CN101107729B - 制造oled或用于形成oled的坯件的方法以及这种坯件或oled - Google Patents
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Abstract
一种用于制造有机发光器件或者用来形成有机发光器件的坯件的方法以及这种OLED或坯件，该有机发光器件具有发光区域，所述发光区域两个相对第一侧部和两个相对第二侧部，所述方法至少包括以下步骤：提供衬底；在衬底上沉积并部分去除透明导电材料层，以便形成在第一侧部之间延伸的平行阳极线；沉积并部分地去除至少一个导电层，以便形成连接阳极线的触点；其中，沉积有光刻胶层，从而除了每个阴极线的至少一个接触位置之外，所述光刻胶层在与至少一个第二侧部相邻的触点上方完全延伸，通过所述至少一个接触位置建立了待形成的相应阴极线和相应触点之间的电接触。
Description
技术领域/背景技术
本发明涉及一种制造坯件(blank)的方法，该坯件用来形成有机发光器件，该有机发光器件具有发光区域，该方法至少包括下列步骤：
提供衬底；
形成沿第一方向延伸的平行阳极线；
形成触点，所述触点连接阳极线，并且其被设置成用来接触阴极线；
形成阴极隔离体，阴极隔离体沿与第一方向交叉的第二方向延伸。
这种方法是已知的并且以此提供的坯件可以设置有发光材料，在该发光材料之后，发光区域或者由包含吸气剂(getter)的盖覆盖，或者由封装层系统覆盖。
特别是在使用封装层系统将发光区域与环境隔离开时，已经确定有泄漏发生，这是由于封装层系统质量不足的缘故。对质量不足的原因的进一步调查显示，触点的边缘是不规则的，并且在光刻胶层的边缘(其中形成有包括像素格(pixel compartment)的岸结构 (bank structure))处存在有孔，该孔不能被封装层系统有效地覆盖。进一步调查还显示，湿气和氧气从第二侧部的进入是最强的但是从第一侧部的进入是几乎不存在的。
发明内容
根据本发明，方法的前述特征部分的特征在于，沉积光刻胶层(photoresist layer)，从而除了每个阴极线的至少一个接触位置之外，其在设置成用来与阴极线接触的全部触点上完全延伸，通过所述至少一个接触位置建立相应阴极线和相应触点的电接触。
本发明还提供了用来形成有机发光器件的坯件，该坯件包括：
衬底；
平行阳极线，沿第一方向延伸；
平行阴极隔离体，沿与第一方向交叉的第二方向延伸；
触点，与阳极线电接触，并且设置成用来接触阴极线；
其中，除了各阴极线的至少一个接触位置之外，设置成用来接触阴极线的触点完全由光刻胶层覆盖，通过所述至少一个接触位置建立了相应阴极线和相应触点之间的电接触。
在与至少一个第二侧部相邻的触点上完全延伸的光刻胶层使得触点的边缘光滑，并且阻止了如上面所描述的孔的形成。从而，后来所沉积的封装层系统可以很容易符合该光滑的光刻胶层，而不会因上面所描述的不规则接触边缘或孔而被破坏。
本发明还提供了一种用于制造有机发光器件的方法，所述有机发光器件具有发光区域，该方法至少包括下列步骤：
通过以下步骤提供坯件：
●提供衬底；
●形成阳极线，所述阳极线沿第一方向从一个第一侧部延伸到另一个第一侧部；
●形成阴极隔离体，其沿第二方向从一个第二侧部延伸至另一个第二侧部，所述第二方向与第一方向交叉；
●形成触点，所述触点连接于阳极线，并设置成接触阴极线；
●其中，至少沿第二侧部设置堤结构(embankmentstructure)；以及
其中，在已形成阴极线之后，沉积封装层系统，封装层系统包括层叠的无机层和有机层，包封层系统在设置堤结构之后沉积，包封层系统在堤结构的内堤上方延伸。
本方法还提供了一种有机发光器件，该有机发光器件包括坯件，所述坯件包括：
●衬底；
●阳极线，沿第一方向平行地从一个第一侧部延伸至另一个第一侧部；
●阴极隔离体，沿第二方向平行地从一个第二侧部延伸至另一个第二侧部平行地延伸，所述第二方向与第一方向交叉；
●触点，与阳极线电接触，并且设置成用来接触阴极线；
