CN101246835A - 基片支架组件 - Google Patents

Abstract

基片支架组件包括具有电极的支架块和用于在加工室中保持支架块的支臂，该支臂具有穿过其中的沟槽。该支臂具有附着到支架块的第一夹具和附着到室组件的第二夹具。盖锁包括安放在直接在第一夹具之下的支臂中的环形圆盘，用于覆盖沟槽中的电导体并将其与室环境密封。

Description

基片支架组件

技术领域

本发明实施例涉及用于在加工室中支撑基片的基片支架组件。

背景技术

在诸如例如集成电路和显示器的电子电路的制备中，将基片放置在加工室中，并将加工气体引入到该室中以加工基片。加工室一般包括围绕基片加工区域的围护壁。可以将气体激发器用于通过将RF或微波能量施加到气体而激发加工气体。将加工气体激发以蚀刻基片上各层中的特征或在基片上沉积层。

在加工室中，将基片保持在基片支架的基片接收表面上。基片支架可以具有能够被充电的电极，以便静电保持基片。还可以通过穿过支架体的电连接体将该电极充电或保持在接地电势，以将其作为气体激发器。还可以将热电偶穿过支架，以便更加精确地测量基片温度。支架还可以具有连同电连接体的加热器，以便在加工期间加热基片。因此，支架通常具有多个电导体，诸如电连接体、热电偶、及穿过其延伸的其它导电结构，以便为电极、加热器、及其它设备提供电力或者传送感应信息。

在加工期间，将激发的含卤素气体和含氧气体用于加工基片或清洗室表面。在沉积和蚀刻加工中，将含氟和含氯气体用于沉积材料或从基片蚀刻材料。还周期性地将包含诸如CF₄或NF₃的含氟气体的激发清洗气体用于从室表面去除积累的加工残渣。然而，该激发气体通常腐蚀基片支架组件并导致其失效。例如，这种气体可能侵蚀支架的外部部分，导致等离子体和支架中的导体之间的辉光放电。当这种气体侵蚀并损害支架中的电连接体之间的接点时，还可能发生电引弧。施加到用于在室中激发气体的电极的RF电势还可能导致损害或“烧伤”支架的连接体及相邻部分的辉光放电或微引弧。在某些等离子体环境中，在仅加工相对少量基片之后，基片支架组件及其导体组件的退化可能需要它们的重新装备或替换，这增加了单位基片的制备成本。

因此，需要能够抵抗侵蚀性等离子体环境的基片支架组件。需要具有减小的电引弧或辉光放电的基片支架。同样，需要允许加工大量基片而不频繁替换或维修的基片支架。还需要能够容易地刷新或清洗基片支架及其组件。

发明内容

提供了用于在具有加工区域和室组件的加工室中支撑基片的支架组件。该支架组件包括包含电极的支架块、用于在加工室中保持支架块的支臂、多个穿过支臂沟槽的电导体、以及尺寸适于装在支臂中的盖锁。支臂具有穿过其中的沟槽，并且支臂包括用于附着到支架块上的第一夹具和用于附着到室组件上的第二夹具。盖锁包括形状和尺寸适于安装在直接在第一夹具之下的支臂中的环形圆盘，并且用于覆盖支臂沟槽中的电导体并将其与加工区域环境密封。

加工室包括该支架组件，并且还包括围绕支架组件的围护壁、用于在加工室中提供加工气体的气体分布器、用于激发加工气体的气体激发器、以及用于排出加工气体的排气舱门。

刷新基片支架组件的方法，包括：通过将支架块或支臂浸入到清洗溶液中清洗一个或多个支架块和支臂、替换支架臂沟槽中的一个或多个热电偶和电接地连接体、以及替换在热电偶和电接地连接体附近的支架臂中的硅盖锁。

用于能够在具有加工区域和室组件的加工室中支撑基片的支架组件的盖锁，该支架组件包括：(i)包括电极的支架块，(ii)用于在加工室中保持支架块的支臂，该支臂包括用于附着到支架块上的第一夹具和用于附着到室组件上的第二夹具，并且该支臂具有穿过其中的沟槽，以及(iii)多个穿过支臂沟槽的电导体。该盖锁包括形状和尺寸适于安装在直接在第一夹具之下的支臂中的环形圆盘，该环形圆盘包括周界、中心、以及从周界延伸到中心的用于允许电导体从其中穿过的沟槽，并且其中该盖锁用于覆盖支臂沟槽中的电导体并将其与加工区域环境密封。

