CN101252100A - 一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC衬底上先淀积隔离介质薄膜，根据设计掩膜对隔离介质薄膜进行选择性刻蚀，去掉介质膜露出衬底表面的区域即窗口区为器件的有源区，有源区以外保留隔离介质薄膜。然后采用MOCVD技术继续进行GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构生长，只在窗口区生长出AlGaN/GaN异质结构，介质薄膜区表面只有GaN和AlGaN多晶颗粒，这样就形成了有源区绝缘隔离，即器件隔离和材料生长是同时完成的。本发明可用于制作高性能的异质结构器件和大功率器件等。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，涉及半导体材料和器件制作工艺技术，具体地说是一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，可用于制作高性能的异质结构器件和大功率器件等。
背景技术
近年来，GaN基半导体因其宽禁带、高临界击穿场强、高载流子饱和速率、高热导率和高化学稳定性等优越物化性质而倍受关注。在GaN基半导体材料体系中，AlGaN/GaN异质结构材料不仅具有上述优越物化性质，特别是因为强极化效应的存在，在该异质结构中形成了高迁移率和高面密度的二维电子气，使得该异质结构材料具有极其出色的电学性质，非常适合于制造高性能的微波大功率HEMT器件。AlGaN/GaN HEMT微波大功率器件在雷达、通信、高温和抗辐射等应用系统和领域具有巨大的需求前景和应用潜力。
自1993年第一只AlGaN/GaN HEMT器件问世以来，AlGaN/GaN HEMT器件得到极大的重视和广泛的研究，报道出X波段输出功率密度高于30W/mm的AlGaN/GaN HEMT器件，而且S波段单管输出功率高于150W的器件已有报道。
目前常规的AlGaN/GaN HEMT器件制造工艺流程为：①外延生长得到AlGaN/GaN异质结构材料；②器件隔离形成有源区，不同器件有源区之间实现电隔离；③淀积源漏区接触金属和快速热退火形成欧姆接触；④淀积栅电极金属形成肖特基接触栅；⑤淀积加厚电极金属；⑥淀积钝化介质膜，选择性刻蚀介质膜露出压焊点。
目前器件隔离工艺主要有两种，一是刻蚀掉不同有源区之间部分的GaN基材料，去掉二维电子气导电通道，形成台面有源区，即台面刻蚀隔离；二是对不同有源区之间的GaN基材料进行离子注入，在GaN基材料中引入大量晶格损伤抵消极化效应从而消除二维电子气沟道，即离子注入隔离。
1997年美国C.Youtsey等人对GaN材料的湿法刻蚀进行了研究，参见Yourtsey C，Adesida I，Bulman G，et al.Broad-area photoelectrochemical etching of GaN.Electron Lett，1997，33：245和Yourtsey C，Adesida I，Bulman G，et al.Highly anisotropic photenhanced wetetching of n-type GaN.Appl Phys Lett，1997，71：2151。采用汞灯源放射的紫外光照射在KOH和HCl腐蚀液中对GaN材料进行腐蚀，可以获得腐蚀速率高、各向异性、表面光滑的腐蚀效果，但是湿法腐蚀的可控性差，对材料的性能和腐蚀液的浓度非常敏感。所以采用该方法对GaN材料进行刻蚀隔离不实际。
1995年美国Pearton，S.J等人研究了干法刻蚀GaN材料，参见Pearton，S.J，Shul，R.J，McLane，G.F，Constantine，C.，et al.Dry etching of III-V nitrides.Proceedings of the 1995 MRSFall Meeting，Nov 27-Dec 1 1995。该方案是用基于Cl2/CH4/H2/Ar、BCl3/Ar、Cl2/H2、Cl2/SF6、HBr/H2和HI/H2六种等离子体在适当的直流偏置电压≤-150V的条件下对GaN材料进行刻蚀，可以获得表面光滑的各向异性的刻蚀，刻蚀速率为400nm/min。但在用干法刻蚀制造器件时，刻蚀的深度不能太大，否则会给金属爬坡带来问题，所以当GaN缓冲层比较厚时用该法就无法消除由材料绝缘性不好带来的漏电。而且传统的干法刻蚀台面导致AlGaN/GaN异质结沟道侧墙裸露，当栅金属接触覆盖侧墙时形成接触，会导致更多的栅泄漏电流，严重降低了器件击穿电压。
2004年中科院微电子中心的肖冬萍等人研究了离子注入隔离应用到GaN基器件隔离，参见：Xiao Dong ping，Liu Jian，Wei Ke，er al.Ion Implant Isolation Technology forAlGaN/GaN HEMT.[J].Chinese Journal of Semiconductors，2004，25(4)：458-462.尤其在微波单片集成电路MMIC的制作中充分体现出注入隔离的优势，因为注入隔离可以获得平坦化结构，有利于集成化时成品率的提高。但是，离子注入会对刻蚀区造成晶格损伤，而且对非刻蚀区也会造成一定的损伤，虽然有掩膜阻挡，但通常还是会在一定程度上造成AlGaN/GaN HEMT材料的损伤，引起材料电特性的退化，而且注入的离子会受温度的影响，当再经过高温退火时由离子轰击造成的晶格损伤而形成晶体内的缺陷能级会消失，从而隔离作用将消失。
