CN101135865A - 一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法：在基片上制备0.01～10000μm氧化锌牺牲层；通过光刻和刻蚀技术图形化牺牲材料，将来PZT薄膜保留的地方，牺牲层被刻蚀掉，将来PZT薄膜被剥离的地方，牺牲层被保留；在图形化后的牺牲层上制备PZT薄膜；释放牺牲层，剥离出PZT薄膜图形；该方法相对于干法刻蚀方法，设备简单、工艺过程易控制、不会对其它膜层材料造成损害；相对于湿法刻蚀方法，可大大提高图形化的质量，降低图形化难度，同时可避免强酸腐蚀液，提高图形化过程与其半导体和微电子机械系统制造工艺的兼容性。
Description
技术领域
本发明涉及一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法；
背景技术
PZT薄膜在半导体和微电子机械系统的制造工艺中经常被用来作为功能薄膜材料，被广泛的使用于非致冷红外探测仪、非挥发性铁电存储器、各种压电式微传感器及执行器等半导体和微电子机械系统器件中。目前，PZT薄膜的图形化技术主要有：湿法腐蚀、干法腐蚀两种。由于PZT的湿法腐蚀中含有腐蚀性较强的酸，所以与半导体和微电子机械系统的制造工艺的兼容性差，腐蚀出图形较为困难，另外，实验表明即使长时间的腐蚀，PZT薄膜也很难被彻底腐蚀干净。干法腐蚀存在设备成本高，终点难以控制，易损伤其它薄膜层等缺点。山于PZT的制备过程热处理温度都较高，所以传统的剥离技术已不宜使用。
发明内容
本发明的目的在于为了克服现有PZT薄膜的图形化方法中存在的一系列问题，而提出的一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法；该方法相对于干法刻蚀方法，设备简单、工艺过程易控制、不会对其它膜层材料造成损害；相对于湿法刻蚀方法，可大大提高图形化的质量，降低图形化难度，同时避免强酸腐蚀液，提高图形化过程与其它制备工艺的兼容性。
本发明的技术方案如下：
本发明提供的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其步骤如下：
1)在一基片上制备一氧化锌牺牲层；
使用溶胶一凝胶法、金属有机物分解法、溅射法、金属有机化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、水热法，在清洗干净的基片上制备氧化锌牺牲层；
所述基片为硅基片、氮化镓基片、蓝宝石基片、红宝石基片、石英基片、砷化钾基片、碳化硅基片、锗基片或金刚石基片；
2)制备图形化后的牺牲层
通过光刻和刻蚀的方法对所述牺牲层进行图形化处理，将来锆钛酸铅铁电薄膜被剥离的地方，保留牺牲层；其余牺牲层刻蚀掉：
3)制备锆钛酸铅铁电薄膜层
在图形化后的牺牲层上制备锆钛酸铅铁电薄膜层；所述锆钛酸铅铁电(PZT)薄膜层的制备过程中，将所述基片加热至100-1000℃；
4)图形化PZT薄膜层
将上述步骤后的覆有PZT薄膜层的基片放入牺牲层腐蚀液中，腐蚀释放牺牲层，同时剥离锆钛酸铅铁电薄膜层，得到图形化后的锆钛酸铅铁电薄膜；所述腐蚀释放牺牲层的温度为常温至500℃。
本发明提供的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，还可包括，在基片表面上制备氧化锌牺牲层之前，先在基片表面上涂距性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，或在硅基片表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的正F版对负性光刻胶光刻曝光，形成覆于基片上的图形化的光刻胶层；再在图形化的光刻胶层便面上制备氧化锌牺牲层；然后利用常规剥离技术剥离出图形化后的牺牲层。
所述的牺牲层厚度为0.01～10000μm。
所述的PZT薄膜层厚度为0.01～100μm。
所述的制备PZT薄膜层的方法为溶胶一凝胶法、金属有机物分解法、溅射法、金属有机化学气相沉积法或脉冲激光沉积法。
所述的腐蚀释放试剂为酸碱、氯化铵或氨水。
所述基片为覆有二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜或它们的复合膜的硅基片、氮化镓基片、蓝宝石基片、红宝石基片、石英基片、砷化钾基片、碳化硅基片、锗基片或金刚石基片。
所述基片为覆有已图形化Pt/Ti金属薄膜的硅基片、氮化镓基片、蓝宝石基片、红宝石基片、石英基片、砷化钾基片、碳化硅基片、锗基片或金刚石基片。
所述步骤3)制备的锆钛酸铅铁电薄膜层为由钛酸铅薄膜引导层和锆钛酸铅铁电薄膜层组成的复合薄膜层。
也就是：1)首先准备基片
先分别用酸性清洗液或碱性清洗液清洗基片1，之后再用去离子水冲洗干净；若需要可以在基片上制备二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅薄膜以及它们的复合膜。若需要电极，可以使用溅射设备或离子镀膜设备制备Pt/Ti金属薄膜，并采用湿法、干法、常规剥离、或高温剥离来图形化Pt/Ti金属薄膜。
2)制备氧化锌牺牲层
可用两种方法制备氧化锌牺牲层：
(A)利用射频或直流等溅射设备，或使用溶胶-凝胶法等方法在清洗干净的基片1上制备0.01～10000μm氧化锌牺牲层2，如图1所示；
在氧化锌牺牲层2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对距性光刻胶光刻曝光，或在氧化锌牺牲层2表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的正版对负性光刻胶光刻曝光，形成牺牲层光刻胶图形；利用干法或湿法腐蚀的方法图形化牺牲层3如图2所示；
