CN101179266A

CN101179266A - 不受温度变化及供应电压变化影响的稳定振荡器

Info

Publication number: CN101179266A
Application number: CNA2006101435152A
Authority: CN
Inventors: 吴盈锋; 吴哲铭
Original assignee: TIANSHI ELECTRONIC CO Ltd
Current assignee: TIANSHI ELECTRONIC CO Ltd
Priority date: 2006-11-10
Filing date: 2006-11-10
Publication date: 2008-05-14
Anticipated expiration: 2026-11-10
Also published as: CN100581056C

Abstract

本发明提供一比较器，用于振荡器电路并具有一自我偏压(self bias)的参考电压，比较器包括：一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络，形成定电流等效连接，其中耗尽型金属氧化物半导体晶体管的一栅极以及一源极间连接；一增强型金属氧化物半导体晶体管网络，其中增强型金属氧化物半导体晶体管的一漏极或一源极与耗尽型金属氧化物半导体晶体管串联，其一栅极端可接收一输入电压，当输入电压低于参考电压时，比较器输出一高电平信号，当输入电压高于参考电压时，比较器输出一低电平信号。另外，一振荡器电路使用上述的比较器，使参考电压独立于外部电压源变化以及温度变化。

Description

不受温度变化及供应电压变化影响的稳定振荡器

技术领域

本发明涉及一振荡器电路，尤其涉及一种稳定性不受外部电源以及温度变化影响的振荡器电路。

背景技术

振荡器(oscillator)，普遍被应用于诸如锁相回路(phase-locked loop)、频率合成器(frequency synthesizer)以及频率产生(frequency generator)电路等，随着通信以及消费性电子产品的普及以及需要，更已广为学者研究以及工业界使用，其工作特性在于利用输入信号的变化而产生不同频率的输出波型。

换言之，产生重复振动电气信号(例如弦波或方波信号)的电气振动现象，即为振荡(oscillation)，请见图1，为一闭回路(close loop)振荡电路100方块示意图，该闭回路振荡电路100满足巴克豪森条件(BarkhausenCriteria)，也就是：回路增益为1(A(jω₀)β(jω₀)＝1)，相位偏移为0(∠A(jω₀)β(jω₀)＝0°)，则所述闭回路振荡电路将振荡在ω₀频率上。

实现所述闭回路振荡电路100有多种变化与可能，主要可分为以下几类：谐波振荡器(harmonic oscillator)、弛张振荡器(relaxation oscillator)以及晶体(crystal)振荡器等，但也不以此为限。

首先，谐波(正弦波)振荡器是在没有外加输入信号的情况下，依靠电路自激振荡而产生正弦波输出电压的电路。其基本原理是将一滤波器的输出接到一放大器，再把所述放大器的输出接回所述滤波器的输入。当该放大器的电源开始供应的瞬间，于放大器的输出端只有噪声(noise)。所述噪声传到该滤波器，使噪声中特定部分频率被滤波出来，出现在该滤波器的输出端。该滤波器的输出端又接到该放大器的输入端，因此滤波后的信号通过该放大器放大，再进入该滤波电路滤波。上述步骤不断重复，直到输出信号为所需信号为止。

谐波振荡器可以利用不同的放大与滤波方式加以实施，因此有许多不同的实施方法，诸如Hartley振荡器、Colpitts振荡器、Clapp振荡器、Pierce晶体振荡器、相移振荡器、RC振荡器以及Wien-Bridge振荡器以及LC振荡器等，但也不以此为限。

另外，弛张振荡器主要用来产生非正弦波输出信号，如方波或三角波。弛张振荡器具有晶体管等的非线性元件，可以周期性地将储存于电容或电感中的能量释放出来，使得输出信号波形瞬间改变。

产生方波的弛张振荡器可以用在序向逻辑电路(例如定时器、计数器等)的时脉信号。输出三角波(或称锯齿波)的振荡器通常用于以时间为基准、在示波器或电视中的阴极射线管中产生水平反射信号。在频率产生器中，三角波也常用来整型以输出接近正弦波的信号。弛张振荡器也是一种复振器(multivibrator)。

