TWI668555B - 記憶體散熱單元及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種記憶體散熱單元及其製造方法，係包含：一本體；所述本體具有 一第一部分及一第二部分及一連接部，所述連接部兩端連接前述第一、二部分，所述第一、二部分分別具有至少一第一受熱部及至少一第二受熱部，所述第一、二受熱部對應與至少一晶片接觸進行熱傳導，並透過沖壓加工製成前述本體，藉此達到對記憶體進行熱交換散熱，及快速成型該本體結構進而節省製造成本者。

Description

記憶體散熱單元及其製造方法

一種記憶體散熱單元及其製造方法，尤指一種用於記憶體散熱的記憶體 散熱單元及其製造方法。

隨著電子設備所需之計算處理速度越快，相對於所設置之中央處理器以及記憶體也必須選用高效能之處理晶片，當具有高效能之處理晶片運行時則會產生高溫，高溫容易令晶片產生熱當或燒毀等情事發生，故針對晶片勢必須設置足以解熱之散熱單元或記憶體散熱單元，藉此防止熱當及晶片損毀。

針對記憶體晶片之散熱一般業者係採用單片式鋁或銅之片體，於該記憶體之左、右兩側各設置一片體直接貼附並吸附該記憶體晶片所產生之熱量，再由片體對外進行輻射散熱，而兩對應之片體通常需要另外搭配諸如黏膠、鎖固元件或夾持單元等構件或部件，以令其可透過膠黏或螺鎖或貫穿或夾持等方式與該記憶體進行固定組合，但當搭配有複數片記憶體且所設置之空間狹窄，該等記憶體間需緊密排列時，則無法額外預留增設前述散熱片體對該記憶體進行輻射散熱，再者，由於單片對應夾式散熱片體因需經由多道安裝程序以令其固定於記憶體上者，其使用上極為不便利。

並另一台灣新型專利M300870一案中揭示一種記憶體散熱夾，其側視為一個ㄇ形的長夾體，係以頂面連接兩側內傾面而構成，其中呈弧形的頂面寬度約等於記憶體寬度，而兩內傾面向下漸縮小寬度。經此，當散熱夾夾合於記憶體時，其中之一內傾面會與記憶體上之晶片表面貼緊，將晶片產生的熱量快速散去，而另一業者將認為該案所揭示如第15圖所示，揭示一種具有轉折面的散熱夾9用於夾住一記憶卡8的情形。該記憶卡8的正反兩面各具有數格晶片80。該散熱夾9係包括一頂面91、兩內側面90及兩互相平行的垂直段93。該兩垂直段93係分別延伸自該頂面91之兩邊並供連接兩內側傾面92。此外，該兩垂直段93與該兩內傾面92係分別藉由一連接段94相連接，該連接段94係延伸自該垂直 段93並先向外傾斜再與該內傾面92連接，由於該兩垂直段93之間的距離D1係與該記憶卡8之厚度W相等，且該兩連接段94之間的最大距離D3係大於該兩垂直段93之間的距離D1(即該記憶卡8之厚度W)，以及該兩內傾面92的上段H1之間的間距係部分大於該記憶卡8之厚度W、部分等於該記憶卡之厚度W。該兩垂直段93、該兩連接段94及該兩內傾面92的上段H1，對整個散熱夾9而言都無法提供夾的力量，這使得該散熱夾9係只能依靠該兩內傾面92的下段H2部分，也就是該兩內傾面92之間的距離小於該記憶卡8之厚度W的部分，將該記憶卡8夾住，至於該散熱夾9的其他部分則是完全無法對該記憶卡8起到任何夾持的作用，這使得該散熱夾9沒有夾緊該記憶卡8，從而導致其散熱不良。再者，由於該散熱夾9係經過該兩連接段94先向外彎折再連接該兩內傾面92而向內彎折，因此該散熱夾9織成型模具在設計及製造上顯會較為困難，如此特殊形狀之散熱夾也難透過自動化加工成型來製造。

