CN101046639A - 测量、曝光装置及方法、调整方法以及器件制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种测量方法，用于测量光学系统的开口光圈的位置，其特征在于具有：在和上述光学系统的光瞳位置光学共轭的位置上测定通过了上述开口光圈的光的光强度分布的步骤；以及根据在上述测定步骤中测定的上述光强度分布的衍射条纹，决定上述光学系统的开口光圈的位置的步骤。

Description

测量、曝光装置及方法、调整方法以及器件制造方法

技术领域

本发明涉及测量在曝光装置中使用的投影光学系统的数值孔径的测量方法以及装置。在使用光刻技术制造半导体存储器、逻辑电路等微细的半导体元件时，以往使用投影曝光装置。投影曝光装置用投影光学系统把描画在掩膜原版(掩膜)上的电路图案投影在晶片等上进行电路图案的转印。

背景技术

在投影曝光装置中能够转印的最小的尺寸(分辨率)与在曝光中使用的光的波长成正比，与投影光学系统的数值孔径(NA)成反比。因而，如果使波长越短，此外如果使NA越高，则分辨率越好。因此，伴随对近年的半导体元件的微细化的要求，曝光光的短波长化以及投影光学系统的高NA化正在进步。特别是随着投影光学系统的高NA化，在装置之间的NA的匹配变得重要，投影光学系统的NA(投影光学系统的开口光圈的开口形状以及位置)的高精度的测量以及调整的需求高涨。

有关投影光学系统的NA的测量方法以往提出了几个方案。在特开平03-65623号公报中，根据通过了投影光学系统的开口光圈的光，测量在开口光圈位置上的照度分布(光强度分布)，从该光强度分布测量结果中求投影光学系统的NA。具体地说，如特开2005-322856号公报的测量方法所示那样，首先除去使用累计、滤波等测量到的光强度分布的噪声，对光强度分布进行平滑化。而后，从通过对平滑化后的光强度分布进行差分处理所得到的差分光强度分布曲线的极小值中求投影光学系统的NA。

但是，无论在特开平03-65623号公报还是在特开2005-322856号公报的测量方法中，对于来自投影光学系统的开口光圈边缘的衍射光所给予的对光强度分布的影响没有做任何叙述。根据特开2005-322856号公报，对于当差分光强度分布曲线的极小值、即所测量到的光强度分布的拐点有多个的情况下，哪个拐点相当于投影光学系统的NA，进而拐点是否正确地与投影光学系统的NA对应这一点没有揭示。

当光照射到开口光圈上的情况下，通过了开口光圈的光和由开口光圈边缘衍射的光发生干涉。因而，认为紧接通过了开口光圈之后的光强度分布变成在边缘附近包含作为周期性的凹凸的衍射条纹的光强度分布。从这种光强度分布中得到的差分光强度分布曲线具有许多极小值以及极大值。因此，在特开2005-322856号公报的测量方法中，考虑在把衍射条纹作为噪声进行平滑化后，检测差分光强度曲线的极小值。但是，衍射条纹是来自开口光圈的边缘的信息。因而，在把衍射条纹作为噪声进行平滑化的特开2005-322856号公报的测量方法中，不能够高精度地测量投影光学系统的NA(开口光圈的开口形状以及位置)。

发明内容

本发明就是提供一种能够高精度测量光学系统的开口光圈的位置的测量方法以及装置。

作为本发明的一个方面的测量方法，用于测量光学系统的开口光圈的位置，其特征在于，具有：在和上述光学系统的光瞳位置光学共轭的位置上测定通过了上述开口光圈的光的光强度分布的步骤；以及根据在上述测定步骤中测定的上述光强度分布的衍射条纹，决定上述光学系统的开口光圈的位置的步骤。

