CN112038333A - 微型发光二极管显示阵列及其制作方法 - Google Patents
微型发光二极管显示阵列及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112038333A CN112038333A CN202010687807.2A CN202010687807A CN112038333A CN 112038333 A CN112038333 A CN 112038333A CN 202010687807 A CN202010687807 A CN 202010687807A CN 112038333 A CN112038333 A CN 112038333A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type electrode
- passivation
- display array
- fixing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 343
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 16
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 16
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 12
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本公开提供了一种微型发光二极管显示阵列及其制作方法，属于半导体技术领域。所述微型发光二极管显示阵列包括电路板、多个芯片、固定层和保护层，所述多个芯片间隔设置在所述电路板的第一表面上，每个所述芯片包括依次层叠在所述第一表面上的P型电极、空穴提供层、有源层、电子提供层和N型电极，所述固定层和所述保护层依次铺设在从各个所述芯片的电子提供层设置所述N型电极的表面铺设至所述第一表面的连续区域上，所述固定层的柔性沿从所述保护层到所述固定层的方向逐渐增大。本公开有效防止芯片受到环境中的酸性物质或者碱性物质的腐蚀，提高Micro LED显示阵列的可靠性。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种微型发光二极管显示阵列及其制作方法。
背景技术
发光二极管(英文全称：Light Emitting Diode，英文简称：LED)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，广泛地应用在日常生活中的显示、装饰、通讯和照明等领域。通过采用不同的半导体材料和结构，发光二极管能够覆盖从紫外到红外的全色范围，基本占据了室内和室外的大间距显示器市场。其中，间距是指显示器中相邻两个显示单元之间的距离，与显示器的分辨率有关。
微型发光二极管(英文简称：Micro LED)是指边长在10微米～100微米的超小型发光二极管。Micro LED的体积小，可以更密集地排列形成显示阵列而大幅提高显示器的分辨率，并且具有自发光特性，在高亮度、高对比度、快速反应和省电等方面都优于液晶显示器(英文全称：Liquid Crystal Display，英文简称：LCD)和有机发光二极管(英文全称：Organic Light-Emitting Diode，英文简称：OLED)，正在逐步受到重视。
相关技术中，Micro LED的显示阵列包括电路板和间隔设置在电路板上的多个芯片。每个芯片包括依次层叠的P型电极、空穴产生层、有源层、电子产生层和N型电极，各个芯片的P型电极键合在电路板上。另外，Micro LED的显示阵列包括二氧化硅形成的钝化保护层，钝化保护层从电子产生层未设置N型电极的区域延伸至电路板未设置芯片的区域，以防止芯片受到环境中的酸性物质或者碱性物质的腐蚀。
在实现本公开的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：
Micro LED发光的过程中会发热，导致器件的温度升高。芯片和电路板的热膨胀系数不同，芯片和电路板之间在温度升高的过程中会产生应力。二氧化硅具有脆性，在应力作用下很容易裂开，无法对芯片进行有效保护，影响显示阵列的可靠性。
发明内容
本公开实施例提供了一种微型发光二极管显示阵列及其制作方法，可以缓解芯片和电路板之间热膨胀系数不同产生的应力作用，防止保护层裂开，提高显示阵列的可靠性。所述技术方案如下：
一方面，本公开实施例提供了一种微型发光二极管显示阵列，所述微型发光二极管显示阵列包括电路板、多个芯片、固定层和保护层，所述多个芯片间隔设置在所述电路板的第一表面上，每个所述芯片包括依次层叠在所述第一表面上的P型电极、空穴提供层、有源层、电子提供层和N型电极，所述固定层和所述保护层依次铺设在从各个所述芯片的电子提供层设置所述N型电极的表面铺设至所述第一表面的连续区域上，所述固定层的柔性沿从所述保护层到所述固定层的方向逐渐增大。
