CN101188271B - 具有磁畴壁移动的数据存储装置及形成该装置的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及形成该装置的方法，该数据存储装置可包括具有多个磁畴的第一磁性层。第二磁性层可以连接到第一磁性层，并且连接层可以置于第一磁性层和第二磁性层之间。电阻磁性层可以置于第一磁性层和连接层之间以及第二磁性层和连接层之间。因此，当电流被提供到该数据存储装置以移动磁畴壁时，可以减小或防止在磁性层之间的连接中的电流的泄漏，从而节约能量。
Description
技术领域
示例实施例涉及一种数据存储装置，例如，具有磁畴壁移动的数据存储装置，该数据存储装置可以通过引发磁畴壁移动来写入、存储和擦除数据。
背景技术
信息产业近来的发展可能已经导致了与用于处理大量数据的改进技术以及用于存储大量数据的经改进的数据存储装置相关的研究增多。数据存储装置(例如，硬盘驱动器(HDD))可以包括读取/写入头和旋转记录介质，并可以具有可达大约1000亿字节(GB)或更多的容量。然而，具有旋转部分的数据存储装置(例如，HDD)可能容易磨损，并会更有可能在数据存储装置的驱动过程中发生故障，因此降低可靠性。
近年来，对利用磁畴壁移动的数据存储装置进行的研究已经增多。构成磁性体的微磁区域(magnetic minute region)可以被称为磁畴。在磁畴中作为电子旋转的结果的磁矩的方向可以基本相同。可以利用磁性材料的形状和大小以及外部能量来适当地控制磁畴的大小和磁极化。磁畴壁可以指具有不同的磁极化的磁畴之间的边界区域。可以响应于施加到磁性材料的磁场或电流来移动磁畴壁。
图1A至图1C是示出了磁畴壁移动的传统的原理的示图。参照图1A，可以制备具有第一磁畴11、第二磁畴12和对应于第一磁畴11和第二磁畴12之间的边界区域的磁畴壁13的磁性层。
参照图1B，当沿从第二磁畴12到第一磁畴11的方向外部地施加磁场时，磁畴壁13可以沿从第二磁畴12到第一磁畴11的方向移动。因此，磁畴壁13可以沿与施加外部磁场的方向基本相同的方向移动。类似地，当沿从第一磁畴11到第二磁畴12的方向施加磁场时，磁畴壁13可以沿从第一磁畴11到第二磁畴12的方向移动。
参照图1C，当沿从第一磁畴11到第二磁畴12的方向外部地提供电流(未示出)时，磁畴壁13可以沿从第二磁畴12到第一磁畴11的方向移动。当提供所述电流时，电子可以沿与提供所述电流的方向相反的方向流动，并且磁畴壁13可以沿与电子流动的方向基本相同的方向移动。因此，磁畴壁13可以沿与提供所述外部电流的方向相反的方向移动。类似地，当沿从第二磁畴12到第一磁畴11的方向提供电流时，磁畴壁13可以沿从第一磁畴11到第二磁畴12的方向移动。
可以将磁畴壁移动的原理应用于数据存储装置，例如，HDD或非易失性随机存取存储器(RAM)。例如，基于这样的原理，即，具有磁畴(可以沿特定方向磁化)和磁畴壁(对应于磁畴之间的边界区域)的磁性材料的电压会由于磁畴壁移动而改变，可以实施写入和读取数据“0”或数据“1”的非易失性存储器装置。可以通过提供预定的电流到线性成形的磁性材料来改变磁畴壁的位置，使得非易失性存储器装置可以写入和读取数据。因此，可以实现更高集成度的具有更简单的结构的装置。
当将磁畴壁移动的原理应用于数据存储装置(例如，HDD或非易失性RAM)时，可以设置多个磁性层以及置于磁性层之间的连接层以增加数据存储密度。可以通过移动磁性层之间的磁畴壁来写入或读取数据。然而，当通过置于磁性层之间的连接层来提供电流以移动磁畴壁时，电流密度可能由于泄漏而降低，因此阻碍了磁畴壁的移动。
发明内容
示例实施例涉及一种利用磁畴壁移动的数据存储装置，其中，该数据存储装置可以减小或防止连接层的电流密度的降低以有利于磁畴壁移动。根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置可以包括：第一磁性层，具有多个磁畴；第二磁性层，连接到第一磁性层；连接层，在第一磁性层和第二磁性层之间；和/或第一电阻磁性层(resistive magnetic layer)，在第一磁性层和第二磁性层中的至少一个与连接层之间。该数据存储装置可以附加地包括与第一磁性层的邻接(adjoin)连接层的区域相邻的第二电阻磁性层。数据存储装置还可以包括与第二磁性层的邻接连接层的区域相邻的第三电阻磁性层。
第一电阻磁性层、第二电阻磁性层和/或第三电阻磁性层可以由具有大约十倍至大约一万倍于第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的电阻率的电阻率的材料形成。例如，电阻磁性层可以由具有大约一百倍至大约一千倍于第一磁性层和第二磁性层中的至少一个的电阻率的电阻率的材料形成。
第一电阻磁性层、第二电阻磁性层和/或第三电阻磁性层可以由磁性材料形成。例如，电阻磁性层可以由Co-Zr-Nb和Co-Fe-B中的至少一种形成。电阻磁性层也可以由非晶态铁磁体形成。另外，电阻磁性层可以由掺杂从Cr、Pt、Pd、Mn、Hf、Au、Ir、Fe、Co、Ni和Si组成的组中选择的至少一种元素的磁性材料形成。此外，第一磁性层和第二磁性层中的至少一个可以由从Ni-Fe、Co、Co-Ni、Co-Fe、Co-Cr、Fe-Pt和Co-Fe-Ni组成的组中选择的至少一种材料形成。