附图说明

参考下面的描述、权利要求及示出本发明示例的附图，将更好地理解本发明的这些特征、发明和优点。然而，应该理解的是，大体上每个特征均可以用于本发明而不是仅用于特定附图的正文中，而且本发明包括这些特征的任何组合，其中：

图1A是具有基片支架组件实施例的基片加工室的示范实施例的部分截面示意侧视图；

图1B是具有铜焊电连接的基片支架组件的截面侧视图；

图2A和2B分别是基片支架组件的盖锁的顶部和底部的透视图；

图3A是图1A的基片支架组件的放大透视图，示出安装到支架臂中的盖锁和分离器环；

图3B是图3A的盖锁、锁紧环和支承板的放大透视图；

图4是支架臂的截面图，示出在接地连接体和热电偶之间的陶瓷绝缘体。

具体实施方式

如图1A所示，基片支架组件100包括用于在加工室112中支撑基片110的具有基片接收表面106的支架块104。在所示形式中，支架块104包括由例如氮化铝、氧化铝或氧化硅制成的介电块116。介电块116可以是介电材料的整体或单一结构(如图所示)，或者可以由介电材料的多个堆叠平板制成。虽然这里示出了基片支架组件100的一种形式，应该理解的是，对于本领域技术人员，显而易见的是，其它形式也包括在本发明的范围内。例如，支架块104还可以是由铝或不锈钢构成的具有诸如配置在基片接收表面106上的阳极化铝的抗蚀涂层的金属块。

支架块104包括电极114，该电极适于作为气体激发器120的一部分，气体激发器120用于激发在室112中提供的加工气体，以便加工基片110。可选地，电极114还可以是可充电的，以便将基片110电保持在基片支架组件100的基片接收表面106上。在一种形式中，至少部分地由介电块116覆盖电极114或将其嵌入到介电块116中。嵌入式电极114包括适于提供横跨基片110的预期电场特征的形状。例如，嵌入式电极114可以包括嵌入到介电块116中的网孔电极或电极板。嵌入式电极114由适当导电材料制成，诸如例如钼。然而，当支架块是整块金属时，电极114还可以是支架块104自身。

支架块104还可以适于控制基片110的温度。例如，支架块104可以具有在其中形成的热量传送流体管道(未示出)，以便提供对支撑在其上的基片110的温度控制。基片接收表面106还可以具有提供横贯基片接收表面106的更加均匀的热量分布的多个凸起平台(未示出)，以便控制基片110的温度。

基片支架组件100还包括支架臂124，其形状适于将支架块104牢固地保持在室112内加工区域126的中部且位于加工室112的底部室壁154中的排气舱门152附近。支架臂124包括在第一和第二末端136、148之间延伸的支架梁160。通过配置连接到支架块104的第一夹具128和连接到室壁134的一部分的第二夹具132，支架臂124固定支架块104。

在所示形式中，基本上第一夹具128是圆盘形的并且包括与支臂124完全连接的反向中空杯座170。第一夹具128提供附着到支架块104的下表面144的中心140的平坦表面。中空杯座170可以作为螺钉、电连接体、电绝缘体和支架组件100的其它导电性或保护性组件的保护罩。

将第二夹具132安装在支架臂124的第二末端148处并附着到室的室组件上，室组件可以是，例如，用于在室112中升起和降低基片支架组件100的可动波纹管145、室壁134、或其它室组件。通过螺纹连接、螺栓连接、铜焊接、或其它适当方法，将夹具128、132连接到支架块104和加工室112的各个部分或室组件。支架梁160由对激发气体侵蚀具有抵抗能力的材料构成，以便提供可靠且抗腐蚀的支撑结构。例如，支架梁160可以包括诸如氮化铝、氧化铝和氧化硅中至少一种的陶瓷材料。