可选地，所述固定层的厚度在各个所述芯片与所述电路板的交界处最大。
可选地，所述固定层为采用光照进行固化的胶体。
可选地，所述保护层包括依次层叠在所述固定层上的氧化硅层、氢氧化铝层、氮化硅层。
可选地，所述氢氧化铝层的厚度小于所述氮化硅层的厚度，所述氮化硅层的厚度小于所述氧化硅层的厚度。
另一方面，本公开实施例提供了一种微型发光二极管显示阵列的制作方法，所述制作方法包括：
提供一半导体器件，所述半导体器件包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的电子提供层、有源层、空穴提供层、P型电极；
将所述P型电极键合在电路板的第一表面上；
采用激光技术去除蓝宝石衬底；
在从所述电子提供层至所述第一表面的连续区域上铺设固定层，所述固定层的柔性沿从上到下的方向逐渐增大；
在所述固定层上铺设保护层；
在所述电子提供层上设置N型电极，形成芯片。
可选地，所述提供一半导体器件，包括：
在砷化镓衬底上依次生长电子提供层、有源层和空穴提供层；
在所述空穴提供层上形成第一钝化层，并对所述第一钝化层的表面进行粗化；
在玻璃基板上形成第二钝化层，并对所述第二钝化层的表面进行粗化；
采用第一键合胶分别连接所述第一钝化层的粗化表面和所述第二钝化层的粗化表面；
采用湿法腐蚀技术去除所述砷化镓衬底；
在所述电子提供层上形成第三钝化层，并对所述第三钝化层的表面进行粗化；
在蓝宝石衬底上形成第四钝化层，并对所述第四钝化层的表面进行粗化；
采用第二键合胶分别连接所述第三钝化层的粗化表面和所述第四钝化层的粗化表面；
依次去除所述玻璃基板、所述第二钝化层、所述第一键合胶和所述第一钝化层；
在所述空穴提供层上设置P型电极，形成所述半导体器件。
可选地，所述提供一半导体器件，还包括：
在空穴提供层上生长GaP层；
在所述GaP层上形成GaAs层；
在所述GaAs层上形成连接金属层；
在所述连接金属层上形成惰性金属层。
可选地，所述从所述电子提供层设置所述N型电极的表面至所述第一表面铺设固定层，所述固定层的柔性沿靠近所述固定层的铺设表面的方向逐渐增大，包括：
从所述电子提供层设置所述N型电极的表面至所述第一表面铺设胶体；
采用光照所述胶体进行固化，形成所述固定层。
可选地，所述在所述固定层上铺设保护层，包括：
在所述固定层上依次铺设氧化硅层、氢氧化铝层和氮化硅层，形成保护层。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在从各个芯片的电子提供层设置N型电极的表面至电路板设置多个芯片的表面的连续区域上先铺设固定层再铺设保护层，固定层远离保护层部分的柔性较大，可以缓冲芯片和电路板之间热膨胀系数不同产生的应力作用，有效防止保护层在应力作用下裂开，而且固定层靠近保护层部分的柔性较小，有利于保护层的铺设，进而将芯片与环境中的酸性物质或者碱性物质进行较好的隔离，提高Micro LED显示阵列的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种微型发光二极管显示阵列的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的保护层的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的一种微型发光二极管显示阵列的制作方法的流程图；
图4是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图5是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图6是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图7是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图8是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图9是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图10是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图11是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图12是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图13是本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图；
图14是本公开实施例提供的显示阵列在步骤202执行之后的结构示意图；
图15是本公开实施例提供的显示阵列在步骤203执行之后的结构示意图；
图16是本公开实施例提供的显示阵列在步骤204执行之后的结构示意图；
