CN101188217A - 用于成列芯片模块的冷却结构 - Google Patents
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Abstract
一种用于成列芯片模块的弹簧状冷却结构，其由连续的导热材料片构成，其具有前侧和后侧，该片基本上以180度折叠，其中该结构的长度基本上与该成列芯片模块的长度相关，并且该结构的宽度比该成列芯片模块的宽度更宽，使得该结构安装在该成列芯片模块上，并且基本上围绕该模块；该结构还包括位于该结构的左侧、右侧和底部的开口，使得易于将该结构安装到成列芯片模块上以及从该模块上除去该结构；顶部部分，该部分包括当该结构安装到成列芯片模块上时设置在该成列芯片模块的顶部的顶部表面，并且包括从该成列芯片模块向外扩张开的倾斜表面，该倾斜表面直接位于顶部表面之下；中心水平部分；位于该中心水平部分与该多个芯片之间的间隙；以及该结构的向外展开的底部区域。
Description
技术领域
所公开的发明广义上涉及散热领域，更特别的是涉及普通存储器模块的散热领域。
背景技术
在标准存储器模块(也称作DIMM双成列存储器模块)中，衬底的硅区域以及对流表面足够大，以保持热量的问题受到控制。因此，与非常低档的DIMM(VLP-DIMM)相比，常规的DIMM不需要精确的气流或者热量中心设计。提高VLP-DIMM的容量需要多个芯片叠置，从而增大了模块沿着不利于气体流动的方向的厚度。当叶片内可用于气体流动的横截面面积非常小时，较厚的VLP-DIMM模块使得气流速度不希望的减小，这是因为对气流的阻力随着横截面面积的减小而增大。在这种限制条件下，增强对VLP-DIMM或者任何其它存储器模块的冷却变得重要。
个人计算机、工作站和叶片服务器设计成容纳字段可更换存储器模块。参照图1，表示了一种典型的存储器模块。该存储器模块也称作DIMMS(双成列存储器模块)，其通常具有如图1所示的工业标准形状系数。图1A表示了具有以下基本组件的DIMM模块100：印刷电路板110、存储器芯片120、扁销150和槽口140。槽口140与其中将要插入该DIMM 100的插槽相对正。还表示了作用于该DIMM 100上的x、y和z应力。图1B表示了图1A的DIMM 100的侧视图。图1C表示了DIMM 100的顶视图，图1D表示了固定到计算机组件上的DIMM 100的侧视图。在该DIMM 100中，相应的电接插件和存储器通信协议也是标准化的。
产业提供的存储器容量随着时间推移而增大。对于需要更大存储容量的计算机而言，使用了多个存储器模块。因为多个模块需要一样多的接插件，所以它们需要成正比的充足空间量。因此，计算机的设计者就会将约束条件自己强加到接插件数量上。然而，这样就会对确定总体系统性能的存储容量施加了限制。除了存储容量之外，规定服务器叶片细长形状的存储器模块高度是一个有竞争力的区分标志。有时称作VLP-DIMM(非常低档)的存储器产品迎合了细长叶片服务器工业的需要。
细长叶片服务器对于需要在有限机架空间内具有大计算能力的消费者而言具有吸引力。通常将大约14个细长的叶片服务器组装在一个19”的机架中，这与标准DIMM情况下的10个叶片形成了对比。因为在细长叶片服务器中可用于电子组件和气流空间的体积相应地减少了，所以遭遇到了新的设计挑战。在这两种服务器中，电子组件的散热大约保持相同，但是可用于热传递的表面面积减小并且对于气流的阻力增大了。这种趋势使得对于细长叶片服务器中的热量管理变复杂。