支架梁160具有穿过其中的沟槽164，沟槽164的尺寸和形状适于容纳多个电导体168，电导体168可以包括电连接体，诸如例如，电接地连接体条带230、一个或多个热电偶250或其它电连接体。沟槽164至少沿支架臂124的一部分延伸，以便容纳导体168，例如，沟槽164可能基本上沿在两个末端136、148之间的支架梁160的整个长度延伸。使电导体168经过或通过沟槽164，以便将导体168从支架块104引导到在基片支架组件100外部或甚至室112外部的电源、加工监视器和其它室组件。中空支架臂124遮蔽电导体168并保护其免受室112中激发等离子体物种的影响。

使用铜焊接头200a、b将至少一个电导体168电连接到支架块104中的其它组件。例如，可以将包括接地连接体条带230的电导体168连接到支架块104中的电极114。通过如下方法形成铜焊接头200a、b：首先在连接区域将铜焊混合物或铜焊箔片放置在电导体168和其它组件之间，随后加热铜焊材料熔点之上的连接区域，以及最后冷却连接区域，以便形成铜焊接头200a、b。铜焊混合物或铜焊箔片可以包括金、银、铝、铜、青铜或镍合金中的一种或多种，而更加典型地，包括镍合金材料。电导体168和支架块104的电极114之间的铜焊接头200a、b的表面浸润区域部分地由电连接体168的直径确定。由于电导体168的直径变得更大，在铜焊接头200a、b中使用了更多的铜焊材料。额外的铜焊材料减轻(但不能防止)由室加工区域中等离子体和加工气体引起的铜焊接头200a、b的侵蚀。

在一种形式中，将盖锁180用于进一步减轻铜焊接头200a、b的侵蚀问题。将盖锁180放置到在支架臂124的第一末端136处的连同围绕壁174的中空杯座170内部。杯座170和盖锁180形成外罩并且保护电导体168和电连接接点免受室等离子体环境侵蚀。在图2A和2B所示的实施例中，盖锁180包括形状和尺寸适于放置在支架臂124的第一末端136中的中空杯座170内的环形圆盘182。将盖锁180直接放置在第一夹具128之下，并且用于在电导体168和室环境之间形成屏障。

盖锁180的环形圆盘182包括周界184、中心188和从周界184向中心188径向延伸的U形沟槽188，U形沟槽188允许电导体168从其中通过。沟槽188包括具有弯曲底部的伸长U形开口190，开口190允许电导体168从在支架臂124的沟槽164中的水平布置旋转到当电导体168穿过盖锁180到达支架块104时的垂直布置。在一种形式中，U形沟槽188的宽度从大约2mm到大约10mm，例如，大约5mm。U形沟槽188的直径足够使电导体168从其中通过。

盖锁180的环形圆盘182的上表面192包括用于为螺钉196的头部提供空间的多个U形切口194，其中螺钉196用于将支架块104固定到支架臂124。在一种形式中，在盖锁180的上表面192中以120°的角度分隔布置U形切口194。第一末端138中的中空杯座170还包括用于使螺钉196的钉杆穿过的紧固孔，以便将支架块104固定到支架臂124。每个紧固孔具有用于为螺钉196的头部提供支撑表面并将其部分装埋的淹没突缘。中空杯座170还包括定形孔，其用于电导体168(诸如在一个末端连接到支架块104内电极114的电接地连接体条带230)的通过，以及用于插入到支架块104背侧的热电偶250的通过。定形孔还可以容纳用于将热电偶250与电接地连接体条带230分隔的隔片198。

在一种形式中，通过作为与等离子体物种反应并由此耗尽导体168附近的等离子体物种浓度的牺牲材料，盖锁180保护铜焊接点和电导体168免受侵蚀。例如，盖锁180可以包括硅。硅材料与诸如含氟物种的含卤素等离子体物种反应，以便形成氟化硅气体。含氟气体在蚀刻工艺或室清洗工艺中使用。对于由含镍铜焊材料形成的铜焊接头200a-b，氟和氟根是特别活泼的。由于由接头200a、b形成的电连接的阻抗随着铜焊材料的侵蚀而增加，铜焊材料的侵蚀是不受欢迎的，而且当接头200a、b受到明显的化学侵蚀或腐蚀时，铜焊材料的侵蚀甚至可能在受损铜焊接头200a、b处导致引弧。

盖锁180可以由作为氧化硅的晶体形式的石英制成或者甚至由诸如例如单晶硅的纯元素硅制成。由于硅与氟反应形成SiF₄，由此耗尽与构成铜焊接头200a、b的铜焊材料反应的氟，单晶硅是最理想的。