图17是本公开实施例提供的显示阵列在步骤205执行之后的结构示意图；
图18是本公开实施例提供的显示阵列在步骤206执行之后的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
本公开实施例提供了一种微型发光二极管显示阵列。图1为本公开实施例提供的一种微型发光二极管显示阵列的结构示意图。参见图1，该微型发光二极管显示阵列包括电路板10、多个芯片20、固定层30和保护层40，多个芯片20间隔设置在电路板10的第一表面上，每个芯片20包括依次层叠在第一表面上的P型电极21、空穴提供层22、有源层23、电子提供层24和N型电极25，固定层30和保护层40依次铺设在从各个芯片20的电子提供层24设置N型电极25的表面铺设至第一表面的连续区域上，固定层30的柔性沿从保护层40到固定层30的方向逐渐增大。
本公开实施例通过在从各个芯片的电子提供层设置N型电极的表面至电路板设置多个芯片的表面的连续区域上先铺设固定层再铺设保护层，固定层远离保护层部分的柔性较大，可以缓冲芯片和电路板之间热膨胀系数不同产生的应力作用，有效防止保护层在应力作用下裂开，而且固定层靠近保护层部分的柔性较小，有利于保护层的铺设，进而将芯片与环境中的酸性物质或者碱性物质进行较好的隔离，提高Micro LED显示阵列的可靠性。
可选地，如图1所示，固定层30的厚度可以在各个芯片20与电路板10的交界处最大。
在本公开实施例中，固定层30的厚度为固定层30在设置表面的垂直方向上的长度。由于固定层30的设置表面不是平面，因此固定层30在设置表面上各处的厚度为固定层30在设置表面上各处切平面的垂直方向上的长度。如图1所示，固定层30在各处的厚度不同，固定层30在各个芯片20与电路板10的交界处的厚度既大于固定层30在各个芯片20处的厚度，也大于固定层30在电路板10处的厚度，即固定层30的厚度可以在各个芯片20与电路板10的交界处最大。
芯片与电路板交界处的固定层厚度最大，固定层与交界处接触部分的柔性最大，可以有效缓冲芯片和电路板之间热膨胀系数不同产生的应力作用。
可选地，固定层30可以为采用光照进行固化的胶体。
一方面胶体具有粘性，固定层铺设在从芯片至电路板的连续区域上，有利于将芯片固定在电路板上；另一方面，胶体采用光照进行固化，固定层远离铺设表面部分的光照多于固定层靠近铺设表面部分，固定层远离铺设表面部分的固化程度深于固定层靠近铺设表面部分，固定层远离铺设表面部分的柔性小于固定层靠近铺设表面部分，实现固定层的柔性沿靠近铺设表面的方向逐渐增大。
在实际应用中，胶体的厚度为7μm～8μm，大于光刻胶1μm～2μm的厚度。光刻胶的光照时间较短时，光刻胶没有完全曝光，光刻胶靠近光源的表面曝光的程度会大于光刻胶远离光源的表面，显影之后呈现出倾斜的侧面。由此可见，当被光照体的厚度在1μm以上时，被光照体靠近光源部分的光照程度大于被光照体远离光源的部分。
光照胶体的时候，光线依次经过固定层远离铺设表面的部分和固定层靠近铺设表面的部分，固定层远离铺设表面部分的光照多于固定层靠近铺设表面部分，固定层远离铺设表面部分的固化程度深于固定层靠近铺设表面部分，固定层远离铺设表面部分的柔性小于固定层靠近铺设表面部分。
示例性地，胶体的材料可以为旋转涂布玻璃(英文全称：spin on glass coating，英文简称：SOG)或者聚酰亚胺(英文简称：PI)胶。
图2为本公开实施例提供的保护层的结构示意图。参见图2，可选地，保护层40包括依次层叠在固定层30上的氧化硅层41、氢氧化铝层42、氮化硅层43。
在保护层中，层叠在中间的氢氧化铝层，既能与酸性物质反应，也能与碱性物质反应，因此可以有效避免环境中的酸性物质或者碱性物质腐蚀芯片与电路板的连接处；层叠在底部的氧化硅层和层叠在顶部的氮化硅层为晶体，可以对层叠在中间的氢氧化铝层起到定形作用。
可选地，氢氧化铝层42的厚度可以小于氮化硅层43的厚度，氮化硅层43的厚度可以小于氧化硅层41的厚度。
层叠在中间的氢氧化铝层的厚度最小，有利于保护层整体的形态稳定；层叠在底部的氧化硅层的厚度最大，可以将氢氧化铝层与固定层有效隔绝。
示例性地，氧化硅层41的厚度可以为2000埃，氢氧化铝层42的厚度可以为500埃，氮化硅层43的厚度可以为1000埃。
在本实施例中，电路板10可以包括依次层叠的基板、驱动电路和导热绝缘层。其中，基板提供支撑，驱动电路提供芯片的控制电路，导热绝缘层对芯片发光产生的热量进行散热，并将驱动电路与芯片绝缘，有利于驱动电路布线。
在实际应用中，基板可以采用硅片，以便在基板上直接形成驱动电路；基板也可以采用碳化硅片或者陶瓷片，此时基板上可以制作硅、砷化镓等材料，以便形成驱动电路。驱动电路可以采用金属氧化物半导体场效应晶体管(英文：Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，简称：MOS管)形成。
