CN101097842A - 警报装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种根据产品的检查结果可自动地检测工厂异常的警报装置。警报装置(1)是检测工厂(102)中异常产生的装置。在工厂(102)中设置通过处理衬底来制造产品的制造装置(103)、检查装置(104)。警报装置(1)根据产品的制造过程中的衬底表面的检查结果,对按照各异常的种类设定的规定尺寸的各监视单位区域合计缺陷的产生程度,把各监视单位区域的缺陷的产生程度与基准比较,在检测到缺陷的产生程度比基准还高的监视单位区域时,发送警报,输出合计结果。

Description

警报装置
技术领域
本发明涉及警报装置,特别是涉及监视通过处理衬底来制造产品的工厂,检测该工厂中异常产生的警报装置。
背景技术
以往,对工厂中异常产生的监视一般是工程师用可视化工具调查产品的各片的缺陷数,根据缺陷数、集中度检测异常,并报告。可是,在这样的作业中,往往存在异常的漏看。此外,即使检测到异常,也不会自动确定其原因。因此,在工厂中即使产生某些的异常,在根据产品的缺陷的动向检测到该异常、并确定原因之前,通常有半天到数日的时间滞后,该时间滞后成为成品率下降的很大原因。此外,还存在根据缺陷数、集中度的动向检测异常的产生、确定其原因的作业依赖于工程师的感觉或经验,被工程师个人的能力左右的问题。
另一方面,从以往就提出过以自动检测缺陷为目的的装置(例如,参照专利文献1)。可是通常,即使制造装置正常工作时,也以某程度的频度产生缺陷。而且,在制造装置中产生异常时,缺陷的产生程度恶化,但是该恶化的方式根据异常的种类而各种各样。因此,难以从产品的检查结果自动检测出制造装置的异常。
[专利文献1]特开2005-197629号公报
发明内容
本发明的目的在于提供根据产品的检查结果,能自动检测工厂的异常的警报装置。
根据本发明的一个方式,提供一种警报装置,用对通过处理衬底来制造产品的工厂中的异常产生进行检测,该警报装置的特征在于:根据所述产品的制造过程中的所述衬底表面的检查结果,对按所述异常的每个种类设定的规定尺寸的每个监视单位区域的缺陷产生程度进行合计;把各所述监视单位区域中所述缺陷的产生程度与基准进行比较;在检测出所述缺陷的产生程度比所述基准还高的监视单位区域时,发送警报并输出所述合计结果。
根据本发明,能取得根据产品的检查结果,能自动检测工厂的异常的警报装置。
附图说明
下面简要说明附图。
图1是例示包含关于本发明的实施方式的警报装置、作为该警报装置监视的对象的工厂、该工厂的管理者的质量管理系统的图。
图2(a)是例示产生了缺陷的衬底的立体图,(b)是例示该衬底的合计结果的图。
图3是例示本实施方式的警报装置的流程图。
图4是例示包含关于第一具体例子的警报装置、作为该警报装置监视的对象的工厂、该工厂的管理者的质量管理系统的图。
图5是模式地例示液晶面板的制造方法的图。
图6是表示阵列工艺的各步骤的图。
图7是例示关于本具体例子的警报装置的动作的流程图。
图8是在横轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在纵轴取玻璃衬底的纵向位置(X坐标),例示缺陷的合计结果的图,表示把玻璃衬底的表面区域在纵向19分割,在横向15分割,把分割后的各区域作为监视对象区域的情形。
图9是在横轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在纵轴取玻璃衬底的纵向位置(X坐标),例示缺陷的合计结果的图,表示把玻璃衬底的表面区域在纵向3分割,在横向3分割,把分割后的各区域作为监视对象区域的情形。
图10是例示原因候补装置的列表的显示方法的图。
图11是在横轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在纵轴取玻璃衬底的纵向位置(X坐标),例示第一具体例子的第一变形例中的缺陷的合计结果的图。
图12是在横轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在纵轴取玻璃衬底的纵向位置(X坐标),例示第一具体例子的第二变形例中的缺陷的合计结果的图。
图13是在X轴取玻璃衬底的纵向的位置(X坐标),在Y轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在Z轴取缺陷的程度,例示第一具体例子的第四变形例中的缺陷的合计结果的三维分布图。
图14是模式地例示半导体芯片的制造方法的图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式。
图1是例示包含关于本实施方式的警报装置、作为该警报装置监视的对象的工厂、该工厂的管理者的质量管理系统的图。
在图1中,信息流程用实线表示,产品的流程用虚线表示。
如图1所示,在质量管理系统101中存在成为监视对象的工厂102。在工厂102中设置多台制造装置103a~103f(以下总称为“制造装置103”)、多台检查装置104a~104c(以下总称为“检查装置104”)。工厂102是通过由多台制造装置103处理衬底来制造产品的工厂,例如制造液晶面板或半导体芯片等产品。
须指出的是,在本说明书中,“工厂”是指具有相互关联的多台制造装置以及在这些制造装置之间输送产品或半成品等的输送单元,并且按照要制造的产品,设定一条或多条生产线的场地。在制造的产品存在多种时,有时也设置多条生产线,此外这些多条生产线共享一部分的制造装置。这时,多条生产线在该制造装置交叉。“工厂”并不一定设置在一个房间内,可以跨多个房间或用地而存在,也可以只在一个绝对无尘室内的一部分区域中设置。
制造装置103实施产品的制造步骤中的一部分的步骤。在本实施方式中,由多台制造装置103并行执行各步骤,在图1所示的例子中,制造装置103a和103b实施相同的步骤,制造装置103c和103d实施其他相同的步骤,制造装置103e和103f实施其他相同的步骤。
检查装置104是在产品的制造过程中和制造后检查衬底的表面,把缺陷的存在与该衬底上的坐标一起输出的检查装置,例如,是检查尘埃的有无的微粒检查装置、检测形成在衬底上的电路图案的好坏的图案检查装置、检查形成在衬底上的电子电路在电上是否正常的阵列检查装置。在图1所示的例子中,工厂102布局为由制造装置103a或103b处理衬底后,由检查装置104a检查,由制造装置103c或103d处理后,由检查装置104b检查,由制造装置103e或103f处理后,由检查装置104c检查。
此外,在质量管理系统101中设置有从制造装置103输入产品的处理结果,从检查装置104输入产品的检查结果,存储这些信息的数据库105。
而且,在质量管理系统101中设置警报装置1。警报装置1从数据库105输入关于产品缺陷的缺陷信息、即表示衬底上的缺陷的信息及其坐标信息、以及表示处理该产品的制造装置103的履历信息。然后,警报装置1根据缺陷信息,在工厂102中产生异常时,检测到它,并对管理者106发送警报。此外,警报装置1根据履历信息,推测产生异常的制造装置103。警报装置1既可以利用已经存在的个人电脑由程序实现,也可以由一个系统LSI(Large Scale Integrated circuit:大规模集成电路)构成,也可以作为担负各功能的多个零件的集合体被组装。
下面说明本实施方式的动作。
图2(a)是例示缺陷产生的衬底的立体图,(b)是例示该衬底的合计结果的图。
图3是例示关于本实施方式的警报装置的流程图。
首先,管理者106预先按各异常的种类设定监视单位区域的尺寸(象素尺寸),对警报装置1输入。所谓监视单位区域是合计衬底的检查结果,成为监视异常的产生时的基准的区域。监视单位区域的最佳尺寸根据异常的种类而不同,如果作为监视对象的异常是静电产生,监视单位区域希望为例如纵向5毫米、横向5毫米左右的区域。此外,如果作为监视对象的异常是来自衬底的上方的尘埃的落下,则监视单位区域例如希望是纵向300毫米、横向200毫米左右的区域。据此,如图2(a)所示,在产品的衬底21的表面,12个监视单位区域31a~311(以下总称为“监视单位区域31”)设定为4行3列的矩阵。
另一方面,如图1所示,在工厂102中制造产品。产品的衬底21(参照图2(a))由制造装置103a或103b处理后,由检查装置104a检查,由制造装置103c或103d处理衬底后,由检查装置104b检查,然后由制造装置103e或103f处理后,由检查装置104c检查。这时,在基于制造装置103的处理的过程中,在衬底21上产生缺陷41a~41g(以下总称为“缺陷41”),该缺陷41由比它更下游一侧的检查装置104检测。
然后,产品的处理结果从各制造装置103被输入到数据库105,产品的检查结果从各检查装置104被输入到数据库105。接着,存储在数据库105中的信息作为与其坐标一起表示缺陷的存在的缺陷信息和表示产品的履历的履历信息,被输入到警报装置1。
如图3的步骤S1所示,警报装置1根据输入的缺陷信息,把规定个数的衬底21的检查结果相加计算,按每一个监视单位区域31合计缺陷41的产生程度。接着如步骤S2所示,根据该合计结果,把各监视单位区域的缺陷的产生程度与基准比较。据此,检测缺陷的产生程度高的监视单位区域(以下也称作“缺陷集中区域”)。具体而言,例如把各监视单位区域31中产生的缺陷41的数量与规定的基准值比较,把缺陷数比基准值多的监视单位区域31作为缺陷集中区域。
在图2(a)所示的例子中,监视单位区域31g中的缺陷数为3,监视单位区域31f中的缺陷数为2,监视单位区域31b和31c中的缺陷数为1,此外的监视单位区域中的缺陷数为0。例如,如果基准值为2,则缺陷数为3的监视单位区域31g成为缺陷集中区域。
而且,在检测到缺陷的产生程度比基准还高的监视单位区域(缺陷集中区域)时,进入步骤S3,对管理者106发送警报,并且输出合计结果。这时,如图2(b)所示,通过显示衬底21的表面,生成设定与衬底21上的坐标对应的坐标的图面22,在图面22上的相当于衬底21上的缺陷41的产生位置的位置显示表示缺陷的图示42a~42g(以下也总称为“图示42”),从而进行该输出。此外,在图面22中,设定与衬底21上的监视单位区域31a~31l对应的显示单位区域32a~32l,例如用数字(未图示)表示与各显示单位区域对应的监视单位区域的缺陷数。
接着,进入步骤S4,根据从数据库105输入的履历信息,判断是否存在处理了检测到缺陷集中区域的衬底中规定比例以上的衬底的制造装置103(以下也称作“原因候补装置”),当原因候补装置存在时,进入步骤S5,把表示该原因候补装置的信息对管理者106进行输出。
接着,进入步骤S6,只对检测到缺陷集中区域的衬底中由步骤S4中抽出的原因候补装置中的一个来处理的衬底,再度按各监视单位区域进行合计缺陷程度。对于全部原因候补装置进行该合计。然后,如步骤S7所示,对管理者106输出该合计结果。与步骤S3同样进行该输出。
接着,就本实施方式的效果加以说明。
在本实施方式中,由于对按照异常的种类设定其尺寸的每个监视单位区域合计缺陷的产生程度,所以不会漏掉各种异常引起的缺陷的变化,能可靠地检测。
此外,在本实施方式中,抽出处理了检测到缺陷集中区域的衬底中规定比例以上的衬底的制造装置(原因候补装置),输出表示它的信息。据此,能支援管理者确定成为缺陷的原因的制造装置。
进而,在本实施方式中,只把检测到缺陷集中区域的衬底,即由原因候补装置处理的衬底作为对象,再度针对每个监视单位区域合计缺陷的程度。据此,能限定在原因候补装置中产生的异常的种类、部位等,更有效地支援管理者确定缺陷的原因。
此外,在本实施方式中,相加计算多个衬底的检查结果进行合计,所以能进行可靠性高的检测。
这样,根据本实施方式,根据产品的检查结果,能自动检测工厂的异常。
以下,说明用于具体表现上述的实施方式的具体例子。
首先,说明第一具体例子。
关于本具体例子的警报装置是监视制造液晶面板的工厂的警报装置。
图4是例示包含关于本具体例子的警报装置、作为该警报装置监视的对象的工厂、该工厂的管理者的质量管理系统的图。
图5是模式地例示液晶面板的制造方法的图。
图6是表示阵列工艺的各步骤的图。
须指出的是,在图4中,信息流程用实线表示,产品流程用虚线表示。
如图4所示,在质量管理系统111中存在成为监视对象的工厂112。在工厂112中设置有多台制造装置103和多台检查装置104,作为产品制造液晶面板。检查装置104例如是微粒检查装置、图案检查装置或阵列检查装置等。
制造液晶面板的步骤能大致划分为阵列工艺和单元工艺。即如图5所示,首先在玻璃衬底201上形成作为前驱结构的电子电路202。这时,按照要制造的液晶面板的尺寸,在各玻璃衬底201上形成多个电子电路202。在图5所示的例子中,在各玻璃衬底201上,以3行3列的矩阵状地形成9个电子电路202。接着,把玻璃衬底201按各电子电路202分割。据此,制作液晶面板的阵列衬底(未图示)。到此为止是阵列工艺。接着,在各阵列衬底上滴下液晶(未图示),粘贴对置衬底并密封。这是单元工艺。由此,制造出液晶面板203。
上述的说明是概略性的,但是实际上为了制造液晶面板,需要一百多个步骤。而且,在工厂112中(参照图4),由多台制造装置103并行处理各步骤。例如如图6所示,在制作阵列衬底的阵列工艺中设置在玻璃衬底上使多晶硅层生长的多晶硅工艺、在该多晶硅层上形成栅极的栅极工艺、把该栅极作为掩模并且对多晶硅层掺杂P+离子的掺杂P+离子工艺、在多晶硅层上形成层间绝缘膜并且在它上形成接触孔的接触孔工艺、在层间绝缘膜上形成布线的布线工艺、按各单元列形成彩色滤光片(COA:Color filter on Array)的彩色滤光片工艺,各工艺分别由几个步骤构成。
须指出的是,在图6中,表示各工艺分别由9个制造步骤和1个检查步骤构成,各工艺的检查步骤监视属于相同工艺的制造步骤,在检查步骤61中进行完成的阵列衬底的检查的例子。此外,在图4中,只例示多晶硅工艺的制造步骤6~9和检查步骤10。例如,第6步骤(步骤6)由“#1”~“#3”的3台制造装置103并行处理,第7步骤(步骤7)由“#1”~“#9”的9台制造装置103并行处理,第10步骤(步骤10)由检查装置104a进行衬底的检查。工厂112内的液晶面板的通过路线按各批次而不同。
而且,如果在一个步骤的一个制造装置103中产生异常,通过该制造装置103的产品中产生缺陷的可能性将提高。例如,如果在担负电子电路202的制造步骤的一部分的制造装置103中产生异常,在由该制造装置103形成的电子电路202中产生缺陷204,包含该缺陷204的液晶面板203成为无效的面板205。
另一方面,在质量管理系统111中设置从各制造装置103输入产品的处理结果,并且从检查装置104输入产品的检查结果,存储这些信息的数据库105。须指出的是,在图4中,为了简化图,只记载表示从“步骤6”的“#1”的制造装置103到数据库105的信号流程的箭头,但是实际上,是将全部制造装置103的处理结果输入到数据库105。
而且,在质量管理系统111中设置有输入数据库105中存储的数据,根据该数据在工厂112中产生异常时检测它,并对管理者106发送警报的警报装置11。从数据库105对警报装置11输入的数据中包含表示在各检查装置104中检测出的缺陷和该玻璃衬底201上的坐标的缺陷信息、以及表示与该产品的制造有关的制造装置103的履历信息。
例如利用已经存在的个人电脑,利用程序软件上实现警报装置11。须指出的是,警报装置11也可以由一个系统LSI在硬件上构成,或者也可以作为担负各功能的多个零件的集合体被组装。
此外,警报装置11和管理者106通过电子网络连接。例如管理者106使用的终端装置(未图示)和警报装置11通过LAN(Local AreaNetwork:局域网)107连接。据此,管理者106能通过LAN107对警报装置11进行各种设定。此外,警报装置11能通过LAN107对管理者106通知警报以及其中附带的各种信息。
下面说明关于本具体例子的警报装置的动作。
图7是例示关于本具体例子的警报装置的动作的流程图。
图8是在横轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在纵轴取玻璃衬底的纵向的位置(X坐标),例示缺陷的合计结果的图,表示把玻璃衬底的表面区域在纵向19分割,在横向15分割,把分割后的各区域作为监视对象区域的情形。
图9是在横轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在纵轴取玻璃衬底的纵向的位置(X坐标),例示缺陷的合计结果的图,表示把玻璃衬底的表面区域在纵向3分割,在横向3分割,把分割后的各区域作为监视对象区域的情形。
图10是例示原因候补装置的列表的显示方法的图。
如图4所示,使工厂112的制造装置103工作,制造液晶面板。即如图5所示,在各玻璃衬底201上形成多个电子电路202后,把玻璃衬底201按各电子电路202分割,密封入液晶来制造液晶面板203。然后,在该制造过程中的各工艺中,由检查装置104检查玻璃衬底201的表面,检测缺陷204。这时,从各制造装置103对数据库105输出处理结果,从检查装置104对数据库105输出检查结果。
在该状态下进行工厂112的监视。首先,如图7的步骤S11所示,警报装置11设定与各异常对应的监视单位区域的尺寸(象素尺寸)。该监视单位区域的尺寸由管理者106等凭经验决定,预先通过LAN107对警报装置11输入。例如如果作为监视对象的异常是静电的产生,监视单位区域设为比较小的区域,在一个例子中,设为纵向5毫米、横向5毫米的正方形的区域。此外,如果作为监视对象的异常是来自衬底的上方的尘埃的落下,监视单位区域设为比较大的区域,在一个例子中,设为纵向300毫米、横向200毫米的长方形的区域。此外,关于监视异常的期间、合计的衬底的个数、各基准值等都预先输入到警报装置11。
接着,如步骤S12所示,根据检查装置104(参照图4)检查规定个数的玻璃衬底201(参照图5)的结果,警报装置11针对每个监视单位区域合计缺陷数。具体而言,如图8和图9所示,在作为检查对象的玻璃衬底201(参照图5)的表面设定二维的正交坐标,生成设定与该玻璃衬底上的坐标对应的坐标的图,在该图中记入与在规定个数的玻璃衬底中检测出的缺陷对应的图示42。即图中的图示42的坐标等于该图示表示的缺陷的在玻璃衬底上的坐标。
然后,如图8和图9所示,将该图表示的玻璃衬底的表面区域分割为与监视单位区域对应的显示单位区域32,在各显示单位区域中显示表示缺陷数的数字。该缺陷数成为表示各监视单位区域中的缺陷程度的信息。在图8中,表示玻璃衬底的表面区域在纵向19分割,并且在横向15分割,把分割后的各区域作为监视单位区域的情形。此外,图9表示把玻璃衬底的表面区域在纵向3分割,在横向3分割,把分割后的各区域作为监视对象区域的情形。这时,在针对与监视单位区域对应的显示单位区域32每一个显示表示缺陷数的数字。须指出的是,表示缺陷的程度的信息并不局限于缺陷数,也可以把缺陷的程度分级,表示该等级。
接着如步骤S13所示,判定是否存在监视单位区域中缺陷的程度比规定的基准还高的监视单位区域即缺陷集中区域。具体而言,用缺陷数表示缺陷的程度时,把缺陷数比预先设定的规定数还高的监视单位区域作为缺陷集中区域。然后,检测出缺陷集中区域时进入步骤S14,没检测到时进入步骤S19。
在步骤S14中,警报装置11通过LAN107对管理者106发送警报。这时,与警报一起将异常的种类、图8或图9所示的缺陷的合计结果一起对管理者106输出。例如通过电子邮件对管理者106只通知警报,异常的种类和合计结果等附带的信息在网站上登载。例如关于合计结果,在网站上登载图8或图9所示的图。据此,管理者106通过电子邮件识别出产生异常后,通过参照上述的网站,能取得必要的信息。须指出的是,步骤S14所示的警报的发送和合计结果等输出也可以与后面描述的步骤S18所示的输出同时进行。
接着如步骤S15所示,根据从数据库105(参照图4)输入的履历信息、即表示某产品由哪个制造装置103处理的信息,对各制造装置103计算装置共同性。所谓“装置共同性”表示在检测出缺陷集中区域的玻璃衬底中由该制造装置103处理的玻璃衬底的比例。即在设检测出缺陷集中区域的玻璃衬底的个数为A(个),检测出该缺陷集中区域的玻璃衬底(A个)中由该制造装置103处理的玻璃衬底的个数为B(个)时,某制造装置的装置共同性X(%)由以下数学式(1)定义。
X(%)=B/A×100    (1)
接着,如步骤S16所示,判定各制造装置103(参照图4)中是否存在装置共同性超过规定的基准值的制造装置103即原因候补装置。据此,抽出原因候补装置。然后,抽出了原因候补装置时,进入步骤S17,没抽出时,进入步骤S19。
在步骤S17中,关于检测出缺陷集中区域的玻璃衬底中、由步骤S16中抽出的原因候补装置中的一台装置所处理的玻璃衬底,再度针对每个监视单位区域合计缺陷数。据此,由该原因候补装置处理的玻璃衬底能明确缺陷集中在哪个部位。对全部原因候补装置实施该再合计。
接着进入步骤S18,警报装置11通过LAN107对管理者106输出步骤S16中抽出的原因候补装置的列表、步骤S17中计算出的再合计的结果。例如通过在网站上登载图8或图9所示的图,进行再合计的结果的输出。此外,例如通过在网站上登载图10所示的原因候补装置的列表,来输出原因候补装置的列表。在图10中,显示检测到缺陷集中区域的检查步骤、该缺陷的程度(缺陷等级)、推测为产生异常的步骤(原因步骤)和装置(原因候补装置)、该原因候补装置的共同性。此外,在网站的显示画面中,管理者106通过点击图10所示的“合计图”的按钮区,显示图8或图9所示的图。进行该输出后,进入步骤S19。
然后,如步骤S19所示,如果关于作为分析对象的全部种类的异常,分析结束,则结束警报装置11的动作,如果有还未进行分析的种类的异常,就回到步骤S11,进行监视单位区域的再设定,继续分析。须指出的是,关于全部种类的异常,分析结束时,也回到步骤S11,重复上述的一系列动作。这时,警报装置11总是一边工作,一边重复分析检查结果,在识别出异常时,就对管理者106发送警报。
下面说明本具体例子的效果。
在本具体例子中,在图7的步骤S12所示的步骤中,针对成为缺陷的原因的异常的每一个,设定适合于该异常的监视单位区域,针对该监视单位区域每一个合计缺陷数,所以能检测各种异常引起的缺陷集中。例如能可靠地检测工程师只通过漫不经心地观察缺陷的检查结果而注意不到的缺陷集中、用单纯计测缺陷数的检查装置无法检测的缺陷集中。
此外,根据本具体例子,由于在步骤S15所示的步骤中,对于检测出缺陷集中区域的玻璃衬底,计算各制造装置的装置共同性,所以能抽出推定为产生异常的制造装置(原因候补装置)。据此,能支援管理者确定成为缺陷原因的制造装置。
进一步,在本具体例子中,在步骤S17所示的步骤中,关于检测出缺陷集中区域的玻璃衬底中、通过各原因候补装置的玻璃衬底,针对监视单位区域每一个再合计缺陷数。据此,由该原因候补装置能识别在玻璃衬底的哪个位置产生缺陷,能支援管理者确定在该原因候补装置中产生怎样的异常。
此外,在本具体例子中,如图8和图9所示,通过将合计的结果映射在设定与玻璃衬底上的坐标对应的坐标的图上来显示。据此,管理者能直观地识别玻璃衬底上的缺陷的集中状态。此外,也能容易识别相邻的监视单位区域之间的关系和玻璃衬底全体的缺陷的产生倾向。
此外,根据本具体例子,在步骤S12和S17中,由于相加计算多个玻璃衬底的检查结果,合计缺陷数,所以能进行分散少、稳定性高的分析。
此外,在本具体例子中,在产生异常时,通过警报自身对管理者直接发送电子邮件来通知,关于警报中附带的信息在网站中登载。据此,管理者能可靠且迅速地识别异常的产生,并且关于警报中附带的信息,通过对网站的网页结构和布局下工夫,能高效取得必要的信息。
这样根据本具体例子,能缩短从在工厂中产生异常后,到检测该异常,确定成为原因的制造装置,并采取对策的时间。即能实现异常的早期发现和早期应对,抑制成品率的下降。此外,关于慢性地产生的缺陷,能一一确定其原因并分化它。据此,能提高工厂的成品率的基线。
须指出的是,在本具体例子中,监视单位区域的尺寸由管理者凭经验决定,并输入警报装置。这是基于以下的理由。一般在制作过程中的产品中即使检测到缺陷,该产品在完成后也不一定成为无效的产品。因此,只通过单纯地计测制造过程中的产品的缺陷数,进行异常的判定,无法有效提高成品率。此外,这样无益于成品率的缺陷的存在成为噪声,难以检测到成为无效的产品的原因的重大缺陷。可是,在经验上知道在制造过程中,如果在衬底的某尺寸的区域中集中产生缺陷,就会大量产生无效的产品。因此,在本具体例子中,积极利用该经验的知识,能有效提高工厂的成品率。
下面说明本具体例子的第一变形例。
图11是在横轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在纵轴取玻璃衬底的纵向位置(X坐标),例示本变形例中的缺陷的合计结果的图。图11表示与图9所示的检查结果相同的结果。
如图8和图9所示,在所述的第一具体例子中,对管理者输出合计结果时,用图示表示各缺陷,用数字表示每个监视单位区域的缺陷数。与此相对,在本变形例中,如图11所示,在输出合计结果时,根据缺陷数把各监视单位区域中的缺陷的产生程度分级,通过各色的标记表示各等级。须指出的是,在图11中,为了方便起见,利用矩形(□)、在矩形(□)的内部记录交叉线(×)的记号、或者涂抹矩形(□)的内部的一部分或全部的记号,表示各色的标记。
例如,对监视单位区域每一个,把缺陷的程度分类为6个等级,对缺陷的程度等级最高的监视单位区域、即缺陷数多的监视单位区域中配置红色的标记,对缺陷的程度等级第二高的监视单位区域中配置黄色的标记,对缺陷的程度等级第三高的监视单位区域中配置绿色的标记,对等级第四高的监视单位区域中配置浅蓝色的标记,对等级第五高的监视单位区域中配置深蓝色的标记,在不产生缺陷的监视单位区域不配置标记。据此,管理者能在视觉上把握缺陷的集中状态。本变形例的上述以外的结构、动作和效果与所述的第一具体例子相同。
下面说明本具体例子的第二变形例。
图12是在横轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在纵轴取玻璃衬底的纵向位置(X坐标),例示本变形例中的缺陷的合计结果的图。图12表示与图9以及图11所示的检查结果相同的结果。
如图12所示,在本变形例中,在所述的第一具体例子中表示缺陷的合计结果时,不表示全部的监视单位区域的合计结果,通过标记只表示缺陷集中区域。即在合计结果的显示画面中,只对缺陷集中区域配置红色的标记R,对此外的监视单位区域不配置标记。据此,能强调显示缺陷集中区域,管理者能更容易把握缺陷的集中状态。本变形例中的上述以外的结构、动作和效果与所述第一具体例子的第一变形例相同。
下面说明本具体例子的第三变形例。
在本变形例中,在所述的第一具体例子的第一变形例中表示缺陷的合计结果时,把连续配置的多个监视单位区域的合计结果作为一个结果汇总表示。即将显示合计结果时的显示单位区域设为比监视单位区域大的区域。据此,管理者容易观察合计结果,能容易把握缺陷的集中状态的整体的倾向。本变形例在把监视单位区域设定小时特别有效。本变形例的上述以外的结构、动作和效果与所述第一具体例子的第一变形例相同。
下面说明本具体例子的第四变形例。
图13是在X轴取玻璃衬底的纵向位置(X坐标),在Y轴取玻璃衬底的横向位置(Y坐标),在Z轴取缺陷数,例示本变形例中的缺陷的合计结果的三维分布图。须指出的是,图13表示与图9所示的检查结果相同的结果。
如图13所示,在本变形例中,在所述的第一具体例子中表示缺陷的合计结果时,利用三维分布图,立体地表示缺陷的集中状态的分布。据此,能强调显示缺陷集中区域,管理者能容易且定量地把握缺陷的集中状态的整体倾向。本变形例的上述以外的结构、动作和效果与所述第一具体例子的第一变形例相同。
须指出的是,在表示缺陷的合计结果时,强调显示缺陷集中区域的方法并不限定于所述的第二~第四变形例。例如,在第一变形例中,使标记的亮度不同,明亮地显示表示缺陷集中区域的标记,在缺陷集中区域的附近显示“旁注”。
下面说明第二具体例子。
本具体例子的警报装置的结构与所述的第一具体例子同样,但是在本具体例子中,在制造半导体芯片的工厂的监视中使用该警报装置。
图14是模式地例示半导体芯片的制造方法的图。
如图14所示,半导体芯片的制造步骤首先例如在由单晶硅构成的晶片301上,形成多个作为前驱结构的电子电路302。接着,把晶片301切割,针对电子电路302每一个分割。据此,制作半导体芯片303。上述的说明是概略性的,实际上,为了制造半导体芯片,需要数百步骤。而且,在制造半导体芯片的工厂中,由多台制造装置并行处理各步骤。因此,工厂的半导体芯片的通过路线按各批次而不同。
这时,如果在一个步骤的一个制造装置中产生异常,则通过该制造装置的半导体片中产生缺陷的可能性提高。例如,如果在担负电子电路302的制造步骤的一部分的制造装置中产生异常,则由该制造装置形成的电子电路302中产生缺陷304,包含该缺陷304的半导体芯片303变为无效的芯片305。
在本具体例子中,通过与所述的第一具体例子相同的方法,警报装置根据关于晶片301的检查结果,监视缺陷304的产生倾向,来检测工厂的异常的产生,在异常产生时,对工厂的管理者发出警报。
须指出的是,所述的第一具体例子的第一~第四中的任意变形例的警报装置也能象本第二具体例子那样在监视半导体芯片的制造工厂的用途中使用。即在本第二具体例子中,可以象第一具体例子的各变形例那样在输出缺陷的合计结果时,强调显示缺陷集中区域。
此外,在所述的各具体例子中,表示在分析的过程中依次进行警报的发送和结果的输出的例子,但是也可以对于作为分析对象的全部种类异常,分析结束后,汇总进行警报的发送和结果的输出。
进一步,在所述的各具体例子中,表示通过电子邮件发送警报,在网站上登载警报中附带的信息的例子,但是本发明并不局限于此,例如,可以通过电子邮件对管理者通知警报和其中附带的信息双方。或者在警报装置上连接显示装置、打印机、或者扬声器,通过它们进行警报内容的显示、打印、或基于声音的输出,从而不通过电子网络,也可在设置警报装置的地方发送警报。
此外,来自工厂的制造装置以及检查装置的信息也可以不通过数据库,直接对警报装置输入,或者作业者把记录这些信息的媒体输送到警报装置,警报装置从该媒体读取信息。
此外,在所述的各具体例子中,表示警报装置检测到缺陷集中区域后,关于制造装置计算装置共同性,抽出原因候补装置的例子,但是本发明并不局限于此,也可以在检测到缺陷集中区域后,把室共同性、薄板位置共同性、芯片位置共同性、品种共同性、材料共同性和制法共同性中的任意一个以上的共同性与装置共同性一起计算,或者替代装置共同性来计算。据此,缺陷的原因为室、薄板位置、芯片位置、品种、材料或制法时,能推测该原因。

Claims (8)

1.一种警报装置,用对通过处理衬底来制造产品的工厂中的异常产生进行检测,该警报装置的特征在于:
根据所述产品的制造过程中的所述衬底表面的检查结果,对按所述异常的每个种类设定的规定尺寸的每个监视单位区域的缺陷产生程度进行合计;
把各所述监视单位区域中所述缺陷的产生程度与基准进行比较;
在检测出所述缺陷的产生程度比所述基准还高的监视单位区域时,发送警报并输出所述合计结果。
2.根据权利要求1所述的警报装置,其特征在于:
判定是否存在处理了检测出所述缺陷的产生程度比所述基准还高的监视单位区域的衬底中、规定比例以上的所述衬底的制造条件;
在所述处理了规定比例以上的所述衬底的制造条件存在时,把表示处理规定比例以上的衬底的所述制造条件的信息与所述警报和所述合计结果一起进行输出。
3.根据权利要求2所述的警报装置,其特征在于:
在处理了规定比例以上的衬底的所述制造条件存在时,只对由处理了检测出所述缺陷的产生程度比所述基准还高的监视单位区域的衬底中、规定比例以上的衬底的所述制造条件所处理的衬底,针对所述每个监视单位区域合计缺陷的产生程度;
输出该合计结果。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的警报装置,其特征在于:
通过生成设定了与所述衬底上的坐标相对应的坐标的图,在所述图的相当于所述衬底上的所述缺陷的产生位置的位置上显示表示所述缺陷的信息,来进行所述合计结果的输出。
5.根据权利要求4所述的警报装置,其特征在于:
在所述图的显示中,强调显示所述缺陷的产生程度比所述基准还高的监视单位区域。
6.根据权利要求5所述的警报装置,其特征在于:
在所述图的显示中,对所述缺陷的产生程度比所述基准还高的监视单位区域配置标记,在此外的所述监视单位区域不配置标记。
7.根据权利要求4所述的警报装置,其特征在于:
在所述图的显示中,按与所述监视单位区域不同尺寸的每个区域表示所述衬底的检查结果。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的警报装置,其特征在于:
对多个所述衬底的检查结果进行加法计算,进行所述缺陷的产生程度的合计。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102412168A (zh) * 2011-11-30 2012-04-11 上海华力微电子有限公司 晶片缺陷的检测方法及系统
CN102522350A (zh) * 2011-11-29 2012-06-27 上海华力微电子有限公司 故障生产机台检测的方法和装置
CN102142355B (zh) * 2010-02-02 2013-07-17 吕一云 物体制造缺陷的应用方法
CN110223929A (zh) * 2019-05-07 2019-09-10 徐州鑫晶半导体科技有限公司 确定晶圆缺陷来源的方法
CN110907135A (zh) * 2019-11-14 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种制程设备的控制方法及装置
CN110987493A (zh) * 2019-11-14 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 设备异常检测方法、装置、存储介质及电子设备
WO2020224612A1 (zh) * 2019-05-07 2020-11-12 徐州鑫晶半导体科技有限公司 自动侦测并卡控晶圆上缺陷的方法和系统

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3161921B2 (ja) * 1994-10-27 2001-04-25 ファナック株式会社 製品品質影響要因解析方法と装置及び成形条件調整方法、製品良否判別項目選択方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142355B (zh) * 2010-02-02 2013-07-17 吕一云 物体制造缺陷的应用方法
CN102522350A (zh) * 2011-11-29 2012-06-27 上海华力微电子有限公司 故障生产机台检测的方法和装置
CN102412168A (zh) * 2011-11-30 2012-04-11 上海华力微电子有限公司 晶片缺陷的检测方法及系统
CN110223929A (zh) * 2019-05-07 2019-09-10 徐州鑫晶半导体科技有限公司 确定晶圆缺陷来源的方法
WO2020224612A1 (zh) * 2019-05-07 2020-11-12 徐州鑫晶半导体科技有限公司 自动侦测并卡控晶圆上缺陷的方法和系统
CN110223929B (zh) * 2019-05-07 2022-01-04 徐州鑫晶半导体科技有限公司 确定晶圆缺陷来源的方法
US20220223481A1 (en) * 2019-05-07 2022-07-14 Xuzhou Xinjing Semiconductor Technology Co., Ltd. Method and system for automatically detecting and controlling defects on wafer
CN110907135A (zh) * 2019-11-14 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种制程设备的控制方法及装置
CN110987493A (zh) * 2019-11-14 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 设备异常检测方法、装置、存储介质及电子设备

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