CN101246307B - 使用半导体工艺制造压印模板的方法及所制得的压印模板 - Google Patents

Abstract

依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板的方法，包括在基板上形成厚度在1000埃至8000埃的氧化物层；于该氧化物层上形成蚀刻抵挡层；于该蚀刻抵挡层上形成含硅层，于该含硅层上形成光刻胶层；将该光刻胶层以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口的图形；经由该多个开口蚀刻该蚀刻抵挡层、含硅层和氧化物层，以形成多个柱状凹洞；及移除该光刻胶层、含硅层及该蚀刻抵挡层，而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。依据本发明的压印模板具有可大量制造、制造快速、及成本低的优点，并且适合用以制造光子晶体制造用的压印模板。

Description

使用半导体工艺制造压印模板的方法及所制得的压印模板 

技术领域

本发明有关一种制造压印模板的方法及所制得的压印模板，特别是有关一种以半导体工艺制造压印模板的方法及所制得的压印模板。 

背景技术

纳米压印技术主要是针对发展100nm以下线宽的光刻技术。在纳米压印的各类技术中，可归纳为三大主流技术：(1)热压成形式纳米压印(nanoimprint lithography，NIL)：透过热压方式达到大面积的纳米结构压印；(2)步进光感成形式纳米压印(step and flash imprinting lithography，SFIL)：在室温下进行UV光曝照使纳米结构成型；(3)可挠性纳米压印(softlithography)：结合由上而下(Top-Down)及由下而上(Bottom-Up)的概念，以可挠性模板进行具有曲率表面的压印。因此，纳米压印技术需要一种压印模板。已有的纳米压印模板，可利用电子束光刻直写、X光光刻、或离子光光刻技术等方式制作。但是，已有的此等方法不易形成轮廓深的图形，或当形成轮廓深的图形时，图形节距不得不较大。而利用电子束光刻直写以形成压印模板的图形时，非常耗时而费用高。目前已知可达成的图形节距为200至410nm，显影后关键尺寸(after development inspect critical dimension，ADICD)为130至250nm，及深度可为6000至7000埃(angstrom)。 

另一方面，近年来，发光二极管装置已有利用光子晶体(photonic crystal)结构的提出。LED工艺为了增加轴向方向的出射光，会进行一表面粗化工艺，但此表面粗化后的状况并非可控制的参数，无法有效防止光的发散造成效能的浪费。因此，有利用光子晶体(photonic crystal)结构的提出，以增加出光效率。光子晶体广义的定义为光学性质作周期性变化的物质，譬如将具有低折射系数的小圆球以规律的周期结构排列于具有高折射系数的背景物质中，类比于原子以规律的周期结构形成固体物质的晶体一般。图1显示表面具有光子晶体结构的LED装置，其包括基底10、覆层(cladding layer)12与14、及有源层(active layer)16。覆层14的上表面具有光子晶体的构造。 

一般，此种光子晶体的制造方法，有利用例如机械钻洞的一般工艺来完成。但若是考虑在可见光或是近红外线的频段，则其工艺的量级为次微米级。目前有两种主要的方法来制作纳米级的光子晶体，一是利用胶态粒子自组装(self-assembly of colloidal particles)的方法；另一个则是利用光刻与蚀刻(lithography combined with etching)的方法制成的硬掩模(lithographic mask)置于基材上，再利用蚀刻的技术将基材表面制作成光子晶体。 

因此，在制造纳米压印模板的方法上，仍有需求，以便利及经济的制得具有次微米或纳米尺寸图形的压印模板。 

发明内容

本发明的目的是提供一种使用半导体工艺制造压印模板的方法，以便利、快速、及经济的制造压印模板，尤其能制得具有深轮廓的纳米尺寸图形的压印模板。 

依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板(imprinting template)的方法，包括下列步骤。首先，提供基板。其次，于基板上形成厚度在1000埃至8000埃的范围内的氧化物层。于该氧化物层上形成蚀刻抵挡层。于该蚀刻抵挡层上形成含硅层。于含硅层上形成光刻胶层。然后，将光刻胶层以光刻(microlithography)及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口的图形。接着，经由开口蚀刻蚀刻抵挡层、含硅层和氧化物层，以形成多个柱状凹洞。最后，移除光刻胶层、含硅层及该蚀刻抵挡层，而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。 