一晶体振荡器可以用来与滤波器偶合，以稳定振荡频率，晶体振荡器具有很好的频率稳定度以及温度因子，频率精确度非常高，但其输出可调变范围狭窄，也因此限制了其用途。

为了增加振荡器调变的能力，以电压调变进行振荡器控制的研究也渐渐成为热点，一电压控制振荡器(Voltage-controlled oscillator，VCO)为一种可利用一输入电压进行振荡频率控制的振荡器，其通一直流电压源与调变信号(modulating signals)控制一二极管的开关来改变静电容值，从而产生频率调变(frequency modulation)以及相位调变(phase modulation)。

值得注意的是，无论振荡器如何演进，只要是利用电子元件网络(例如一电容网络及其等效网络)的充放电效应产生输出波型信号的振荡器，都无法避免输入电源所造成的误差以及噪声影响，其频率特性也可能因温度的的改变而产生变化。请见图2，为习知的一振荡器电路示意图，该振荡器电路200包含一上比较器210、一下比较器220、一正反器230、一放电晶体管240、一反相输出驱动级250、一第一分压电阻260a、一第二分压电阻260b、一第三分压电阻260c、一第一匹配电阻270、一第二匹配电阻280以及一电容290。其中所述分压电阻的阻值相同，Vdd表示输入的直流电压值，因此该上比较器210的触发电位为2/3Vdd，该下比较器220的触发电位则为1/3Vdd。当电源开始施加于所述振荡器电路200时，所述电容290通过所述匹配电阻270以及280进行充电，此时所述下比较器220通过所述正反器230驱使所述反相输出驱动级250输出一高电平信号，并关闭所述放电晶体管240，使得所述电容290持续进行充电。直到该电容290上的跨压达到2/3Vdd时，所述上比较器210输出高电平信号，使得所述正反器230驱使所述反相输出驱动级250输出一低电平信号，并导通所述放电晶体管240，以此，所述电容290通过所述第二匹配电阻280放电。直到该电容290上的跨压再度降至1/3Vdd时，重启上述充电步骤。

图2A为闭回路振荡电路的Vc充放电曲线及Vo输出曲线。由于所述振荡器电路200的充放电电流与比较电压(1/3Vdd和2/3Vdd)会随Vdd变化，故所述振荡器电路200的频率会随Vdd变化而变化。

发明内容

本发明目的之一在于提供可用于振荡器的一比较器(comparator)，包含一耗尽型金属氧化物半导体晶体管(depletion MOS)网络以及一增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(enhanced MOSFET)网络，其中所述电压比较器具有独立于外部电压变化的自我偏压(Self Bias)的一比较电压。

本发明的另一目的在于提供一电压稳压器，所述电压稳压器使所述参考电压独立于外部电压源变化以及温度变化。

本发明的另一目的在于提供可用于振荡器的一比较器，包含一耗尽型金属氧化物半导体晶体管，所述比较器利用组成元件间相对的温度特性使得一比较电压具有温度独立(temperature independent)特性。

本发明的另一目的在于提供具有一比较器元件的一振荡器，利用所述比较器元件独立于外部电压变化的比较电压，使所述振荡器的振荡频率不受外部电压变化影响。

本发明的另一目的在于提供具有一比较器元件的一振荡器，利用所述比较器元件独立于温度变化的参考电压，使所述振荡器的振荡频率不受温度变化影响。

本发明的另一目的在于提供具有一比较器元件的一振荡器，可通过所述比较器元件的工艺设计控制所述振荡器的特性。

为了实现上述目的，本发明提供一比较器，该比较器包含：一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络，形成定电流等效连接，其中所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的一栅极以及一源极间连接；以及一增强型金属氧化物半导体晶体管网络，其中所述增强型金属氧化物半导体晶体管的一漏极或一源极与所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管串联，其一栅极端可接收一输入电压，当所述输入电压低于所述参考电压时，所述比较器输出一高电平信号，当所述输入电压高于所述参考电压时，所述比较器输出一低电平信号。

另外，本发明还提供一振荡器电路，该振荡器电路包含：一电流源，提供所述振荡器电路所需的一充电电流；一电容网络，与所述电流源连接于一参考节点，利用所述电流源进行充电；一开关，与所述电容网络连接于所述参考节点，控制所述振荡器中充/放电模式的切换；一比较器，与所述开关连接于所述参考节点，具有独立于电压源变化及温度变化的一比较电压，通过比较所述电容网络的电压以及所述比较电压而产生一输出信号；一反相网络，分别与所述开关以及所述比较器连接，接收所述输出信号并输出一反相信号以控制所述开关。