综上所述，由于AlGaN和GaN材料具有极高的化学稳定性，因此在AlGaN/GaN HEMT器件制造中，器件的隔离工艺难度较大。采用刻蚀隔离时，由于湿法刻蚀很难获得合适的刻蚀速率和刻蚀选择性，因此通常采用干法刻蚀。由于AlGaN和GaN化学键能很强，只有通过较高能量的高密度等离子体刻蚀才能获得较高的刻蚀速率。采用离子注入隔离时，也需要高能量的离子注入才能实现较好的电隔离。
无论采用干法刻蚀隔离还是离子注入隔离，目前均存在一定问题，主要体现在两个方面，一是电隔离效果差，器件有源区之间漏电较大；二是隔离工艺同时在器件有源区中引入一定的材料损伤，会降低器件的电性能、稳定性和可靠性。因此，要解决这些问题，有必要寻找新的器件隔离方法。
发明内容
本发明的目的在于：为了克服已有技术干法刻蚀和离子注入刻蚀隔离所存在的问题，提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，这样就避免了等离子体和注入离子对材料的损伤，可获得更好的隔离效果。
实现本发明目的的技术方案：本发明提出的器件隔离方法是以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC衬底上，直接淀积隔离介质薄膜，根据设计掩膜对隔离介质薄膜进行选择性刻蚀，去掉介质膜，露出衬底表面的区域，即窗口区为器件的有源区，有源区以外保留隔离介质薄膜。然后采用金属有机化学气相淀积MOCVD技术继续进行GaN外延层AlGaN/GaN异质结构生长，只在窗口区生长出AlGaN/GaN异质结构，介质掩膜区表面只有GaN和AlGaN多晶颗粒，形成了电隔离。采用这种方法直接生长得到的AlGaN/GaN异质结构本身已经形成了有源区绝缘隔离。本发明的实现过程是：
(1).将Al2O3衬底或SiC衬底置于等离子体增强化学气相淀积PECVD设备中，淀积厚度为10-500nm的SiO2介质薄膜；PECVD淀积成膜射频频率为13.56MHz，功率密度为0.011W/cm2，衬底温度为350℃，反应室气压为46.55Pa；
(2).根据设计掩膜采用BOE或稀释氢氟酸溶液对上述的SiO2介质膜进行选择性刻蚀，去掉窗口区的SiO2介质膜，露出衬底表面；
(3).将上述衬底放入MOCVD反应室中；对反应室抽真空，真空度小于2×10-2Torr；向反应室通入氢气或氢气与氨气的混合气体，对衬底基片进行热处理；衬底加热温度为900-1200℃，时间为5-10min，反应室压力为20-760Torr；
(4).在热处理后的衬底上生长厚度为5-50nm的GaN成核层；生长GaN成核层的温度为400-600℃，生长压力为20-760Torr，镓源流量为1-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm；
(5).在GaN成核层上生长厚度为500-2000nm的GaN外延层；外延层的生长温度为900-1100℃，生长压力为20-760Torr，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm；
(6).在GaN外延层上生长厚度为5-50nm的AlGaN势垒层；势垒层的生长温度为900-1200℃，生长压力为20-760Torr，铝源流量为1-20μmol/min，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-5000sccm；
将窗口区作为HEMT器件的有源区进行器件制造，因选择性生长使得不同窗口区之间的AlGaN/GaN异质结构材料已形成了的电隔离，器件制造工艺不需要隔离工艺，直接进行源漏欧姆接触、栅肖特基接触、加厚电极和钝化等步骤直至器件制作完成。
本发明与现有技术相比具有如下优点：
1、本发明在AlGaN/GaN异质结构生长完成后即形成了器件有源区隔离，不需要采用干法刻蚀或离子注入工艺进行隔离，避免了刻蚀离子和注入离子对材料的损伤，从而避免了常规隔离工艺对器件的电性能、稳定性和可靠性的影响。
2、本发明的隔离效果会优于常用的台面刻蚀隔离和注入隔离。因为台面刻蚀隔离通常刻蚀深度不能太深，否则掩膜无法抵抗刻蚀离子的影响，金属爬坡也有困难。注入隔离的注入深度受到工艺的制约，如果隔离区下的外延层的厚度较大，为了有效地进行注入隔离，必须提高注入离子的能量和剂量，这样势必将造成AlGaN/GaN HEMT材料的损伤，引起材料电特性的退化，而且残留的等离子体还会影响器件的可靠性。因此台面刻蚀隔离和注入隔离都无法阻挡较厚的GaN外延层的漏电，但是本发明的选择性生长隔离使得有源区之间只有介质而没有GaN外延层，因此隔离效果更好，并且在GaN外延层较厚时，可以获得更好的电隔离效果。
附图说明
图1是采用本发明隔离方法实现的一种AlGaN/GaN HEMT器件制作流程示意图
图2是采用本发明隔离方法实现的一种两层GaN外延层的AlGaN/GaN HEMT器件结构示意图
具体实施方式
参照图1，它是利用本发明隔离方法实现的一种AlGaN/GaN HEMT器件制作流程示意图，在制作过程中，采用的材料为：外延材料是AlGaN和GaN；衬底材料是单晶蓝宝石或SiC；金属材料是Ti/Al/Ni/Au、Ni/Au；介质材料是SiO2。采用本发明隔离方法制作器件的过程如下：
1.对Al2O3衬底或SiC衬底采用PECVD设备淀积厚度约为250nm的SiO2层，PECVD淀积成膜射频频率为13.56MHz，功率密度为0.011W/cm2，衬底温度为350℃，反应室气压为46.55Pa；
2.对样品进行甩胶，转速为5000转/min，然后在温度为80℃的烘箱中烘10min，通过光刻及显影形成刻蚀所需的窗口。采用ICP干法刻蚀二氧化硅介质层，直至刻蚀到衬底，形成介质隔离。刻蚀时采用上电极功率为600W，偏压为120V，压力为1Pa，刻蚀时间为80s。采用丙酮去除刻蚀后的正胶，然后用去离子水清洗干净并用氮气吹干；
3.将上述衬底置于MOCVD的反应室中，将反应室的真空度抽至1×10-2Torr之下，在氢气与氨气的混合气体保护下对其进行热处理，加热温度为1050℃，加热时间为5min，反应室压力为40Torr，通入氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm；
4.将衬底温度降低为500℃，保持生长压力为40Torr，氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm，向反应室通入流量为30μmol/min的镓源，以生长厚度为30nm的低温GaN成核层；
5.将衬底温度升高为1000℃，保持生长压力为40Torr，氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm，增大向反应室通入镓源的流量为50μmol/min，以生长厚度为1500nm的GaN外延层；
6.将衬底温度降低为980℃，保持生长压力为40Torr，氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm，向反应室通入流量为2μmol/min的铝源和5μmol/min的镓源，以生长厚度为23nm的高温AlGaN势垒层；
7.器件的后续制作
光刻源漏：为了更好地剥离金属，首先在样品上甩黏附剂，转速为8000转/min，30s，然后在温度为160℃的高温烘箱中烘20min，再在该样品上甩胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得源漏。
打底膜：采用DQ-500等离子体去胶机去除未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率。
蒸源、漏金属：采用VPC-1100蒸发设备淀积Ti/Al/Ni/Au多层金属。
剥离金属及退火：在丙酮中浸泡20min以上后进行超声，用氮气吹干，然后将样品放入快速退火炉中进行退火：向炉内通入氮气7分钟左右，然后在850℃氮气气氛下进行30s高温退火。
光刻栅：在样品上甩黏附剂，转速为8000转/min，30s，放入温度为160℃的高温烘箱内烘20min；然后再在该样品上甩正胶，转速为5000转/min，最后在80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得栅条。
蒸栅金属：采用VPC-1100蒸发设备淀积Ni/Au两层金属，随后重复上面剥离金属及退火步骤获得栅条。
光刻加厚电极：对样品进行甩正胶，转速为5000转/min，在80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得加厚电极图形。
蒸加厚电极：采用VPC-1100蒸发设备淀积Ti/Au两层金属。
淀积钝化层，刻蚀钝化层露出压焊点。
参照图2，它是采用本发明隔离方法实现的一种两层GaN外延层的AlGaN/GaN HEMT器件结构示意图，在制作过程中，采用的材料为：外延材料是AlGaN和GaN；衬底材料是单晶蓝宝石或SiC；金属材料是Ti/Al/Ni/Au、Ni/Au；介质材料是SiO2。采用本发明隔离方法制作器件的过程如下：
1.把Al2O3衬底或SiC衬底置于MOCVD的反应室中，将反应室的真空度抽至1×10-2Torr之下，在氢气与氨气的混合气体保护下对Al2O3衬底进行热处理，加热温度为1050℃，加热时间为5min，反应室压力为40Torr，通入氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm；
2.将衬底温度降低为500℃，保持生长压力为40Torr，氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm，向反应室通入流量为30μmol/min的镓源，以生长厚度为30nm的低温GaN成核层；
3.将衬底温度升高为1000℃，保持生长压力为40Torr，氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm，增大向反应室通入镓源的流量为50μmol/min，以生长厚度为1000nm的GaN第一层外延层；
4.对上述已经生长了一层外延层的衬底采用PECVD设备淀积厚度约为250nm的SiO2层，PECVD淀积成膜射频频率为13.56MHz，功率密度为0.011W/cm2，衬底温度为350℃，反应室气压为46.55Pa；
5.对衬底进行甩胶，转速为5000转/min，然后在温度为80℃的烘箱中烘10min，通过光刻及显影形成刻蚀所需的窗口。采用ICP干法刻蚀二氧化硅介质层，直至刻蚀到衬底，形成介质隔离。刻蚀时采用上电极功率为600W，偏压为120V，压力为1Pa，刻蚀时间为80s。采用丙酮去除刻蚀后的正胶，然后用去离子水清洗干净并用氮气吹干；
6.将上述衬底置于MOCVD的反应室中，将反应室的真空度抽至1×10-2Torr之下，在氢气与氨气的混合气体保护下对其进行热处理，加热温度为1050℃，加热时间为5min，反应室压力为40Torr，通入氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm；
7.将衬底温度降低为500℃，保持生长压力为40Torr，氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm，向反应室通入流量为30μmol/min的镓源，以生长厚度为20nm的低温GaN成核层；
8.将衬底温度升高为1000℃，保持生长压力为40Torr，氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm，增大向反应室通入镓源的流量为50μmol/min，以生长厚度为500nm的GaN第二层外延层；
9.将衬底温度降低为980℃，保持生长压力为40Torr，氢气的流量为1500sccm，氨气的流量为1500sccm，向反应室通入流量为2μmol/min的铝源和5μmol/min的镓源，以生长厚度为23nm的高温AlGaN势垒层；
10.器件的后续制作
光刻源漏：为了更好地剥离金属，首先在样品上甩黏附剂，转速为8000转/min，30s，然后在温度为160℃的高温烘箱中烘20min，再在该样品上甩胶，转速为5000转/min，最后在温度为80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得源漏。
打底膜：采用DQ-500等离子体去胶机去除未显影干净的光刻胶薄层，该步骤大大提高了剥离的成品率。
蒸源、漏金属：采用VPC-1100蒸发设备淀积Ti/Al/Ni/Au多层金属。
剥离金属及退火：在丙酮中浸泡20min以上后进行超声，用氮气吹干，然后将样品放入快速退火炉中进行退火：向炉内通入氮气7分钟左右，然后在850℃氮气气氛下进行30s高温退火。
光刻栅：在样品上甩黏附剂，转速为8000转/min，30s，放入温度为160℃的高温烘箱内烘20min；然后再在该样品上甩正胶，转速为5000转/min，最后在80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得栅条。
蒸栅金属：采用VPC-1100蒸发设备淀积Ni/Au两层金属，随后重复上面剥离金属及退火步骤获得栅条。
光刻加厚电极：对样品进行甩正胶，转速为5000转/min，在80℃的高温烘箱中烘10min，光刻获得加厚电极图形。
蒸加厚电极：采用VPC-1100蒸发设备淀积Ti/Au两层金属。
淀积钝化层，刻蚀钝化层露出压焊点。
在具体实施本发明技术方案中，例如制作图2的器件时，先在衬底上外延生长了GaN外延层，然后将有了外延层的衬底，根据本发明的隔离方法，再生长出形成电隔离的AlGaN/GaN异质结构材料进行器件制作，这种在不背离本发明的原理和范围的情况下，根据本发明的方法，进行形式和细节上的各种修正和改变，仍在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (1)
1. 一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，其实现过程如下：
(1).将Al2O3衬底或SiC衬底置于等离子体增强化学气相淀积PECVD设备中淀积厚度为10-500nm的SiO2介质薄膜；PECVD淀积成膜射频频率为13.56MHz，功率密度为0.011W/cm2，衬底温度为350℃，反应室气压为46.55Pa；
(2).根据设计掩膜采用BOE或稀释氢氟酸溶液对上述的SiO2介质膜进行选择性刻蚀，去掉窗口区的SiO2介质膜，露出衬底表面；
(3).将上述衬底放入MOCVD反应室中，对反应室抽真空；MOCVD反应室的真空度小于2×10-2Torr；向反应室通入氢气或氢气与氨气的混合气体，对衬底基片进行热处理；衬底加热温度为900-1200℃，时间为5-10min，反应室压力为20-760Torr；
(4).在热处理后的衬底上生长厚度为5-50nm的GaN成核层；生长GaN成核层的温度为400-600℃，生长压力为20-760Torr，镓源流量为1-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm；