依据本发明的另一具体实施例，使用半导体工艺制造压印模板的方法，包括下列步骤。首先，提供基板。其次，于基板上形成厚度在1000埃至8000埃的范围内的氧化物层。于该氧化物层上形成蚀刻抵挡层。于该蚀刻抵挡层上形成含硅层。于含硅层上形成光刻胶层。然后，将光刻胶层以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口的图形。接着，经由开口蚀刻蚀刻抵挡层、含硅层和氧化物层，形成多个柱状凹洞。然后，移除光刻胶层、含硅层及该蚀刻抵挡层。于柱状凹洞中填入材料层。最后，移除部分剩余的氧化物层，露出该材料层上部以成为多个柱状物，而形成压印模板。 

依据本发明的另一具体实施例，以半导体工艺制得的压印模板包括基板、氧化物层位于基板上、及多个柱状物贯穿且突出于氧化物层。 

上述各具体实施例中，或可仅以硅基板取代层迭在一起的基板及基板上的氧化物层。 

相较于已知的压印模板的制造技术，本发明利用半导体制造技术进行压印模板的制作，可获得轮廓深的突出或凹洞图形，尤其是可制得次微米级或纳米级的压印模板，而成本低廉且快速，适合大量制造。可依据装置图案的需求而订做模版，用以压制微小装置。对于具有周期性图案排列的结构(例如光子晶体)的制造而言，例如发光二极管装置(light emitting diode，LED)用的光子晶体结构的制作，使用本发明的方法以制得其压印模板，也是很适用。 

附图说明

图1绘示已有的表面具有光子晶体结构的LED装置。 

图2至4绘示依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板的方法的一具体实施例。 

图5及6绘示依据本发明的压印模板的二个具体实施例。 

图7至8绘示于依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板的方法中，使用蚀刻抵挡层-含硅层-光刻胶层的三层结构方式进行氧化物层的蚀刻，以形成柱状凹洞的方法。 

图9至11绘示依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板的方法的另一具体实施例。 

图12至14绘示依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板的方法的又另一具体实施例。 

图15绘示柱状物的形状例。 

图16为使用依据本发明的压印模板压印制品的示意流程图。 

【主要元件符号说明】 

10  基底              12  覆层 

14  覆层              16  有源层 

20  基板              22  氧化物层 

23  开口              24  光刻胶层 

25  柱状凹洞          26  蚀刻抵挡层 

27  底部              28  含硅层 

29  开口              30  材料层 

31  开口              32  中间层 

33  柱状物 

40、42、44、46、48、50  压印模板 

52  待压印模制材料    54  压印模制成品 

具体实施方式

请参阅图2至4。图2至4显示依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板的方法的具体实施例。如图2所示，首先，提供基板20。基板20可为例如硅基板。于基板20上形成氧化物层22。氧化物层22的厚度可在例如1000埃至8000埃的范围内。氧化物层22可包括例如二氧化硅，可由例如热氧化法或化学气相沉积法所制得。于本发明中，氧化物层的使用并非在于氧化物的介电性质，而是借重于半导体工艺中氧化物层的容易形成以及制造成本低，以将氧化物层制造出模板图形。然后，于氧化物层22上形成光刻胶层24。 

再请参阅图3，将光刻胶层24以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形状的开口23的图形。在制造光子晶体时，可进一步使此等开口以微米、或小于微米的次微米或纳米尺寸的节距规律周期排列。再请参阅图4，经由此等开口23利用蚀刻方法，例如干法蚀刻或湿法蚀刻，蚀刻氧化物层22，以形成多个柱状凹洞25，然后移除光刻胶层24，而形成具有多个柱状凹洞25的压印模板40。 

依据本发明的压印模板可有不同的态样，例如，使柱状凹洞25的底部27的位置高于或低于基板20的顶表面高度、或恰在基板20的顶表面上。图4所显示，柱状凹洞25的底部27是恰在于基板20的顶表面上，即，蚀刻氧化物层22以形成柱状凹洞时，将氧化物层22蚀穿至基板20的顶表面为止，或可将基板20作为蚀刻停止层。或者，亦可使蚀刻的深度不那么深或是更深，而使柱状凹洞25的底部较基板20的顶表面为高或低。例如，图5所示的压印模板42，制做时于蚀刻氧化物层22之后，进一步蚀刻部分的基板20，使得底部27低于基板20原先的顶表面高度。而图6所示的压印模板44，制做时蚀刻氧化物层22，但不整个蚀穿，而使底部27高于基板20原先的顶表面高度。 