在所述的振荡器电路中，包括：

所述电流源输出独立于电压源变化的一电流以对所述电容进行充电。

所述输出信号至少具有两类输出位阶。

所述充电电流具有独立于电压源变化的特性。

所述参考电压也独立温度变化影响。

所述电流源包含一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及两增强型金属氧化物半导体晶体管网络。

或者，所述比较器包含一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及一增强型金属氧化物半导体晶体管网络。

而且，所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络包含至少一耗尽型金属氧化物半导体晶体管。

所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络包含至少一增强型金属氧化物半导体晶体管。

其中，至少一所述增强型金属氧化物半导体晶体管的一漏极或一源极与对应的所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的一个串联，还包含一栅极端可接收一输入电压，当所述输入电压低于所述参考电压时，所述比较器输出一高电平信号，当所述输入电压高于所述参考电压时，所述比较器输出一低电平信号。

所述反相网络具有足够反应所述输出信号变化的一延迟时间特性。

所述反相网络包含奇数反相器。

所述参考电压可为所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的端电压值的总和。

所述参考电压值可通过所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的工艺参数进行调整。

综上所述，由于所述振荡器电路使用所述的比较器，使所述振荡器具有稳定的特性，且具有参考电压独立于外部电压源变化以及温度变化的优点。

附图说明

图1为一闭回路振荡电路方块示意图；

图2为习知的一振荡器电路示意图；

图2A为振荡器中输出信号以及电容跨压间的关系示意图；

图3为本发明所揭露的一实施例中用于一振荡器电路的一比较器；

图3A为本发明所揭露的一实施例中用于一振荡器电路的一电压稳压器；

图3B为图3的等效示意图；

图4为一具有两增强型金属氧化物半导体晶体管以及两耗尽型金属氧化物半导体晶体管的比较器的示意图；

图5为本发明所揭露的一振荡器电路的一实施例；

图6为振荡器上，电容电压Vc以及输出电压的示意图；

图7为本发明的一变化实施例所示的振荡器。

主要元件符号说明：

100：闭回路振荡电路 200：振荡器电路

210：上比较器 220：下比较器

230：正反器 240：放电晶体管

250：反相输出驱动级 260a：第一分压电阻

260b：第二分压电阻 260c：第三分压电阻

270：第一匹配电阻 280：第二匹配电阻

290：电容 30：比较器

31、31’：耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络

32、32’：增强型金属氧化物半导体晶体管网络

33：输入端 34：输出端

40：比较器 50：振荡器电路

51：定电流源 52：电容

53：反相器 54：开关

511：增强型金属氧化物半导体晶体管 512：增强型金属氧化物半导体晶体管

513：耗尽型金属氧化物半导体晶体管 514：稳压电路

520：节点 601：第一定电流源

602：第二定电流源 603：第一开关

604：第二开关 605：第一比较器

606：第二比较器 607：反相器

608：第一电容网络 609：第二电容网络

Vdd：外部电源正端 Gnd：外部电源负端

Vo：输出电压 Vref：参考电压

Self Bias Vref：自我偏压的参考比较电压

Self Bias Vref1：自我偏压的参考比较电压1

Self Bias Vref2：自我偏压的参考比较电压2

具体实施方式

以下结合附图对本发明进行详细说明。

请见图3所示，为本发明所揭露的一实施例中用于一振荡器电路的一比较器(comparator)30。该比较器30包含一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31(depletion MOS)、一增强型金属氧化物半导体晶体管网络32(enhanced MOSFET)、一输入端33以及一输出端34。该耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31与该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32间串联连接(in series)，该耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31的栅极与源极间彼此连接，于此连接方式下，该耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31可等效于一电流源(current source)。所述输入端33与该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32的栅极连接，所述输出端34与该耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31的栅极以及源极连接。该耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31的另一端连接一电压源Vdd。

如图3A，当该输入端33与该输出端34连接时，图3A中所揭露的电路可视为一具有独立于外部电压源变化及温度变化的稳压电路，于此连接关系下，该输出端34输出电压等于一参考电压Vref，该参考电压值Vref具有独立于该电压源Vdd变化及温度变化的特性，该参考电压值Vref即等于该比较器30的一比较电压值，如图3B为该比较器30的等效示意图，关于该参考电压Vref可独立于外部电压源变化及温度变化的原因，将于下说明：