如图1A所示，因为在VLP-DIMM中，在X-Y平面中可用于存储器模块的平面面积减小，所以制造商选择叠置几层存储器芯片，以便获得更高的容量。图2A、2B和2C表示了两叠层设计的热量路径。硅芯片中生成的热量通过衬底210和焊接点250传导，并且最终通过对流消散到空气270中，对流是热传输机构的一种。在标准DIMM 100中，衬底的硅区域以及对流表面足够大，以保持热量问题在控制之下。因此，常规的DIMM100不需要像VLP-DIMM那样，增大局部气流或者附加散热结构。
提高VLP-DIMM的容量需要多个芯片叠层，从而增大了模块沿着图1A所示的Z方向的厚度。当叶片内用于气流的横截面面积非常小时，较厚的VLP-DIMM模块使得气流流速不希望的减小，这是因为对于气流的阻力随着横截面面积的减小而增大。在这种限制条件下，增强对于VLP-DIMM或者任何其它存储器模块的冷却变得重要。
因此，需要一种用于VLP-DIMM的更好的冷却结构，以克服现有技术的缺点。
发明内容
简单地讲，根据本发明的实施例，一种用于成列芯片(in-line chip)模块的冷却结构包括连续的导热路径。该连续的导热路径是连续的导热材料片，其具有前表面和后表面，该片基本上以180度折叠，其中该结构的长度基本上与该成列芯片模块的长度相关，并且该结构的宽度比该成列芯片模块的宽度宽，使得该结构安装在该成列芯片模块上，并且基本上围绕该模块。当将该结构安装到该成列芯片模块上时，在该结构与该成列芯片模块之间形成气流路径。
该结构在该结构的左侧、右侧和底部还具有开口，从而易于将该结构安装到成列芯片模块上以及从该模块上除去该结构。此外，该结构具有顶部部分，该部分包括当该结构安装到成列芯片模块上时设置在该成列芯片模块的顶部的顶部表面，并且包括从该成列芯片模块向外扩张开的倾斜表面。该倾斜表面直接位于顶部表面之下。
该结构的中心水平部分从该顶部部分向内转动一定角度，使得该中心水平部分与固定在该成列芯片模块的印刷电路板上的多个芯片良好地热接触，该中心水平部分具有该成列芯片模块的长度以及该多个芯片的宽度。在该中心水平部分与该多个芯片之间提供间隙，以用于放置导热界面材料。最后，该结构的向外展开的底部区域从该成列芯片模块朝外延伸，并且终止在垂直边缘。当该结构固定在该模块上时，该结构的底部区域与该成列芯片模块不接触。
该冷却结构的其它实施例用于增强该结构的冷却性能，并且包括：非对称结构，其中该结构的一侧构成垂直返回侧边(leg)，从而形成U形通道；一种结构，其中利用水平散热片来增大前、后表面传导面积；另一种结构，其中该前、后表面是相互导通连接的不连续部分；一种结构，其中将连续的导热路径集成到常规安装的成列芯片模块的挤压实施例中；以及一种结构，其包括交错的散热片(fin)。将导热连接元件用于增强导热性，并且还用于固定冷却元件。
附图说明
为了描述前述和其它示例性目的、方面和优点，使用以下参照附图对于本发明示例性实施例的详细说明，在附图中：
图1A是根据已知技术的示例性存储器模块DIMM的图示，其示出了施加到该模块的力x、y和z；
图1B示出了根据已知技术的图1A的DIMM的前视图；
图1C示出了根据已知技术的图1B的DIMM的顶视图；
图1D示出了根据已知技术的插入插槽中的图1B的DIMM的侧视图；
图2A示出了根据已知技术的穿过散热器的热通量的路径；
图2B是根据已知技术的图2A的散热器的侧视图；
图2C是根据已知技术的图2A的散热器的另一视图，其示出了对流和导热路径；
图3A是根据本发明实施例的示例性单片散热器的图示；
图3B是根据本发明另一实施例的图3A的单片散热器的侧视图；
图4A与图3B相同，示出了根据本发明实施例的散热器的对称“裙状”结构；
图4B示出了具有U形通道的图4A的散热器的非对称实施例；
图4C示出了根据本发明另一实施例的对于图4B的散热器非对称实施例的变化，其具有更长的U形通道；