●其中，堤结构至少沿所述第二侧部设置；以及
其中，在设置堤结构之后沉积封装层系统，该封装层系统在堤结构的内堤上方延伸。
湿气和氧气的进入在阴极隔离体的长度方向上是最显著的。这个发现使得了解到：沿横向于(transverse to)阴极隔离体的长度方向的方向，阴极隔离体提供了用于湿气和氧气的屏障。因此，根据本发明，堤结构至少沿发光区域的第二侧部设置，该堤结构沿横向于阴极隔离体的长度方向提供屏障，所述堤结构优选地类似于阴极隔离体的结构，在这种意义上，它具有与阴极隔离体相类似的截面。应该注意的是，其它结构和材料也可以用于形成堤结构。
根据本发明的进一步改进，堤结构还可以至少沿所述第一侧部设置。
该附加的堤结构提供了用于防止湿气和氧气向发光区域进入的额外保护。
根据本发明的进一步改进，上述方法包括在已形成阴极线后沉积封装层系统。
封装层系统可以包括层叠的无机层和有机层。该系统(其自身是已知的)提供了用于防止湿气和氧气的非常薄的且有效的屏蔽。
优选地，封装层系统在全部发光区域和光刻胶层上方延伸，该光刻胶层在与所述至少一个第二侧部相邻的全部触点上方延伸，并且优选地，封装层系统在围绕发光区域和与所述至少一个第二侧部相邻的触点的区域内与衬底直接接触。
上面所提到的堤结构可以包括至少两个平行堤，所述至少两个平行堤围绕发光区域和与第二侧部相邻的触点，并且与沿至少一个第一侧部设置的、并且与设置成用来与控制芯片的触点相接触的触点交叉。与第二侧部相邻的内堤也可以设置在覆盖这些触点的光刻胶层的顶部。
为了获得有效的封装，当堤结构直接设置于衬底上时是有利的。
当封装层系统在整个堤结构上方延伸时，在封装层系统和衬底和/或堤结构之间获得了非常好的机械接触。从而，将封装层系统剥落的风险被降到最小。进一步地，增加了湿气和氧气的移动长度。另外，湿气和氧气将优选地沿堤结构的长度方向流动，因此而不会达达发光区域。
特别是当两个平行堤围绕发光区域设置时，内堤可以由封装层系统覆盖，而外堤可以用来形成封装层系统的边界。封装层系统的有机层可以以液体的形式沉积，并且外堤将会防止位于与所述至少一个第一侧部相邻的外堤外部的触点部分被有机材料覆盖。这些触点部分应该保持清洁，以便在控制芯片的触点与发光器件的触点之间提供良好的导电性。
本发明还涉及包括根据本发明的坯件的有机发光器件，其中，发光材料设置在阳极线上，并且阴极线设置在发光材料上，封装层 系统在发光区域以及与所述至少一个第二侧部相邻的触点上方延伸。
本发明还涉及包括具有所述堤结构的坯件的有机发光器件，其中，发光材料设置在阳极线上，并且阴极线设置在发光材料上，封装层系统在发光区域、与所述至少一个第二侧部相邻的触点、以及堤结构的内堤上方延伸。
根据本发明的进一步改进，发光器件设置有堤结构，该堤结构在沿所述第一侧部设置的、待与控制芯片连接的触点的上方延伸，封装层结构在所述堤结构的内部延伸直至所述堤结构的外堤，并且不在位于所述堤结构外部的所述触点的一部分上方延伸。
附图说明
本发明将借助于实施例并参照附图作进一步说明，附图中：
图1示出了现有技术OLED(有机发光器件)的示意性俯视图；
图2示出了图1的细节II；
图3示出了图1的细节III；
图4示出了图3的细节IV；
图5示出了图1的细节V；
图6示出了图5的截面VI-VI；
图7示出了图5的截面VII-VII；以及
图8示出了根据本发明的OLED实施例的示意性俯视图。
具体实施方式
图1-7中所示的已知OLED具有发光区域1，该发光区域1具有第一侧部2和第二侧部3。该OLED包括由例如玻璃、透明塑料等制成的衬底S(参见图7和图8)。在发光区域1中，平行阳极线设置于在第一侧部2之间延伸的衬底上。阳极线优选地由诸如ITO的透明导电氧化物制成。进一步地，衬底设置有触点5、6，所述触点将待形成的阳极线和阴极线连接于连接部分7。在使用中，OLED将连接至控制芯片，该控制芯片连接至连接部分7。邻近于第一侧部2中的一个的触点6将阳极线连接至连接体7。邻近于两个第二侧部3的触点5将阴极线连接至连接体7。