(B)在硅基片1表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，或在硅基片1表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的正版对负性光刻胶光刻曝光，形成牺牲层光刻胶图形；
利用射频或直流等溅射设备，或使用溶胶-凝胶法等方法在清洗干净的基片1上制备0.01～10000μm氧化锌牺牲层2；利用常规剥离技术图形化牺牲层3，如图2所示；
3)制备PZT薄膜
利用溶胶一凝胶法、金属有机物分解法、溅射法、金属有机化学气相沉积法、脉冲激光沉积法中的任意一种制备方法在图形化后的牺牲层3上制备0.01～100μm的PZT薄膜4，其中PZT薄膜可以包含其引导层PT，制备工艺的热处理温度为100～1000℃，如图3所示；
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入相应的牺牲材料腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5，如图4所示。
所述的牺牲层2为氧化锌牺牲层。牺牲层2的厚度为0.01～10000μm。
所述的PZT薄膜4制备时的基片加热温度为100～1000℃。
所述的牺牲层材料2的腐蚀释放温度为室温到500℃。
所述的PZT薄膜4的厚度为0.01～100μm。
所述的PZT薄膜4的制备方法为溶胶一凝胶法、金属有机物分解法、溅射法、金属有机化学气相沉积法、脉冲激光沉积法。
所述的牺牲层薄膜2的制备方法为溶胶一凝胶法、金属有机物分解法、溅射法、金属有机化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、水热法。
本发明针对目前PZT薄膜图形化困难的问题，首次提出一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法；通过首先在基片材料上利用溅射、溶胶-凝胶法等制备技术淀积制备0.01～10000μm氧化锌牺牲层；然后，通过正反刻技术把牺牲层图形化，待覆PZT薄膜被剥离的地方，保留牺牲层；其余牺牲层刻蚀掉；通过溅射、溶胶-凝胶法等技术在图形化的牺牲层上制各PZT薄膜，最后，整个基片被放入磷酸等腐蚀液中，牺牲层在腐蚀液中被腐蚀，同时，PZT薄膜被剥离，形成所需要的图形。整个工艺过程简单可行，工艺过程易控制，避免了强酸的使用，同时可以提高PZT图形化的精度。
本发明的优点在于：本发明的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，相对与干法刻蚀工艺，设备简单、工艺过程易控制、不会对其它膜层材料造成损害；相对于湿法刻蚀而言，大大提高了图形化的质量，降低了图形化难度，同时避免了强酸腐蚀液，提高了图形化过程与其它制备工艺的兼容性。
附图说明：
图1为牺牲层制备后的剖面示意图
图2为牺牲层被图形化后的剖面示意图
图3为PZT薄膜制备后的剖面示意图
图4为PZT薄膜被图形化后的剖面示意图。
图5为PZT薄膜被图形化后的俯视图。
具体实施方式
下面参照附图和实施例详细描述本发明。
实施例1
1)清洗硅基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗硅基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备氧化锌牺牲层
利用射频溅射设备，在清洗干净的基片1上制备0.01μm氧化锌牺牲层2；在氧化锌2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，利用磷酸作为腐蚀液湿法图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜引导层
利用溅射设备在图形化后的牺牲层3上制备0.01μm的PZT薄膜引导层4，基片加热温度在650℃；
4)制备PZT溥膜
利用溅射设备制备0.01μm的PZT薄膜4，基片加热温度为200℃；
5)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例2
1)清洗氮化钾基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗氮化钾基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备氧化锌牺牲层
利用射频溅射设备，在清洗干净的基片1上制备0.01μm氧化锌牺牲层2；在氧化锌2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，利用磷酸作为腐蚀液湿法图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜
利用溅射设备制备0.01μm的PZT薄膜4，基片加热温度为200℃；
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入氢氧化钠腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例3
1)清洗砷化钾基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗砷化钾基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备氧化锌牺牲层