根据示例实施例的一种形成数据存储装置的方法可以包括：形成具有多个磁畴的第一磁性层，形成连接到第一磁性层的第二磁性层，形成在第一磁性层和第二磁性层之间的连接层，和/或形成在第一磁性层和第二磁性层中的至少一个与连接层之间的第一电阻磁性层。也可以形成与第一磁性层的邻接连接层的区域相邻的第二电阻磁性层。此外，可以形成与第二磁性层的邻接连接层的区域相邻的第三电阻磁性层。
附图说明
参照附图，示例实施例的上述和其它特征和优点可以变得更清楚，其中：
图1A至图1C是示出了磁畴壁移动的传统的原理的示图；
图2是根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的透视图；
图3A至图3J是示出了根据示例实施例的形成具有磁畴壁移动的数据存储装置的方法的示图；
图4A至图4B是根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的变化的示图；
图5A至图5C是示出连接层相对于电阻的电流密度的根据示例实施例的仿真结果的示图。
具体实施方式
现在将参照附图更加充分地在下文中描述示例实施例。在附图中，为了清晰起见，可以夸大层和区域的厚度。
应该理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层、“结合到”另一元件或层或者“覆盖”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到另一元件或层、直接结合到另一元件或层或者直接覆盖另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层、“直接结合到”另一元件或层或者“直接覆盖”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。相同的标号始终代表相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任一和全部组合。
应该理解的是，虽然术语第一、第二、第三等可以在这里用来描述多种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
为了描述方便，在这里可以使用空间相对术语，例如，“在......之下”“在......以下”、“下面的”、“在......以上”、“上面的”等来描述如附图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术语意在包括除附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果将附图中的装置翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“以下”或“之下”的元件将随后被定位为在其它元件或特征“以上”。因此，示例性术语“在......以下”可以包括“在......以上”和“在......以下”两个方位。可将装置另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语只是出于描述多种实施例的目的，而不意在成为示例实施例的限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚的指出，否则单数形式也意在包括复数形式。还应该理解的是，当术语“包括”和/或“包含”在此说明书中使用时，其表明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或添加。
在这里参照作为示例实施例的理想实施例(和中间结构)的示意图的剖视图来描述示例实施例。比如，将预料到的是由例如制造技术和/或公差造成的示图的形状的变化。因此，示例实施例不应该被理解为限于这里示出的区域的形状，而是将包括例如由制造造成的形状的偏差。例如，示出为矩形的注入区将通常在其边缘处具有倒圆的或者弯曲的特性和/或具有注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样，由注入形成的埋区会导致在埋区和发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意在示出装置的区域的真实形状，并不意在限制示例实施例的范围。
除非另外限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应该理解的是，除非在这里被特定的限定，否则术语(包括在通用字典里定义的术语)应该被理解为其含义与相关领域的环境中它们的含义一致，并且不应该被理想化的或过度正式的理解。
图2是根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的透视图。参照图2，数据存储装置可以包括第一磁性层21a、第二磁性层21b和连接层23，其中，连接层23置于第一磁性层21a和第二磁性层21b之间以连接第一磁性层21a和第二磁性层21b。第一磁性层21a和第二磁性层21b可以具有多个磁畴。第一电阻磁性层202可以置于第一磁性层21a和连接层23之间及第二磁性层21b和连接层23之间。第二电阻磁性层201可以设置成与第一磁性层21a的邻接连接层23的区域相邻。第三电阻磁性层203可以设置成与第二磁性层21b的邻接连接层23的区域相邻。
