CN101256326A - 一种易于测量tft特性的阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种易于测量TFT特性的阵列基板，包括扫描线、数据线、绝缘层、像素电极以及封框胶，在阵列基板显示区的四个角各设置有一个附加像素电极，并且分别设置有与之相对应连接的两根附加扫描线和两根附加数据线，在像素电极的一侧还设置有附加测量配线，附加像素电极向附加测量配线的一侧设置有连接凸块，该连接凸块部分与所述附加测量配线重叠；所有6根附加配线都设置有与之电连接的伸出于封框胶之外的测量块。使用该阵列基板可以在不拆解面板的前提下，直接用探针通过与附加配线电接触的ITO测量块直接对面板显示区四角的附加像素的TFT特性进行测量，可以给与合适的背光源照射并保留液晶盒的存在从而提高测量结果的可信度。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示设备，尤其涉及一种TFT阵列基板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是利用施加在液晶分子上电场强度的变化，改变液晶分子的取向控制透过光的强弱来显示图像。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须有背光模块、偏光片、TFT(薄膜晶体管)下基板和CF(彩色滤光板)上基板以及由两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。TFT基板上有大量的像素电极，像素电极上的电压大小及通断由与横向扫描信号线相连接的栅极、与纵向驱动信号线连接的源极信号控制。CF上基板上的ITO公共电极与下基板上的ITO像素电极之间的电场强度变化控制着液晶分子的取向。TFT基板上与扫描信号线平行并处于同一层的存储电容公共线和ITO像素电极之间形成的存储电容用来维持下一个信号来临前液晶分子的状态。
在TFT基板的制造过程中，工艺上的任何稍微偏差都可能对显示面板造成缺陷，或者是膜厚的均匀性、或者是像素TFT特性上的变异，影响液晶显示的画面质量，当出现问题的时候往往需要对各项信号进行测量，特别对于TFT特性来说，因为在面板上显示区分布，各部分特性由于膜厚偏差可能有所差别，需要对其进行各位置的测量来协助判断问题发生的原因。同时，对面板作分析判断时，还要保证面板完好无损，故对TFT特性的测量不能建立在破坏面板的基础上，并且要可以借由测量信号判断各种不同位置或同一位置不同面板的TFT特性，并以此判断面板设计的部分特性。
现有的面板通常对TFT特性测量需要对面板进行解析处理，即拆开面板的一部分来进行，并将面板切开来测量，工序较为繁杂，测量结果由于缺失了液晶盒以及合适的背光源照射而不够准确，并且容易造成液晶污染，测量完毕后的面板也不能再进行组装使用，只能废弃，从而增加了工厂方面的耗损率，增加了成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种具有特别的周边附加像素设计的液晶显示用TFT阵列基板，可以不需要拆解面板就能完成对TFT特性的测量，而不影响阵列基板的内部完整性。
为解决上述技术问题本发明的易于测量TFT特性的阵列基板包括扫描线、数据线、绝缘层、像素电极以及封框胶，在阵列基板显示区的四个角各设置有一个附加像素电极，并且在显示区域四周边缘分别设置有与之相对应连接的两根附加(Dummy)扫描线和两根附加(Dummy)数据线，在附加像素电极的一侧，在数据线层与数据线相平行地设置有另外两根附加测量配线，所述的附加像素电极向附加测量配线的一侧设置有连接凸块，该连接凸块部分与所述附加测量配线重叠；所有六根附加配线(包括上述两根附加扫描线、两根附加数据线、两根附加测量配线)都设置有与之电连接的伸出于封框胶之外的ITO测量块。
所述的附加测量配线最好设置于附加像素电极的外侧。
所述的ITO测量块为像素电极层的导电片，其内端通过接触孔与附加配线电连接，其外端伸出封框胶外形成裸露的测量端。
另一方式可以为：所述的附加配线延伸到封框胶之外的区域，在封框胶之外的区域像素电极层设置有ITO测量块，ITO测量块与附加配线电连接。
进一步的所述的附加配线封框胶之外区域上层的绝缘层刻蚀有测量块缺口，缺口内设置有与附加配线直接电连接的ITO测量块。
基于上述结构的具有特别的周边附加像素设计的阵列基板，可以在不拆解面板，在不损坏面板和封框胶的前提下，直接用探针通过与附加配线电接触的ITO测量块直接对面板显示区四角的附加像素的TFT特性进行测量，可以给与合适的背光源照射并保留液晶盒的存在从而提高测量结果的可信度，而且这样的设计不会影响到面板的电路特性或者生产过程中对位检查等工序。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1是本发明阵列基板附加像素设计的结构示意图；
图2是附加像素电极与附加测量配线搭接在一起的示意图；