发光区域由光刻胶层4覆盖，该光刻胶层4中设置有像素格8。光刻胶层4在本领域中由“岸结构”表示。在发光区域1中，阴极隔离体9(参照图3、5和6)设置在岸结构4上。阴极隔离体9可以由相对较厚的光刻胶层形成，该光刻胶层被部分地蚀刻掉以形成阴极隔离体9，所述阴极隔离体在发光区域1的第二侧部3之间延伸。阴极隔离体9设置有遮蔽(shadowing)结构，遮蔽结构自身是已知的，并阻止导电层沉积于其上。因此形成了平行阴极线，其在发光区域1的第二侧部3之间延伸。阴极线覆盖岸结构4中的像素格。在形成阴极线之前，像素格被填充有发光材料(LEP)(诸如PPV)以及增加发光效率的空穴注入层(HIL)(例如PEDT)，这些材料在本领域是已知的。HIL和LEP的应用可以由喷墨打印来完成。
在沉积了HIL、LEP和阴极线之后，发光区域1通过封装层系统而被封闭，该封装层系统包括层叠的无机和有机层。在本实施例中，邻近于第二侧部的触点区域也由封装层覆盖，并且邻近于第一侧部的触点区域由封装层部分地覆盖。
深入的研究已揭示了图1-7中所示的现有技术器件的问题在于，发生了湿气和/或氧气的进入，这是因为封装层系统没有封闭邻近于第二侧部3的岸结构4的边缘处的发光区域。图1中所示的细节II、III在图2和3中进行了描绘，并且在图4中进行了更详细的描绘。研究发现，金属触点5的边缘5a是不平滑的(uneven)且易碎的。这起因于这样的事实，即触点由例如MoCr、Al、MoCr的多层金属合金形成，这些层被蚀刻掉以形成触点5。由于Al蚀刻速度快于MoCr，触点5是底切的(undercut)，这使得触点5的边缘5a易碎。金属薄片10(参见图2、5和7)可以导致对接下来要形成的封装层结构的损坏。应该注意到：用于形成阳极线的蚀刻层或者由不同材料制得的触点有时也是不平滑的，这可能导致类似的问题。进一步地，如图2-5所示，在岸结构的边缘4a和金属触点5的边缘5a的交叉处，形成有孔11。该孔11不能被封装层系统有效地封闭，进而湿气和氧气将通过孔11进入发光区域1。
这些问题由图8所示的实施例解决了。在该器件中，形成岸结构4的光刻胶层4相对于根据现有技术器件中的层来说进行了放大，即达到这样的效果，即除了待形成的每条阴极线的接触位置14(参照图5和6)之外，它在与至少一个第二侧部3相邻的触点5上完全延伸，通过所述接触位置建立了待形成的相应阴极线与相应触点5之间的电接触。通过该特征，使触点5的易碎边缘5a变得光滑，并且覆盖了孔11。从而，待随后沉积的封装层结构将更容易符合，并且将封装层结构被破坏的风险最小化。侧部3的封闭是极其重要的，因为湿气会沿阴极隔离体9很快渗透到发光区域1中。这将会立刻导致OLED的失效。
在横向于阴极隔离体9的长度方向的方向上，湿气进入的风险是非常小的。因此，岸结构4仅部分地覆盖与第一侧部2相邻的触 点6，从而这些触点的一些部分保持未被覆盖，进而可以作为用于电连接至控制芯片的连接体7。
为了进一步提高OLED的耐久性，对使用进行了观察，在大多数情况下，湿气和/或氧气进入发生在阴极隔离体9的长度方向。在图8的实施例中，堤结构12、13已经沿第二侧部3设置。在本实施例中，堤结构也沿第一侧部2延伸。堤结构的堤具有类似于阴极隔离体9的结构，在这种意义上，堤的截面基本与阴极隔离体9的截面相同，即如图6所示的底切结构。优选地，堤结构采用与阴极隔离体9相同的处理步骤制成。在无需增加任何进一步的步骤情况下，获得了具有相当好的耐久性的最终结果。可选地，堤结构12、13也可以适用于使用与用于阴极隔离体的材料和形状不同的其它材料和形状的单独制造步骤。堤结构12、13提供了用于湿气和氧气的屏障，并且为湿气和氧气指示了最佳的转移方向，即沿与发光区域1的边缘平行的堤结构的长度方向。进一步地，堤结构增加了湿气和氧气朝向发光区域的移动长度。堤结构优选地至少包括内堤12和外堤13。优选地，封装层结构至少在内堤12上方延伸。这改进了封装层结构与衬底之间的机械连接。特别是当堤结构12(封装层在其上方延伸，类似与阴极隔离体9)具有底切部分时，改进了封装层结构与衬底之间的连接。