CN101061250A - 具有可调节靶的物理气相沉积腔室 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具有可旋转衬底基座和至少一个可移动倾斜靶的物理气相沉积(PVD)腔室。本发明的实施方式有助于高度均匀性的薄膜沉积。

Description

具有可调节靶的物理气相沉积腔室
技术领域
本发明的实施方式涉及半导体衬底处理系统。更具体地，本发明涉及一种半导体衬底处理系统的物理气相沉积腔室。
背景技术
物理气相沉积(PVD)或溅射是集成电路和器件制造中最通用的工艺之一。PVD为一种在真空腔室内执行的等离子体工艺，其中负偏压的靶(一般地，磁控靶)暴露于具有较重原子(例如，氩(Ar))的惰性气体或包括所述惰性气体的气体混合物中构成的等离子体中。利用惰性气体的离子对靶的轰击导致靶材的原子溅出。溅出的原子在设置于靶下方的衬底基座上放置的衬底上聚集为沉积膜。
PVD工艺的一个重要参数为沉积膜的厚度不均匀性。已引入了多种改进以降低薄膜的不均匀性。这种改进通常涉及靶(例如，靶材成分、磁控结构等)和真空腔室的设计。然而，仅这种方式不能解决薄膜均匀性不断增加的严格要求。
因此，现有技术需要一种改进的PVD腔室。
发明内容
本发明涉及一种用于沉积高度均匀性薄膜的PVD腔室。该腔室包括可旋转的衬底基座。在一实施方式中，在薄膜沉积期间，基座以每分钟约10到100转(RPM)的角速度旋转。在另一实施方式中，一个或多个溅射靶可活动地设置在基座上方。靶相对基座的方向可横向地、垂直地或有角度地调节。在一实施方式中，靶可相对基座旋转的轴在约0度到约45度之间进行调节。
附图说明
因此为了更详细地理解本发明的以上所述特征，将参照附图中示出的实施例对以上简要所述的本发明进行更具体描述。然而，应该注意，附图中只示出了本发明典型的实施例，因此不能认为是对本发明范围的限定，本发明可以允许其他等同的有效实施例。
图1为具有可旋转衬底基座的PVD腔室的一实施方式的截面示意图；
图2为具有可旋转衬底基座的PVD腔室的另一实施方式的截面示意图
图2A-2B为具有在不同处理位置的靶的PVD腔室的截面示意图；
图3A为图1的可旋转衬底基座的部分截面图；
图3B为图1的衬底支架基座的俯视图；以及
图4为具有围绕可旋转衬底支架设置的多个成角的溅射靶的另一PVD腔室的透视示意图；
为了便于理解，尽可能用相同的附图标记表示图中相同的元件。
具体实施方式
本发明涉及一种用于沉积高度均匀性薄膜的PVD腔室。通过可旋转的衬底支架基座至少部分实现了薄膜沉积均匀性的改进。
图1描述了具有可旋转衬底基座126的PVD腔室100的一实施方式。图3A示出了衬底基座126的部分截面图。图3A的截面图沿着衬底支架126的半径提取。用于示意性描述，图1和图3A为简化图并没有按比例绘制。为了更好地理解本发明的该实施方式，读者应当同时参照图1和图3A。
PVD腔室100一般包括盖组件102、主组件104、运动控制单元170和控制器180。在一实施方式中，盖组件102包括靶组件110和顶罩122。靶组件110包括设置在靶基座112内(例如，水冷基座)的可旋转磁控管组114、靶118和靶鞘120。磁控管组114为机械耦合至驱动116，在运行时，驱动116以预设的角速度旋转该组。在2003年11月4日授权给A.Tepman的美国专利No.6,641,701中描述了可用于本发明的一个磁控组。靶组件110与诸如RF、DC、脉冲DC等功率源的等离子体功率源(未示出)电耦合。
在一实施方式中，主组件104包括腔体128、可旋转的衬底基座126、以环绕方式附接于腔体128的倒置的鞘136，以及多个辐射加热器134。鞘136通常从腔体128的上部分向下并朝基座126向内延伸。衬底基座126包括衬底平台154和彼此耦合的柱模块150。示意性地通过至少一个所示的O-圈132提供盖组件102和主组件104之间的真空密封耦合。
衬底130(例如，硅(Si)晶圆等)通过腔体128中的真空隔离阀124从PVD腔室100导入并移出。辐射加热器134(例如，红外(IR)灯等)通常用于将衬底130和/或腔室100的内部预热至具体的工艺方法确定的温度。由于辐射加热器134设置于鞘136的下方，因此可以保护加热器134使其不受到溅射靶材的沉积，该沉积会对加热器性能产生不利影响。