利用金属有机物分解法设备，在清洗干净的基片1上制备5μm氧化锌牺牲层2；在氧化锌牺牲层2表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的正版对负性光刻胶光刻曝光，形成牺牲层光刻胶图形；利用磷酸作为腐蚀液湿法腐蚀图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜
利用溶胶-凝胶法制备10μm的PZT薄膜4，基片最高加热温度为800℃；
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例4
1)清洗蓝宝石基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗蓝宝石基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备氧化锌牺牲层
在硅基片1表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对千性光刻胶光刻曝光，或在硅基片1表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的下版对负性光刻胶光刻曝光，形成牺牲层光刻胶图形；
利用金属有机化学气相沉积法，在基片1上制备0.5μm氧化锌牺牲层2；利用常规剥离技术图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜
利用溅射设备制备0.5μm的PZT薄膜4，基片最高加热温度为700℃；
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例5
1)清洗红宝石基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗红宝石基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备牺牲层
利用溶胶-凝胶法，在清洗干净的基片1上制备1μm牺牲层2；在牺牲层2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，利用氢氧化纳作为腐蚀液湿法图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜
利用金属有机化学气相沉积法制备0.8μm的PZT薄膜4：
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入氯化铵腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例6
1)清洗石英基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗石英基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备牺牲层
利用脉冲激光沉积法，在清洗干净的基片1上制备10000μm牺牲层2；在牺牲层2表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的正版对负性光刻胶光刻曝光，形成牺牲层光刻胶图形；利用磷酸作为腐蚀液湿法腐蚀图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜
利用溶胶一凝胶法制备100μm的PZT薄膜4，基片最高加热温度为650℃；
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例7
1)清洗碳化硅基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗碳化硅基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备牺牲层
在硅基片1表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，或在硅基片1表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的厄版对负性光刻胶光刻曝光，形成牺牲层光刻胶图形；
利用水热法，在基片1上制备5000μm牺牲层2；利用常规剥离技术图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜
利用脉冲激光沉积法制备50μm的PZT薄膜4；
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例8
1)清洗锗基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗锗基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备氧化锌牺牲层
在砷化镓基片1表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，或在砷化镓基片1表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的正版对负性光刻胶光刻曝光，形成牺牲层光刻胶图形；
利用射频溅射设备，在基片1上制备1μm氧化锌牺牲层2；利用常规剥离技术图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜
利用金属有机物分解法制备0.8μm的PZT薄膜4；
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例9
1)清洗金刚石基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗金刚石基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备牺牲层
在硅基片1表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，或在硅基片1表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的正版对负性光刻胶光刻曝光，形成牺牲层光刻胶图形；
利用水热法，在基片1上制备3μm牺牲层2；利用常规剥离技术图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜
利用溶胶-凝胶法制备3μm的PZT薄膜4，基片最高加热温度1000℃
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例10
1)清洗硅基片
先用酸性清洗液和碱性清洗液清洗硅基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备氧化锌牺牲层
利用射频溅射设备，在清洗干净的基片1上制备0.01μm氧化锌牺牲层2；在氧化锌2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，利用磷酸作为腐蚀液湿法图形化牺牲层3；
3)制备PZT薄膜
利用溅射设备制备0.01μm的PZT薄膜4，基片加热温度为200℃；
4)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入氨水腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例11
1)清洗硅基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗硅基片1，之后再用去离子水冲洗干净；在硅基片上制备0.01-10μm氮化硅膜。
2)制备图形化Pt/Ti金属薄膜电极
在清洗后的硅基片上，利用溅射设备或离子镀膜设备，制备Pt/Ti金属薄膜，并利用湿法腐蚀图形化Pt/Ti金属薄膜。
3)制备氧化锌牺牲层
利用射频溅射设备，在清洗干净的基片1上制备0.01μm氧化锌牺牲层2；在氧化锌2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，利用磷酸作为腐蚀液湿法图形化牺牲层3；
4)制备PZT薄膜引导层
利用溅射设备在图形化后的牺牲层3上制备0.01μm的PZT薄膜引导层4，基片加热温度在650℃；
5)制备PZT薄膜
利用溅射设备制备0.01μm的PZT薄膜4，基片加热温度为200℃；
6)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例12
1)清洗硅基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗硅基片1，之后再用去离子水冲洗干净；在硅基片上制备0.01～10μm二氧化硅薄膜。
2)制备图形化Pt/Ti金属薄膜电极
在基片上，利用溅射设备或离子镀膜设备，制备Pt/Ti金属薄膜，并利用干法腐蚀图形化Pt/Ti金属薄膜。
3)制备氧化锌牺牲层
利用射频溅射设备，在清洗干净的基片1上制备0.01μm氧化锌牺牲层2；在氧化锌2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，利用磷酸作为腐蚀液湿法图形化牺牲层3；
4)制备PZT薄膜引导层
利用溅射设备在图形化后的牺牲层3上制备0.01μm的PZT薄膜引导层4，基片加热温度在650℃；
5)制备PZT薄膜
利用溅射设备制备0.0lμm的PZT薄膜4，基片加热温度为200℃；
6)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例13
1)清洗硅基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗硅基片1，之后再用去离子水冲洗干净；在硅基片上制备0.01～10μm二氧化硅和氮化硅复合薄膜。
2)制备图形化Pt/Ti金属薄膜电极
在清洗后的硅基片上，利用溅射设备或离子镀膜设备，制备Pt/Ti金属薄膜，并利用常规剥离法图形化Pt/Ti金属薄膜。
3)制备氧化锌牺牲层
利用射频溅射设备，在清洗干净的基片1上制备0.01μm氧化锌牺牲层2；在氧化锌2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，利用磷酸作为腐蚀液湿法图形化牺牲层3；
4)制备PZT薄膜引导层
利用溅射设备在图形化后的牺牲层3上制备0.01μm的PZT薄膜引导层4，基片加热温度在650℃；
5)制备PZT薄膜
利用溅射设备制备0.01μm的PZT薄膜4，基片加热温度为200℃；
6)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
实施例14
1)清洗硅基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗硅基片1，之后再用去离子水冲洗干净；
2)制备图形化Pt/Ti金属薄膜电极
在清洗后的硅基片上，利用溅射设备或离子镀膜设备，制备Pt/Ti金属薄膜，并利用高温剥离法图形化Pt/Ti金属薄膜。