在本实施例的一种实现方式中，电子产生层可以为掺杂Si的AlGaInP层。有源层可以由交替层叠的AlGaInP量子阱和AlGaInP量子垒组成，AlGaInP量子阱中Al组分的含量与AlGaInP量子垒中Al组分的含量不同，AlGaInP量子阱和AlGaInP量子垒的数量都可以为5个。空穴产生层可以为掺杂Mg的AlGaInP层。空穴产生层上可以设置GaP层，以便与P型电极形成良好的欧姆接触。
在本实施例的另一种实现方式中，电子产生层可以为掺杂Si的GaN层。有源层可以由交替层叠的InGaN量子阱和GaN量子垒组成，InGaN量子阱和GaN量子垒的数量都可以为5个。空穴产生层可以为掺杂Mg的GaN层。
可选地，P型电极21和N型电极25可以采用金属材料形成。
本公开实施例提供了一种微型发光二极管显示阵列的制作方法。图3为本公开实施例提供的一种微型发光二极管显示阵列的制作方法的流程图。参见图3，该制作方法包括：
步骤201：提供一半导体器件，半导体器件包括蓝宝石衬底以及依次层叠在蓝宝石衬底上的电子提供层、有源层、空穴提供层、P型电极。
图4～图13为本公开实施例提供的半导体器件在步骤201执行过程中的结构示意图。其中，24表示电子提供层，23表示有源层，22表示空穴提供层，21表示P型电极，50表示蓝宝石衬底，51表示第一钝化层，52表示第二钝化层，53表示第三钝化层，54表示第四钝化层，55表示第一键合层，56表示第二键合层，57表示玻璃基板，58表示砷化镓衬底。
参见图4～图13，在本实施例的一种实现方式中，该步骤201可以包括：
第一步，在砷化镓衬底上依次生长电子提供层、有源层和空穴提供层，如图4所示；
第二步，在空穴提供层上形成第一钝化层，并对第一钝化层的表面进行粗化，如图5所示；
第三步，在玻璃基板上形成第二钝化层，并对第二钝化层的表面进行粗化，如图6所示；
第四步，采用第一键合胶分别连接第一钝化层的粗化表面和第二钝化层的粗化表面，如图7所示；
第五步，采用湿法腐蚀技术去除砷化镓衬底，如图8所示；
第六步，在电子提供层上形成第三钝化层，并对第三钝化层的表面进行粗化，如图9所示；
第七步，在蓝宝石衬底上形成第四钝化层，并对第四钝化层的表面进行粗化，如图10所示；
第八步，采用第二键合胶分别连接第三钝化层的粗化表面和第四钝化层的粗化表面，如图11所示；
第九步，依次去除玻璃基板、第二钝化层、第一键合胶和第一钝化层，如图12所示；
第十步，在空穴提供层上设置P型电极，形成半导体器件，如图13所示。
通过增设具有粗化表面的钝化层，增强与键合胶之间的粘附力，避免在衬底转移过程中出现脱落的问题。
在本实施例中，第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层和第四钝化层分别表示设置在不同表面上的钝化层，第一键合胶和第二键合胶分别表示连接不同钝化层的键合胶。
示例性地，第一钝化层的材料、第二钝化层的材料、第三钝化层的材料和第四钝化层的材料可以为氮氧化硅、氧化硅、氮化硅和氧化钛中的一种，第一钝化层的厚度、第二钝化层的厚度、第三钝化层的厚度和第四钝化层的厚度可以为1微米。与氮化硅层的设置表面相比，氮氧化硅与键合胶的粘附性较好，可以增强粘结的牢固性，进一步避免衬底转移过程中出现脱落的问题。
示例性地，第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层和第四钝化层可以采用化学气相沉积(英文全称：Chemical Vapor Deposition，英文简称：CVD)技术形成，第一钝化层的表面、第二钝化层的表面、第三钝化层的表面和第四钝化层的表面可以采用硫酸和碘酸的混合溶液进行粗化，混合溶液的温度可以为60℃，粗化的时间可以为10分钟，粗化的深度可以为0.3微米。
在实际应用中，电子提供层、有源层和空穴提供层可以采用金属有机化合物化学气相沉淀(英文全称：Metal-organic Chemical Vapor Deposition，英文简称：MOCVD)技术生长。示例性地，电子提供层的材料可以采用掺杂硅的AlInGaP，有源层的材料可以采用未掺杂的AlInGaP，空穴提供层的材料可以采用掺杂镁的AlInGaP。
键合胶分别连接两个钝化层的粗化表面时，可以先在连个钝化层的粗化表面上铺设旋涂键合胶并进行烘烤，再将两个钝化层的粗化表面上的键合胶贴合在一起并在真空环境中进行加热和施压，实现键合。示例性地，旋涂的转速可以为3000rpm，烘烤的温度可以为150℃，加热的温度可以为200℃，施压的大小可以为10个大气压，施压的时间可以为5分钟。第一键合胶的材料和第二键合胶的材料可以采用SU-8、PI和苯并环丁烯(英文简称：BCB)中的一种，第一键合胶的的厚度和第二键合胶的厚度可以为2微米。
玻璃基板的厚度可以为600微米，以起到支撑作用。砷化镓衬底可以采用氨水溶液腐蚀去除，腐蚀的温度可以小于50℃。玻璃基板可以采用含氟溶液腐蚀去除。键合胶可以采用干法刻蚀技术去除。
可选地，该步骤201还可以包括：
在空穴提供层上生长GaP层；
在GaP层上形成GaAs层；
在GaAs层上形成连接金属层；
在连接金属层上形成惰性金属层。