图5是在薄板框架外壳内具有水平散热片的示例性散热器实施例的图示；
图6A是具有多片式设计的示例性散热器实施例的图示；
图6B是根据本发明实施例的对图6A的散热器的变化，其示出了热流；
图6C是根据本发明另一实施例的具有U形通道的示例性多片式散热器的图示，其示出了热绝缘材料的放置；
图7A是根据本发明另一实施例的图3A的散热器的剖视图，其具有形成在表面的柔顺性狭槽(compliant slot)；
图7B是根据本发明实施例的图7A的散热器的放大前视图，其示出了该狭槽的柔顺性质；
图7C是根据本发明实施例的图7A的散热器的侧视图；
图8A示出了根据本发明实施例的类似于图3A的散热器，其与印刷电路板和叶片服务器的盖子相接触；
图8B示出了根据本发明实施例的施加了力的图8A的散热器；
图9A是根据本发明另一实施例的具有增强对流表面的散热器的剖面图表示，该增强对流表面具有扁销(pin)；
图9B是根据本发明实施例的图9A的散热器的部分横截面图，其示出了位于该散热器上和周围的气流运动；
图9C是根据本发明实施例的扁销的分解倾斜视图；
图10A示出了根据本发明实施例的设计成特定用途配置的散热器设计；
图10B示出了根据本发明实施例如何将散热器固定在较热的芯片上；
图10C是根据本发明实施例的图10A的散热器的侧视图；
图11A示出了根据本发明另一实施例的散热器，其中该散热片设计成将热量从焊接点直接传导到主流气流中；
图11B是图11A的横截面图，其示出了从散热片两侧的对流，并且还示出了破坏边界层的不连续散热片表面；
图11C是图11A的侧视图，其示出了导热路径；
图12A示出了图11B的散热片排列，其中为了对流效率，没有将散热片最大化；
图12B示出了散热片排列，其中交错散热片的对流降低了下游散热片的气温；
图12C示出了一组成角的散热片，其使气流改变方向，从而使气流撞击表面，由此提高效率；
图12D示出了不间断的主流气流；
图12E示出了不连续的散热片和边界层；
图13示出了根据本发明实施例的用于倾斜DIMMS的散热器；
图14示出了根据本发明实施例的倾斜配置的散热片表面面积的最大化；
图15示出了根据本发明实施例的散热器设计，其中从散热器表面区域的侧面吸入空气，继而使其在存储器模块的边缘表面上流动。
尽管能够将所要求保护的发明修改成另外的形式，但是在附图中仅通过举例的方式示出了其特定实施例，并且这里将对其进行详细的说明。然而，应当理解，附图以及对其的详细说明无意将本发明限制为所公开的特定形式，而是相反，意在覆盖所有落在本发明范围之内的所有修改、等价描述和可替换的内容。
具体实施方式
我们讨论一种具有增强热消散的DIMM设计，其利用了位于存储器模块之间的连续导热路径。这种设计特别适合用于与叶片服务器一起使用的VLP-DIMM。现在参照图3A和3B，示出了散热器设计300的图示，其利用了如图所示那样弯折的连续的导热材料片310，以提供连续的导热路径。该导热片310能够由金属(例如铝)构成，或者能够由针对热学和力学性能进行了优化的聚合物复合材料模制而成。该导热片310必须足够柔顺(compliant)以允许进行定形，并且具有足够的拉张强度以允许在变形之后进行重新定形。如果略微拉开该片310以便使其套在存储器模块390上，则会出现变形。由于当去除所施加的力时，该片310会“弹”回其原始形状，因此这种变形实际上是一种弹簧性变形。
使该片状金属310的中央部分340被制作为具有与存储器模块的最大接触面积，在该部分中通过导热界面材料(TIM)实现了有效的接触。空气沿着图示方向流动。该片310朝下的“裙”状延伸部分360提供了用于对流传递的增大表面面积。图3B中示出了为对称的单片部分300能够形成为如以下参照图4B和4C详细讨论的非对称结构。