另有業者提出專利技術台灣發明專利證書號I509391主要針對前述習知之技術之缺失進行改良。

台灣發明專利證書號I509391主要揭示一種記憶體裝置及其散熱夾5，如第16圖所示該散熱夾5係由一具彈性的金屬導熱片彎折而成切，且包括一頂板51及兩側板53。該兩側板53係相互面對且分別自該頂板51之兩相對側邊向下延伸。每一側板53包括一頂段531、一內傾段533及一導角535。該兩頂段531係分別延伸自該頂板51之兩相對側緣，且向內傾斜。該兩內傾段533分別延伸自該兩頂段531之底緣，且續向內傾斜。該兩導角535係分別延伸自該兩內傾段533之底緣，並向外傾斜。該散熱夾5係藉由該兩側板53緊夾住該記憶卡10，使得該記憶卡10之該些晶片100能達到散熱的目的。前述兩習知案件主要皆透過以散熱夾5之方式藉由該兩內傾段533向內傾斜夾持該記憶體卡10之晶片100進行導熱，又該內傾段533呈傾斜而非平行設置之設計，故當夾持該記憶卡10之晶片100時易產生間隙而無法有效完整的服貼夾持令其造成熱阻之情事發生，雖此項結構簡單且容 易設置，但此種結構具有夾持力，固材料選用上若延展性不佳或不具備可彈性變型之材料並不適用。

故針對如何改善記憶體之記憶體散熱單元或散熱單元之設計改善則為現行該項技藝之人士首要改善之目標。

爰此，為解決上述習知技術之缺點，本發明之主要目的，係提供一種用於記憶體的記憶體散熱單元及其製造方法。

為達成上述目的，本發明係提供一種記憶體散熱單元，係包含：一本體，具有一第一部分及一第二部分及一連接部，所述連接部兩端連接前述第一、二部分，所述第一、二部分分別具有至少一第一受熱部及至少一第二受熱部，所述第一、二受熱部對應與至少一晶片接觸進行熱交換。

為達成上述目的，本發明係提供一種記憶體散熱單元之製造方法，係包含下列步驟；提供一板狀本體，並定義一第一部分及一第二部分及一連接部；於前述第一、二部分施以第一次沖壓加工，於該第一、二部分產生至少一第一受熱部及至少一第二受熱部；於該連接部處施以第二次沖壓加工，令該第一、二部分向該連接部方向彎折使該板狀本體呈一ㄇ字狀。