GaP层可以与P型电极之间形成良好的欧姆接触，连接金属层将GaAs层和惰性金属层连接在一起，在湿法腐蚀砷化镓衬底的过程中对GaP层进行有效保护。
在实际应用中，GaP层和GaAs层可以采用MOCVD技术生长，连接金属层和惰性金属层可以采用物理气相沉积(英文全称：Physical Vapor Deposition，英文简称：PVD)技术形成。
相应地，在惰性金属层上形成第一钝化层。在去除第一钝化层时，一并去除GaAs层、连接金属层和惰性金属层。其中，GaAs层可以采用湿法腐蚀技术去除，连接金属层和惰性金属层可以采用硝酸溶液去除。
示例性地，GaAs层的厚度可以为2000埃，GaAs层的生长温度可以为800℃。连接金属层的材料可以采用Ni、Ti和Cr中的一种，连接金属层的厚度可以为500埃；惰性金属层的材料可以采用Pt、Au和Cu中的一种，惰性金属层的厚度可以为3000埃。
在本实施例的另一种实现方式中，该步骤201可以包括：
在蓝宝石衬底上依次生长电子产生层、有源层和空穴提供层。
在实际应用中，电子提供层、有源层和空穴提供层可以采用MOCVD技术生长。示例性地，电子提供层的材料可以采用掺杂硅的GaN，有源层的材料可以采用未掺杂的InGaN和未掺杂的GaN交替层叠，空穴提供层的材料可以采用掺杂镁的GaN。
可选地，该步骤201还可以包括：
在空穴提供层上生长透明导电薄膜。
相应地，在透明导电薄膜上设置P型电极。
示例性地，透明导电薄膜的材料可以采用氧化铟锡(英文简称：ITO)。
步骤202：将P型电极键合在电路板的第一表面上。
图14为本公开实施例提供的显示阵列在步骤202执行之后的结构示意图。其中，10表示电路板。参见图14，P型电极21键合在电路板10上。
可选地，电路板可以包括依次层叠的基板、驱动电路和绝缘层。其中，基板提供支撑，驱动电路提供芯片的控制电路，导热绝缘层对芯片发光产生的热量进行散热，并将驱动电路与芯片绝缘，有利于驱动电路布线。
示例性地，基板可以采用硅片，以便在基板上直接形成驱动电路；基板也可以采用碳化硅片或者陶瓷片，此时基板上可以制作硅、砷化镓等材料，以便形成驱动电路。驱动电路可以采用金属氧化物半导体场效应晶体管(英文：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称：MOS管)形成；导热绝缘层的材料可以采用SOG。
可选地，该步骤202可以包括：
在基板上形成驱动电路；
在驱动电路和基板上未形成驱动电路的区域铺设SOG，形成导热绝缘层；
图形化导热绝缘层，在导热绝缘层内形成延伸至驱动电路的通孔；
在通孔内填充金锡材料；
加热导热绝缘层，将P型电极键合在电路板的第一表面上。
在实际应用中，驱动电路上可以设有金属垫，以便实现驱动电路与P型电极之间的电连接，同时可以避免电连接的过程中损伤驱动电路。可选地，金属垫的厚度可以为3微米以上，以有效保护驱动电路。
步骤203：采用激光技术去除蓝宝石衬底。
图15为本公开实施例提供的显示阵列在步骤203执行之后的结构示意图。参见图15，蓝宝石衬底50已去除。
与湿法腐蚀技术相比，采用激光技术去除蓝宝石衬底，可以有效避免对电路板造成损坏。
步骤204：在从电子提供层至第一表面的连续区域上铺设固定层，固定层的柔性沿从上到下的方向逐渐增大。
在本实施例中，从上到下的方向是指从固定层铺设保护层的表面到固定层的铺设表面的方向。
图16为本公开实施例提供的显示阵列在步骤204执行之后的结构示意图。其中，30表示固定层。参见图16，固定层30铺设在从电子提供层24至第一表面的连续区域上。
可选地，该步骤204可以包括：
从电子提供层设置N型电极的表面至第一表面铺设胶体；
采用光照胶体进行固化，形成固定层。
示例性地，光照可以为灯管照射。
步骤205：在固定层上铺设保护层。
图17为本公开实施例提供的显示阵列在步骤205执行之后的结构示意图。其中，40表示保护层。参见图17，保护层40铺设在固定层30上。
可选地，该步骤205可以包括：
在固定层上依次铺设氧化硅层、氢氧化铝层和氮化硅层，形成保护层。
在实际应用中，氧化硅层和氮化硅层可以采用PVD技术形成；形成氢氧化铝层时，可以先采用PVD技术铺设氧化铝层，再采用氢气的等离子体化对氧化铝层进行处理，形成氢氧化铝层。
在本实施例中，固定层和保护层形成之后，会利用光刻技术开设延伸至电子提供层的通孔，以设置N型电极。
步骤206：在电子提供层上设置N型电极，形成芯片。
图18为本公开实施例提供的显示阵列在步骤206执行之后的结构示意图。其中，25表示N型电极，20表示芯片。参见图18，N型电极25设置在电子提供层24上。
