CN101069300A - 有机电致发光面板的制造方法,有机电致发光显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种制造长寿的有机电致发光显示装置的技术。将保护发光部12的第一保护膜15放置于真空气氛中,交替导入三甲基铝和臭氧,在第一保护膜15的表面形成氧化铝薄膜。由于该氧化铝薄膜致密,水分不会透过,因此空气中的水分不会到达发光部12,不会使发光部12中的有机薄膜劣化。因而,可获得长寿的有机电致发光显示装置5。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示装置技术领域,特别是涉及保护有机电致发光显示装置免于水分侵入的技术。
现有技术
有机电致发光显示装置是对有机薄膜通电而发光的显示装置,但有机薄膜容易因为水分而劣化,因此长寿命化为大的课题。
简单说明保护有机薄膜免于水分侵入的构造。
图5(a)所示的有机电致发光显示装置中,具有支持基板101,在该支持基板101上叠层有:由ITO等透明导电膜所构成的下部电极层102;由有机发光层构成的发光部103;以及具有电子注入层的上部电极层104。
发光部103配置于支持基板101的规定区域,在支持基板101上覆盖该区域地配置有金属制的密封罐111。其构成是,密封罐111的端部被密封树脂112固定在支持基板101,空气不会侵入到密封罐111的内部。其构成是,在密封罐111的内侧配置有干燥剂115,除去透过密封树脂112入侵至密封罐111的内部的空气中的水分,保护发光部103免于水分的入侵。
图5(b)是不使用密封罐的构成的有机电致发光显示装置,在支持基板201上配置有下部电极层202、发光部203、以及上部电极204,在上部电极204表面形成有保护膜211。在构成彩色显示的有机电致发光显示装置时,在保护膜211上配置有滤色片。
保护膜211为不使水分透过的材料,保护膜211代替密封罐111而使发光部203不与大气中的水分接触。
在上述使用密封罐111的有机电致发光显示装置中,若使用透明的支持基板101,则由于发光部103所发出的光透过支持基板101,因此可以支持基板101作为显示面。但是无法以支持基板101的相反一侧作为显示面。而且,无法避免因为水分透过密封树脂112而导致劣化的问题。
在使用保护膜211的有机电致发光显示装置中,例如若使用无色透明的SiNO膜等具有透明性的保护膜211,则可以支持基板201的相反一侧的面作为显示面,但是由于有机薄膜不耐热,因此必须以低温成膜保护膜,因此形成致密的保护膜较为困难。因此,在以往的保护膜211中,对于水分无法获得足够的保护效果,而有寿命短的问题。
此外,使用三甲基铝形成氧化铝的技术记载于以下公知的技术文献中。
专利文献1:日本特开2004-193280号公报
发明内容
本发明为了解决上述以往技术的问题而完成,其目的在于提供一种制造长寿命的有机电致发光显示装置的技术。
为了解决上述问题,本发明提供了一种有机电致发光面板的制造方法,它是具备支持基板;配置于上述支持基板上的发光部;以及配置于上述发光部上的电绝缘性的第一保护膜,与密封面板贴合而构成有机电致发光显示装置的有机电致发光面板,其中在上述第一保护膜露出的状态下,将上述有机电致发光面板放置于真空气氛中,将三甲基铝导入至上述真空气氛中,然后导入臭氧,于上述第一保护膜的表面形成由氧化铝薄膜所构成的第二保护膜。
本发明的有机电致发光面板的制造方法中,将上述三甲基铝和上述臭氧交替导入至上述真空气氛中。
本发明的有机电致发光面板的制造方法中,于导入上述三甲基铝之后,在导入上述臭氧之前,停止将上述三甲基铝导入至上述真空气氛,真空排气上述真空气氛,真空排气残留的上述三甲基铝。
本发明的有机电致发光面板的制造方法中,在导入上述臭氧后,于导入上述三甲基铝之前,停止将上述臭氧导入上述真空气氛,真空排气上述真空气氛,而真空排气残留的上述臭氧。
本发明的有机电致发光面板的制造方法中,将形成上述第一保护膜之前的上述有机电致发光面板输送至成膜装置内,在上述成膜装置内导入包含硅原子的第一原料气体、包含氮原子的第二原料气体、及氧气,形成由SiON膜所构成的第一保护膜。
本发明还涉及一种有机电致发光显示装置的制造方法,其中使密封面板与上述有机电致发光面板叠合来制造有机电致发光显示装置。
本发明如上所述而构成,在真空气氛中,使第一保护膜表面露出,将三甲基铝导入到真空气氛中,使三甲基铝吸附在第一保护膜表面。吸附的三甲基铝为单分子层。
然后,借由真空排气除去未吸附的三甲基铝,当导入臭氧时,臭氧与吸附的三甲基铝反应,而生成氧化铝。借由真空排气除去游离的甲基和未反应的臭氧。
交替反复进行三甲基铝的导入和臭氧的导入所形成的氧化铝薄膜较为致密,水分无法透过该氧化铝薄膜,而可保护发光部免于水分的入侵。
三甲基铝可作为气体或蒸汽含在载气中,导入至真空气氛中。
发明效果
由于将比第一保护膜致密的第二保护膜叠层于第一保护膜上,因此可防止水分侵入至发光部。
附图说明
图1(a)至(e)为说明本发明的有机电致发光显示装置的制造工序的图。
图2为成膜第一保护膜的第一成膜装置的一例。
图3为成膜第二保护膜的第一成膜装置的一例。
图4(a)和(b)为说明第二保护膜的形成状态的图。
图5(a)和(b)为说明以往技术的有机电致发光显示装置的图。
符号说明
5有机电致发光显示装置
11支持基板
12发光部
15第一保护膜
16第二保护膜
20密封面板
10d有机电致发光面板
具体实施方式
使用附图说明本发明。
图1(a)的符号10a是可使用于本发明的成膜对象物,其具有支持基板11。在支持基板11上配置有透过隔壁13划分的发光部12。发光部12通过从支持基板11侧开始叠层阳极电极膜(下部电极)、有机发光层、电子注入层、以及阴极电极膜(上部电极)而构成。在阳极电极膜连接有晶体管等,但是该晶体管及与晶体管连接的布线省略图示。
在成膜对象物10a的表面露出有隔壁13的上部和发光部12最上层的阴极电极膜。借由该露出部分构成成膜面。
图2的符号50是用来形成第一保护膜的第一成膜装置,为等离子体CVD装置。第一成膜装置50具有真空槽51,在该真空槽51的内部配置有台(或基板座)58。
启动与真空槽51连接的真空排气系统61,对真空槽51内进行真空排气,一边维持真空气氛,一边将成膜对象物10a输送至真空槽51内部。并且使成膜对象物10a的成膜面朝向喷淋板53,而配置于台58上。
于真空槽51的内部并与台58相对向的位置上配置有喷淋板53。喷淋板53形成有多个小孔52。喷淋板53连接气体导入系统62,使配置在台58内的加热器63通电,从气体导入系统62导入等离子体气体和原料气体,向成膜对象物10a的表面喷吹的同时,对喷淋板53施加电压,原料气体和等离子体气体的混合气体的等离子体形成于成膜对象物10a的表面上。原料气体在该等离子体中被分解,在成膜对象物10a的成膜面上反应,如图1(b)所示,于成膜面形成第一保护膜15。
在此,使用氩气作为等离子体气体,原料气体为包含硅原子的第一原料气体、包含氮原子的第二原料气体、以及氧气(O2气),第一原料气体使用SiH4气体,第二原料气体使用NH3气体。
所形成的第一保护膜15为膜厚2000的SiON膜。在第一保护膜15的成长过程中,冷却成膜对象物10a,使发光部12中的有机薄膜维持比其玻璃化转变温度更低的温度。
然后,从第一成膜装置50输送出该状态的成膜对象物10a,并输送至用来形成第二保护膜的第二成膜装置内。
图3的符号70为该第二成膜装置,具有真空槽71、臭氧气体供给装置75、和三甲基铝供给装置81。
臭氧供给装置75具有氧气源78、臭氧生成器77、及臭氧气体放出器76。在氧气源78充填有氧气,当从氧气源78向臭氧生成器77供给氧气时,在臭氧生成器77内生成臭氧气体而构成。所生成的臭氧气体供给至臭氧放出器76。
三甲基铝供给装置81具有载气供给源85、鼓泡器83、及原料气体放出器82。在鼓泡器83的内部配置有液态的三甲基铝所构成的液体原料84。
在载气供给源85充填有载气(在此为氮气),当从载气供给源85对于鼓泡器83供给载气时,所供给的载气是在鼓泡器83内吹入液体原料84中,生成含有液体原料84的蒸汽的原料气体。该原料气体供给至原料气体放出器82。
臭氧气体放出器76和原料气体放出器82配置于真空槽71的内部,从臭氧气体放出器76和原料气体放出器82,分别放出臭氧气体和原料气体至真空槽71内而构成。
原料气体放出器82和臭氧气体放出器76设置有电子控制式的开关阀,借由电脑等控制装置来控制开关阀,在短时间内切换供给和停止原料气体或臭氧气体至真空槽71内而构成。借此,可以仅在期望的期间内以规定的时机将原料气体及臭氧气体导入至真空槽71内。
原料气体放出器82和臭氧气体放出器76配置在真空槽71的一个壁面(在此为底面)。在形成保护膜时,预先对真空槽71真空排气,一边维持真空气氛,一边将成膜对象物10b输送至真空槽71内,以使第一保护膜15朝向原料气体放出器82和臭氧气体放出器76的状态下,配置成膜对象物10b。
此时,停止对于真空槽71内导入原料气体以及臭氧气体,一边对真空槽71内真空排气,一边在停止导入臭氧气体的状态下,开始导入原料气体。
通过原料气体的导入,如图4(a)所示,原料气体中的三甲基铝分子的铝被吸附在第一保护膜15表面,而使相反一侧的甲基朝向外侧,使三甲基铝分子吸附在第一保护膜15的表面。在该状态下,甲基露出于成膜对象物10b的表面。
规定时间内维持原料气体的导入,在原料气体毫无遗漏地吸附于成膜对象物10b的表面后,停止原料气体的导入,对残留在真空槽71内的原料气体真空排气。
当真空槽71内降低至规定压力之后,在停止原料气体的导入的状态下导入臭氧气体,如图4(b)所示,吸附在成膜对象物10b表面的三甲基铝分子与臭氧气体反应,而形成氧化铝的薄膜。在臭氧气体的导入中,也继续进行真空槽71的真空排气,除了副生成物二氧化碳气体或甲烷气体之外,多余的臭氧气体通过真空排气而除去。
规定时间内维持臭氧气体的导入,使吸附于成膜对象物10b的三甲基铝分子与臭氧反应,在消耗之后,停止臭氧气体的导入,真空排气残留在真空槽71内的臭氧气体或副生成物。
当真空槽71内降低至规定压力之后,切换为上述的原料气体的导入,导入到真空槽71内的原料气体中的三甲基铝分子吸附在第一保护膜15表面所形成的氧化铝薄膜上。通过臭氧气体的导入,使所吸附的三甲基铝分子和臭氧气体反应,而叠层氧化铝薄膜。
如此,当交替重复进行原料气体的导入和臭氧气体的导入多次时,如图1(c)所示,在成膜对象物10b的第一保护膜15表面,以规定膜厚形成由氧化铝(Al2O3)所构成的第二保护膜16。该图中的符号10c表示该状态的成膜对象物。
从第二成膜装置70取出成膜对象物10c,在第二保护膜16的表面涂布树脂被膜原料液,使其固化至保持附着性的程度,在形成空气阻透用的树脂被膜之后,贴合密封面板。
图1(d)中的符号17表示该树脂被膜,符号20表面密封面板。而且,该图中符号10d表示形成树脂被膜17的状态的成膜对象物,由此构成与上部面板20贴合的有机电致发光面板。
密封面板20在透明基板21表面配置有构成滤色片的多个有色部22。各有色部22之间以与支持基板11上的发光部12相同的间隔进行配置。
在有色部22上和有色部22之间形成平坦化膜23,由此平坦化因有色部22的厚度产生的凹凸。
此外,在此,发光部12存在以红色的光发光的红色发光部、以绿色的光发光的绿色发光部、以及以蓝色的光发光的蓝色发光部三种,有色部22虽然构成用来调整色纯度的滤色片,但是在白色的发光部12上规律性地配置红色、绿色或蓝色的有色部22,将从发光部12所发出的白色光转换为红色、绿色或蓝色的有色光,而进行彩色显示的方案也包含在本发明中。
在任何情况下,当贴合密封面板20和有机电致发光面板10d时,首先,将空气阻透用树脂和密封用树脂配置于密封面板20或有机电致发光面板10d的周缘部,包围配置有发光部12或有色部22的区域,使密封面板20和有机电致发光面板10d位置对准,使有色部22位于发光部12上的状态下,使平坦化膜23与树脂被膜17紧密接触,使空气阻透用树脂和密封用树脂固化,密封面板20和有机电致发光面板10d贴合,如图1(e)所示,获得有机电致发光显示装置5。
该图中的符号32表示密封用树脂,使用紫外线固化型的树脂。密封用树脂32包围发光部12所位于的区域。符号31为空气阻透用树脂,配置在密封用树脂32的内侧,使空气不侵入至发光部12所在的区域内而构成。
本发明的有机电致发光显示装置5以上述方式构成,选择规定位置的发光部12,对阳极电极膜和阴极电极膜之间施加电压,使所选择的发光部12发光,通过有色部22的光发射到外部。
在该有机电致发光显示装置5中,由于在第一保护膜15的表面形成有致密的氧化铝(Al2O3)薄膜,因此透过密封用树脂32或空气阻透用树脂31的水分不会到达发光部12。
以上虽然是使用滤色片的实施方式,但本发明并不限于此。
例如,本发明所形成的Al2O3膜,除了滤色片之外,也包含发光部12发出红、绿、蓝色光的情况。
再者,从发光部12所发出的光,不限定于从与支持基板11相反一侧观看的顶部发射型显示装置,也可以用于通过透明的支持基板而发射到外部,从支持基板一侧观看的底部发射型显示装置。
制成顶部发射型时,发射光透过氧化铝膜。由于希望可见光的透过率为80%以上,因此优选氧化铝膜的膜厚为70以下。另外,为了确保阻透膜的功能,不论为顶部发射型或底部发射型,都优选有50以上的膜厚。
Claims (6)
1.一种有机电致发光面板的制造方法,它是具备支持基板;配置于上述支持基板上的发光部;以及配置于上述发光部上的电绝缘性的第一保护膜,与密封面板贴合而构成有机电致发光显示装置的有机电致发光面板,其中在上述第一保护膜露出的状态下,将上述有机电致发光面板放置于真空气氛中,将三甲基铝导入至上述真空气氛中,然后导入臭氧,于上述第一保护膜的表面形成由氧化铝薄膜所构成的第二保护膜。
2.权利要求1所述的有机电致发光面板的制造方法,其中,将上述三甲基铝和上述臭氧交替导入至上述真空气氛中。
3.权利要求2所述的有机电致发光面板的制造方法,其中,于导入上述三甲基铝之后,在导入上述臭氧之前,停止将上述三甲基铝导入至上述真空气氛,真空排气上述真空气氛,真空排出残留的上述三甲基铝。
4.权利要求2所述的有机电致发光面板的制造方法,其中,在导入上述臭氧后,于导入上述三甲基铝之前,停止将上述臭氧导入上述真空气氛,真空排气上述真空气氛,而真空排出残留的上述臭氧。
5.权利要求2所述的有机电致发光面板的制造方法,其中,将形成上述第一保护膜之前的上述有机电致发光面板输送至成膜装置内,在上述成膜装置内导入包含硅原子的第一原料气体、包含氮原子的第二原料气体、及氧气,形成由SiON膜所构成的第一保护膜。
6.一种有机电致发光显示装置的制造方法,其中,使密封面板与权利要求1所述的有机电致发光面板叠合来制造有机电致发光显示装置。
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Cited By (3)
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