(5).在GaN成核层上生长厚度为500-2000nm的GaN外延层；外延层的生长温度为900-1100℃，生长压力为20-760Torr，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm；
(6).在GaN外延层上生长厚度为5-50nm的AlGaN势垒层；势垒层的生长温度为900-1200℃，生长压力为20-760Torr，铝源流量为1-20μmol/min，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-5000sccm；
后续的器件制造步骤不再需要隔离工艺，直接进行源漏欧姆接触、栅肖特基接触、加厚电极和钝化等步骤直至器件制作完成。
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|---|---|
| CN (1) | CN101252100B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103308560A (zh) * | 2013-06-04 | 2013-09-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种室温检测nh3的气体传感器的制作方法 |
| CN106024588A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-10-12 | 中山大学 | 一种选择区域外延生长界面改善方法 |
| CN108198747A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-06-22 | 湖南理工学院 | 一种二次外延生长制备氮化镓系材料的方法 |
| CN108281352A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-07-13 | 成都海威华芯科技有限公司 | 一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法 |
| CN110783177A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-11 | 中山大学 | 一种在蓝宝石模板上生长图形化GaN的方法及一种GaN外延片 |
| WO2022147793A1 (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-14 | 华为技术有限公司 | 半导体器件及其制作方法、终端设备 |
| CN115425128A (zh) * | 2022-10-21 | 2022-12-02 | 至善时代智能科技(北京)有限公司 | 一种紫外led外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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2008
- 2008-03-28 CN CN2008100178367A patent/CN101252100B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103308560A (zh) * | 2013-06-04 | 2013-09-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种室温检测nh3的气体传感器的制作方法 |
| CN106024588A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-10-12 | 中山大学 | 一种选择区域外延生长界面改善方法 |
| CN108198747A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-06-22 | 湖南理工学院 | 一种二次外延生长制备氮化镓系材料的方法 |
| CN108281352A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-07-13 | 成都海威华芯科技有限公司 | 一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法 |
| CN110783177A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-11 | 中山大学 | 一种在蓝宝石模板上生长图形化GaN的方法及一种GaN外延片 |
| WO2022147793A1 (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-14 | 华为技术有限公司 | 半导体器件及其制作方法、终端设备 |
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