在实际应用中，可以采用PVD技术设置N型电极。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种微型发光二极管显示阵列，其特征在于，所述微型发光二极管显示阵列包括电路板(10)、多个芯片(20)、固定层(30)和保护层(40)，所述多个芯片(20)间隔设置在所述电路板(10)的第一表面上，每个所述芯片(20)包括依次层叠在所述第一表面上的P型电极(21)、空穴提供层(22)、有源层(23)、电子提供层(24)和N型电极(25)，所述固定层(30)和所述保护层(40)依次铺设在从各个所述芯片(20)的电子提供层(24)设置所述N型电极(25)的表面至所述第一表面的连续区域上，所述固定层(30)的柔性沿从所述保护层(40)到所述固定层(30)的方向逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示阵列，其特征在于，所述固定层(30)的厚度在各个所述芯片(20)与所述电路板(10)的交界处最大。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示阵列，其特征在于，所述固定层(30)为采用光照进行固化的胶体。
4.根据权利要求1～3任一项所述的微型发光二极管显示阵列，其特征在于，所述保护层(40)包括依次层叠在所述固定层(30)上的氧化硅层(41)、氢氧化铝层(42)、氮化硅层(43)。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管显示阵列，其特征在于，所述氢氧化铝层(42)的厚度小于所述氮化硅层(43)的厚度，所述氮化硅层(43)的厚度小于所述氧化硅层(41)的厚度。
6.一种微型发光二极管显示阵列的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一半导体器件，所述半导体器件包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的电子提供层、有源层、空穴提供层、P型电极；
将所述P型电极键合在电路板的第一表面上；
采用激光技术去除蓝宝石衬底；
在从所述电子提供层至所述第一表面的连续区域上铺设固定层，所述固定层的柔性沿从上到下的方向逐渐增大；
在所述固定层上铺设保护层；
在所述电子提供层上设置N型电极，形成芯片。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述提供一半导体器件，包括：
在砷化镓衬底上依次生长电子提供层、有源层和空穴提供层；
在所述空穴提供层上形成第一钝化层，并对所述第一钝化层的表面进行粗化；
在玻璃基板上形成第二钝化层，并对所述第二钝化层的表面进行粗化；
采用第一键合胶分别连接所述第一钝化层的粗化表面和所述第二钝化层的粗化表面；
采用湿法腐蚀技术去除所述砷化镓衬底；
在所述电子提供层上形成第三钝化层，并对所述第三钝化层的表面进行粗化；
在蓝宝石衬底上形成第四钝化层，并对所述第四钝化层的表面进行粗化；
采用第二键合胶分别连接所述第三钝化层的粗化表面和所述第四钝化层的粗化表面；
依次去除所述玻璃基板、所述第二钝化层、所述第一键合胶和所述第一钝化层；
在所述空穴提供层上设置P型电极，形成所述半导体器件。
8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述提供一半导体器件，还包括：
在空穴提供层上生长GaP层；
在所述GaP层上形成GaAs层；
在所述GaAs层上形成连接金属层；
在所述连接金属层上形成惰性金属层。
9.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述从所述电子提供层设置所述N型电极的表面至所述第一表面铺设固定层，所述固定层的柔性沿靠近所述固定层的铺设表面的方向逐渐增大，包括：
从所述电子提供层设置所述N型电极的表面至所述第一表面铺设胶体；
采用光照所述胶体进行固化，形成所述固定层。
10.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述固定层上铺设保护层，包括：
在所述固定层上依次铺设氧化硅层、氢氧化铝层和氮化硅层，形成保护层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010687807.2A CN112038333B (zh) | 2020-07-16 | 2020-07-16 | 微型发光二极管显示阵列及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010687807.2A CN112038333B (zh) | 2020-07-16 | 2020-07-16 | 微型发光二极管显示阵列及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112038333A true CN112038333A (zh) | 2020-12-04 |
| CN112038333B CN112038333B (zh) | 2022-08-12 |
Family