在一种形式中，如图3A中所示，盖锁180的环形圆盘182具有底部表面202，而底部表面202具有用于安装密封环210的外围凹槽204a。由下支撑板220将盖锁180保持在适当位置，形状适于安装到支架臂124的第一末端136的杯座中的下支撑板220支撑密封环210的背部表面。下支撑板220包括整体附着到臂部分224的环形圆盘部分222。当组装支架臂时，环形圆盘的上表面222a朝向盖锁180和环210。上表面222a具有互补缺口204b，其形状和尺寸适于防止密封环在与圆盘222接触时水平滑动，由此将密封环210限制到圆盘222的上表面222a。在一种形式中，如图3B所示，缺口204b基本上是圆形的。

在组装期间将支架臂124保持颠倒状态，并将诸如电导体168、螺钉196等等的不同组件插入到杯座170中并附着到支架块104上。随后插入盖锁和环210，并使支撑板220滑入到支架臂124中，覆盖盖锁180和环210的下部。当将支架臂124转至正向向上时，密封环210落入到下支持板220的缺口204b中。这使盖锁180和支撑板220连接，并且在使用或安装期间防止支撑板220滑出支架臂124。在一种形式中，密封环210包括由诸如氧化铝的陶瓷材料制成的C形夹具214。C形夹具214包括与环形圆盘182中的U形沟槽188对准的开口218。由于对于可能存在于室中的反应气体、氟根和等离子体环境，氧化铝材料是惰性的，其是理想的材料。

在使用中，将支架臂124用于保持穿过中空支架臂124的沟槽164的诸如电接地连接体条带230的电导体168。连接体条带230使诸如电极114的支架块104的各个部分电接地，同时电偏压诸如室112的室壁的另一个电极236，以便可以激发室112中提供的加工气体，从而形成诸如等离子体的激发气体。连接体条带230还可以从支架块104的各个部分去除额外电荷，以便利于在加工之后从基片接收表面106移开基片110。连接体条带230包括第一接线端240和第二接线端244，其中第一接线端240电连接到电极114(如图所示)或者支架块104本身-当支架块作为电极时，第二接线端244电连接到加工室112的外部，以便使电极114接地或者将电极114保持在与加工室112相同的电势。还可以将第二接线端244连接到室112的底部室壁154。电接地连接体条带230最好包括导电材料，诸如例如不锈钢、镍、钼、铝、哈司特镍合金及它们的合金中的一种或多种。

通过，例如，将第一接线端240铜焊到电极114上，将连接体条带230的第一接线端240电连接到电极114。还可以通过中间接线片128实现这种电连接。在支架块104的底部表面中加工达到电极114的圆柱孔122。随后将接线片128嵌入到圆柱孔122中，并将其铜焊连接到电极114以及具有铜焊接头200a的圆柱孔122内表面。在图1B所示的形式中，接线片128是螺纹接线片而且第一接线端240包括螺纹连接体。将第一接线端240旋入到螺纹接线片128中。可选地，可以随后将第一接线端240铜焊到螺纹接线片128，以便形成铜焊接头200b。替代地，可以直接将螺纹孔钻入到支架块104的底部表面，达到电极114。为了给第一接线端240提供更加均匀的接触表面，可以将中间导体铜焊到电极的暴露部分。将连接体条带230的第一接线端240或其他连接体直接旋入到支架块104的螺纹孔中。随后，通过直接接触、通过接触中间铜焊导体或者通过将第一接线端240的顶端铜焊到电极114或中间铜焊导体，可以在电极114和第一接线端240之间形成电连接。

支架臂124还可以保持包括热电偶250的电导体168，其中电导体168穿过中空支架臂124的沟槽164且位于接地连接体条带230的附近。图1A示出至少具有穿过沟槽164的热电偶的一部分的基片支架组件100。热电偶250适于检测基片支架组件100附近的温度，诸如一个或多个基片110和支架块104的各个部分的温度。热电偶250一般包括在其末端焊接或者连接到一起的两个或多个相异导线，诸如金属导线或半导体圆棒。适当导线的示例包括铂和铑、或者铬合金和铝合金。两个末端或接点之间的温度差产生电动势，该电动势的量级与接点之间的温度差有关。可以由包括连接到由导线构成的电路的适当毫伏计或电位计的温度监视系统(未示出)测量所产生的电动势。热电偶250包括连接到或放置在支架块104附近的第一终端252，以便检测支架块104各个部分的温度。