在发光区域1的第一侧部2附近，内堤12在触点6上方延伸。封装层结构在内堤12上方延伸直至外堤13，从而触点6的部分7(其位于外堤结构13的外部)没有被覆盖并且可以作为连接至用于控制OLED的控制芯片的连接。因此，当施加封装层结构的有机层时，外堤结构13用于阻止液体的流动。事实上，外堤结构13限定了其中必须施加封装层结构的液体的区域。这使得划线区域(即通过将衬底切割成单独部分而分离OLED的区域)远离不想要的材料，这些不想要的材料一旦出现，将会使分离较为困难。
很显然本发明不局限于所描述的实施例，而是也涵盖了其它实施例，只要这些其它实施例落入权利要求的范围内即可。
Claims (53)
1.一种用于制造坯件的方法，所述坯件用来形成有机发光器件，所述有机发光器件具有发光区域，所述发光区域具有相对的第一侧部和相对的第二侧部，所述方法至少包括下列步骤：
●提供衬底；
●形成沿第一方向延伸的平行阳极线；
●形成第一触点，所述第一触点连接至阳极线，
●邻近于所述发光区域的至少一个第二侧部形成第二触点，所述第二触点用来接触阴极线；
●形成阴极隔离体，所述阴极隔离体沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，
其中，沉积有光刻胶层，从而所述光刻胶层在所述第二触点上方完全延伸，每个阴极线的至少一个接触位置除外，通过所述至少一个接触位置建立相应阴极线与相应触点之间的电接触，其中，所述阴极隔离体通过沉积和部分地去除光刻胶层而形成。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二触点上方延伸的所述光刻胶层还设置有限定像素格的岸结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阳极线由透明导电材料形成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阳极线通过在所述衬底上沉积导电材料层并且部分地去除所述导电材料层而形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一触点通过沉积并部分地去除至少一个导电层而形成。
6.一种用于制造有机发光器件的方法，所述有机发光器件具有发光区域，所述方法至少包括下列步骤：
●提供根据权利要求1的方法制造的坯件；
●其中，至少沿所述第二侧部设置包含内堤的堤结构；以及
在设置所述堤结构之后沉积封装层系统，所述封装层系统至少在所述堤结构的内堤上方延伸。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述堤结构包括与阴极隔离体的横截面相同的横截面。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述堤结构包括至少两个平行堤，所述至少两个平行堤围绕所述发光区域和与所述至少一个第二侧部相邻的所述第二触点，并且与定位成所述至少一第一侧部相邻的所述第一触点交叉，所述第一触点设置成与控制芯片的触点连接。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，将所述堤结构由与所述阴极隔离体相同的层形成。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，将所述堤结构直接设置于所述衬底之上。
11.根据权利要求6所述的方法，其中，所述阳极线由透明导电材料形成。
12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述阳极线通过在所述衬底上沉积导电材料层并且部分地去除所述导电材料层而形成。
13.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一触点通过沉积并部分地去除至少一个导电层而形成。
14.根据权利要求6所述的方法，其中，至少沿所述发光区域的所述第一侧部设置堤结构。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，至少沿所述发光区域的所述第一侧部设置的所述堤结构包括与阴极隔离体的横截面相同的横截面。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，至少沿所述发光区域的所述第一侧部设置的所述堤结构包括至少两个平行堤，所述至少两个平行堤围绕所述发光区域和与所述至少一个第二侧部相邻的所述第二触点，并且与定位成所述至少一第一侧部相邻的所述第一触点交叉，所述第一触点设置成与控制芯片的触点连接。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，将至少沿所述发光区域的所述第一侧部设置的所述堤结构由与所述阴极隔离体相同的层形成。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，将至少沿所述发光区域的所述第一侧部设置的所述堤结构直接设置于所述衬底之上。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述阳极线由透明导电材料形成。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述阳极线通过在所述衬底上沉积导电材料层并且部分地去除所述导电材料层而形成。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一触点通过沉积并部分地去除至少一个导电层而形成。
22.一种用于制造有机发光器件的方法，所述方法使用根据权利要求1所述的方法制造的坯件，其中，所述阴极线在形成所述阴极隔离体后通过沉积导电材料层而形成。
23.一种用于制造有机发光器件的方法，所述方法使用根据权利要求2所述的方法制造的坯件，其中，发光材料在形成所述阴极线之前沉积在所述阳极线上。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述发光材料包括HIL层和LEP层。
25.根据权利要求23所述的方法，其中所述发光材料通过喷墨打印沉积在所述像素格内。
26.一种用于制造有机发光器件的方法，所述方法使用根据权利要求1所述的方法制造的坯件，其中，在已形成所述阴极线后，沉积封装层系统。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述封装层系统包括层叠的无机层和有机层。
28.根据权利要求26所述的方法，其中，所述封装层系统在所述发光区域和所述光刻胶层上方完全延伸，所述光刻胶层在设置成用来接触所述阴极线的所述第二触点上方延伸。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述封装层系统在围绕所述发光区域和与所述至少一个第二侧部相邻的所述第二触点的区域内与所述衬底直接接触。
30.根据权利要求26所述的方法，其中，所述阳极线由透明导电材料形成。
31.根据权利要求26所述的方法，其中，所述阳极线通过在所述衬底上沉积导电材料层并且部分地去除所述导电材料层而形成。
32.根据权利要求26所述的方法，其中，所述第一触点通过沉积并部分地去除至少一个导电层而形成。
33.一种用于形成有机发光器件的坯件，所述有机发光器件具有发光区域，所述发光区域具有相对的第一侧部和相对的第二侧部，所述坯件包括：
●衬底；
●平行阳极线，沿第一方向延伸；
●平行阴极隔离体，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；
●第一触点，与所述阳极线电接触；以及
●第二触点，邻近于所述发光区域的至少一个第二侧部，所述第二触点用来接触阴极线；
其中，所述第二触点由光刻胶层完全地覆盖，各阴极线的至少一个接触位置除外，通过所述至少一个接触位置建立相应阴极线和相应触点之间的电接触，其中，所述阴极隔离体通过沉积和部分地去除光刻胶层而形成。
34.根据权利要求33所述的坯件，其中，在所述第二触点上面延伸的所述光刻胶层还提供限定像素格的岸结构。
35.根据权利要求33或34所述的坯件，其中，所述阴极隔离体由部分地被去除的光刻胶层形成。
36.一种包括根据权利要求33或34所述的坯件的有机发光器件，其中，发光材料设置在所述阳极线上，并且阴极线设置在所述发光材料上方，封装层系统在所述发光区域和与所述第二侧部中的至少一个相邻的所述第二触点的上方完全延伸。
37.一种有机发光器件，所述有机发光器件由根据权利要求33所述的坯件制造，并且包括：
至少沿所述第二侧部的堤结构，至少沿所述第二侧部的所述堤结构包含内堤；以及
封装层系统，所述封装层系统在设置至少沿所述第二侧部的所述堤结构之后沉积，所述封装层系统在至少沿所述第二侧部的所述堤结构的内堤上方延伸。
38.根据权利要求37所述的有机发光器件，其中，至少沿所述第一侧部设置有堤结构。
39.根据权利要求37或38所述的有机发光器件，其中，所述堤结构由与所述阴极隔离体相同的层而形成。
40.根据权利要求37或38所述的有机发光器件，其中，所述堤结构包括与阴极隔离体的横截面相同的横截面。
41.根据权利要求39所述的有机发光器件，其中，所述堤结构包括与阴极隔离体的横截面相同的横截面。
42.根据权利要求37或38所述的有机发光器件，其中，沿所述第二侧部的所述堤结构直接设置在所述衬底上。
43.根据权利要求40所述的有机发光器件，其中，沿所述第二侧部的所述堤结构直接设置在所述衬底上。
44.根据权利要求38所述的有机发光器件，其中，触点沿所述第一侧部定位成与控制芯片连接，至少沿所述第一侧部的所述堤结构沿所述第一侧部在所述第一触点上方延伸。
45.根据权利要求37所述的有机发光器件，其中，所述阴极隔离体由部分地被去除的光刻胶层形成。
46.根据权利要求44所述的有机发光器件，其中，所述阴极隔离体由部分地被去除的光刻胶层形成。
47.根据权利要求37所述的有机发光器件，其中，发光材料设置在所述阳极线上，并且阴极线设置在所述发光材料上方，封装层系统在所述发光区域和与所述第二侧部中的至少一个相邻的所述第二触点的上方完全延伸。
48.根据权利要求44所述的有机发光器件，其中，发光材料设置在所述阳极线上，并且阴极线设置在所述发光材料上方，封装层系统在所述发光区域和与所述第二侧部中的至少一个相邻的所述第二触点的上方完全延伸。
49.根据权利要求38所述的有机发光器件，其中，发光材料设置在所述阳极线上，并且阴极线设置在所述发光材料上方，封装层系统在所述发光区域、与所述至少一个第二侧部相邻的所述第二触点、以及至少沿所述第二侧部的所述堤结构的内堤的上方完全延伸。
50.根据权利要求47或49所述的有机发光器件，其中，所述封装层系统在围绕所述发光区域和与所述至少一个第二侧部相邻的所述第二触点的区域内与所述衬底直接接触。
51.根据权利要求47或49所述的有机发光器件，包括根据权利要求33所述的坯件，所述封装层系统在所述发光区域、与所述至少一个第二侧部相邻的所述第二触点、以及沿所述第一侧部和所述第二侧部的堤结构的内堤的上方延伸。
52.根据权利要求50所述的有机发光器件，包括根据权利要求33所述的坯件，所述封装层系统在所述发光区域、与所述至少一个第二侧部相邻的所述第二触点、以及沿所述第一侧部和所述第二侧部的堤结构的内堤的上方延伸。
53.根据权利要求50所述的有机发光器件，其中，第一触点沿所述第一侧部定位成与控制芯片连接，堤结构沿所述第一侧部被设置成在所述第一触点上方延伸，所述封装层系统在沿所述第一侧部的所述堤结构的内堤上方延伸直至沿所述第一侧部的所述堤结构的外堤，并且不在位于所述外堤外部的所述第一触点的一部分的上方延伸。
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