在操作中，平台154可选择性地设置在上处理位置(未示出)或下传送位置(以虚线示出)。在晶圆处理(即，溅射沉积)期间，平台154上升至距靶118的预设距离的上部位置。为了接收或释放衬底130，平台154移动至基本与真空隔离阀124对齐的下部位置以有助于衬底的机械传送。
参照图3A-3B的实施方式，平台154包括设置在平台154的上部衬底支撑表面306中的至少一个聚合物构件。该聚合物构件可为合适的塑料或人造橡胶。在一实施方式中，聚合物构件为设置在凹槽304中的O-圈302。在操作中，衬底130和O-圈302之间的摩擦防止晶圆沿着旋转平台154的衬底支撑表面186滑动。图3B的基座126的俯视图中示出了在升降杆的孔316之间间隔的三个O-圈302。替代地，图3A所示的单个O-圈302可沿着支撑表面306的外围设置以防止在工艺期间衬底随着衬底旋转而滑动。
平台154还包括从表面306向上延伸的环形外边308和具有环形外围并面向上部的沟槽310。边308限定表面306中的衬底接收槽312，其提供防止衬底在平台154处于较大的角速度时滑动的额外保护。在再一实施方式中(未示出)，边308可为刻槽的、成角的、圆的，或其他适合引导衬底130以最小地偏移平台154的中心设置的形状。
在一实施方式中，衬底基座126的上部位置，外围沟槽310与倒置鞘136的向下延伸的内唇(inner lip)314交叉，从而形成溅射靶材的外围流量的U形门(trap)。所述U形门保护辐射加热器134不被溅射沉积并延长加热器(例如，IR灯)的使用寿命。沟槽310包括底部构件360和向上延伸的指状物362。底部构件360和指状物362作为可选择性作为可替换构件364(虚线所示)与平台154连接。
在替代的实施方式中(未示出)，平台154可包括夹环、静电卡盘、嵌入的衬底加热器、用于背侧(即热交换)气体和/或冷却流体的通道、射频电极，以及其他改善PVD工艺公知的装置。利用本领域技术人员公知的常规装置可实现与背侧气体、冷却流体，以及电功率和射频功率的各自源的耦合。
回到图1，运动控制单元170一般包括波纹管148、磁驱动144和位移驱动(displacement drive)140，其示意性安装在附接于腔体128的托架152上。波纹管148为旋转耦合至(用箭头156示出)波纹管的底板192的柱模块150提供可扩展的(extendable)真空气密密封。可利用，例如一个或多个O-圈或可挤压的铜密封(未示出)形成托架152和腔体128之间的真空密封接口。升降装置138可耦合至运动控制单元170或其他位置以控制通过衬底基座128延伸的升降杆。
柱模块150包括轴198和靠近磁驱动144设置的多个磁性元件142。在操作中，磁驱动144包括多个定子，可选择性地向其提供能量以磁性旋转磁性元件142，从而旋转柱模块150和平台154。在一示例性实施方式中，衬底基座126的角速度选择性地控制在每分钟约10到100转的范围内。一般认为磁驱动可由其他适用于旋转基座的电机或驱动代替。
在操作中，由于靶的材料成分的变化、靶上污染物(例如，氧化物、氮化物等)的聚集、盖组件102中的机械不对准以及其他因素导致从靶118溅射的材料流量空间上不均匀。在PVD腔室100内的薄膜沉积期间，衬底基座的旋转运动补偿了溅射材料的流量的空间不均匀性并在旋转的衬底130上沉积高度均匀性的薄膜。例如，随着衬底130旋转，在衬底130表面上从靶118的不同区域溅射的材料的变化得到平均，从而产生高度厚度均匀性的沉积膜。
位移驱动140与波纹管148的底板192刚性连接，在操作中，其有助于在上部(即，溅射)位置和下部(即晶圆接收/释放)位置之间移动(用箭头184所示)衬底基座126。位移驱动140可为适合用于控制基座126上升的气动圆柱体、液压圆柱体、电机、线性致动器或其他器件。
支持系统160包括多种设备，其一起实现PVD腔室100的功能。示意性地，支持系统160包括现有技术的普通技术人员熟知的一个或多个溅射功率源、一个或多个真空泵、溅射气体和/或气体混合物源、控制仪器和传感器等。
控制器180包括中央处理器(CPU)、存储器、以及支持电路(未示出)。控制器180经由接口182耦合并控制PVD腔室100的部件，并控制在该腔室中执行的沉积工艺。
图2示出了具有可旋转的衬底基座和以与基座的旋转轴成一角度设置的溅射靶的PVD腔室200的另一实施方式的前视示意图。图2的图像为用于示例目的简图并没有按比例绘制。
PVD腔室200一般包括盖组件202、主组件104、运动控制单元170、支持系统160和控制器180。以上已经参照图1和图3A描述了基本常见于PVD腔室100和200的部件。
盖组件202一般包括靶组件110、倾斜的上罩204，以及可选地，安装在罩204和腔体128之间的至少一个间隔件206(示出了一个间隔件)。示意性地，采用一个或多个标度(scales)208提供盖组件202、间隔件206和主组件104之间的真空密封耦合。
靶组件110以倾斜位置安装在上罩204中从而在靶118的溅射表面220和可旋转的衬底基座126(或衬底130)的支撑表面186之间形成角度214。溅射表面220的中心与衬底130垂直间隔为距离292。另外溅射表面220的中心距衬底130的中心横向间隔为距离218。例如，距离218可选择地设定在约0到约450mm之间。通常定向上罩204的顶板222，从而可在约0到约45度之间范围内选择角度214。倾斜的靶产生溅射材料以倾斜的入射方向(即，非垂直)撞击衬底，从而改善共形沉积。由于沉积期间基座旋转，沉积材料整个360度地沉积在衬底表面上。例如，通过预生成测试，可确定每种靶材和/或衬底表面的最优角度214。一旦最优角度214确定，可以以适于每个沉积工艺运行的合适角度倾斜盖组件202(以及靶118)。
间隔件206可用于限定靶118和衬底130之间的最优垂直距离(以箭头210示出)。在一实施方式中，任选的间隔件206的组合高度216可在大于0到500mm的范围内选择。当衬底基座154在上升的处理位置时，这允许在约200到约450mm之间选择间隔靶118的中心和衬底130的距离。类似于靶倾斜的角度，可调节间隔件206以确定衬底和靶之间的最优间隔以获得不同靶材和/或衬底形状的最优处理结果。一旦最优距离确定，间隔件206的合适数量和间隔高度可用于为每个工艺运行产生最优的沉积结果。
在另一实施方式中，盖组件202可沿着主组件104的凸缘224(以箭头212所示)移动以调节靶118和衬底130之间的横向偏差从而改善沉积性能。在一实施方式中，在PVD腔室200的气压恢复后，利用多个具有低摩擦尖端或球的推动器226可将盖组件202升高至凸缘224上方。替代地，推动器226可由低摩擦材料(例如，TEFLON@、聚酰胺等)形成或包含该材料。
在一实施方式中，致动器290耦合至主组件104以选择性地使推动器226在主组件104的顶表面上方延伸。致动器290可为液压圆柱体、电动机、电磁、凸轮或其他合适器件用于取代推动器226以将盖组件从主组件104分离的装置。虽然所示的致动器290耦合至主组件104，但一般认为致动器290可耦合至盖组件202并设计致动器290使得推动器226沿盖组件202向下延伸以从主组件104提升盖组件202。
在上升的位置，盖组件202可沿着凸缘224移动至预设位置，在该位置推动器226降低并且恢复盖组件和主组件之间的真空密封耦合。在一实施方式中，盖组件202的滑移的距离(或偏移)218可选择地控制在约0到500mm的范围内。和角度和高度(间隔)调整类似，结合角度和高度，可选择靶118和衬底之间的偏移以对于不同材料和衬底形状优化沉积结果。
一般地，相对于可旋转的衬底基座126，共同限定靶组件110的空间位置以及诸如溅射的靶材的入射角度和原子动能的角度214、高度216(间隔292)和偏移218的最优值可为工艺特定的。在操作中，当靶组件110位于工艺特定的最优空间位置时，在衬底130上可沉积具有最优特征(例如，最小的厚度不均匀性)的薄膜。因此，一旦已知对于预设的衬底材料和/或衬底形状的最优角度、间隔和偏移，则可以以预定的方向设定盖组件202和靶118的方向以产生对于预设工艺运行的期望处理结果。为了描述，图2A-2B描述了具有不同角度214’、214”、垂直间隔292’、292”和横向偏移218’、218”的盖组件202。
在一示例性实施方式中，利用可从加利福尼亚的Santa Clara的应用材料公司(Applied Materials，Inc.)购买的Endura CL@集成半导体晶片处理系统的PVD腔室的元件实施本发明。在该实施方式中，利用独立的磁控靶，在以约每分钟48转旋转的300mm硅晶片上沉积铝(Al)、钽(Ta)、铜(Cu)和镍-铁(Ni-Fe)合金薄膜。通过优化角度214、高度216(间隔292)、以及偏移218分别在30度、340-395mm以及300-400mm工艺特定的范围内，得到沉积膜约0.17-0.35％(1σ)的厚度不均匀性，如下表所示。
  材料   1σ，％  角度214，度   高度216，mm  偏移218，mm
  铝   0.22-0.27  30°   350-370  320-400
  钽   0.17-0.23   30°   350-375   375-400
  铜   0.16-0.29   30°   340-365   380-385
  镍-铁   0.24-0.35   30°   350-370   340-360
图4A-图4B示出了根据本发明的又一实施方式的包括多个盖组件(示意性示出四个组件402A-402D)的另一PVD腔室400的透视示意图和截面图。图4A为用于示意性目的的简图并没有按比例绘制。盖组件402A-D类似于以上所述的盖组件202。因此，读者应当同时参照图2和图4A-4B。
以上参照图1-图2描述了基本通用于PVD腔室200和400的部件。在本文中，除适当增加了字母下标以区分具体的器件外，利用相同的附图标记表示相同的部件。
在PVD腔室400中，盖组件402A-D在公共凸缘404上围绕主组件104的可旋转的衬底基座126(图4B示出)设置。公共凸缘404为与盖组件402A-D和主组件104真空密封接触。在一实施方式中，盖组件402A-D相对于衬底基座126基本对称地设置在凸缘404上。在再一实施方式中，如参照图2的盖组件202和靶组件110所述，通过调节各个盖组件402A-D，可选择性地优化每个靶组件410A-410D的空间位置。
PVD腔室400允许沉积膜的特性的进一步优化(例如，获得最小的厚度不均匀性)，以及便于原位形成复杂的薄膜结构(例如，磁阻随机存储器(MRAM)结构等)。例如，靶组件410A-410D包括由不同材料形成的靶118的PVD腔室400可用于原位沉积所述材料或其混合物的高度均匀性薄膜的多层薄膜层叠。另外，由于设备400中的每个靶组件410A-D的空间位置(即，角度414A-B、高度416A-B、以及偏移418A-B)可相对旋转的衬底基座126独立优化(即，角度414A-B可不必相同，同样高度416A-B以及偏移418A-B不必相同)，因此可原位沉积具有最小不均匀性的薄膜厚度的不同材料和薄膜层叠。
虽然以上描述涉及本发明的实施方式，但在不偏离本发明的精神范围内，可设计本发明的其他和进一步的实施方式，以及本发明的范围由以下的权利要求书限定。
 权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.一种物理气相沉积腔室，包括：
腔体；
在所述腔体内设置的可旋转的衬底基座；
在不同的处理位置之间至少一个可调节的耦合至盖组件的溅射靶；以及
其中所述盖组件相对所述基座在处理位置之间为横向可移动的。
2.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述至少一个溅射靶不平行于所述衬底基座的衬底支撑表面。
3.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述靶以约0度到约45度之间的角度设置。
4.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
选择性地从所述腔体延伸并使所述盖组件与所述腔体间隔的多个滑块。
5.根据权利要求4所述的腔室，其特征在于，所述靶以约0度到约45度之间的角度设置。
6.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述盖组件相对于所述基座的旋转轴在处理位置之间可垂直移动。
7.根据权利要求6所述的腔室，其特征在于，所述靶以约0度到约45度之间的角度设置。
8.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述至少一个溅射靶为多个围绕所述衬底基座设置的靶。
9.根据权利要求8所述的腔室，其特征在于，至少两个所述溅射靶由不同材料组成。
10.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
耦合至所述腔体并朝所述基座向内和向下延伸的鞘。
11.根据权利要求10所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
在所述鞘下方在所述腔体的区域中设置的至少一个衬底加热元件。
12.根据权利要求11所述的腔室，其特征在于，所述鞘与所述基座交叉。
13.根据权利要求12所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
环形外围的向上面向的沟槽。
14.根据权利要求13所述的腔室，其特征在于，所述基座进一步包括：
当所述基座在上升的位置时，与所述基座沟槽啮合的内唇。
15.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
衬底支撑表面；以及
沿所述支撑表面延伸并限定衬底接收槽的环形外围边缘。
16.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
衬底支撑表面；
以及在所述支撑表面中设置的至少一个聚合物构件。
17.一种物理气相沉积腔室，包括：
腔体；
在所述腔体中设置的可旋转的衬底基座；
至少一个具有在处理位置之间可调节的溅射表面的靶，其中至少一个处理位置中的所述溅射表面不平行于所述基座的衬底支撑表面；
设置在所述腔体上并具有与所述靶耦合的盖组件；以及
其中所述盖组件相对所述基座在处理位置之间为横向可移动的。
18.根据权利要求17所述的腔室，其特征在于，所述靶的溅射表面以与所述支撑表面成大于约0度到约45度的角度设置。
19.根据权利要求17所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
沿所述腔体选择性延伸并将所述腔体与所述盖组件间隔的多个滑块。
20.根据权利要求17所述的腔室，其特征在于，所述盖组件相对所述基座的旋转轴在处理位置之间为垂直可移动的。
21.根据权利要求17所述的腔室，其特征在于，所述至少一个靶为多个围绕所述衬底基座设置的靶。
22.根据权利要求21所述的腔室，其特征在于，至少两个所述溅射靶由不同材料组成。
23.根据权利要求18所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
耦合至所述腔体并朝所述基座向内和向下延伸的鞘。
24.根据权利要求23所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
在所述鞘下方在所述腔体的区域中设置的至少一个衬底加热元件。
25.根据权利要求24所述的腔室，其特征在于，所述鞘与所述基座交叉。
26.根据权利要求25所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
环形外围的向上面向的沟槽。
27.根据权利要求26所述的腔室，其特征在于，所述鞘进一步包括：
当所述基座在上升的位置时，与所述基座的沟槽啮合的内唇。
28.根据权利要求18所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
衬底支撑表面；以及
沿所述支撑表面延伸并限定衬底接收槽的环形外围边缘。
29.一种物理气相沉积腔室，其特征在于，包括：
腔体；
设置在所述腔体中并具有向上定向的沟槽的可旋转衬底基座；
当所述基座在上升的位置时，耦合至所述腔体并朝所述基座和所述基座的沟槽向内和向下延伸的鞘；
耦合并用于旋转所述基座沟槽的第一驱动；
与所述腔体耦合并在所述腔体内并用于控制基座的上升的第二驱动；
具有在处理位置之间可调节的溅射表面的至少一个靶，其中在至少一个处理位置中的所述溅射表面不平行于所述基座的衬底支撑表面；
设置在所述腔体上并具有与所述溅射靶耦合的盖组件；以及
其中所述盖组件相对所述基座在处理位置之间为横向可移动的。
30.根据权利要求29所述的腔室，其特征在于，所述靶的溅射表面以与所述溅射表面成大于约0度到约45度的角度设置。
31.根据权利要求29所述的腔室，其特征在于，所述盖组件相对所述基座的旋转轴在处理位置之间为垂直可移动的。
32.根据权利要求31所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
沿所述腔体选择地延伸并间隔所述腔体和所述盖组件的多个滑块。
33.根据权利要求29所述的腔室，其特征在于，所述至少一个靶为多个围绕所述衬底基座设置的靶。
34.根据权利要求33所述的腔室，其特征在于，至少两个所述溅射靶由不同材料组成。
35.一种用于物理气相沉积的方法，包括：
在具有与以第一方向设置的靶和衬底支架耦合的靶的腔室中执行第一物理气相沉积工艺；以及
在具有与以第二方向设置的靶和衬底支架耦合的靶的腔室内执行第二物理气相沉积。
36.一种物理气相沉积腔室，其特征在于，包括：
腔体；
在所述腔体内设置的可旋转的衬底基座；
至少一个在不同的处理位置之间耦合至盖组件的可调节的溅射靶；以及
多个从所述腔体选择地延伸的滑块，其用于使所述盖组件与所述腔室间隔并用于促进所述盖组件的滑移。
37.根据权利要求36所述的腔室，其特征在于，所述至少一个溅射靶不平行于所述衬底基座的衬底支撑表面。
38.根据权利要求36所述的腔室，其特征在于，所述靶以约0度到约45度之间的角度设置。
39.根据权利要求37所述的腔室，其特征在于，所述盖组件相对所述基座在处理位置之间为横向可移动的。

Claims (39)

1.一种物理气相沉积腔室，包括：
腔体；
在所述腔体内设置的可旋转的衬底基座；以及
在不同的处理位置之间至少一个可调节的溅射靶处理。
2.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述至少一个溅射靶不平行于所述衬底基座的衬底支撑表面。
3.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述靶以约0度到约45度之间的角度设置。
4.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
设置在所述腔体上并具有与之耦接的所述溅射靶的盖组件。
5.根据权利要求4所述的腔室，其特征在于，所述盖组件为相对所述基座在工艺位置之间横向可移动的。
6.根据权利要求5所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
选择性地从所述腔体延伸并使所述盖组件与所述腔体间隔的多个滑块。
7.根据权利要求5所述的腔室，其特征在于，所述靶以约0度到约45度之间的角度设置。
8.根据权利要求4所述的腔室，其特征在于，所述盖组件相对于所述基座的旋转轴在处理位置之间可垂直移动。
9.根据权利要求8所述的腔室，其特征在于，所述靶以约0度到约45度之间的角度设置。
10.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述至少一个溅射靶为多个围绕所述衬底基座设置的靶。
11.根据权利要求10所述的腔室，其特征在于，至少两个所述溅射靶由不同材料组成。
12.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
耦合至所述腔体并朝所述基座向内和向下延伸的鞘。
13.根据权利要求12所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
在所述鞘下方在所述腔体的区域中设置的至少一个衬底加热元件。
14.根据权利要求13所述的腔室，其特征在于，所述鞘与所述基座交叉。
15.根据权利要求14所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
环形外围的向上面向的沟槽。
16.根据权利要求15所述的腔室，其特征在于，所述基座进一步包括：
当所述基座在上升的位置时，与所述基座沟槽啮合的内唇。
17.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
衬底支撑表面；以及
沿所述支撑表面延伸并限定衬底接收槽的环形外围边缘。
18.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
衬底支撑表面；
以及在所述支撑表面中设置的至少一个聚合物构件。
19.一种物理气相沉积腔室，包括：
腔体；
在所述腔体中设置的可旋转的衬底基座；
至少一个具有在处理位置之间可调节的溅射表面的靶，其中至少一个处理位置中的所述溅射表面不平行于所述基座的衬底支撑表面；以及
设置在所述腔体上并具有与所述靶耦合的盖组件。
20.根据权利要求20所述的腔室，其特征在于，所述靶的溅射表面以与所述支撑表面成大于约0度到约45度的角度设置。
21.根据权利要求19所述的腔室，其特征在于，所述盖组件相对所述基座在工艺位置之间可横向移动。
22.根据权利要求21所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
沿所述腔体选择性延伸并将所述腔体与所述盖组件间隔的多个滑块。
23.根据权利要求19所述的腔室，其特征在于，所述盖组件相对所述基座的旋转轴在处理位置之间为垂直可移动的。
24.根据权利要求19所述的腔室，其特征在于，所述至少一个靶为多个围绕所述衬底基座设置的靶。
25.根据权利要求24所述的腔室，其特征在于，至少两个所述溅射靶由不同材料组成。
26.根据权利要求20所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
耦合至所述腔体并朝所述基座向内和向下延伸的鞘。
27.根据权利要求26所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
在所述鞘下方在所述腔体的区域中设置的至少一个衬底加热元件。
28.根据权利要求27所述的腔室，其特征在于，所述鞘与所述基座交叉。
29.根据权利要求28所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
环形外围的向上面向的沟槽。
30.根据权利要求29所述的腔室，其特征在于，所述鞘进一步包括：
当所述基座在上升的位置时，与所述基座的沟槽啮合的内唇。
31.根据权利要求20所述的腔室，其特征在于，所述衬底基座进一步包括：
衬底支撑表面；以及
沿所述支撑表面延伸并限定衬底接收槽的环形外围边缘。
32.一种物理气相沉积腔室，包括：
腔体；
设置在所述腔体中并具有向上定向的沟槽的可旋转衬底基座；
当所述基座在上升的位置时，耦合至所述腔体并朝所述基座和所述基座的沟槽向内和向下延伸的鞘；
耦合并用于旋转所述基座沟槽的第一驱动；
与所述腔体耦合并在所述腔体内并用于控制基座的上升的第二驱动；
具有在处理位置之间可调节的溅射表面的至少一个靶，其中在至少一个处理位置中的所述溅射表面不平行于所述基座的衬底支撑表面；以及
设置在所述腔体上并具有与所述溅射靶耦合的盖组件。
33.根据权利要求32所述的腔室，其特征在于，所述靶的溅射表面以与所述溅射表面成大于约0度到约45度的角度设置。
34.根据权利要求32所述的腔室，其特征在于，所述盖组件相对所述基座在工艺位置之间为横向可移动的。
35.根据权利要求34所述的腔室，其特征在于，所述盖组件相对所述基座的旋转轴在处理位置之间为垂直可移动的。
36.根据权利要求35所述的腔室，其特征在于，进一步包括：
沿所述腔体选择地延伸并间隔所述腔体和所述盖组件的多个滑块。
37.根据权利要求32所述的腔室，其特征在于，所述至少一个靶为多个围绕所述衬底基座设置的靶。
38.根据权利要求37所述的腔室，其特征在于，至少两个所述溅射靶由不同材料组成。
39.一种用于物理气相沉积的方法，包括：
在具有以第一方向设置的靶和衬底支架的腔室中执行第一物理气相沉积工艺；以及
在具有以第二方向设置的靶和衬底支架的腔室内执行第二物理气相沉积。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20071024