透過本發明之記憶體散熱單元及其製造方法，可改善習知記憶體散熱單元缺失，並同時提供快速製造且節省成本的記憶體散熱單元的製造方法。

a‧‧‧第一熱傳元件

b‧‧‧第二熱傳元件

1‧‧‧本體

11‧‧‧第一部分

11a‧‧‧第一彎折部

11b‧‧‧第三彎折部

111‧‧‧第一受熱部

1111‧‧‧第一凸緣部

1112‧‧‧第一延伸部

112‧‧‧第一夾角

113‧‧‧第一外表面

114‧‧‧第一內表面

116‧‧‧第一固定部

117‧‧‧第一穿孔

118‧‧‧第一通氣孔

12‧‧‧第二部分

121‧‧‧第二受熱部

1211‧‧‧第二凸緣部

1212‧‧‧第二延伸部

12a‧‧‧第二彎折部

12b‧‧‧第四彎折部

122‧‧‧第二夾角

123‧‧‧第二外表面

124‧‧‧第二內表面

126‧‧‧第二固定部

127‧‧‧第二穿孔

128‧‧‧第二通氣孔

13‧‧‧連接部

131‧‧‧散熱鰭片

132‧‧‧凹折部

3‧‧‧記憶體

31‧‧‧晶片

4‧‧‧ㄇ型夾具

5‧‧‧散熱夾

51‧‧‧頂板

53‧‧‧側板

531‧‧‧頂段

533‧‧‧內傾段

535‧‧‧導角

6‧‧‧熱傳導單元

7‧‧‧散熱單元

8‧‧‧記憶卡

80‧‧‧晶片

9‧‧‧散熱夾

90‧‧‧內側面

91‧‧‧頂面

92‧‧‧內側傾面

93‧‧‧垂直段

94‧‧‧連接段

D1‧‧‧距離

W‧‧‧厚度

D3‧‧‧距離

H1‧‧‧上段

H2‧‧‧下段

10‧‧‧記憶卡

100‧‧‧晶片

第1圖係為本發明記憶體散熱單元之第一實施例立體組合剖視圖；第1a圖係為本發明記憶體散熱單元之第一實施例另一態樣立體組合剖視圖；第2圖係為本發明記憶體散熱單元之第一實施例另一實施態樣圖；第2a圖係為本發明記憶體散熱單元之第一實施例另一實施態樣圖； 第3圖係為本發明記憶體散熱單元之第二實施例立體組合剖視圖；第3a圖係為本發明記憶體散熱單元之第二實施例立體另一態樣立體組合剖視圖；第4圖係為本發明記憶體散熱單元之第三實施例立體組合剖視圖；第4a圖係為本發明記憶體散熱單元之第三實施例另一態樣立體組合剖視圖；第5圖係為本發明記憶體散熱單元之第三實施例另一立體組合剖視圖；第5a圖係為本發明記憶體散熱單元之第三實施例另一立體組合剖視圖；第5b圖係為本發明記憶體散熱單元之第三實施例另一立體組合剖視圖；第5c圖係為本發明記憶體散熱單元之第三實施例另一立體組合剖視圖；第6圖係為本發明記憶體散熱單元之第四實施例立體組合圖；第6a圖係為本發明記憶體散熱單元之第四實施例另一立體組合圖；第7圖係為本發明記憶體散熱單元之第四實施例另一立體組合剖視圖；第7a圖係為本發明記憶體散熱單元之第四實施例另一立體組合剖視圖；第8圖係為本發明記憶體散熱單元之第五實施例立體剖視圖；第8a圖係為本發明記憶體散熱單元之第五實施例立體剖視圖；第9a圖係為本發明記憶體散熱單元之第六實施例立體分解圖；第9b圖係為本發明記憶體散熱單元之第六實施例立體分解圖；第10a圖係為本發明記憶體散熱單元之第七實施例立體剖視圖；第10b圖係為本發明記憶體散熱單元之第七實施例另一立體剖視圖；第10c圖係為本發明記憶體散熱單元之第七實施例另一立體剖視圖；第10d圖係為本發明記憶體散熱單元之第七實施例另一立體剖視圖；第10e圖係為本發明記憶體散熱單元之第七實施例另一立體剖視圖；第10f圖係為本發明記憶體散熱單元之第七實施例另一立體剖視圖；第11圖係為本發明記憶體散熱單元之第八實施例立體組合圖；第12圖係為本發明記憶體散熱單元之製造方法之第一實施例步驟流程圖； 第13圖係為本發明記憶體散熱單元之製造方法之第二實施例步驟流程圖；第14圖係為本發明記憶體散熱單元之製造方法之施工示意圖；第15圖係為習知記憶體散熱單元示意圖；第16圖係為習知記憶體散熱單元示意圖。

請參閱第1、1a、2、2a圖，係為本發明記憶體散熱單元之第一實施例立體組合剖視及另一實施態樣圖，如圖所示，所述記憶體散熱單元，係包含：一本體1；所述本體1具有一第一部分11及一第二部分12及一連接部13，所述連接部13兩端連接前述第一、二部分11、12，所述第一、二部分11、12分別具有至少一第一受熱部111及至少一第二受熱部121，所述第一、二受熱部111、121對應與至少一記憶體3之晶片31接觸進行熱交換。

所述第一、二部分11、12係與該連接部13間分別具有一第一夾角112及一第二夾角122，所述第一、二夾角112、122小於等於90度。 所述第一部分11具有一第一外表面113及一第一內表面114，所述第一受熱部111係由該第一內表面114向該第一外表面113凹陷設置，所述第二部分12具有一第二外表面123及一第二內表面124，所述第二受熱部121係由該第二內表面124向該第二外表面123凹陷設置，所述第一、二外表面113、123呈凸出狀。

本發明主要之記憶體散熱單元係用與一記憶體3做散熱使用，所述第一內表面114及該第二內表面124係與該記憶體3外部表面接觸貼設，尤其該第一、二受熱部111、121對應與該記憶體3外部凸設之複數晶片31對應結合，本實施例第一、二受熱部111、121對應罩覆於該等晶片31之外表面進行熱交換。

本實施例再一實施態樣係可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第1a圖所示。

本實施例之第一、二受熱部111、121係可直接與一第一熱傳元件a及一第二熱傳元件b直接貼設進行熱交換，並該第一、二第一熱傳元件a、b可透過黏合或焊接之方式與該本體1進行結合，亦可透過一ㄇ型夾具4與該本體1進行夾持固定(如第2圖所示)。

本實施例再一實施態樣係可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11，且與對應第一熱傳元件a直接貼設進行熱交換作為說明實施如第2a圖所示。

請參閱第3、3a圖，係為本發明記憶體散熱單元之第二實施例立體組合剖視圖，如圖所示，本實施例與前述第一實施例差異在於所述第一部分11具有一第一外表面113及一第一內表面114，所述第一受熱部111係由該第一外表面113向該第一內表面114凹陷設置，所述第二部分12具有一第二外表面123及一第二內表面124，所述第二受熱部121係由該第二外表面123向該第二內表面124凹陷設置，即本實施例所述第一、二受熱部111、121係由該第一、二內表面114、124凸出抵頂記憶體3之該等晶片31之外表面進行熱交換散熱。