本发明的另一目的或者其他特征应该能够通过参照附图说明的优选实施例而明白。

附图说明

图1是表示在开口光圈的边缘上的光强度分布的图。

图2是用于说明在开口光圈的边缘上的衍射的图。

图3是表示作为本发明的一个方面的曝光装置的结构的概略剖面图。

图4是用于说明作为本发明的一个方面的测量方法的流程图。

图5是表示作为本发明的一个方面的曝光装置的结构的概略剖面图。

图6是表示图5所示的掩膜的结构的概略剖面图。

图7是表示图5所示的测定部的结构的概略剖面图。

图8是表示作为本发明的一个方面的曝光装置的结构的概略剖面图。

图9是用于说明作为本发明的一个方面的曝光方法的流程图。

图10是用于说明器件(半导体器件和液晶显示器件)的制造的流程图。

图11是图10所示的步骤4的晶片工艺的详细的流程图。

图12是表示形成在感光衬底上的图案的概略图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的优选的实施方式。而且，在各图中，对于同一部件标注相同的参照符号，并省略重复的说明。

本发明人注意到包含在光强度分布中的衍射条纹是来自开口光圈的边缘的信息，发现了通过弄清楚衍射条纹和开口光圈的边缘位置的关系，能够高精度地测量投影光学系统的NA。

来自开口光圈的边缘的衍射现象能够从麦克斯韦方程式知道。参照图1可知：相对在开口光圈的边缘上照射平面波时的、开口部以及遮挡部所形成的矩形的光强度分布LI₁，从麦克斯韦的方程式推导的严密解是包含衍射条纹的光强度分布LI₂。在此，图1是表示在开口光圈的边缘上的光强度分布的图。而且，在图1中，采用开口位置作为横轴，采用光强度作为纵轴。

如果使用光强度分布LI₂(即，严密解)，则通过取得在像面上的光振幅信息，反传播这种光振幅信息，能够求开口光圈的位置(开口位置)。此外，预先取得开口光圈的位置和光振幅信息或者光强度分布的关系作为表，通过对这种表和实际的光振幅信息或者光强度分布进行比较，能够求开口光圈的位置。而且，还能够近似地根据光强度分布的衍射条纹简单地计算开口光圈的位置。

本发明是根据光强度分布的衍射条纹决定开口光圈的位置的方法。但是，本发明如上所述还包含根据严密解把预先计算出的光强度分布的衍射条纹进行表格化(或者模板化)，通过和实际的光强度分布进行比较决定开口光圈的位置的方法。

在此，说明根据光强度分布近似地计算开口光圈的位置的方法。如图2所示，在从开口光圈的边缘ASE只离开距离r的位置Pr上的光强度分布包含由光线B0和衍射光BD的干涉产生的衍射条纹，衍射光BD的相位相对光线B0的相位延迟5/4π。图2是用于说明在开口光圈的边缘ASE上的衍射的图。

因而，当使用菲涅耳近似，求提供由在位置Pr上的光线B0和衍射光BD产生的衍射像的极大值以及极小值的ΔX max以及ΔX min，则ΔX max以及ΔX min可以用以下的公式1以及2表示。在此，ΔX max以及ΔX min分别是从真正的开口光圈的边缘ASE的位置开始在X方向上的偏离。如果此时位置Pr和边缘ASE的距离r接近0，因为提供这些极大值、极小值的ΔX max以及ΔX min的距离也接近0，所以实际上并不存在，这是因为使用菲涅耳近似的缘故，实际上在严密解LI2中存在类似可被看到的极值。因而，在此说明距离r是菲涅耳近似区域的情况。

[式1]

$\mathrm{\ΔX}\max \left(n\right)=\sqrt{(3/4+2n)\·(\mathrm{\λ}\·r)}$

[式2]

$\mathrm{\ΔX}\min \left(n\right)=\sqrt{(7/4+2n)\·(\mathrm{\λ}\·r)}$

因而，通过根据通过了开口光圈的光形成的光强度分布来特定提供周期性极大值或者极小值的位置X，从而能够求从正确的开口光圈的边缘ASE的位置或者开口光圈的位置到位置(测量位置)Pr的距离。在此，因为位置Pr是开口光圈的位置和投影光学系统的光瞳面之间的差，所以能够测量开口光圈在Z方向(光轴方向)上的位置偏离。

以下，说明利用了上述的原理的各种曝光装置。

[实施例1]

图3是表示作为本发明的一个方面的曝光装置1的结构的概略剖面图。曝光装置1是把掩膜原版20的电路图案曝光在被处理体40上的投影曝光装置。曝光装置1在本实施方式中，是步进扫描方式的投影曝光装置，但也可以适用步进重复方式。

曝光装置1如图3所示具有：照明装置10；搭载掩膜原版20的掩膜原版载置台25；投影光学系统30；搭载被处理体40的晶片载置台45；聚焦测量系统50；测量单元100。

照明装置10对形成有转印用的电路图案的掩膜原版20进行照明，具有光源12和未图示的照明光学系统。而且，在本实施方式中，把开口板110(开口板112)配置在照明装置10内。但是，开口板110并不是构成照明装置10的必须部件。

光源12在本实施方式中使用波长约193nm的ArF准分子激光器。但是，作为光源12的种类也可以使用波长约248nm的KrF准分子激光器、波长约157nm的F2激光器，该激光器的个数也没有限定。未图示的照明光学系统是照明掩膜原版20的光学系统，包含透镜、反光镜、光学积分器、光圈等。

在掩膜原版20上形成应该转印的电路图案，被掩膜原版载置台25支撑并驱动。

掩膜原版载置台25支撑掩膜原版20并且连接在未图示的移动机构上。

投影光学系统30把掩膜原版20的图案成像在晶片40上。在投影光学系统30中能够使用折射系统、反射折射系统、反射系统。

投影光学系统30在本实施方式中具有开口光圈32和驱动机构34。开口光圈32被配置在投影光学系统30的光瞳位置上，用来规定投影光学系统30的数值孔径(NA)。驱动机构34具有作为用以调整开口光圈32的调整单元的功能，具体地说，对开口光圈32的开口形状以及位置进行调整(变更)以及修正。

被处理体40在本实施方式中是晶片，但还广泛地包含玻璃衬底、其他的衬底。在被处理体40的表面上涂敷光敏抗蚀剂。

晶片载置台45经由未图示的晶片卡盘支撑被处理体40。

聚焦测量系统50测量被处理体40面的Z方向(光轴方向)的聚焦位置，控制晶片载置台45的位置以及角度。

测量单元100测量投影光学系统30的开口光圈32的位置。而且，测量单元100还可以测量开口光圈32的开口形状、开口光圈32规定的NA。测量单元100在本实施方式中具有开口板110和测定部120。

开口板110被配置在和投影光学系统30的物体面光学共轭的位置上(在本实施方式中，配置在照明装置10内)，把来自光源12的光(照明装置10的NA)放大到投影光学系统30的开口光圈32的大小(开口的大小)。当开口板110未把照明装置10的NA放大到投影光学系统30的开口光圈32的大小的情况下，或者在投影光学系统30的开口光圈32的边缘上未照射充分强度的光的情形下，置换为带有具有扩散效果的光学部件112a的开口板112。此外，开口板110也可以置换为具有配置在投影光学系统30的物体面或者其附近的开口的掩膜。

测定部120在本实施方式中，被配置在晶片载置台45上，可以和被处理体40可交换地被配置在投影光学系统30的像面上。换句话说，当对被处理体40曝光的情况下，在投影光学系统30的像面上配置被处理体40，当测量投影光学系统30的开口光圈32的位置的情况下，在投影光学系统30的像面上配置测定部120。测定部120具有CCD122、开口板124、控制部126。

当测量投影光学系统30的开口光圈32的位置的情况下，从照明装置10射出的光通过投影光学系统30的开口光圈32，经由未图示的中继光学系统入射到测定部120。入射到测定部120的光在配置在和投影光学系统30的光瞳面光学共轭的位置上的CCD122上形成光强度分布。在此，所谓和投影光学系统30的光瞳面光学共轭的位置实际上还包含共轭的位置，例如，还包含远场。在CCD122的上段配置开口板124，详细地说开口板124被配置成和投影光学系统30的像面一致。

控制部126使用CCD122的测定结果(即，光强度分布)计算投影光学系统30的光瞳面全体的光强度分布(以下，称为“光强度分布图”)，根据这种光强度分布图，对投影光学系统30的开口光圈32进行解析。此外，控制部126根据投影光学系统30的开口光圈32的解析结果，经由驱动机构34控制开口光圈32的开口形状以及位置。

