CN101200808A - 一种化学气相传输方法生长氧化锌晶体的方法 - Google Patents
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Cited By (7)
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---|---|---|---|---|
CN103046133A (zh) * | 2011-10-17 | 2013-04-17 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种提高氧化锌单晶电阻率的退火方法 |
CN107978657A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-05-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 氧化锌/氧化镓核壳微米线及其制备方法、日盲紫外探测器 |
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