再者，亦可于氧化物层22之上进一步形成顶盖层(未示出)以覆盖氧化物层22，再于顶盖层上覆盖光刻胶层24。此顶盖层可为例如硬掩模，例如氮化硅的材质，以便使用硬掩模法蚀刻氧化物层22。再者，亦可于形成氧化物层22时中断，进一步形成中间层(未示出)于中断的氧化物层上，再接续形成氧化物层22。再者，亦可于形成氧化物层22之前，进一步于基板20上形成衬垫层(未示出)，而于衬垫层之上形成氧化物层22。 

而在将氧化物层22蚀刻以形成柱状凹洞25时，若有中间层或衬垫层的存在时，可蚀刻至中间层或衬垫层为止，亦即使柱状凹洞25的底部27的位置在中间层上或衬垫层上。因此，可使中间层或衬垫层具有蚀刻停止层的功能，其材质可为例如氮化硅。 

制造光子晶体等纳米尺寸的装置所使用的模版，其尺寸通常很小，并不是很容易去形成较深轮廓的柱状凹洞，优选可利用形成蚀刻抵挡层-含硅层-光刻胶层的三层结构方式进行氧化物层的蚀刻以形成柱状凹洞。请参阅图7至8所示，氧化物层22上形成蚀刻抵挡层26，及于蚀刻抵挡层26上形成含硅层28，而于含硅层28上形成光刻胶层24。此形成柱状凹洞的方法类似美国专利申请案第11/530886号(审查中，申请日为2006年9月11日，与本申请案为相同申请人)揭示的形成接触洞的方法，将其并入本文以供参考。 

如图7所示，在氧化物层22上形成蚀刻抵挡层26，其包括例如novolac型酚醛树脂(novolac resin)或者类似i-line光刻胶等材料，厚度约为例如1000埃至2500埃。若以i-line光刻胶为例，其形成方式系以一般光刻胶涂布程序，涂布在氧化物层22上，然后再加以烘烤固化。 

接着，在蚀刻抵挡层26上形成含硅层28做为硬掩模，其成分为含硅的有机高分子聚合物(organosilicon polymer)或聚硅物(polysilane)，至少具有发色基团(chromophore group)以及交联基团(crosslinkable group)，其具有的硅含量(silicon content)约介于5重量％至30重量％，优选介于15重量％至25重量％之间，此外，亦可进一步含有交联剂(crosslinking agent)。含硅层28更可用来做为形成在光刻胶层底下的抗反射层，通过调整其硅含量，与下方的蚀刻抵挡层26之间产生较高的蚀刻选择比(etching selectivity)。含硅层28厚度可为例如300至1500埃，可通过例如旋转涂布(spin-on)方式形成在蚀刻抵挡层26上。在完成前述的涂布后，可以再进行烘烤工艺，将溶剂赶走。此外，前述的蚀刻抵挡层26在涂布后，亦可以先不进行烘烤，而是待含硅层28涂布完成后才一起进行烘烤的动作。 

于含硅层28上涂布光刻胶层24，光刻胶层24可为ArF光刻胶或者193纳米光刻胶，厚度可在例如1200埃至3000埃之间。 

接着进行光刻工艺，利用曝光、显影等步骤，在光刻胶层24中形成开口29，定义出最终欲形成在下方氧化物层22中的柱状凹洞位置与形状。开口29暴露出部分的含硅层28的表面，且具有显影后关键尺寸，例如，65纳米。接着，如图8所示，利用光刻胶层24做为蚀刻掩模，进行干法蚀刻工艺，将开口29所定义的柱状凹洞图案经由蚀刻转移至下方的含硅层28中，形成开口31，暴露出部分的蚀刻抵挡层26的表面。上述干法蚀刻工艺中所使用的蚀刻气体可包含有全氟甲烷(tetrafluoromethane，CF₄)气体以及含氢的氟烷气体，例如，氟甲烷(fluoromethane，CH₃F)、二氟甲烷(difluoromethane，CH₂F₂)、或三氟甲烷(trifluoromethane，CHF₃)等等。 