3)制备氧化锌牺牲层
利用射频溅射设备，在清洗干净的基片1上制备0.01μm氧化锌牺牲层2；在氧化锌2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，利用磷酸作为腐蚀液湿法图形化牺牲层3；
4)制备PZT薄膜引导层
利用溅射设备在图形化后的牺牲层3上制备0.01μm的PZT薄膜引导层4，基片加热温度在650℃；
5)制备PZT薄膜
利用溅射设备制备0.01μm用的PZT薄膜4，基片加热温度为200℃；
6)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT、薄膜图形5。
实施例15
1)清洗硅基片
先用酸性清洗液或碱性清洗液清洗硅基片1，之后再用去离子水冲洗干净；在硅基片上制备0.01～10μm二氧化硅和氮化硅复合薄膜。
2)制备图形化Pt/Ti金属薄膜电极
在清洗后的硅基片上，利用溅射设备或离子镀膜设备，制备Pt/Ti金属薄膜，并利用高温剥离法图形化Pt/Ti金属薄膜。
3)制备氧化锌牺牲层
利用射频溅射设备，在清洗干净的基片1上制备0.01μm氧化锌牺牲层2；在氧化锌2表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，利用磷酸作为腐蚀液湿法图形化牺牲层3；
4)制备PZT薄膜引导层
利用溅射设备在图形化后的牺牲层3上制备0.01μm的PZT薄膜引导层4，基片加热温度在650℃；
5)制备PZT薄膜
利用溅射设备制备0.01μm的PZT薄膜4，基片加热温度为200℃；
6)图形化PZT薄膜
把经过以上工艺后的基片放入磷酸腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离出PZT薄膜图形5。
Claims (8)
1.一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其步骤如下：
1)在一基片上制备一氧化锌牺牲层；
使用溶胶一凝胶法、金属有机物分解法、溅射法、金属有机化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、水热法，在清洗干净的基片上制备氧化锌牺牲层；
所述基片为硅基片、氮化镓基片、蓝宝石基片、红宝石基片、石英基片、砷化钾基片、碳化硅基片、锗基片或金刚石基片；
2)制备图形化后的牺牲层
通过光刻和刻蚀的方法对所述牺牲层进行图形化处理，将来锆钛酸铅铁电薄膜被剥离的地方，保留牺牲层；其余牺牲层刻蚀掉；
3)制备锆钛酸铅铁电薄膜层
在图形化后的牺牲层上制备锆钛酸铅铁电薄膜层；所述锆钛酸铅铁电薄膜层的制备过程中，将所述基片加热至100～1000℃；
4)图形化PZT薄膜层
将上述步骤后的覆有PZT薄膜层的基片放入牺牲层腐蚀液中，腐蚀释放牺牲层，同时剥离锆钛酸铅铁电薄膜层，得到图形化后的锆钛酸铅铁电薄膜；所述腐蚀释放牺牲层的温度为常温至500℃。
2.按权利要求1所述的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其特征在于，还包括，在基片表面上制备氧化锌牺牲层之前，先在基片表面上涂正性光刻胶，利用PZT薄膜图形的负版对正性光刻胶光刻曝光，或在硅基片表面上涂负性光刻胶，利用PZT薄膜图形的正版对负性光刻胶光刻曝光，形成覆于基片上的图形化的光刻胶层；再在图形化的光刻胶层便面上制备氧化锌牺牲层；然后利用常规剥离技术剥离出图形化后的牺牲层。
3.按权利要求1所述的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其特征在于，所述的牺牲层厚度为0.01～10000μm。
按权利要求1所述的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其特征在于，所述的PZT薄膜层厚度为0.01～100μm。
4.按权利要求1所述的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其特征在于，所述的制备PZT薄膜层的方法为溶胶一凝胶法、金属有机物分解法、溅射法、金属有机化学气相沉积法或脉冲激光沉积法。
5.按权利要求1所述的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其特征在于，所述的腐蚀释放试剂为酸碱、氯化铵或氨水。
6.按权利要求1所述的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其特征在于，所述基片为覆有二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜或它们的复合膜的硅基片、氮化镓基片、蓝宝石基片、红宝石基片、石英基片、砷化钾基片、碳化硅基片、锗基片或金刚石基片。
7.按权利要求1所述的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其特征在于，所述基片为覆有已图形化Pt/Ti金属薄膜的硅基片、氮化镓基片、蓝宝石基片、红宝石基片、石英基片、砷化钾基片、碳化硅基片、锗基片或金刚石基片。
8.按权利要求1所述的图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其特征在于，所述步骤3)制备的锆钛酸铅铁电薄膜层为由钛酸铅薄膜引导层和锆钛酸铅铁电薄膜层组成的复合薄膜层。
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