首先，依图3A所示可知，流经该耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31的电流Id与流经该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32的电流In相等。因耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31具有一实体沟道(channel)，且其栅极与源极连接(Vgsd＝0)，依其半导体物理特性可知，当该耗尽型金属氧化物半导体晶体管到达饱和条件后，Id将不受外部电压源的影响。

因此可得：

I_{d} = \frac{1}{2} k_{d} \frac{W_{d}}{L_{d}} {(V_{gsd} - V_{td})}^{2} - - - - - - - - - - - (1)

又Id＝In，可推知

Vgsn = Vtn + \sqrt{\frac{Kd}{Kn} * \frac{{(w / L)}_{d}}{{(w / L)}_{n}}} * Vtd - - - - - - - - - (2)

其中Kd以及K_n为该耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31以及该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32的半导体常数，Wd以及Ld为该耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31的宽度以及长度，Wn以及Ln为该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32的宽度以及长度，V_td以及V_tn为该耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络31以及该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32的电压阈值(threshold voltage)，Vgsn为该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32中源极以与栅极间的电压差，也就是该输出端34输出的该参考电压值Vref，以及该比较器30的该比较电压值

依上述，则：

Vgsn = Vtn + \sqrt{\frac{Kd}{Kn} * \frac{{(w / L)}_{d}}{{(w / L)}_{n}}} * Vtd - - - - - - - - - - (3)

由此，熟习该项技术者可发现，该比较电压的值独立于电压源Vdd，且该比较电压可通过工艺上对晶体管长度以及宽度的调整，获得所需的比较电压。

本发明所揭露的该比较器30的该比较电压值也具有独立于温度变化的特性，总的来说，原因在于该比较器30同时具有温度效应相对的元件，通过工艺上对参数的设定，将可使得两元件产生的温度效应相对抵销，使得该比较器30的比较电压具有独立于温度变化的特性。

以下叙述该比较器30的电路运作方式，该输入端33连接该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32的栅极，因此对流经该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32的电流In具有影响，当该输入端33的输入电压小于该比较电压时，流过该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32的电流值In将变小而使得输出为电压高值(hi)，一旦该输入端33的输入电压大于该比较电压时，流过该增强型金属氧化物半导体晶体管网络32的电流值In将增大而使得输出电压迅速被拉低，虽然输出电压由电压高值(hi)降至一电压低值(low)仍须经过一定的反应时间，然其反应时间相对较小，使得该比较器30可以比较电压为比较电平，输出具有两位阶(例如高、低或开、关等)的输出信号，而因为该比较器30具有独立于温度以及电源变化的特性，因而十分适合用于振荡器电路的实施中。

值得注意的是，虽然图3中该比较器30为一增强型金属氧化物半导体晶体管以及一耗尽型金属氧化物半导体晶体管的组合，但使用晶体管的数量以及类型(例如P型或n型)不应视为本发明的限制，熟习该项技术者可以了解，本发明揭露的该比较器也可以对相对数量的增强型金属氧化物半导体晶体管以及耗尽型金属氧化物半导体晶体管进行组合。如图4所示，为一具有两增强型金属氧化物半导体晶体管32、32’以及两耗尽型金属氧化物半导体晶体管31、31’的比较器40的示意图，该比较器40也可实现前述该比较器30的功能，其中的差别在于，该比较器40中增加的一组增强型金属氧化物半导体晶体管以及耗尽型金属氧化物半导体晶体管将可为该比较器40提供较高的阻抗，使该比较器40更不容易受电源以及温度变化的影响。

请见图5，为本发明所揭露的一振荡器电路的一实施例，该振荡器电路50包含一定电流源51、一比较器40、一电容52、一反相器53以及一开关54。其中该定电流源51包含增强型金属氧化物半导体晶体管511、512以及一耗尽型金属氧化物半导体晶体管513。该增强型金属氧化物半导体晶体管511以及该耗尽型金属氧化物半导体晶体管513也组成一具有独立于温度以及电源变化特性的一稳压电路514，其特性的成因与前述该比较器30一致，于此不再赘述。该增强型金属氧化物半导体晶体管511的栅极与该增强型金属氧化物半导体晶体管512的栅极互相连接形成电流镜架构，使得该两增强型金属氧化物半导体晶体管511、512以及一耗尽型金属氧化物半导体晶体管513形成该定电流源51，该定电流源51输出一电流Im。该增强型金属氧化物半导体晶体管512的漏极与该开关54的一端连接于一节点520上，该电容52也通过该节点520与该定电流源51以及该开关54并连。该比较器40的输入端33也通过该节点520与该电容52、该定电流源51以及该开关54连接。该比较器40的输出端34与该反相器53的输入端连接，该反相器53的输出端与该开关54的另一端连接。