本實施例再一實施態樣係可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第3a圖所示。

請參閱第4、4a、5、5a、5b、5c圖，係為本發明記憶體散熱單元之第三實施例立體分解及組合剖視圖，如圖所示，本實施例與前述第一實施例差異在於本實施例之所述第一、二受熱部111、121態樣係為一孔洞，前述孔洞(即第一受熱部111)貫穿該第一部分11並連接該第一外、內表面113、114，及孔洞(即第二受熱部121)貫穿該第二部分12並連接第二外、內表面123、124，令第一、二受熱部111、121供對應設置之記憶體3外表面之晶片31由該第一、二受熱部111、121處向外凸出裸露於該本體1之外部進行輻射散熱。

本實施例再一實施態樣係亦可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第4a圖所示。

更可於該第一、二受熱部111、121周緣向外凸伸一第一凸緣部1111及一第二凸緣部1211，並令該第一、二凸緣部1111、1211直接與該等晶片31之外部周緣接觸熱傳導，將該等晶片31所產生之熱量傳遞至該本體1進行熱交換(如第5圖所示)。

本實施例再一實施態樣係可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第5a圖所示。

前述第一、二凸緣部1111、1211亦可於其中其一或其二垂直延伸一第一延伸部1112及一第二延伸部1212(如第5b圖所示)，所述第一、二延伸部1112、1212貼附於該晶片31向外凸出裸露之部位之局部表面，該等晶片31亦可直接與至少一第一熱傳元件a及一第二熱傳元件b接觸熱交換。

本實施例再一實施態樣係可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第5c圖所示。

請參閱第6、6a、7、7a圖，係為本發明記憶體散熱單元之第四實施例立體組合圖，如圖所示，本實施例與前述第一實施例差異在於該等第一受熱部111間隔排列設置，並倆倆第一受熱部111間具有一第一固定部116，或該第一固定部116設置於最首及最末的第一受熱部111之外側處或其他任意位置不拘。

該第一固定部116具有一第一穿孔117，該等第二受熱部121間隔排列設置，並倆倆第二受熱部121間具有一第二固定部126，或該第二固定部126設置於最首及最末的第二受熱部121之外側或其他任意位置不拘，該第二固定部126具有一第二穿孔127，本實施例具有一第一熱傳元件a及一第二熱傳元件b，所述第一、二熱傳元件a、b貫穿前述第一、二固定部116、126之第一、二穿孔117、127，所述第一、二熱傳元件a、b之管身係與該等第一、二受熱部111、121接觸進行熱傳導，所述第一、二熱傳元件a、b遠 離該第一、二固定部116、126之一端連接一散熱單元7，所述散熱單元7係為鰭片組或散熱器或水冷頭或熱交換裝置其中任一，本實施例係以散熱器作為說明實施並不引以為限。

本實施例再一實施態樣係亦可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第6a、7a圖所示。

本實施例中所述之第一、二熱傳元件a、b至少一側為扁平側可直接該第一、二受熱部111、121接觸進行熱交換，所述第一、二熱傳元件a、b之態樣如D型、扁平管、平板型熱管等具有其平齊面可直接與記憶體3晶片31直接相貼附者。

請參閱第8、8a圖係為本發明記憶體散熱單元之第五實施例立體剖視圖，如圖所示，本實施例與前述第一實施例差異在於本實施例具有複數第一、二受熱部111、121，該等第一受熱部111間隔排列設置，一第一通氣孔118設置於倆倆第一受熱部111間或第一受熱部111以外之部位，該等第二受熱部121間隔排列設置，一第二通氣孔128設置於倆倆第二受熱部121之間或第二受熱部121以外之部位，所述第一、二通氣孔118、128係可增加散熱氣流流動效率。

本實施例再一實施態樣係可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第8a圖所示。

請參閱第9a、9b圖係為本發明記憶體散熱單元之第六實施例立體分解圖，如圖所示，本實施例與前述第一實施例差異在於本實施例係於該本體1之整體或局部區域設置凸起或凹陷(如透過珠擊法)之結構(如凹坑或凸部)，或表面形成破口或破孔或沖縫(如透過沖壓加工)或增加表面粗糙面(噴砂加工或設置複數散熱鰭片或鰭柱結構(如透過銑削加工沖壓加工等)，本實施例係於本體1之連接部13處表面設置複數散熱鰭片131作為說明實施例並不引以為限，本實施例另一實施態樣係為於該本體1之第 一、二外表面113、123形成複數漸層凹、凸之造型，藉此，本實施例所增設之外部結構係可增加該本體1之外部表面輻射散熱之散熱面積進而提升整體散熱效率，也可藉由該等凹、凸造型構形成外觀造型賦予美觀及美學設計。