举例来说，利用CF₄/CHF₃的蚀刻条件如下：压力约为80毫托耳(millitorr)至150毫托耳，优选为120毫托耳，功率约为500瓦特至600瓦特之间，通入的CF₄气体流量约为每分钟200至300标准立方毫米(sccm)，优选为200sccm，CHF₃气体流量则约5至30sccm，优选为15sccm，蚀刻时间约为30秒至100秒之间，优选为35秒左右。 

如图8所示，可于含硅层上形成具有渐缩倾斜(tapered)侧壁的开口31，开口31的底部具有小于开口29的显影后关键尺寸之蚀刻后关键尺寸(afteretch inspect critical dimension，AEICD)。 

然后，将开口31所定义的柱状凹洞图案以例如干法蚀刻方法转移至蚀刻抵挡层26。前述对蚀刻抵挡层26进行干法蚀刻的条件例如：压力约为10毫托耳，功率约为700瓦特至300瓦特之间，通入的气体为CO/O₂/N₂，流量分别为250/30/200sccm，蚀刻时间约为60秒左右。之后，继续以蚀刻抵挡层26作为干法蚀刻掩模蚀刻氧化物层22，在氧化物层22中形成柱状凹洞25，其尺寸大小即约略等于开口31的底部的蚀刻后关键尺寸(AEICD)，例如，45纳米。柱状凹洞25的底部27位置可高于或低于基板20的原表面高度、或恰在基板20的表面上。然后，移除光刻胶层24，再移除蚀刻抵挡层26及含硅层28，而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。 

上述依据本发明的具体实施例是具有多个柱状凹洞的压印模板及其制法，使用此种压印模板所压印制出的图形是具有柱状突起的图形。依据本发明的另一具体实施例是具有多个突柱的压印模板及其制法，请参阅图9至图 11，说明依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板的方法的另一具体实施例。首先，亦如图2所示，此方法包括提供基板20。于基板20上形成厚度在1000埃至8000埃的范围内的氧化物层22。于氧化物层22上形成光刻胶层24。亦如图3所示，将光刻胶层24以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口23的图形。经由此等开口23蚀刻氧化物层22，形成多个柱状凹洞25。移除光刻胶层24，即得如图4、5、或6所示，依蚀刻氧化物层的深度而定。亦可使用如图7至8所示的利用三层结构以蚀刻氧化物层的方法，即，于氧化物层22上形成蚀刻抵挡层，及于蚀刻抵挡层上形成含硅层28，而光刻胶层24形成于含硅层28上。则于蚀刻氧化物层22而形成柱状凹洞后，须移除光刻胶层24、蚀刻抵挡层26、及含硅层28。 

如上述，基板20可包括例如硅。氧化物层22可包括例如二氧化硅，可利用例如热氧化法或化学气相沉积法制得。或可形成顶盖层覆盖氧化物层22。于形成氧化物层22时，可中断，形成中间层于中断的氧化物层上，再接续形成氧化物层。于形成氧化物层22之前，亦可先于基板20上形成衬垫层，再于衬垫层上形成氧化物层22。若要制做光子晶体，可进一步使此等开口23以微米尺寸或小于微米尺寸的节距规律周期排列，则所形成的多个柱状凹洞25亦呈现规律周期排列。 

接着，如图9所示，于柱状凹洞25中填入材料层30。材料层的材料优选是与氧化物层22具有蚀刻选择性者，以利使用蚀刻方法进行后续的氧化物层移除的步骤，而且材料优选具有若干韧性，以免在将制得的印压模板使用于压制时，柱状体断裂。使用于接触洞的材料例如金属或多晶硅等，是颇适合的材料，可便利的利用半导体镶嵌工艺填入柱状凹洞中。金属可为例如钨、铜、铝、或其合金。将材料填入凹洞的方法可为例如化学气相沉积法、溅镀、或电镀等等。填入材料层之前，可先形成障壁层(未示出)于柱状凹洞25的壁上及底部表面上，然后沉积材料层使填满柱状凹洞25。然后，通过例如化学机械研磨方法移除多余的材料层部分，以将材料层30平坦化至高度与氧化物层22齐高，露出氧化物层22，如图10所示。如此，分别于多个柱状凹洞25中形成柱状物33。优选使柱状凹洞25的底部低于基板20原来表面高度，如此，所形成的柱状物33像是嵌在基板20中。 