其工作模式可分为充电模式以及放电模式，兹分述于下：

于充电阶段时，该开关54关断(turn off)，使该定电流源51上的电流Im流向该电容52，该电容52上的跨压Vc因而升高，因为该比较器40的该输入端33通过该节点520与该电容52连接，因此该输入端33的电压值与Vc相等，也随Vc不断升高。

直到Vc约略大于该比较电压时，该振荡器50进入放电模式，依先前对该比较器工作原理的叙述，该比较器40的输出端切换为输出一低电平(low)信号，该反相器53接收该低电平信号并输出一高电平信号(high)给该开关54，该开关54因而导通(turn on)，使得该电容52接地。于接地之后，该电容52上累积的电量通过接地端迅速降低，使得Vc也快速下降至接地端电压值。因而使该比较器40输入端的电压值低于该比较电压。因此，该比较器40的输出切换至高电平(hi)，该反相器53接收该比较器的输出后输出一低电平信号，该开关54接收该低电平信号后关断。随后开始另一个充电周期。

本实施例中，该开关54以一增强型电金属氧化物半导体晶体实施，但也不以此为限，任何得以配合该振荡器50所需反应速度的开关均可用于替代实施，例如电磁式、机械式或其它类型的电子式开关。

本实施例中，为进行电路集成化，以一源极以及漏极互相连接的耗尽型金属氧化物半导体晶体管作为一等效电容，但也不以此为限。

本实施例中，该定电流源51作为提供一稳定充电电流，但也不以此为限，例如将定电流源51作为提供一稳定放电电流。

此外，为了避免该开关54无法反应该比较器40输出信号的变化，该反相器53需具有足够的延迟特性。本实施例中，该反相器53以奇数个易于工艺制作的标准反相器串接而成，然而熟习该项技术者必定了解，该反相器53也可以具有足够延迟时间的单一反相器实现。

再者，本实施例可通过控制比较电压值、该电流Im以及该电容52的数值，对该振荡器50的频率进行控制。换言之，当该比较电压值越小，则该振荡器50的充放电周期越小。或者该电流Im越大，则该振荡器50的充放电周期也越小。而当该电容52的电容值越小时，则该振荡器50的充放电周期也越小。反之，当该比较电压值越大，则该振荡器50的充放电周期越大。或者该电流Im越小，则该振荡器50的充放电周期也越大。而当该电容52的电容值越大时，则该振荡器50的充放电周期也越大。通过上述方法，该振荡器50得以满足各种系统以及振荡频率的需要。

图6所示为该振荡器50上，电容电压Vc以及输出电压的示意图。可发现通过该比较器40以及该定电流源51的使用，使得该振荡器50的特性曲线趋近理想。首先，通过定电流元件的使用，使得充电不受电阻因压差变化形成的非线性状态。再者，利用该定电流源51不受电压源以及温度变化影响的特性，使得充电电流得以维持稳定。此外，利用该比较器40不受电压源以及外界温度影响的特性，使得该振荡器50的频率得以维持固定。通过上述的总和影响，一充放电状态维持线性且频率不受电压源以及温度变化影响的振荡器得以实现。

图7所示为本发明另一实施例所揭露的一振荡器60，该振荡器60包括一第一定电流源601、一第二定电流源602、一第一开关603、一第二开关604、一第一比较器605、一第二比较器606、一第一电容网络608、一第二电容网络609以及一反相器607。本实施例中，该第一定电流源601以该定电流源51的架构实施，该第二定电流源602为现有的任一电流镜架构，因此该第二定电流源602的输出电流得以与该第一定电流源601的输出电流成比例。此外，本实施例中该第一定电流源601、该第一开关603、该第一比较器605以及该第一电容网络608间的连接关系与该振荡器50中各元件的连接关系相同，而该第二定电流源602、该第二开关604、该第二比较器606以及该第二电容网络609间的连接关系也与该振荡器50中各元件的连接关系相同，该第一比较器605的输出端与该反相器607的一端，该第二开关604的栅极端与该反相器607的另一端连接，该第二比较器606的输出端与该第一开关603的栅极端连接。于此架构下，该振荡器60的工作原理与该振荡器50相似，但利用该第一定电流源601、该第一比较器605、该第二定电流源602以及该第二比较器606的存在，该振荡器60得以分别控制输出信号的高电平周期以及低电平周期，以输出更精确以及符合需要的振荡频率。值得注意的是，本实施例中，虽然该反相器607连接于该第一比较器605以及该第二开关604之间，但该反相器607也可连接于该第二比较器606以及该第一开关603之间。另外，熟习该项技术者必定了解，该第一定电流源601以及该第二定电流源602可分别使用图5中所揭露的定电流源51的架构，或以任何其它得以提供该振荡器60稳定电流源的架构实现，而不以本实施例所揭露的架构为限。

以上具体实施方式仅用于说明本发明，而非用于限定本发明。

Claims

1.一比较器，其特征在于，用于振荡器电路并具有一自我偏压的参考电压，包含：

一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络，形成定电流等效连接，其中所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的一栅极以及一源极间连接；以及

一增强型金属氧化物半导体晶体管网络，其中所述增强型金属氧化物半导体晶体管的一漏极或一源极与所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管串联，其一栅极端可接收一输入电压，当所述输入电压低于参考电压时，所述比较器输出一高电平信号，当所述输入电压高于所述参考电压时，所述比较器输出一低电平信号。

2.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，当所述输入电压等于所述参考电压时，所述比较器输出所述参考电压。

3.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述参考电压值不受外部电源变化的影响。

4.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述参考电压值不受外部温度变化的影响。

5.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络包含至少一耗尽型金属氧化物半导体晶体管。

6.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络包含至少一增强型金属氧化物半导体晶体管。

7.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，定电流源等效连接是指所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极间彼此连接。

8.根据权利要求4所述的比较器，其特征在于，定电流源等效连接是指所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极间彼此连接。

9.根据权利要求5所述的比较器，其特征在于，所述参考电压可为所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的端电压值的总和。

10.根据权利要求6所述的比较器，其特征在于，所述参考电压可为所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的端电压值的总和。

11.根据权利要求5所述的比较器，其特征在于，所述参考电压值可通过所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的工艺参数进行调整。

12.根据权利要求6所述的比较器，其特征在于，所述参考电压值可通过所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的工艺参数进行调整。

13.一振荡器电路，其特征在于，包含：

一电流源，提供所述振荡器电路所需的一充电电流；

一电容网络，与所述电流源连接于一参考节点，利用所述电流进行充电或放电；

一开关，与所述电容网络连接于所述参考节点，控制所述振荡器中充电或放电模式的切换；

一比较器，与所述开关连接于所述参考节点，具有独立于电压源变化的一参考电压，通过比较所述电容网络的电压以及所述参考电压而产生一输出信号；以及

一反相网络，分别与所述开关以及所述比较器连接，接收所述输出信号并输出一反相信号以控制所述开关。

14.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述电流源输出独立于电压源变化的一电流以对所述电容进行充电。

15.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述输出信号至少具有两类输出位阶。

16.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述充电电流具有独立于电压源变化的特性。

17.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述参考电压也独立温度变化影响。

18.根据权利要求16所述的振荡器电路，其特征在于，所述参考电压独立于温度变化影响。

19.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述电流源包含一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及两增强型金属氧化物半导体晶体管网络。

20.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述比较器包含一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及一增强型金属氧化物半导体晶体管网络。

21.根据权利要求20所述的振荡器电路，其特征在于，所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络包含至少一耗尽型金属氧化物半导体晶体管。

22.根据权利要求20所述的振荡器电路，其特征在于，所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络包含至少一增强型金属氧化物半导体晶体管。

23.根据权利要求20所述的振荡器电路，其特征在于，至少一所述增强型金属氧化物半导体晶体管的一漏极或一源极与对应的所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的一个串联，还包含一栅极端可接收一输入电压，当所述输入电压低于所述参考电压时，所述比较器输出一高电平信号，当所述输入电压高于所述参考电压时，所述比较器输出一低电平信号。

24.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述反相网络具有足够反应所述输出信号变化的一延迟时间特性。

25.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述反相网络包含奇数反相器。

26.根据权利要求20所述的振荡器电路，其特征在于，所述参考电压可为所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的端电压值的总和。

27.根据权利要求20所述的振荡器电路，其特征在于，所述参考电压值可通过所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的工艺参数进行调整。