图3是ITO测量块与附加配线直接电接触的结构示意图(一)；
图4是ITO测量块与附加配线直接电接触的结构示意图(二)，即图3中A-A剖面图。
图中：1.扫描线 2.数据线 3.像素电极
4.封框胶 5.显示区 6.ITO测量块
7.绝缘层、钝化层 100.附加配线的外延端块
101.附加扫描线 102.附加数据线
103.附加像素电极 202.附加测量配线
601.测量端 1032.连接凸块
具体实施方式
图1示出了本发明的易于测量TFT特性的阵列基板，包括扫描线1、数据线2、绝缘层、像素电极3以及封框胶4，在阵列基板显示区5的四个角各设置有一个附加像素电极103，并且在显示区域四周边缘分别设置有与之相对应连接的两根附加扫描线101和两根附加数据线102，
在附加像素电极103的外侧，在数据线层与数据线2相平行地设置有另外两根附加测量配线202，即左侧的附加测量配线202设置于附加数据线102的左侧，右侧的附加测量配线202设置于附加像素电极103的右侧，所述的附加像素电极103向附加测量配线的一侧设置有连接凸块1032，该连接凸块1032部分与所述附加测量配线202重叠；
所有六根附加配线都设置有与之电连接的伸出于封框胶4之外的ITO测量块6，所述的ITO测量块为设置ITO像素电极层时设置的ITO导电片，其内端通过接触孔与附加配线电连接，其外端伸出封框胶4之外形成1mm×1mm的裸露测量端601。
同样如图3、4所示作为另外一种实施方式，所述的附加配线可以设置成延伸到封框胶之外的区域，形成附加配线的外延端块100，同时在封框胶4之外的区域，配线层上层的绝缘层、钝化层7刻蚀有1mm×1mm测量块缺口，缺口内设置有与附加配线直接电连接的ITO测量块6。
测量时，用激光将测量的附加像素的像素电极103与附加测量配线熔接在一起(如图2所示)，然后轻轻刮去相应的ITO测量块6的测量端601表面的配向膜，用探针压在测量端601上测量读数。附加像素电极103通过附加扫描线101和附加数据线102给其充电，通过附加测量配线202和测量块6导通信号完成对TFT的特性测量。
Claims (5)
1.一种易于测量TFT特性的阵列基板，包括扫描线、数据线、绝缘层、像素电极以及封框胶，其特征在于：
在阵列基板显示区的四个角各设置有一个附加像素电极，并且在显示区域四周边缘分别设置有与之相对应连接的两根附加扫描线和两根附加数据线，
在附加像素电极的一侧，在数据线层与数据线相平行地设置有另外两根附加测量配线，所述的附加像素电极向附加测量配线的一侧设置有连接凸块，该连接凸块部分与所述附加测量配线重叠；
所有六根附加配线都设置有与之电连接的伸出于封框胶之外的ITO测量块。
2.根据权利要求1所述的易于测量TFT特性的阵列基板，其特征在于：所述的附加测量配线设置于附加像素电极的外侧。
3.根据权利要求1所述的易于测量TFT特性的阵列基板，其特征在于：所述的ITO测量块为像素电极层的导电片，其内端通过接触孔与附加配线电连接，其外端伸出封框胶外形成裸露的测量端。
4.根据权利要求1所述的易于测量TFT特性的阵列基板，其特征在于：所述的附加配线延伸到封框胶之外的区域，在封框胶之外的区域像素电极层设置有ITO测量块，ITO测量块与附加配线电连接。
5.根据权利要求4所述的易于测量TFT特性的阵列基板，其特征在于：所述的附加配线封框胶之外区域上层的绝缘层刻蚀有测量块缺口，缺口内设置有与附加配线直接电连接的ITO测量块。
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|---|---|---|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103576401A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| US9488855B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-11-08 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate, method for fabricating the same and display device |
| CN104076537A (zh) * | 2014-06-19 | 2014-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置及测量方法 |
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| WO2016107073A1 (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其驱动方法、显示装置 |
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