可以通过第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203的形成来表征根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的特性，使得可以减小或防止电流扩散到第一磁性层21a和第二磁性层21b之间的连接中，因此有利于磁畴壁移动。现在将更详细地描述数据存储装置的这种特性。
利用磁畴壁移动的数据存储装置可以将单个磁畴与单位数据关联，并可以包括具有磁极化的磁畴，所述磁极化可以是第一方向或第二方向。例如，当磁畴的磁极化为向上的方向时，磁畴可以与数据“1”关联，并且当磁畴的磁极化为向下的方向时，磁畴可以与数据“0”关联。因此，具有可以为向上的方向或向下的方向的磁极化的磁畴可以与单位比特关联。在利用磁畴壁移动的数据存储装置中写入数据的操作可以包括在由磁性材料形成的磁性层的预定位置存储具有特定磁极化的磁畴。
例如，现在将描述在第二磁性层21b的右区域(right region)中存储数据“0”的方法，其中，第一磁性层21a为写入轨道或缓冲轨道，并且第二磁性层21b为数据存储轨道。第一磁性层21a可以包括向上磁化的磁畴和向下磁化的磁畴。当电流被提供到置于第一磁性层21a的两端的电极(未示出)时，向下磁化的磁畴可以被移动到第一磁性层21a的在连接层23之下的部分。为了在第二磁性层21b的右区域中存储数据，向下磁化的磁畴可以通过连接层23被移动到第二磁性层21b的右区域。因此，可以通过连接在第一磁性层21a的一端和第二磁性层21b的右端之间的电极(未示出)来提供电流。可以沿从第二磁性层21b到第一磁性层21a的方向控制电流的流动。因为电子将沿从第一磁性层21a至第二磁性层21b的方向流动，所以位于第一磁性层21a的在连接层23之下的部分中的磁畴可以经过连接层23，并向第二磁性层21b的右区域移动。结果，通过利用电流来将向下磁化的磁畴定位于第二磁性层21b的预定的区域，可以在第二磁性层21b中存储数据“0”。当读取存储的数据时，可以将磁电阻头(未示出)(例如，巨磁电阻(GMR)头或隧道磁电阻(TMR)头)定位于第一磁性层21a之下，并且磁畴可以从第二磁性层21b通过连接层23移动到第一磁性层21a，从而可以读取磁畴的磁极化。
当沿从第一磁性层21a到第二磁性层21b的方向或沿与之相反的方向提供电流来通过连接层23移动磁畴时，会由于电流的扩散而导致在邻近连接层23的第一磁性层21a和第二磁性层21b的区域中电流的密度降低。电流密度的降低会阻碍磁畴壁通过连接层23的移动。因此，由于电流扩散，所以磁畴壁移动会导致能耗升高。为了克服这些缺点，根据示例实施例的利用磁畴壁移动的数据存储装置可以包括置于第一磁性层21a和第二磁性层21b的连接中的第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203。第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203可以减小或防止电流扩散到第一磁性层21a和第二磁性层21b之间的连接中，从而抑制电流密度的降低。
第一电阻磁性层202可以置于第一磁性层21a和连接层23之间以及第二磁性层21b和连接层23之间。第二电阻磁性层201可以设置成与第一磁性层21a的邻接连接层23的区域相邻。第三电阻磁性层203可以设置成与第二磁性层21b的邻接连接层23的区域相邻。例如，在第一磁性层21a和连接层23之间没有插入第一电阻磁性层202的情况下，当电流被提供到第一磁性层21a的两端以在第一磁性层21a中移动磁畴壁时，电流会向上泄漏到连接层23，从而阻碍磁畴壁的移动。因此，置于第一磁性层21a和连接层23之间的第一电阻磁性层202会降低或防止电流扩散到连接层23中。此外，第二电阻磁性层201可以置于第一磁性层21a中，并且第三电阻磁性层203可以置于第二磁性层21b中，以减小或防止当磁畴壁被移动通过连接层23时电流的扩散。
结果，根据示例实施例的利用磁畴壁移动的数据存储装置可以包括第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203，以减小或防止在与连接层23相邻的第一磁性层21a和第二磁性层21b之间的连接中的电流的泄漏，从而有利于磁畴壁移动。第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203可以由电阻率比第一磁性层21a和/或第二磁性层21b的电阻率高的材料形成。第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203可以具有大约十至大约一万倍于第一磁性层21a和/或第二磁性层21b的电阻率。例如，第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203可以具有大约一百倍至大约一千倍于第一磁性层21a和/或第二磁性层21b的电阻率。
