜LED102直接接合在放热层(内面电极107)及厚膜化的金属层(厚膜热传导层203)上，薄膜LED102所产生的热量可以通过这些层有效地释放。但是，若要将这些层的表面粗糙度调整至所述的5nm以下，必需对成膜条件及成膜装置等给予充分的注意，对这些膜的质量要求需要极其严格。在本实施方式中，通过在内面电极107上涂布平滑层301，可以在实施方式一的效果之上，更加容易地将表面粗糙度调整至5nm以下，从而可以将薄膜LED102牢固地接合在热传导层310上。
以下对本实施方式的扩展方式进行说明。
图9为实施方式三的显示装置的截面放大图(之2)。
在实施方式三的显示装置3中，是在实施方式一的显示装置1的内面电极107(图3)和薄膜LED102(图3)之间设置了平滑层；而在本扩展方式中，是在实施方式二的显示装置2的厚膜热传导层203(图5)和薄膜LED102(图5)之间设置平滑层。这时，通过在厚膜热传导层203(图5)上进行表面涂层，可以 很容易地将表面粗糙度调整至5nm以下，由此可以获得将薄膜LED102(图5)牢固地接合在厚膜热传导层203(图5)上的效果。
实施方式四
图10为实施方式四的显示装置的整体结构平面图。
如图所示，实施方式四的显示装置4有多个作为半导体薄膜元件的薄膜LED402以矩阵式排列在塑料基板100上。而且，多个薄膜LED402的同一列的正极与具有连接块(pad)108的横向配线104相连，多个薄膜LED102的同一行的负极与具有连接块108的纵向配线403相连。
图11为实施方式四的显示装置的平面放大图。
如图所示，显示装置4具有塑料基板100、作为半导体装置的薄膜LED402、纵向配线403、横向配线104、层间绝缘膜105以及连接线(横)106。
图12为实施方式四的显示装置的截面放大图(之一)。
该图为图11中包含薄膜LED402的A-A的截面图。
这里使用图11及图12对显示装置4及薄膜LED402进行详细说明。
如图11所示，显示装置4具有塑料基板100、作为半导体装置的薄膜LED402、纵向配线403、横向配线104、层间绝缘膜105以及连接线(横)106。以下仅对与实施方式一至实施方式三不同的部分进行说明，与实施方式一至实施方式三相同的部分则标记与实施方式一至实施方式三相同，并省略说明。
纵向配线403是与塑料基板100上的薄膜LED402的负极相 连接的导电薄膜。该纵向配线403是由铁或铝、或其中的金属材料与镍(nickel)、钛(Titan)等金属材料在塑料基板100上进行薄膜层叠而成的金属配线，分别与各薄膜LED402的负极相连接。但是，在本实施方式中，纵向配线403与薄膜LED402的负极不是直接连接，而是通过热传导层及连接线408(图12)来连接。
如图12所示，上侧接触层109、上侧包覆层110、活性层111、下侧包覆层112以及下侧接触层113层叠，其侧斜面由层间绝缘膜105及热传导层及连接线408覆盖，作为薄膜LED402在塑料基板100上层叠。
热传导层及连接线408是从表面侧开始将薄膜LED402整体覆盖的薄膜金属层。薄膜金属层可以由正极或负极的冗余模式形成，也可由两个电极完全分离的模式形成。另外，该薄膜金属层可由周知的蒸发法、或飞溅法形成，在形成正极或负极时可以同时形成。考虑到该薄膜金属层的放热特性，其热传导率最好在50W/mK以上。
通过使用上述形态改善薄膜LED402表面的放热特性，无需像实施方式一至实施方式三所载的薄膜LED402的元件结构那样在薄膜LED402和塑料基板100之间设置放热层，即可改善其放热特性。另外，如实施方式一至实施方式三所述，在薄膜LED402与塑料基板100之间设置复合的放热层，可以获得放热特性更加有效的元件结构。
本实施方式所述的在塑料基板100上形成的薄膜LED402也与实施方式一至实施方式三中的元件相同，在向负极、正极连线 间以顺偏压方向注入电流时，薄膜LED402发光。另外，由于LED薄膜(薄膜LED402)可薄化至5μm以下，因此柔韧性极强，形成在塑料基板上时也可以作为确保高品质、高可靠性的发光元件活动。