接着，请参阅图11，利用蚀刻(例如干法蚀刻或湿蚀刻)移除剩余的氧化物层的上部，留下小部分下部的氧化物层22，即露出柱状物33的大部分。 而柱状物33的下部仍类似镶嵌在剩余的氧化物层22之中，如此形成具有多个柱状突起的压印模版46。若形成的多个柱状凹洞25呈现规律周期排列，则柱状物33亦呈现规律周期排列。使用此具有多个柱状突起的压印模版46所压印制得的装置形状将具有多个凹洞形状。 

再者，于形成具有多个柱状突起的压印模版46后，或可进一步全面涂覆涂层，供加强固定柱状物之用，此涂层材质可举例有氮化钛、钛金属、氮化钽、或钽金属，此涂覆可由使用已有的技术达成。 

如图9至11所示，柱状物的底部镶嵌于基板20内，但是并不限于此。如上述，蚀刻氧化物层时，所形成的柱状凹洞的底部可在基板20的上方或低于基板20、或恰在基板20的顶表面上，因此，于柱状凹洞25中所形成的柱状物33的底部亦可在基板20的上方或低于基板20、或恰在基板20的顶表面上。最后剩余的氧化物层高度依所需而定，其主要功能是用以稳固柱状物33。 

如上所述，于形成氧化物层22时，可中断氧化物层的沉积，形成中间层于中断的氧化物层上，再接续形成氧化物层。如图12所示，为蚀刻氧化物层后形成多个柱状凹洞25的情形，其中，氧化物层具有层22a及层22b，其之间具有中间层32。至此亦可做为具有柱状凹洞的压印模板48，或可继续后续的制造步骤制造具有柱状物突起的压印模板。图13为将材料填入柱状凹洞后经过研磨露出氧化物层22b而形成柱状物33的情形。中间层32可为蚀刻停止层，例如由氮化硅所构成，但不限于此，厚度约在400埃至1500埃之间。图14显示将剩余的氧化物层上部的层22b蚀刻移除后的情形，系以中间层32为蚀刻停止层，留下层22a与蚀刻停止层32，形成具有柱状物突起的压印模板50。其剩余的氧化物层或中间层高度依所需而定，主要是稳固柱状物之用，并无其他特别限制。 

柱状物33的形状依柱状凹洞25的形状而定，可为任何柱状，并不限于是圆柱体。而若是制成下宽上窄的柱状物、或下部鼓胀而上部柱状的形状，如图15的(a)或图15的(b)所示的柱状物33，则可更加牢固。 

可进一步将依据本发明所制得的压印模板涂覆已有的释模剂涂层，以利压印后的释模。 

于本发明的示例中，使用蚀刻抵挡层-含硅层-光刻胶层的三层结构方式进行氧化物层的蚀刻以形成柱状凹洞，例如使用厚度为1800埃的蚀刻抵挡 层，800埃的含硅层，及2200埃的光刻胶层时，若利用65纳米的半导体工艺，可制得具有柱状凹洞节距为220nm的图形的压印模板，而显影后关键尺寸为95nm，蚀刻后关键尺寸为75nm；若利用45纳米的半导体工艺，可制得具有柱状凹洞节距为180nm的图形的压印模板，而显影后关键尺寸为80nm，蚀刻后关键尺寸为55nm。此较已有技术所能制得的尺寸小很多。 

图16显示使用依据本发明的压印模板压印制品的示意流程图。使用压印模板40，其具有多个柱状凹洞25，压印在待压印模制材料52上，将压印模板40的图形转印到待压印模制材料52上，使形成图形的待压印模制材料52固化，即可制得压印模制品54。于此例中，压印模制品54具有多个柱状突起的图形。 

或者，于上述各具体实施例中，或可仅以硅基板取代层迭在一起的基板及基板上的氧化物层，以类似上述之方式进行压印模版之制作。例如，于具体实施例中，首先提供硅基板，然后于硅基板上形成如上述的光刻胶层，将光刻胶层以如上述的方法形成具有多个接触洞形开口的图形，经由此等开口蚀刻硅基板，以形成多个柱状凹洞，最后，移除光刻胶层，而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。又例如，于另一具体实施例中，首先提供硅基板；于硅基板上形成如上述的光刻胶层，将光刻胶层以如上述的方法形成具有多个接触洞形开口的图形。经由此等开口蚀刻硅基板，形成多个柱状凹洞，移除光刻胶层，于此等柱状凹洞中填入材料层。最后，部分移除硅基板，露出材料层上部以成为多个柱状物，而形成压印模板。 