图4示出中空支架臂124的示意侧视图，示出在支架臂124的沟槽164中的连接体条带230和热电偶250布置的实施例。在该实施例中，沿支架梁160的长轴彼此平行地排列连接体条带230和热电偶250，并且为了使支架臂124安装到室112中所需的空间最小化，将它们彼此相对紧密地布置。例如，接地连接体条带230和热电偶250之间的距离可能小于大约50mm，诸如例如从大约0.010mm到0.05mm。支撑板220支撑支架臂124内部的电导体168。

在一种形式中，基片支架组件100还包括放置在位于支架臂124沟槽中的电接地连接体条带230和热电偶250之间的陶瓷绝缘体223。配备陶瓷绝缘体223是为了减轻接地连接体条带230和热电偶250之间电引弧的发生，由此提高基片支架组件100的零件寿命。陶瓷绝缘体可能包括氮化铝、氧化铝、氧化锆、氧化硅、碳化硅、莫来石和氮化硅中的一种或多种。陶瓷绝缘体223最好还包括适于电屏蔽热电偶250和接地连接体条带230的厚度，诸如大约0.5cm的厚度。

为了便于接地连接体条带230和热电偶250彼此靠近的布置，以及为了减小制备费用，可以形成具有不同尺寸的上和下凹槽217、219的沟槽164。在一种形式中，将接地连接体条带230放置在热电偶250之上的上凹槽217中，而将热电偶250放置在接地连接体条带230之下的下凹槽219中。在图4所示的形式中，陶瓷绝缘体223的尺寸和形状适于放置到在连接体条带230和热电偶250之间的上凹槽217底部表面上，并且甚至可能部分地由下层热电偶250的上表面支撑陶瓷绝缘体223。还可以使陶瓷绝缘体223的形状至少部分地符合上层接地连接体条带230的形状。陶瓷绝缘体223可以包括沿沟槽164的长度连续延伸的单块陶瓷材料，或者可以是以几个较小绝缘体条带223的形式。

已经发现，基片支架组件100的上述配置-具有在接地连接体条带230和热电偶250附近的盖锁180，通过降低电导体168和支架块104之间的铜焊接头200的侵蚀速率，由此在室112中加工基片110期间减小在接地连接体条带230和支架块104的电极114之间电引弧的发生，从而提供对加工室112中腐蚀的良好抵抗能力。由于可以使接地连接体条带230和热电偶250容易地通过相同沟槽164，盖锁180的使用还保持组装基片支架组件100的容易程度。因此，具有盖锁180的基片支架组件100提供用于在加工室112中加工基片110的改进抗腐蚀支架构件。

基片支架组件100还允许刷新组件100，以便提供更长的加工寿命。该刷新工艺可能允许清洗诸如支架块104和支架臂124的零件，以便去除加工残渣，以及替换任何受腐蚀组件部分，诸如支架块104的各个部分。由于盖锁180抑制电引弧并减轻接地连接体条带230的腐蚀，还可能不需要替换接地连接体条带230而执行该刷新工艺。

为了刷新基片支架组件100，从支架块104移出一个或多个热电偶250和金属板。随后执行清洗工艺，以便从一个或多个支架块104和支架臂124上清洗加工残渣。清洗工艺可以包括，例如，将支架块104和支架臂124浸入到包括诸如例如HF或KOH的酸性或碱性物种的清洗溶液中，例如如下列文献中描述的那样：由He等人于2001年12月21日提交的转让给应用材料公司的美国专利申请No.10/032,387-代理人序号No.6770，以及Wang等人于2002年11月25日提交的转让给应用材料公司的美国专利申请No.10/304,535-代理人序号No.8061，这里将它们作为参考文献。清洗溶液去除任何加工残渣并且还可以从介电块116和支架臂124上去除任何松面，否则在加工期间这些松面可能污染基片110。如上述参考申请所述，还可以执行粗沙吹洗工艺，以便清洗并刷新支架块104和支架臂124。在已经执行清洗工艺后，例如，通过将热电偶的顶端铜焊到支架块104的下表面144，将相同或新的热电偶250布置在支架块104附近。使热电偶250和接地连接体条带230再次通过支架臂124的沟槽，并将盖锁180放置在它们之间。