ID=73579584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010687807.2A Active CN112038333B (zh) | 2020-07-16 | 2020-07-16 | 微型发光二极管显示阵列及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112038333B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113594266A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-11-02 | 苏州鼎芯光电科技有限公司 | 一种半导体光电芯片的保护层及其半导体的制备工艺 |
| CN114038841A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背板、背光模组、显示装置 |
| CN114256389A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-29 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种高密度微led阵列及其制作方法与应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282237A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子及びその製造装置及び電子デバイス |
| CN106848092A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-06-13 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 有机发光二极管装置及其制作方法 |
| US20180261583A1 (en) * | 2017-03-12 | 2018-09-13 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| CN110993758A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-04-10 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 微型发光二极管的显示阵列及其制作方法 |
| CN210607304U (zh) * | 2019-08-05 | 2020-05-22 | 厦门三安光电有限公司 | 一种倒装发光二极管及其显示屏 |
-
2020
- 2020-07-16 CN CN202010687807.2A patent/CN112038333B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282237A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子及びその製造装置及び電子デバイス |
| CN106848092A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-06-13 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 有机发光二极管装置及其制作方法 |
| US20180261583A1 (en) * | 2017-03-12 | 2018-09-13 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| CN210607304U (zh) * | 2019-08-05 | 2020-05-22 | 厦门三安光电有限公司 | 一种倒装发光二极管及其显示屏 |
| CN110993758A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-04-10 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 微型发光二极管的显示阵列及其制作方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113594266A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-11-02 | 苏州鼎芯光电科技有限公司 | 一种半导体光电芯片的保护层及其半导体的制备工艺 |
| CN113594266B (zh) * | 2021-07-15 | 2024-01-02 | 苏州鼎芯光电科技有限公司 | 一种半导体光电芯片的保护层及其半导体的制备工艺 |
| CN114038841A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背板、背光模组、显示装置 |