在该DIMM 390的某一侧(左或右)上存在不平衡的气流的情况下，热量能够通过该组件320的顶部从该导热片310的较高温度侧流到较低温度侧。该连续片状金属310的顶部320提供了允许热通量流到较冷侧的导热路径。如图3A所示的正好位于顶部平面表面320之下的角度供弹簧型组件使用，使得通过简单地将该冷却结构放置在存储器模块上，然后压下直到该冷却结构300的顶部320的内侧与存储器模块390相接触为止，就可以将该冷却结构固定到存储器模块上。为了更容易地安装到存储器模块390上，可以轻轻拉开该冷却结构300，从而使其变宽。一旦释放，该结构300将迅速弹回其原始形状。一旦该冷却结构300位于正确位置，则无需将其拧入或者将其固定。通过将该冷却结构300抬起并且从存储器模块390上取下，就可以容易地去除该结构。
图4表示了图3的单片散热器设计300的变型，其表示了该散热器的侧视图。图4A是该设计300的侧视图，与图3B所示的完全相同。图4B和4C表示了不同实施例，其中通过增加形成U形通道的回转垂直部件而增大对流表面面积。该U形通道增大了与流体(空气)流相接触的表面面积。更宽的通道宽度降低了流体阻力。
参照图5，该图表示了本发明的另一种散热器500的实施例，其中在两片式设计而不是连续片中提供连续热量路径。在该散热器500中，利用力学和热学有效的片状框架540密封多个水平散热片580。密封了散热片580就增大了密封面积。连接元件510接合片状框架540，并为由于不平衡气流引起的温度差提供了导热流。该连接元件510起到导热路径以及接合工具的作用。该连接元件510可以是金属或者任何其它的导热材料。可以将其焊接到该组件上，或者利用导热界面材料(thermal interface material)将其固定到组件上，或者可以使用其它方法。有利的是，导热连接元件510能够用于许多不同的实施例中。其特别适用于其中模块的某些部件缺乏足够的气流的组件中。图5所示的实施例不是如图3所示那样的单片式设计，而是利用位于模块之间的单一导热路径的组件。
必须考虑不平衡的气流。图6A和6B表示了对应于图4A的片状外壳的机械地分离的实施例，用以说明对不平衡气流的处理。在存在不平衡气流的情况下，图6A的配置表示了由于高导热率材料的不连续性而造成导热流的缺乏。由于缺乏连续的导热路径，因此这种情况不是最佳的。在本实例中，左手侧是低气流区域，右手侧是较高气流区域。低气流区域对应于较高温度区域。同样，高气流区域对应于较低温度区域。图6A的虚线箭头表示从低气流区域到高气流区域的空气流动。图6B的配置表示了两片式设计，其中片状外壳在存储器模块顶部延伸，并且在它们之间具有导热界面材料层630。由于不平衡气流引起的温度差而产生了导热流。图6B的这种设计比图6A的设计好得多，这是由于促进了不平衡气流导致的热传导。这是因为，图6B的设计表现出高导热率材料的连续性。这是通过结合导热界面材料630使用的导热连接元件610而实现的。在本实例中，该导热连接元件610是被选用的。通过接合各片状框架640，可以使导热路径为连续的。
图6C是图6B的另一种方案，其中增加了先前所述的形成在片状框架640中的U形通道。该通道提供了附加的表面面积，由此改进了热消散。