通过本实施方式，薄膜LED402在动作时产生的热量，可通过设置在元件表面侧的热传导层及连接线408有效释放。另外，热传导层及连接线408可作为正极或负极的冗余模式，而且可以形成两电极分离的模式。因此，在形成正极或负极时，可以获得同时形成的效果。另外，与实施方式一、实施方式二及实施方式三不同，由于热传导层及连接线408形成于薄膜LED402的元件表面，选用材料时可以不必考虑与塑料基板100的接合强度。而且，通过与实施方式一、实施方式二及实施方式三所载形态的复合使用，可以获得进一步改善放热特性的效果。
以下对本实施方式的扩展方式进行说明。
图13为实施方式四的显示装置的截面放大图(之二)。
实施方式四的显示装置4，是在实施方式三的显示装置3的薄膜LED102(图8)元件表面侧层叠了热传导层及连接线408，而在本扩展方式中，是在实施方式一的显示装置1的薄膜LED102(图3)元件表面侧层叠了热传导层415。这时，可以获得与实施方式四相同的效果。
实施方式五
图14为实施方式五的显示装置的整体结构平面图。
如图所示，实施方式五的显示装置5有多个作为半导体薄膜元件的薄膜LED502层叠在塑料基板100上，之后层叠有贯穿整 个显示装置5的钝化(passivation)膜503(后述)及热传导层501。以下仅对与实施方式一至实施方式四不同的部分进行说明，与实施方式一至实施方式四相同的部分则标记与实施方式一至实施方式四相同，并省略说明。
图15为实施方式五的显示装置的截面放大图。
如图所示，上侧接触层109、上侧包覆层110、活性层111、下侧包覆层112以及下侧接触层113层叠，其侧斜面由层间绝缘膜105及钝化膜503及热传导层501覆盖的薄膜LED502层叠在塑料基板100上。
钝化膜503是由透明氧化膜或透明氮化膜在元件表面形成的绝缘层。该膜上层使用高热传导率的热传导层501，必需尽可能提高该膜对热传导层501的热传导使之不被阻断。因此，该钝化膜503的膜厚最好在500nm以上。另外，该氧化膜及氮化膜可由周知的等离子CVD法或飞溅法形成。
热传导层501是层叠在钝化膜503之上的高热传导率膜。可以为ITO、ZnO2、In2O3等透明导电膜，或具有导电性的有机化合物材料。或由Au、Al等金属材料成膜在10nm以下。这些膜可由公知的飞溅法、蒸发法、旋转涂层法、狭缝涂层法、在溶液中浸渍涂导法以及喷雾涂层法形成。
本实施方式中的塑料基板100上形成的薄膜LED502也与实施方式一至实施方式四中的元件相同，在向负极、正极连线间以顺偏压方向注入电流时，薄膜LED502发光。另外，与实施方式一相同，由于LED薄膜(薄膜LED502)可薄化至5μm以下，因此柔韧性极强，形成在塑料基板100上时也可以作为确保高品 质、高可靠性的发光元件活动。
在本实施方式的元件结构中，由于设置了覆盖整个元件表面的放热层，薄膜LED502在动作时产生的热量可以通过具有高热传导率的层(热传导层501)进行放热。另外，通过复合使用与实施方式一至实施方式四提出的元件结构，可以进一步由薄膜LED502的表面侧及内面侧有效放热。
综上所述，根据本实施方式，薄膜LED动作时产生的热量，可以通过设置在元件表面的具有高热传导率的热传导层501进行放热，因此可以获得提高放热效率的效果。另外，根据本实施方式，将热传导层501介于钝化膜503形成在薄膜LED502上，形成时无需制作布线图案即可覆盖薄膜LED502的元件整体，因此可以获得制做方法简单的效果。
产业上的应用
上述实施方式中说明，本发明适用于使用了薄膜LED的显示装置中，但本发明不局限于此。即，以可在塑料基板上层叠的半导体元件为构成要素的任何显示装置均可适用本发明。
Claims (14)
1.一种显示装置，其特征在于，具有：
塑料基板；
放热层，形成在所述塑料基板的表面上；
复数个半导体薄膜元件，设置在所述放热层上并且呈矩阵状排列，具有多个行与多个列；
多根横向配线，分别对应于所述复数个半导体薄膜元件的所述多个行；
多根纵向配线，分别对应于所述复数个半导体薄膜元件的所述多个列；以及
层间绝缘膜，介于所述纵向配线与所述横向配线之间进行层间绝缘，
其中，每一根所述横向配线与位于同一个所述列中的所述半导体薄膜元件的正极相连接，
每一根所述纵向配线与位于同一个所述行中的所述半导体薄膜元件的负极相连接，
每一个所述半导体薄膜元件由上侧接触层、上侧包覆层、活性层、下侧包覆层和下侧接触层层叠而构成，所述半导体薄膜元件的侧斜面由所述层间绝缘膜覆盖，
所述半导体薄膜元件通过所述放热层在所述塑料基板上层叠，所述下侧接触层与所述放热层之间相接合，所述上侧接触层通过连接线与所述横向配线相连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述放热层由金属层构成。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述放热层由透明导电膜构成。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：所述金属层的局部用电解镀金法被加厚。
5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的显示装置，其特征在于：所述放热层的表层为平坦膜。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：所述平坦膜使用的是有机化合物材料、氧化物材料和氮化物材料中的一种。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述半导体薄膜元件表面具有促进放热的薄膜金属层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：所述促进放热的薄膜金属层由正极或负极的冗余模式构成。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：所述促进放热的薄膜金属层从正极或负极被电气性地分离。
10.一种显示装置，其特征在于，具有：
塑料基板(100)；
第一热传导层(107)，形成在所述塑料基板的表面上；
复数个半导体薄膜元件，设置在所述第一热传导层上并且呈矩阵状排列，具有多个行与多个列；
多根横向配线，分别对应于所述复数个半导体薄膜元件的所述多个行；
多根纵向配线，分别对应于所述复数个半导体薄膜元件的所述多个列；
层间绝缘膜(105)，介于所述纵向配线与所述横向配线之间进行层间绝缘，并将所述半导体薄膜元件(402)的侧斜面覆盖；以及
第二热传导层(415)，位于所述半导体薄膜元件(402)的表面侧，与所述的层间绝缘膜(105)相接触形成在该层间绝缘膜上，
其中，每一根所述横向配线与位于同一个所述列中的所述半导体薄膜元件的正极相连接，
每一根所述纵向配线与位于同一个所述行中的所述半导体薄膜元件的负极相连接，
每一个所述薄膜半导体原件由上侧接触层(109)、上侧包覆层(110)、活性层(111)、下侧包覆层(112)以及下侧接触层(113)层叠而构成，所述半导体薄膜元件的侧斜面由所述层间绝缘膜覆盖，所述下侧接触层与所述第一热传导层之间通过氢结合的分子间力相接合，所述上侧接触层通过连接线与所述横向配线相连接，
所述层间绝缘膜与所述上侧接触层(109)相接触，
所述第二热传导层(415)与所述下侧接触层(113)相互电连接，且与所述上侧接触层(109)相绝缘。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：所述第一热传导层包含第一表面和第二表面，所述的第一表面与所述的半导体薄膜元件(402)相接触，所述的第二表面与所述的塑料基板(100)相接触。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：
所述的下侧接触层(113)具有延伸部，该延伸部超出被所述活性层(111)覆盖的范围，且沿所述的塑料基板(100)延伸，
所述的第二热传导层(415)与所述的下侧接触层(113)在所述的延伸部处相连接，
所述的第一热传导层(107)与所述的第二热传导层(415)集成。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：所述的第一热传导层(107)为金属层。
14.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：所述的第一热传导层(107)为透明导电层。
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