| CN114256389A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-29 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种高密度微led阵列及其制作方法与应用 |
| CN114256389B (zh) * | 2021-12-13 | 2024-05-17 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种高密度微led阵列及其制作方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112038333B (zh) | 2022-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112038333B (zh) | 微型发光二极管显示阵列及其制作方法 | |
| US20230317703A1 (en) | Direct-bonded led arrays and drivers | |
| TWI538265B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
| US8344353B2 (en) | Light emitting diode having a transparent substrate | |
| TWI412153B (zh) | 發光二極體及其製造方法 | |
| US9362456B2 (en) | Optoelectronic semiconductor device | |
| KR20130092595A (ko) | 비대칭 전도체들을 이용한 led-기반 광원 | |
| US20150115295A1 (en) | Flip-Chip Light Emitting Diode and Fabrication Method | |
| CN105702832A (zh) | 用于发光器件的载体 | |
| CN110993758B (zh) | 微型发光二极管的显示阵列及其制作方法 | |
| TWI302038B (en) | Light emitting diode having an adhesive layer and heat paths | |
| KR20120042699A (ko) | 수직형 발광 다이오드 셀 어레이 및 그의 제조 방법 | |
| US10535797B2 (en) | Light emitting diode apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR100699056B1 (ko) | 복수의 발광셀을 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| US9530933B2 (en) | GaN base light-emitting diode and manufacturing method therefor using mechanical post-processing | |
| Lee et al. | Thin-film-flip-chip LEDs grown on Si substrate using wafer-level chip-scale package | |
| KR100675268B1 (ko) | 다수의 발광 셀이 어레이된 플립칩 구조의 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| CN111180478B (zh) | 微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法 | |
| KR100683446B1 (ko) | 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법 | |
| TWI238548B (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
| Zou et al. | Fabrication and characterization of high-voltage LEDs using photoresist-filled-trench technique | |
| CN101635324A (zh) | 发光元件及其制造方法 | |
| CN111180379B (zh) | 微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法 | |
| CN116469907B (zh) | 发光面板及其制作方法 | |
| KR102073791B1 (ko) | 가요성 전자 소자 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |