CN101106093A - 基板焊罩层制造方法及其结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基板焊罩层制造方法及其结构。制造方法包括：提供一基板，具有一上表面，上表面具有一晶座及复数个焊垫；形成一第一焊罩层于上表面上，第一焊罩层具有复数个开孔，每一开孔相对于每一焊垫上，以显露至少部分焊垫；及形成一第二焊罩层于第一焊罩层上。由此，可以使用较厚的晶粒进行封装，从而避免晶粒破裂，並且可以抑制封胶的溢流。

Description

基板焊罩层制造方法及其结构

技术领域

本发明涉及一种基板制造方法及其结构，特别是一种基板焊罩层制造方法及其结构。

背景技术

请参考图1，其为现有基板焊罩层的封装结构的示意图。结构1包括一基板10、一焊罩层11、一晶粒12、复数条导线13及封胶14。基板10具有一上表面101，上表面101具有一晶座102及复数个焊垫103。焊罩层11形成于上表面101上。焊罩层11具有复数个开孔111，开孔111利用曝光显影方式形成。每一开孔111相对于每一焊垫103上，用以显露部分焊垫103。

晶粒12以胶合方式黏贴于晶座102上方的焊罩层11上。导线13系用以电性连接晶粒12与焊垫103。封胶14用以包封导线13、晶粒12以及焊垫103从而完成封装结构1。

上述现有基板焊罩层的封装结构1，因其供放置晶粒12的焊罩层11与显露焊垫103的焊罩层11具相同高度，所以必须使用较薄之晶粒12进行封装，易造成晶粒12破裂。另外，焊罩层11无法抑制封胶14的溢流，因此使得焊垫103受到污染。

因此，有必要提供一种创新且具有进步性的基板结构及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的要解决的技术问题在于提供一种基板焊罩层制造方法不但可在本封装结构中使用较厚之晶粒迈行封装而不致造成晶粒破裂，更可有效抑制封胶的溢流，以避免焊垫污染。此外，本发明另一个要解决的技术问题是还要提供具有单一焊罩层的一种基板焊罩层结构，以及具有第一焊罩层及第二焊罩层之一种基板焊罩层结构。

为解决上述提供一种基板焊罩层制造方法的问题，本发明所提供之制造方法包括：提供一基板，具有一上表面，上表面具有一晶座及复数个焊垫；形成一第一焊罩层于上表面上，第一焊罩层具有复数个开孔，每一开孔相对于每一焊垫上，用以显露至少部分焊垫；及形成一第二焊罩层于第一焊罩层上。

为解决上述本发明的另一个要解决的一种基板焊罩层结构技术问题，本发明揭示一种基板焊罩层结构，其基板具有一上表面，上表面具有一晶座及复数个焊垫。焊罩层形成于上表面上，焊罩层具有复数个开孔，每一开孔相对于每一焊垫上，用以显露部分焊垫，其中焊罩层具有一第一部分及一第二部分，第一部分位于晶座之相对位置上，第二部分于基板之上表面周围，第一部分之高度低于第二部分之高度。

上述的本发明基板焊罩层结构具有一体结构的焊罩层。利用焊罩层较高的第二部分，以利于使用较厚之晶粒进行封装，从而避免晶粒破裂。另外，第二部分可形成一阶梯状，且也可在第二部分上设一环槽，因此，可以有效抑制封胶的溢流，以避免焊垫受到污染。

为解决上述本发明的另一个要解决的另一种基板焊罩层结构技术问题，本发明还提供一种基板焊罩层结构。其基板焊罩层结构包括一基板、一第一焊罩层及一第二焊罩层。基板具有一上表面，上表面具有一晶座及复数个焊垫。第一焊罩层形成于上表面上，第一焊罩层具有复数个开孔，每一开孔相对设置于每一焊垫上，以显露部分焊垫。第二焊罩层形成于部分第一焊罩层上。

上述的本发明基板焊罩层结构具有分层结构的焊罩层，第二焊罩层形成于第一焊罩层上，可形成较高的焊罩层，因此可以使用较厚的晶粒进行封装，以避免晶粒破裂。另外，第二焊罩层与第一焊罩层可形成一高度差而成一阶梯状，另外也可在第二焊罩层上设有一环槽，因此，也可以有效抑制封胶的溢流，以避免焊垫受到污染。

利用本发明基板焊罩层的制造方法，可产生具有一体结构及分层结构的焊罩层的封装结构。在具有一体结构的焊罩层的该封装结构中，焊罩层的第一部分的高度低于第二部分的高度，利用较高的第二部分，有利于使用较厚的晶粒进行封装，以避免晶粒破裂。另外，第二部分可形成一阶梯状，且也可在第二部分上设一环槽，因此，可以有效抑制封胶的溢流，以避免焊垫受到污染。

另外，在具有分层结构的焊罩层的封装结构中，第一焊罩层的第一部分于晶座的相对位置上，第二部分于基板的上表面周围，且第二焊罩层形成于第一焊罩层的第二部分上，也可以形成较高的焊罩层，因此可以使用较厚的晶粒进行封装，以避免晶粒破裂。另外，第二焊罩层与第一焊罩层的第二部分可形成一高度差而成一阶梯状，另外也可在第二焊罩层上设有一环槽，因此，也可以有效抑制封胶的溢流，以避免焊垫受到污染。

附图说明

图1为现有基板焊罩层的结构示意图；

图2A至2H为本发明基板焊罩层的制造方法示意图；其中

图2G为本发明基板焊罩层的第一实施状态结构的示意图；

图2F为本发明基板焊罩层的第二实施状态结构的示意图；

图3为本发明基板焊罩层的封装结构的第一实施例示意图；

图4为本发明基板焊罩层的封装结构的第二实施例示意图；

图5为本发明基板焊罩层的封装结构的第三实施例示意图；及

图6为本发明基板焊罩层的封装结构的第四实施例示意图。

其中，附图标记说明如下：

1现有基板焊罩层的封装结构

2本发明基板焊罩层的封装结构

3本发明第一实施例基板焊罩层的封装结构

4本发明第二实施例基板焊罩层的封装结构

5本发明第三实施例基板焊罩层的封装结构

6本发明第四实施例基板焊罩层的封装结构

10基板

11焊罩层

12晶粒

13导线

14封胶

20基板

21第一焊罩层

22第二焊罩层

23第三焊罩层

30基板

31焊罩层

32晶粒

33导线

34封胶

40基板

41焊罩层

42晶粒

43导线

44封胶

50基板

51第一焊罩层

52第二焊罩层

53晶粒

54导线

55封胶

60基板

61第一焊罩层

62第二焊罩层

63晶粒

64导线

65封胶

101上表面

102晶座

103焊垫

111开孔

201上表面

202晶座

203焊垫

211开孔

221槽孔

301上表面

302晶座

303焊垫

311开孔

312第一部分

313第二部分

402晶座

403焊垫

412环槽

502晶座

511第一部分

512第二部分

602晶座

611第一部分

612第二部分

613 621环槽

具体实施方式

参考图2A至图2D，为本发明基板焊罩层的制造方法的示意图。首先，参考图2A，提供一基板20，具有一上表面201，上表面201具有一晶座202及复数个焊垫203。参考图2B，形成一第一焊罩层21于上表面201上。第一焊罩层21具有复数个开孔211，每一开孔211相对设置于每一焊垫203上，以显露部分焊垫203。开孔211利用曝光显影方式形成。

参考图2C，形成第二焊罩层22于第一焊罩层21及焊垫203上。参考图2D，接着，利用曝光显影方式移除部分第二焊罩层22，以显露部分焊垫203及部分第一焊罩层21，第一焊罩层21被显露的部分相对于晶座202的位置，因此，当进行封模步骤时，上模具压在第二焊罩层22上，可形成较高的芯片容置空间。在其它应用中，部分第二焊罩层22与部分第一焊罩层21形成一阶梯状，如图2E所示。另外，在其它应用中，也可以利用曝光显影方式于第二焊罩层22形成一环槽221，如图2F所示，使进行封模时，可提供給封胶一缓冲流道，而不会产生溢胶的问题。

参考图2G及图2H，加热第一焊罩层21及第二焊罩层22，使第一焊罩层21及第二焊罩层22合为一体，以形成一第三焊罩层23。要注意的是，在实际情况中，视其烘烤的顺序及加热条件的不同，第一焊罩层21及第二焊罩层22于加热后，也可为如上述图2E及图2F中所示的分层结构。

参考图3，本发明基板焊罩层的封装结构的第一实施例示意图。结构3包括一基板30、一焊罩层31、一晶粒32、复数条导线33及封胶34。基板30具有一上表面301，上表面301具有一晶座302及复数个焊垫303。焊罩层31形成于上表面301上。焊罩层31具有复数个开孔311，每一开孔311相对于每一焊垫303上，以显露部分焊垫303。开孔311利用曝光显影方式形成。焊罩层31具有一第一部分312及一第二部分313，第一部分312于晶座302的相对位置上，第二部分313位于基板30的上表面301周围，第一部分312的高度低于第二部分313的高度，第二部分313可形成一阶梯状。

晶粒32以胶合方式贴设于晶座302上的焊罩层31上。导线33用以电性连接晶粒32与等焊垫303。封胶34用以包封导线33、晶粒32及焊垫303以完成封装结构3。

参考图4，为本发明基板焊罩层的封装结构的第二实施例示意图。封装结构4包括一基板40、一焊罩层41、一晶粒42、复数条导线43及封胶44。第二实施例的封装结构4与图3的第一实施例的封装结构3，不同之处在于第二实施例的封装结构4中，另于焊罩层41上，利用曝光显影方式形成一环槽412。

参考图5，为本发明基板焊罩层的封装结构的第三实施例示意图。封装结构5包括一基板50、一第一焊罩层51、一第二焊罩层52、一晶粒53、复数条导线54及封胶55。第三实施例的封装结构5与图3的第一实施例的封装结构3，不同之处在于第三实施例的封装结构5中，第一焊罩层51及第二焊罩层52并不为一体，而是一分层结构。

第一焊罩层51具有一第一部分511及一第二部分512。第一部分511于晶座502的相对位置上，第二部分512于基板50的上表面周围。第二焊罩层52形成于部分第一焊罩层51上(例如：第二部分512上)，与第一焊罩层51的第二部分512形成一高度差而成一阶梯状。

参考图6，为本发明基板焊罩层的封装结构的第四实施例示意图。封装结构6包括一基板60、一第一焊罩层61、一第二焊罩层62、一晶粒63、复数条导线64及封胶65。第四实施例的封装结构6与图4的第二实施例的封装结构4，不同之处在于第四实施例的封装结构6中，第一焊罩层61及第二焊罩层62并不为一体，而是一分层结构。

第一焊罩层61具有一第一部分611及一第二部分612。第一部分611于晶座602的相对位置上，第二部分612于基板60的上表面周围。第二焊罩层62形成于部分第一焊罩层61上(例如：第二部分612上)，且第二焊罩层62另具有一环槽621。

以上所述仅为本发明其中的较佳实施例而已，并非用来限定本发明的实施范围；即凡依本发明权利要求所作的均等变化与修饰，皆为本发明专利范围所涵盖。

Claims (10)

1.一种基板焊罩层的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

提供一基板，其具有一上表面，该上表面具有一晶座及复数个焊垫；

形成一第一焊罩层于该上表面上，该第一焊罩层具有复数个开孔，每一开孔相对于每一焊垫上，以显露至少部分该焊垫；及

形成一第二焊罩层于该第一焊罩层上。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在该形成一第二焊罩层于该第一焊罩层上步骤之后还包括以下步骤：

去除部分该第二焊罩层；及

加热该第一焊罩层及该第二焊罩层，使该第一焊罩层及该第二焊罩层合为一体，以形成一第三焊罩层。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在该去除部分该第二焊罩层步骤之后曝露出该焊垫及部分该第一焊罩层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，该第一焊罩层被曝露的部分是相对于该晶座上。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在该形成一第二焊罩层于该第一焊罩层上步骤之后还包括以下步骤：

去除部分该第二焊罩层；

形成至少一环槽于该第二焊罩层上；及

加热该第一焊罩层及该第二焊罩层，使该第一焊罩层及该第二焊罩层合为一体，以形成一第三焊罩层。

6.一种基板焊罩层结构，其特征在于包括：

一基板，具有一上表面，该上表面具有一晶座及复数个焊垫；及

一焊罩层，形成于该上表面上，该焊罩层具有复数个开孔，每一开孔相对于每一焊垫上，以显露部分该焊垫，其中该焊罩层具有一第一部分及一第二部分，该第一部分位于该晶座的相对位置上，该第二部分位于该基板的该上表面周围，该第一部分的高度低于该第二部分的高度。

7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，该焊罩层的该第二部分呈一阶梯状。

8.如权利要求6所述的结构，其特征在于，该焊罩层更包括了至少一环槽。

9.一种基板焊罩层结构，其特征在于包括：

一基板，具有一上表面，该上表面具有一晶座及复数个焊垫；

一第一焊罩层，形成于该上表面上，该第一焊罩层具有复数个开孔，每一开孔相对设置于每一焊垫上，以显露该焊垫；及

一第二焊罩层，形成于部分该第一焊罩层上。

10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该第一焊罩层具有一第一部分及一第二部分，该第一部分位于该晶座的相对位置上，该第二部分位于该基板的该上表面周围，该第二焊罩层形成于该第二部分上，以显露所述焊垫及该第一焊罩层的该第一部分，且部分该第二焊罩层与部分该第一焊罩层的该第二部分形成一阶梯状，并且该第二焊罩层更包括至少一环槽。

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