請參閱第10a、10b、10c、10d、10e、10f圖，係為本發明記憶體散熱單元之第七實施例立體組合剖圖，本實施例部分結構與前述第一至六實施例相同，故在此不再贅述，本實施例之結構技術特徵適用結合前述第一至六實施例中，所述連接部13該第一部分11連接處具有一第一彎折部11a，所述第二部分12與該連接部13連接處具有一第二彎折部12a，所述第一、二彎折部11a、12a向外彎折，所述第一、二彎折部11a、12a係可增加第一、二部分11、12向內之夾持力，但仍保持所述第一、二部分11、12相互平行，如第10a圖所示。

本實施例再一實施態樣係可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第10b圖所示。

複參閱第10c圖，係為本實施例另一變化態樣，本變化態樣與前述第10a圖所揭示之差異在於所述第一受熱部111相對於前述第一彎折部11a之另一端具有一第三彎折部11b，所述第二受熱部121相對於前述第二彎折部12a之另一端具有一第四彎折部12b，所述第三、四彎折部11b、12b係向外延伸彎曲，所述連接部13處具有一凹折部132，所述凹陷近部132係可提供一彈性變形空間，便於該本體1彈性變形，本變化態樣由該第一、三彎折部11a、11b於該第一外表面113所形成之一第一夾持空間11c及該第二、四彎折部12a、12b於該第二外表面123所形成一第二夾持空間12c係可與一熱傳導單元6進行結合，所述熱傳導單元6係為一熱管或均溫板或金屬導熱體或水冷套其中任一進行穿入卡制結合，並由該熱傳導單元6將所述晶片31所產生之熱量傳導至遠端進行散熱，本實施例係以熱管作為說明實施例並不引以為限。

本實施例再一實施態樣係可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第10d圖所示。

複參閱第10e圖，係為本實施例再一變化態樣，本變化態樣與前述第10b圖所揭示之差異在於態樣係為所述第三、四彎折部11b、12b係向內延伸彎曲，藉以增加夾持該晶片31之效果。

本實施例再一實施態樣係可僅於第一、二部分11、12其中任一設置前述第一受熱部111，本態樣係以將第一受熱部111設置於該第一部分11作為說明實施如第10f圖所示。

本實施例適用結合於前述第一至六實施例其中任一之中，並不引以為限前述任一實施例。

請參閱第11圖，係為本發明記憶體散熱單元之第八實施例立體組合剖圖，如圖所示，本實施例與前述第五實施例差異在於本實施例之第一、二固定部116、126係與另一本體1之第一、二固定部116、126對應設置，即一本體1之第一部分11上所設置之第一固定部116與另一本體1之第二部分12上所設置之第二固定部126水平對應設置，並且該第一穿孔117與該第二穿孔127亦水平對應相連通，令一第一熱傳元件a穿設固定時同時貫穿該第一、二穿孔117、127將兩相鄰之本體1串接組合，該第一熱傳元件a之兩側邊同時可傳導兩本體1之所吸附熱量進行熱傳導。

參閱前述說明第一至八實施例中所述第一、二受熱部111、121與該晶片31接觸之第一、二內表面114、124係具有導熱膠或導熱板或導熱之良導體(圖中未示)，藉以增加晶片31與第一、二受熱部111、121間更為緊密貼合防止熱阻情事之發生，並各實施例中之第一、二受熱部111、121或晶片直接裸露之處係可直接與熱傳導單元6直接接觸進行熱傳導或熱交換，所述熱傳導單元6係為一熱管或均溫板或金屬導熱體或水冷 套或水冷頭其中任一，上述各實施例係簡單以熱管作為說明實施示意但並不引以為限。

請參閱第12圖，係為本發明記憶體散熱單元之製造方法之第一實施例步驟流程圖，並一併參閱第1-9c圖及第14圖施工示意圖，本實施例之步驟流程係包含下列步驟：

S1：提供一板狀本體，並定義一第一部分及一第二部分及一連接部；係選用一導熱或散熱性質良好之材質板狀本體1，如銅或鋁或不銹鋼或純鈦等材質，並預先將該板狀本體1定義一第一部分11及一第二部分12及一連接部13，所述連接部13設於該板狀本體1中央處並兩端連接該第一、二部分11、12。