如图1A所示，适用于使用包括具有盖锁180的中空支架臂124的基片支架组件100加工基片110的设备102包括加工室112。这里所示的设备102的特定实施例适用于加工诸如半导体晶片的基片104，并且可以由本领域技术人员调整，以便用于加工其它基片104，诸如平板显示器、聚合物面板、或其它电路接收结构。设备102特别适用于加工层结构，诸如基片110上的蚀刻抗蚀剂、含硅、含金属、介电质、和/或导体层。

可能将设备102附着到容纳设备102并为其提供电力、准直及其它辅助功能的总装配单元(未示出)，并且设备102可能是多室系统(未示出)的一部分。多室系统具有在其各室之间传送基片110而不破坏真空且不将基片110暴露于多室系统外部的湿气或其它污染物的能力。多室系统的优点是在整个工艺中可以将多室系统中的不同室用于不同目的。例如，一个室可以用于蚀刻基片110，另一个室用于金属层的沉积，另一个可以用于快速热加工，而另一个可以用于沉积抗反层。可以在多室系统中不间断地进行加工，由此防止基片104的污染，否则当在用于工艺的不同阶段的多种分离独立室之间传送基片104时可能发生污染。

一般地，加工室112包括诸如围护壁103的室壁107，其可能包括围绕加工区域108的顶盖118、侧壁115及底部室壁117。在运行中，通过包括加工气体源138和气体分布器137的气体供应装置130将加工气体引入到室112中。气体分布器137可能包括具有一个或多个气体流动阀门133的一个或多个管道139和围绕基片110周界的一个或多个气体出口142，其中基片110被保持在具有基片接收表面106的基片支架组件100之上的加工区域108中。替代地，气体分布器137可能包括喷头气体分布器(未示出)。通过排气装置146从室112中将废加工气体和蚀刻副产品排出，排气装置146可能包括通过排气舱门152从加工区域接收废加工气体的泵送通道、用于控制室112中加工气体压力的节流阀135、及一个或多个排气泵153。

可能由将电力耦合到室112的加工区域108中的加工气体的气体激发器120激发加工气体，以便加工基片110。在图1A所示的形式中，气体激发器120包括加工电极105、236，以及将电力提供给用于激发加工气体的一个或多个电极105、236的电源159。加工电极105、236可能包括电极236，其是诸如室112的侧壁115或顶盖118的室壁或是在室壁中并且电容耦合到另一个电极114(诸如在基片110之下的基片支架组件100中的电极114)。在一种形式中，气体激发器120为包括气体分布板的电极提供电力，其中气体分布板是顶盖118中的喷头气体分布器(未示出)的一部分。替代地或额外地，气体激发器120可能包括天线175，天线175包括一个或多个可能具有在室112中心附近的圆形几何的感应器线圈178。在另一种形式中，气体激发器120可能包括用于在室112上游远程区域中以微波能量激发加工气体的微波源和波导管(未示出)。

为了加工基片110，将加工室112抽空并保持在预定次常压压力。随后通过诸如机器人臂和提升销钉系统的基片传送器101将基片110放置到基片支架组件的基片接收表面106上。随后，为了在加工区域108中提供激发气体，气体激发器120激发气体，以便通过将RF或微波能量耦合到该气体加工基片110。波纹管结构(未示出)可以升高或降低基片支架组件100，以便提供所需等离子体加工特征。

虽然示出并描述了本发明的示范实施例，本领域技术人员可能设计出具体表现本发明的和同样在本发明范围内的其它实施例。例如，可能使用除特定描述的之外的其它支架臂结构和形状。同样，如对于本领域技术人员显而易见的那样，可以颠倒支架臂124中的接地连接体条带230和热电偶250的位置，或者将它们并行放置。另外，术语“之下”、“之上”、“底部”、“顶部”、“向上”、“向下”、“第一”和“第二”以及其它比较性或位置性术语是相对附图中的示范实施例而示出的，并且是可互换的。因此，不能将权利要求限制到这里描述的用于说明本发明的优选形式、材料或空间布置的描述。