图7A、7B和7C表示了一种设计方案，其中使图3A的散热器300的顶部区域具有柔顺性(compliant)，使其能够与计算机的盖或外壳紧密相连，从而为DIMM提供附加的传导表面。通过在该结构700的顶部中制造槽755来产生柔顺性。当向该结构700施加压力时，这些槽使得该结构700能选择性地变形。该槽755遍布所述顶表面分布使得能产生不同程度的变形，这取决于在何处施加力以及施加多大的力。如果仅在这一段的一部分上施加力，则仅有该部分的槽以及可能还有与其相邻的槽会变形，而其余的槽保持不变。由于该片材的柔顺特性以及其拉张强度，因此一旦去除了所述力，则槽将恢复其形状。该图示表示了服务器盖765。这种特别的设计表示了如何通过在散热器700与服务器盖765之间增加导热界面材料层730而将服务器盖765本身的导热属性有利地利用。
图8A表示了附着于印刷电路板850的散热器设计的另一实施例，其进一步有助于散热器800与相邻表面的热接触。在本实例中，所述相邻表面是叶片服务器的盖子830。该散热器800的顶表面形成折叠的。该折叠在施加力之前保持平整。一旦沿Y方向施加了力，该折叠自身弯曲，以便吸收该力，如图8B所示。一旦去除了该力，散热器800的顶表面弹回并且恢复平面形式。这种散热器设计能够通过提供将热量通过存储器DIMM上的柔顺表面传导到外壳盖子830从而使对流的表面面积最大化的手段，来进一步使电子设备外壳中的热消散最大化。如果需要进一步的传导，则能够使用导热界面材料。
图9A表示了通过将微型散热片980插入片状金属散热器900中以生成更大传导面积(convective area)的方法。通过在前缘提供流线形薄片，减小了对气流的阻力。图9C表示了散热片980的分解图，其中能够看到流线形形状。通过在最终成形弯曲之前，冲压片状金属部件来形成这种形状以提供散热片。图9B表示了穿过和围绕散热片980的气流。
现在参照图10，在将DIMM的重量保持最小的应用中，如图10A所示，利用导热连接元件1040选择性地将散热器表面固定在选定的存储器模块组1020上。位于下游(在本实例中表示为右手侧)的失去更冷空气的模块1020需要比位于上游的模块1010更大的传导面积。图10C表示了位于分立散热器之间的导热路径，并且还提供了端视图，其中将导热连接元件1040清晰表示为固定在模块上的夹片。通过简单地将该夹片拉开并且继而在其位于适当位置时释放该夹片，就能够容易地将该夹片固定在芯片1020上，就像参照图3A所述的弹簧状组件一样。图10B是没有示出连接元件1040的顶视图。本实施例定制了该散热器解决方案以仅改善需要改善位置的热消散，从而使重量和成本最小化。
图11A、11B和11C表示了热量如何从焊接连接1150直接传导到主流气流1170中。该焊接连接通常用于叠置存储器模块。本实例表示了两个叠置的模块，但是其它配置也是可能的。两侧均出现对流。衬底中的热扩散不是非常有效，这是因为衬底通常不是良好的导热体。该图是参照图10所述的散热器解决方案的实施例。图11B表示了两侧的气流。在本实例中，边界层是不连续的，并且以下将更加完整地讨论这样做的效果。
图12表示了散热片分布如何改变边界层效应(boundary layer effect)。边界层效应是本领域公知的。在对流热传递中，接近表面的流体区域(空气)的速度减小到零，并且在该区域上出现传导热传递。在长的表面上，该边界层增大并且因此生成附加的导热阻力，从而减小了整体的热消散。图12D表示了不间断的主流气流。在接近表面1245处，气流中断，从而在表面1245上导致了边界层1265的形成。通过减小边界层效应可以使对流热传递最大化。通过将表面1245断开成如图12E所示的散热片，使边界层1265分段，从而减小了热阻力。
示出了三种不同的散热片分布。图12A是散热片设置1210的实例，其中由于该热阻力的累积使下游的散热片效率低。通过提供不连续的表面，断开了边界层，并且将随后的累积保持最小。当如图12B所示的散热片设置1220那样使散热片交错时，可知该散热片通过破坏边界层来改善了热效率，从而增大热消散。如图12C的散热片设置1230中所示那样撞击第一表面也有益于提高热消散。
图13示出了相对于母板以一定角度安装，但允许延伸与顶盖1310导通的DIMM组。图13的放置在这些DIMM上的散热器1300类似于散热器300，不同之处在于已经将顶部形成为90度角，以便适应于放置在倾斜的DIMM上同时保持良好的热接触。如图13所示，每个散热器的顶表面的一个完整侧面保持与表面1310的完全接触。因为DIMM的这种倾斜放置由于其紧凑性而经常使用，所以这种设计特征是非常有用的。可选的是，可以在盖1310与散热器1300之间增加导热界面材料。
图14表示了用于使倾斜配置中的散热片表面面积最大化的配置。该配置1400示出了可以使热量流到最冷表面的连续导热路径的概念，该连续导热路径能够应用于按照常规(倾斜)方式安装的常规存储器DIMM。利用传统的挤压成形方法能够得到本实施例。利用箭头表示了围绕最大化散热片表面区域1402的导热路径1401。该倾斜DIMM设置1400的紧凑高度封装1403对于与叶片服务器一起使用的VLP-DIMM来说是特别重要的。示出了直接位于散热器表面区域之下的导导热界面材料1404。还示出了导热连接元件1410。将散热片1402表示为具有平面表面的直的结构。这是一个如何能够使用散热片将热量传递到顶表面的实例，但是还能够使用其它的散热片设计和散热片尺寸。可选的是，可以利用导热界面材料将散热片1402与顶盖相连。
图15是表示了利用从散热器表面侧面1503吸入并且继而迫使其在存储器模块边缘表面上流动的空气在相邻模块1502之间引导气流1501如何能够直接增强芯片表面的对流的散热增强。开口1504可以使空气吸入芯片之间的间隙。该开口的明确非流线形形状收集气流，并且将气流引导到该结构中，以进一步冷却芯片。
因此，尽管已经描述了目前认为的优选实施例，但是本领域技术人员应当理解，能够在本发明精神内进行其它修改。
Claims (20)
1.一种用于成列芯片模块的冷却结构，该冷却结构包括：
导热路径，其包括连续的导热材料片，该导热材料片具有前侧和后侧，该导热材料片基本上以180度折叠，其中该结构的长度基本上与该成列芯片模块的长度相关，并且该结构的宽度比该成列芯片模块的宽度更宽，使得该结构安装在该成列芯片模块上，并且基本上围绕该成列芯片模块；
当将该结构安装到成所述列芯片模块上时位于该结构与该成列芯片模块之间的气流路径；
位于该结构的左侧、该结构的右侧和该结构的底部的开口，使得易于将该结构安装到成该列芯片模块上以及从该模块上除去该结构；
该结构还包括：
顶部部分，该部分包括当该结构安装到所述成列芯片模块上时设置在该成列芯片模块的顶部的顶部表面，并且还包括从该顶部表面延伸的倾斜表面，该倾斜表面从该成列芯片模块向外扩张开，该倾斜表面直接位于顶部表面之下；
中心水平部分，该中心水平部分从该顶部部分向内转动一定角度，使得该中心水平部分与固定在该成列芯片模块的印刷电路板上的多个芯片良好地热接触，该中心水平部分具有该成列芯片模块的长度以及该多个芯片的宽度；
位于该中心水平部分与该多个芯片之间的间隙，该间隙用于放置导热界面材料；以及
该结构的向外展开的底部区域，该区域从该成列芯片模块朝外延伸，并且终止在垂直边缘，当该结构固定在该成列芯片模块上时，该结构的底部区域与该成列芯片模块不接触。
2.根据权利要求1所述的冷却结构，其中该导热材料是铝。
3.根据权利要求1所述的冷却结构，其中该导热材料是散热增强模制聚合物。
4.根据权利要求1所述的冷却结构，其中该冷却结构是对称的，使得该所述前侧和所述后侧相同。