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依权利要求所做的等同变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。 

Claims (26)

1.一种使用半导体工艺制造压印模板的方法，包括：

提供基板；

于该基板上形成厚度在1000埃至8000埃的范围内的氧化物层；

于该氧化物层上形成蚀刻抵挡层；

于该蚀刻抵挡层上形成含硅层；

于该含硅层上形成光刻胶层；

将该光刻胶层以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口的图形；

经由该多个开口蚀刻该蚀刻抵挡层、含硅层和氧化物层，以形成多个柱状凹洞；及

移除该光刻胶层、含硅层及该蚀刻抵挡层，而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。

2.如权利要求1的方法，其中，该多个柱状凹洞以微米尺寸、次微米尺寸、或纳米尺寸的节距规律周期排列。

3.如权利要求1的方法，其中，该基板包括硅。

4.如权利要求1的方法，其中，该氧化物层包括二氧化硅。

5.如权利要求1的方法，其中，该氧化物层以热氧化法或化学气相沉积法所制得。

6.如权利要求1的方法，进一步包括形成顶盖层覆盖该氧化物层。

7.如权利要求1的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该基板表面或对该基板继续蚀刻。

8.如权利要求1的方法，于形成该氧化物层时中断，进一步包括形成中间层于中断的氧化物层上，再接续形成该氧化物层。

9.如权利要求8的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该中间层上。

10.如权利要求1的方法，于形成该氧化物层之前，进一步包括于该基板上形成衬垫层，而于该衬垫层之上形成该氧化物层。

11.如权利要求10的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该衬垫层上。

12.一种使用半导体工艺制造压印模板的方法，包括：

提供基板；

于该基板上形成厚度在1000埃至8000埃的范围内的氧化物层；

于该氧化物层上形成蚀刻抵挡层；

于该蚀刻抵挡层上形成含硅层；

于该含硅层上形成光刻胶层；

将该光刻胶层以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口的图形；

经由该多个开口蚀刻该蚀刻抵挡层、含硅层和氧化物层，形成多个柱状凹洞；

移除该光刻胶层、含硅层及该蚀刻抵挡层；

于该多个柱状凹洞中填入材料层；及

部分移除该氧化物层，露出该材料层上部以成为多个柱状物，而形成压印模板。

13.如权利要求12的方法，其中，该多个柱状物以微米尺寸、次微米尺寸、或纳米尺寸的节距规律周期排列。

14.如权利要求12的方法，其中，该基板包括硅。

15.如权利要求12的方法，其中，该氧化物层包括二氧化硅。

16.如权利要求12的方法，其中，该氧化物层以热氧化法或化学气相沉积法所制得。

17.如权利要求12的方法，进一步包括形成顶盖层覆盖该氧化物层。

18.如权利要求12的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该基板表面上或对该基板继续蚀刻。

19.如权利要求12的方法，于形成该氧化物层之前，进一步包括于该基板上形成衬垫层，而于该衬垫层之上形成该氧化物层。

20.如权利要求19的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该衬垫层上。

21.如权利要求12的方法，于形成该氧化物层时中断，进一步包括形成中间层于中断的氧化物层上，再接续形成该氧化物层。

22.如权利要求21的方法，其中，所述部分移除该氧化物层是移除该氧化物层自该中间层至其顶部的部分。

23.如权利要求12的方法，其中该材料层包括选自钨、铜、铝、其合金、及多晶硅所组成的组群之一。

24.如权利要求23的方法，其中于该多个柱状凹洞中填入材料层的步骤包括：

形成障壁层于该多个柱状凹洞的壁上及底部表面上；

沉积材料层使填满该多个柱状凹洞；及

进行化学机械研磨工艺以部分移除该材料层，使得该材料层与该氧化物层的高度相同而露出该氧化物层。

25.如权利要求12的方法，其中，该柱状物为下宽上窄的柱状。

26.如权利要求12的方法，其中，该柱状物具有下部鼓胀的形状。

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