第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203可以由磁性材料形成以允许磁畴的移动，并且还可以被掺杂另一元素以增加电阻。第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203可以由钴合金例如Co-Zr-Nb合金和/或Co-Fe-B合金形成。此外，磁性材料可以掺杂从由Cr、Pt、Pd、Mn、Hf、Au、Ir、Fe、Co、Ni和Si组成的组中选择的元素，以增加第一电阻磁性层202、第二电阻磁性层201和/或第三电阻磁性层203的电阻。附加的磁性层(未示出)可以选择性地置于(或另外连接到)第二磁性层21b上。因此，附加的电阻磁性层可以按如上所述的方式置于磁性层的连接中。
将参照图3A至图3J来描述根据示例实施例的形成具有磁畴壁移动的数据存储装置的方法。参照图3A，可以通过在基底30上涂覆磁性材料来形成第一磁性层31a。磁性材料可以为垂直磁化材料或水平磁化材料，例如，用于磁性记录介质的材料。例如，磁性材料可以从由Ni-Fe、Co、Co-Ni、Co-Fe、Co-Cr、Fe-Pt和/或Co-Fe-Ni组成的组中选择。参照图3B，可以蚀刻第一磁性层31a的预定区域以形成槽h1。
参照图3C，可以在所得结构上涂覆具有高于第一磁性层31a的电阻率的电阻率的磁性材料，并将其平坦化，以在槽h1中形成电阻磁性材料层32。电阻磁性材料层32可以由钴合金例如Co-Zr-Nb合金和/或Co-Fe-B合金形成。可选择地，电阻磁性材料层32可以由非晶态铁磁体形成。还可以用从Cr、Pt、Pd、Mn、Hf、Au、Ir、Fe、Co、Ni和Si组成的组中选择的至少一种元素掺杂磁性材料以增加电阻来获得电阻磁性材料层32。电阻磁性材料层32可以具有大约十至大约一万倍于第一磁性层31a的电阻率。
参照图3D，可以蚀刻电阻磁性材料层32以形成电阻磁性层(例如，第二电阻磁性层)301。参照图3E，可以用磁性材料填充具有电阻磁性层301的槽h1，所述磁性材料例如为与第一磁性层31a相同的材料。参照图3F，可以在第一磁性层31a上涂覆绝缘材料(例如，SiO2)，以形成绝缘层34。参照图3G，可以蚀刻绝缘层34以形成槽h2，从而暴露第一磁性层31a。可以在暴露的第一磁性层31a上涂覆电阻磁性材料，以形成电阻磁性层(例如，第一电阻磁性层)311。
参照图3H，可以在电阻磁性层311上涂覆磁性材料，以形成连接层35。可以在连接层35上涂覆电阻磁性材料，并将其平坦化，以形成电阻磁性层(例如，第一电阻磁性层)312。连接层35可以由任何适当的磁性材料形成，而不管该磁性材料是较高Ku材料还是较低Ku材料。例如，连接层35可以由与第一磁性层31a的材料基本相同的材料形成。可以在绝缘层34和电阻磁性层312上涂覆磁性材料，以形成第二磁性层31b。
参照图3I，可以在第二磁性层31b中设置槽h3，以暴露电阻磁性层312。可以通过执行如上参照图3C和图3D所描述的相同的工艺来在槽h3的侧壁上形成电阻磁性层。参照图3J，可以用磁性材料填充具有电阻磁性层(例如，第三电阻磁性层)302的槽h3，并且可以使第二磁性层31b的表面平坦化。通过重复上述工艺可以将附加的磁性层选择性地置于第二磁性层31b上。
图4A和图4B是根据示例实施例的具有磁畴壁移动的数据存储装置的变化的示图。参照图4A，多个第二磁性层42可以垂直邻接到第一磁性层41，并且电阻磁性层43可以置于第一磁性层41和第二磁性层42之间。参照图4B，多个第二磁性层42可以水平邻接到第一磁性层41，并且电阻磁性层43可以置于第一磁性层41和第二磁性层42之间。因此，图4A示出了沿水平方向放置的第一磁性层41，而图4B示出了沿垂直方向放置的第一磁性层41。电阻磁性层43可以置于第一磁性层41和第二磁性层42之间的连接(未示出)中。此外，附加的电阻磁性层(未示出)可以选择性地设置成与第一磁性层41的接触电阻磁性层43的区域相邻。
图5A至图5C是示出在根据示例实施例的利用磁畴壁移动的数据存储装置中，在电流被提供到磁性层51的两侧的情况下，磁性层51和另一磁性层之间的交叉处(例如，连接)的电流密度的仿真结果的示图，其中，。参照图5A至图5C，标号52a、52b和52c可以表示不同磁性层之间的交叉处(例如，连接)。附加磁性层(未示出)可以邻接到磁性层51，并且电阻磁性层(未示出)可以置于附加磁性层和磁性层51之间。图5A示出了磁性层51与电阻磁性层的电阻率比为大约1∶10的情况。图5B示出了磁性层51与电阻磁性层的电阻率比为大约1∶100的情况。图5C示出了磁性层51与电阻磁性层的电阻率比为大约1∶1000的情况。
如图5A中所示，当电阻磁性层具有大约10倍于磁性层51的电阻率时，会较大程度地降低在连接52a、连接52b和连接52c处的电流密度。随着电阻磁性层与磁性层51的电阻比增加，连接52a、连接52b和连接52c的电流密度可以逐渐地增加。如图5B中所示，当电阻磁性层具有大约一百倍于磁性层51的电阻率时，可以稍小程度地降低在连接52a、连接52b和连接52c处的电流密度。如图5C中所示，当电阻磁性层具有大约一千倍于磁性层51的电阻率时，在连接52a、连接52b和连接52c处的电流密度的降低可以比较小。结果，在磁性层之间的连接处具有较高电阻率的电阻磁性层可以有利于利用磁畴壁移动并具有多个磁性层的数据存储介质，以抑制电流密度的降低。