S2：於前述第一、二部分施以第一次沖壓加工，於該第一、二部分產生至少一第一受熱部及至少一第二受熱部；將前述板狀本體1進行沖壓加工，所述第一次沖壓加工主要針對該板狀本體1之第一、二部分11、12進行加工，所述第一次沖壓加工係為打凸印(如第14a圖)或打凹坑(如第14b圖)或下料(如14c圖)其中任一，令前述第一、二部分11、12形成可與晶片31接觸之第一、二受熱部111、121，所述第一、二受熱部111、121由於所進行之第一次沖壓加工種類不同所呈現之態樣亦不相同，當進行打凸印時則呈一凸體(如第1圖所示)，或進行打凹坑時則呈一凹槽(如第2圖所示)，或進行下料時則呈一貫通孔(如第3圖所示)。

S3：於該連接部處施以第二次沖壓加工，令該第一、二部分向該連接部方向彎折使該板狀本體呈一ㄇ字狀。對前述板狀本體1進行第二次沖壓加工，所述第二次沖壓加工為一折彎加工，並該第二次沖壓加工主要針對該連接部13與該第一、二部分11、12連接處進行加工，並令所述連接部13與該第一、二部分11、12連接處形成一第一夾角112及一第二夾角122，並所述第一、二夾角112、122小於或等於90度。

請參閱第13圖，係為本發明記憶體散熱單元之製造方法之第二實施例步驟流程圖，並一併參閱第1-9c圖及第14圖施工示意圖，本實施例之步驟流程係包含下列步驟：本實施例與前述第一實施例步驟S1及步驟S3係為相同在此將不再贅述，惟本實施例與前述第一實施例不同處在於步驟S2：於前述第一、二部分施以第一次沖壓加工，於該第一、二部分其中任一產生至少一第一受熱部；本實施例將前述板狀本體1進行沖壓加工，所述第一次沖壓加工主要針對該板狀本體1之第一部分11進行加工，所述第一次沖壓加工係為打凸印(如第14a圖)或打凹坑(如第14b圖)或下料(如14c圖)其中任一，令前述第一部分11形成可與晶片31接觸之第一受熱部111，所述第一受熱部111由於所進行之第一次沖壓加工種類不同所呈現之態樣亦不相同，當進行打凸印時則呈一凸體(如第1圖所示)，或進行打凹坑時則呈一凹槽(如第2圖所示)，或進行下料時則呈一貫通孔(如第3圖所示)。

前述記憶體散熱單元之第四實施例中，其中該第一、二固定部116、126之成型方式主要係於該板狀本體1進行第一次沖壓加工後增加一沖縫加工，於該第一、二部分11、12之該等第一、二受熱部111、121中之倆倆第一受熱部111或倆倆第二受熱部121間進行該沖縫加工後，其後針對該沖縫加工之處在施以引伸加工(由該第一內表面114向該第一外表面113及由該第二內表面124向該第二外表面123施以引伸加工)產生一凸出結構並於該凸出結構處形成一第一及一第二穿孔117、127供所述第一、二熱傳元件a、b穿設固定使用。

前述記憶體散熱單元之第六實施，其中所述第一、二通氣孔118、128之成型方式主要係於該板狀本體1進行第一次沖壓加工後增加一下料加工，於該第一、二部分11、12之該等第一、二受熱部111、121中之倆倆第一受熱部111或倆倆第二受熱部121間進行該下料加工，最後形成所述第一、二通氣孔118、128。

亦可於前述第二次沖壓加工完成後進型表面處理加工，所述表面處理加工係為珠擊加工或鍍膜加工或陽極處理或噴砂其中任一方式，於該第一、二外表面111、123形成複 數凹坑或凸起結構或粗糙面，藉以增加本體1之散熱面積，提升該第一、二外表面111、123輻射散熱之散熱面積，或結合披覆陶瓷材料提升表面散熱特性。

本發明主要透過改善習知無法設置於狹窄空間之缺失，另外習知技術透過夾持方式與記憶體組3設時無法完整與晶片3貼合吸附熱源進行熱交換以及夾持力過大損壞晶片等缺失，本發明主要保持第一、二部分11、12所設置第一、二受熱部111、121與所對應之記憶體3之晶片31保持平行完整貼合記憶體晶片，改善習知記憶體散熱元件無法完整與晶片貼合之致使熱交換效率不彰之缺失，並透過本發明所提供之簡易結構可提升記憶體晶片散熱效能防止熱當提升記憶體之使用壽命，以及本發明所提供之製造方法係可大幅降低減少工時進而減少製造成本者。