5.根据权利要求1所述的冷却结构，其中该冷却结构是非对称的，其中所述前侧或所述后侧之一形成了垂直返回侧边，从而形成U形通道。
6.根据权利要求1所述的冷却结构，其中在该前、后表面的对流区域中形成水平散热片。
7.根据权利要求1所述的冷却结构，其中将多个柔顺性狭槽集成到所述顶表面中，以使更大表面区域具有导热性。
8.根据权利要求1所述的冷却结构，其中使所述顶表面以一定角度形成，用于容纳安装在斜面上的成列芯片模块。
9.根据权利要求6所述的冷却结构，其中该水平散热片以交错方式放置。
10.根据权利要求1所述的冷却结构，其中在所述前、后表面中形成柔顺性狭槽，以使冷却渗入成列芯片模块的内部表面中。
11.一种用于成列芯片模块的冷却结构，该冷却结构包括：
连续的导热路径，其包括第一导热材料片和第二导热材料片，其中该第一和第二片相互耦接导通，该第一和第二片基本上以180度角接合并重叠，其中所述各片的长度基本上与所述成列芯片模块的长度相关，并且所述各片的宽度比成列芯片模块的宽度更宽，使得该耦接的片安装在成列芯片模块上并且基本上围绕该成列芯片模块；
当将该结构安装到成列芯片模块上时位于该结构与该成列芯片模块之间的气流路径；
位于该结构的左侧、该结构的右侧和该结构的底部的开口，使得易于将该结构安装到成列芯片模块上以及从该模块上除去该结构；
该结构还包括：
顶部部分，该部分包括当该结构安装到成列芯片模块上时设置在该成列芯片模块的顶部的顶部表面，并且还包括从该顶部表面延伸的倾斜表面，当该结构安装到该成列芯片模块上时该倾斜表面从该成列芯片模块向外扩张开，该倾斜表面直接位于该顶部表面之下；
中心水平部分，该中心水平部分从该顶部部分向内倾斜一定角度，使得该中心水平部分与固定在该成列芯片模块的印刷电路板上的多个芯片良好地热接触，该中心水平部分具有该成列芯片模块的长度以及该多个芯片的宽度；位于该中心水平部分与该多个芯片之间的间隙，该间隙用于放置导热界面材料；以及
该结构的向外展开的底部区域，该区域从该成列芯片模块朝外延伸，并且终止在垂直边缘，当该结构固定在该成列芯片模块上时，该结构的底部区域与该成列芯片模块不接触。
12.根据权利要求11所述的冷却结构，其中该冷却结构是对称的，使得所述第一片和第二片是相同的。
13.根据权利要求11所述的冷却结构，其中该冷却结构是非对称的，其中该第二片比第一片长，第二片形成垂直返回侧边，从而生成U形通道。
14.根据权利要求11所述的冷却结构，其中在第一和第二片中的对流区域中形成水平散热片。
15.根据权利要求11所述的冷却结构，其中第一和第二片中的柔顺性狭槽使得冷却渗入成列芯片模块的内部表面中。
16.根据权利要求1所述的冷却结构，其中该冷却结构的顶部表面形成有弹性折叠，使得
当沿着Y方向施加力时，该折叠变形，使得该顶部表面变为V形表面；
当撤去该力时，该折叠弹回，使得该V形表面变为平面表面。
17.根据权利要求1所述的冷却结构，其中该连续片起到弹簧的作用，使得：
当施加力时该连续片变形；并且
当撤去该力时，该连续片恢复其原始形状。
18.根据权利要求11所述的冷却结构，进一步包括导热连接元件，该导热连接元件由导热材料构成，并且具有弹性属性。
19.根据权利要求11所述的冷却结构，进一步包括具有非流线形突出部分的狭槽，用于吸入气流并且将其引导到所述成列芯片模块中。
20.根据权利要求11所述的冷却结构，其中该冷却结构选择性地固定在该成列芯片模块的某个部分上，以降低整体重量，该部分对应于该成列芯片模块的最热部分。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100602 Termination date: 20161114 |