如上所述，根据示例实施例的利用磁畴壁移动的数据存储装置可以包括置于多个磁性层之间的连接处的电阻磁性层。因此，当提供电流以移动磁畴壁时，可以减小或防止电流扩散，从而有助于在连接处保持电流密度。此外，当向数据存储装置写入数据或从数据存储装置读取数据时，通过减小或防止电流密度的降低，可以节约能量。
尽管在这里已经公开了示例实施例，但是应该理解的是，其它变化也是可以的。这样的变化将不会被认作脱离本公开的示例实施例的精神和范围，并且对于本领域的技术人员来说将是显而易见的，所有这样的修改意在被包括在权利要求的范围内。
Claims (20)
1.一种具有磁畴壁移动的数据存储装置，包括：
第一磁性层，具有多个磁畴；
第二磁性层，连接到所述第一磁性层；
连接层，在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间；
第一电阻磁性层，在所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个与所述连接层之间。
2.如权利要求1所述的装置，还包括：
第二电阻磁性层，与所述第一磁性层的邻接所述连接层的区域相邻。
3.如权利要求1所述的装置，还包括：
第三电阻磁性层，与所述第二磁性层的邻接所述连接层的区域相邻。
4.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由具有十倍至一万倍于所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个的电阻率的电阻率的材料形成。
5.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由具有一百倍至一千倍于所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个的电阻率的电阻率的材料形成。
6.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由磁性材料形成。
7.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由非晶态铁磁体形成。
8.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由Co-Zr-Nb和Co-Fe-B中的至少一种形成。
9.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一电阻磁性层由掺杂从Cr、Pt、Pd、Mn、Hf、Au、Ir、Fe、Co、Ni和Si组成的组中选择的至少一种元素的磁性材料形成。
10.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个由从Ni-Fe、Co、Co-Ni、Co-Fe、Co-Cr、Fe-Pt和Co-Fe-Ni组成的组中选择的至少一种材料形成。
11.一种形成具有磁畴壁移动的数据存储装置的方法，包括：
形成具有多个磁畴的第一磁性层；
形成连接到所述第一磁性层的连接层；
形成连接到所述连接层的第二磁性层，
其中，第一电阻磁性层形成在所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个与所述连接层之间。
12.如权利要求11所述的方法，还包括：
形成与所述第一磁性层的邻接所述连接层的区域相邻的第二电阻磁性层。
13.如权利要求11所述的方法，还包括：
形成与所述第二磁性层的邻接所述连接层的区域相邻的第三电阻磁性层。
14.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由具有十倍至一万倍于所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个的电阻率的电阻率的材料形成。
15.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由具有一百倍至一千倍于所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个的电阻率的电阻率的材料形成。
16.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由磁性材料形成。
17.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由非晶态铁磁体形成。
18.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由Co-Zr-Nb和Co-Fe-B中的至少一种形成。
19.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一电阻磁性层由掺杂从Cr、Pt、Pd、Mn、Hf、Au、Ir、Fe、Co、Ni和Si组成的组中选择的至少一种元素的磁性材料形成。
20.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一磁性层和所述第二磁性层中的至少一个由从Ni-Fe、Co、Co-Ni、Co-Fe、Co-Cr、Fe-Pt和Co-Fe-Ni组成的组中选择的至少一种材料形成。
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