Claims (33)

1. 一種記憶體散熱單元，係包含：一本體，為一體式之結構體，具有一第一部分及一第二部分及一連接部，所述連接部兩端連接前述第一、二部分，所述第一部分具有至少一第一受熱部及所述第二部分具有至少一第二受熱部，所述第一、二部分及該第一、二受熱部分別對應與至少一記憶體之基板及一晶片完整貼合接觸進行熱傳導，所述第一、二部分係與該連接部間分別具有一第一夾角及一第二夾角，所述第一、二夾角等於90度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一部分具有一第一外表面及一第一內表面，所述第一受熱部係由該第一內表面向該第一外表面凹陷設置，所述第二部分具有一第二外表面及一第二內表面，所述第二受熱部係由該第二內表面向該第二外表面凹陷設置。
3. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一部分具有一第一外表面及一第一內表面，所述第一受熱部係由該第一外表面向該第一內表面凹陷設置，所述第二部分具有一第二外表面及一第二內表面，所述第二受熱部係由該第二外表面向該第二內表面凹陷設置。
4. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一部分具有一第一外表面及一第一內表面，所述第一受熱部係於該第一外表面開設一孔洞，該孔洞貫穿該第一部分並連接該第一外、內表面，所述第二部分具有一第二外表面及一第二內表面，所述第二受熱部係 於該第二外表面開設一孔洞，該孔洞貫穿該第二部分並連接該第二外、內表面。
5. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體散熱單元，其中前述第一、二部分具有複數第一、二受熱部，該等第一受熱部間隔排列設置，一第一固定部設置於倆倆第一受熱部間或設置於最首及最末之第一受熱部的外側，該第一固定部具有一第一穿孔，該等第二受熱部間隔排列設置，一第二固定部設置於倆倆第二受熱部間或設置於最首及最末之第二受熱部的外側，該第二固定部具有一第二穿孔。
6. 如申請專利範圍第5項所述之記憶體散熱單元，其中所述本體具有一第一熱傳元件及一第二熱傳元件，所述第一、二熱傳元件貫穿前述第一、二固定部之第一、二穿孔，所述第一、二熱傳元件遠離該第一、二固定部之一端連接一散熱單元，所述散熱單元係為鰭片組或散熱器或水冷頭。
7. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體散熱單元，其中前述第一、二部分具有複數第一、二受熱部，該等第一受熱部間隔排列設置，一第一通氣孔設置於倆倆第一受熱部間或第一受熱部以外之處，該等第二受熱部間隔排列設置，一第二通氣孔設置於倆倆第二受熱部間或第二受熱部以外之處。
8. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體散熱單元，其中該本體表面具有複數凹坑或破孔或鰭片或鰭柱或粗糙面。
9. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一部分與該第一受熱部間具有一第一彎折部，所述第二部分與該第二受熱部間具有一第二彎折部，所述第一、二彎折部向外彎折。
10. 如申請專利範圍第10項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一受熱部相對於前述第一彎折部之另一端具有一第三彎折部，所述第二受熱部相對於前述第二彎折部之另一端具有一第四彎折部，所述第三、四彎折部係向外延伸彎曲，該第一、三彎折部於該第一外表面所形成一第一夾持空間及該第二、四彎折部於該第二外表面所形成之一第二夾持空間係可與一熱傳導單元進行結合。
11. 如申請專利範圍第10項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一受熱部相對於前述第一彎折部之另一端具有一第三彎折部，所述第二受熱部相對於前述第二彎折部之另一端具有一第四彎折部，所述第三、四彎折部係向內延伸彎曲。
12. 一種記憶體散熱單元，係包含：一本體，為一體式之結構體，具有一第一部分及一第二部分及一連接部，所述連接部兩端連接前述第一、二部分，一第一受熱部設置於前述第一、二部分其中任一，所述第一、二部分及該第一受熱部分別對應與至少一記憶體之基板及一晶片接觸進行熱傳導，所述第一、二部分係與該連接部間分別具有一第一夾角及一第二夾角，所述第一、二夾角等於90度。
13. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一部分具有一第一外表面及一第一內表面，所述第一受熱部係由該第一內表面向該第一外表面凹陷設置。
14. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一部分具有一第一外表面及一第一內表面，所述第一受熱部係由該第一外表面向該第一內表面凹陷設置。
15. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一部分具有一第一外表面及一第一內表面，所述第一受熱部係於該第一外表面開設一孔洞，該孔洞貫穿該第一部分並連接該第一外、內表面。
16. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體散熱單元，其中前述第一部分具有複數第一受熱部，該等第一受熱部間隔排列設置，一第一固 定部設置於倆倆第一受熱部間或設置於最首及最末之第一受熱部的外側，該第一固定部具有一第一穿孔。
17. 如申請專利範圍第16項所述之記憶體散熱單元，其中所述本體具有一第一熱傳元件，所述第一熱傳元件貫穿前述第一固定部之第一穿孔，所述第一熱傳元件遠離該第一固定部之一端連接一散熱單元，所述散熱單元係為鰭片組或散熱器或水冷頭。
18. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體散熱單元，其中前述第一部分具有複數第一受熱部，該等第一受熱部間隔排列設置，一第一通氣孔設置於倆倆第一受熱部間或第一受熱部以外之處。
19. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體散熱單元，其中該本體表面具有複數凹坑或破孔或鰭片或鰭柱或粗糙面。
20. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一受熱部設置於前述第一部分，所述第一部分與該第一受熱部間具有一第一彎折部，所述第一彎折部向外彎折。
21. 如申請專利範圍第20項所述之記憶體散熱單元，其中所述第一受熱部相對於前述第一彎折部之另一端具有一第三彎折部，所述第三彎折部係向外或向內其中任一延伸彎曲，該第一、三彎折部於該第一外表面所形成一第一夾持空間係可與一熱傳導單元進行結合。
22. 一種記憶體散熱單元之製造方法，係包含下列步驟： 提供一板狀本體，並定義一第一部分及一第二部分及一連接部；於前述第一、二部分施以第一次沖壓加工，於該第一、二部分產生一以上第一受熱部及一以上第二受熱部；於該連接部處施以第二次沖壓加工，令該第一、二部分向該連接部方向彎折使該板狀本體呈一ㄇ字狀一體式之結構體，所述第二次沖壓係為折彎加工，並所述第一、二部分係與該連接部間分別具有一第一夾角及一第二夾角，所述第一、二夾角等於90度。
23. 如申請專利範圍第22項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中所述第一次沖壓加工係為打凸印或打凹坑或下料。
24. 如申請專利範圍第22項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中所述連接部係設於該板狀本體之中央處，所述第一、二部分設於該連接部之兩側。
25. 如申請專利範圍第22項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中所述第一受熱部及該第二受熱部係呈一凸體或一凹槽或一貫通孔。
26. 如申請專利範圍第22項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中第二次沖壓加工更具有一表面處理加工，所述表面處理加工係為鍍膜或珠擊法或陽極處理或噴砂。
27. 如申請專利範圍第22項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中於前述第一、二部分施以第一次沖壓加工，於該第一、二部分產生至少一第一受熱部及至少一第二受熱部；此一步驟後具有一下料加工，於該第一、二部分之該等第一、二受熱部中之倆倆第一受熱部或倆倆第二受熱部間進行該下料加工，最後形成至少一第一通氣孔及至少一第二通氣孔。
28. 一種記憶體散熱單元之製造方法，係包含下列步驟： 提供一板狀本體，並定義一第一部分及一第二部分及一連接部；於前述第一、二部分施以第一次沖壓加工，於該第一、二部分其中任一產生一以上第一受熱部；於該連接部處施以第二次沖壓加工，令該第一、二部分向該連接部方向彎折使該板狀本體呈一ㄇ字狀一體式之結構體，所述第二次沖壓係為折彎加工，並所述第一、二部分係與該連接部間分別具有一第一夾角及一第二夾角，所述第一、二夾角等於90度。
29. 如申請專利範圍第28項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中所述第一次沖壓加工係為打凸印或打凹坑或下料。
30. 如申請專利範圍第28項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中所述連接部係設於該板狀本體之中央處，所述第一、二部分設於該連接部之兩側。
31. 如申請專利範圍第28項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中所述第一受熱部係呈一凸體或一凹槽或一貫通孔。
32. 如申請專利範圍第28項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中第二次沖壓加工更具有一表面處理加工，所述表面處理加工係為鍍膜或珠擊法或陽極處理或噴砂。
33. 如申請專利範圍第28項所述之記憶體散熱單元之製造方法，其中於前述第一、二部分施以第一次沖壓加工，於該第一、二部分其中任一產生至少一第一受熱部；此一步驟後具有一下料加工，於該第一、二部分之該等第一受熱部中之倆倆第一受熱部間進行該下料加工，最後形成至少一第一通氣孔。