Claims (20)

1.一种用于在具有加工区域和室组件的加工室中支撑基片的支架组件，该支架组件包括：

(a)包括电极的支架块；

(b)用于在加工室中保持支架块的支臂，该支臂具有穿过其中的沟槽，并且该支臂包括附着到支架块的第一夹具和附着到室组件的第二夹具；

(c)多个穿过支臂沟槽的电导体；以及

(d)包括环形圆盘的盖锁，该环形圆盘的形状和尺寸适于安放在直接在第一夹具之下的支臂中，该盖锁用于覆盖支臂沟槽中电导体并将其与加工区域的环境密封。

2.根据权利要求1所述的组件，其中支架块包括介电块。

3.根据权利要求1所述的组件，其中支架块由硅或石英构成。

4.根据权利要求1所述的组件，其中盖锁包括周界和中心，并且其中沟槽从周界延伸到中心，以便允许电导体到中心的通过。

5.根据权利要求4所述的组件，其中盖锁包括具有多个用于安放螺钉头部的U形切口的顶部表面。

6.根据权利要求5所述的组件，其中以大约120°的角度分隔布置U形切口。

7.根据权利要求1所述的组件，其中盖锁的环形圆盘包括具有外围凹槽的底部表面，并且其中该组件还包括安装在该外围凹槽中的陶瓷锁紧环。

8.根据权利要求7所述的组件，其中陶瓷锁紧环包括C形夹具。

9.根据权利要求7所述的组件，其中陶瓷锁紧环包括氧化铝。

10.根据权利要求1所述的组件，其中多个电导体包括(i)热电偶、和(ii)电接地连接体。

11.根据权利要求10所述的组件，其中电接地连接体包括电连接到电极的第一接线端和适于使电极电接地的第二接线端。

12.根据权利要求10所述的组件，其中盖锁包括形状和尺寸适于安装在直接在第一夹具之下的支臂中的硅环形圆盘，并且还包括周界、中心、以及从盖锁周界向中心延伸的用于允许支臂中的电接地连接体和热电偶通过的沟槽，以便保护电接地连接体和热电偶免受加工区域环境的影响。

13.一种刷新权利要求10所述基片支架组件的方法，该方法包括：

(a)通过将支架块或支臂浸入到清洗溶液中，清洗一个或多个支架块和支臂；

(b)替换支架臂沟槽中的一个或多个热电偶和电接地连接体；以及

(c)替换热电偶和电接地连接体附近的支架臂中的硅盖锁。

14.根据权利要求13所述的方法，其中(a)包括将一个或多个支架块和支臂浸入到包括酸性或碱性物种的溶液中。

15.一种包括权利要求10所述支架组件的加工室，该加工室还包括：

(a)围绕支架组件的围护壁；

(b)用于在加工室中提供加工气体的气体分布器；

(c)用于激发加工气体的气体激发器；以及

(d)用于排出加工气体的排气装置。

16.一种用于能够在具有加工区域和室组件的加工室中支撑基片的支架组件的盖锁，该支架组件包括(i)包括电极的支架块，(ii)用于在加工室中保持支架块的支臂，该支臂包括附着到支架块的第一夹具和附着到室组件的第二夹具，并且该支臂具有穿过其中的沟槽，以及(iii)多个穿过支臂沟槽的电导体，该盖锁包括：

形状和尺寸适于安装在直接在第一夹具之下的支臂中的环形圆盘，该环形圆盘包括周界、中心、以及从盖锁周界向中心延伸的用于允许电导体通过的沟槽，以及

其中盖锁用于覆盖电导体并将其与加工区域的环境密封。

17.根据权利要求16所述的盖锁，其中环形圆盘由硅或石英构成。

18.根据权利要求16所述的盖锁，其中盖锁包括具有多个用于安放螺钉头部的U形切口的顶部表面，以大约120°的角度分隔布置U形切口。

19.根据权利要求16所述的盖锁，其中环形圆盘包括具有外围凹槽的底部表面，并且还包括安装在外围凹槽的陶瓷锁紧环。

20.根据权利要求19所述的盖锁，其中陶瓷锁紧环包括由氧化铝构成的C形夹具。

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