以下，参照图4作为控制部126的动作的一个例子，说明投影光学系统30的开口光圈32的控制。在本实施方式中，以控制部126计算投影光学系统30的NA(即，开口光圈32的开口的大小)的情况为例进行说明。在此，图4是用于说明控制部126的动作的一个例子(即，作为本发明的一个方面的测量方法)的流程图。

参照图4，首先经由开口板124用CCD122测定通过了投影光学系统30的开口光圈32的光的光强度分布。换句话说，在和投影光学系统30的光瞳位置光学共轭的位置上测定光强度分布(步骤1002)。而且，控制部126如上所述，根据CCD122测定的光强度分布计算光强度分布图。

接着，根据提供计算出的光强度分布图的极大值以及极小值的位置来计算投影光学系统30的NA(开口光圈32的开口的大小)(步骤1004)。而且，所谓投影光学系统30的NA是把开口光圈32的开口形状看成正圆求得的平均的开口大小。因而，在计算平均的矢径方向的NA方面，考虑把光强度分布图的外形中心作为原点的极坐标，通过在旋转方向上积分，得到相对矢径方向的平均的积分曲线。能够根据该积分曲线计算提供基于衍射像的极大值以及极小值的开口光圈32的位置。如果把真正的开口光圈32的边缘位置设置为X0，则可以用以下的公式3以及4表示计算出的开口光圈32的位置X max(n)以及X min(n)。

[式3]

X max(n)＝X0-ΔX max(n)

[式4]

X min(n)＝X0-ΔX min(n)

而后，能够由公式1以及公式3得到以下的公式5。

[式5]

＝{(3/4+2(n+1))-(3/4+2n)}·(λ·r)

如果认为CCD122和投影光学系统30的光瞳位置共轭，则能够从公式5中计算开口光圈32和投影光学系统光瞳位置之间的距离(即，图1所示的距离r)。同样，从公式2以及公式4也能够计算开口光圈32和光瞳位置之间的距离r。

能够根据距离r计算ΔX max(n)或者ΔX min(n)，能够从公式3或者4中求真正的开口光圈32的位置X0，即，投影光学系统30的NA。

在此，说明根据计算出的开口光圈32的位置X max(n)或者Xmin(n)求真正的开口光圈32的位置X0或者距离r的几种方法。

X max(0)或者X min(0)是衍射像的最强的极值。因而，使用这2个值，能够计算真正的开口光圈32的位置X0或者距离r。

从公式1以及2得到以下的公式6。

[式6]

$X\min \left(0\right)-X\max$ $\left(0\right)=\sqrt{\mathrm{\λ}\·r}$

能够根据公式6求距离r，同样，能够根据公式3或者4求真正的开口光圈32的位置X0。n即使是0以外的数也一样。此外，把距离r作为固定值，也可以根据经过计算的开口光圈32的位置X max(n)或者X min(n)直接计算真正的开口光圈32的位置X0。当然，也可以一边把经过计算的开口光圈32的位置X max(n)或者X min(n)作为参数改变开口光圈32的光轴方向的位置，一边监视X max(n)或者X min(n)的变化量。由此，能够检测X max(n)或者Xmin(n)变为极值的位置，如果开口光圈32和投影光学系统30的光瞳位置之间的距离大致变成0，则能够计算真正的开口光圈32的位置X0。这是因为如公式1或者2所示，在菲涅耳近似区域内，ΔX max(n)或者ΔX min(n)与

成比例的缘故。距离r如果接近0，则如前面的严密解所示收敛在某一值。因而由于距离r是充分小的值并未引起ΔX max(n)或者ΔX min(n)的变化，所以如上所述把r认为是0，根据计算出的开口光圈32的位置X max(n)或者X min(n)能够直接计算真正的开口光圈32的位置X0。

进而，能够根据与在通过光强度分布图的外形中心的任意方向θ的面相切而产生的矢径位置相对应的曲线来计算X max(θ、n)或者X min(θ、n)，进而计算r(θ)以及X0(θ)。之后，通过一边改变θ一边重复上述的计算，能够求开口光圈32的开口形状以及光轴方向的位置偏离。

返回图4判断在预先决定的全部的测量位置(投影光学系统30的光轴方向的位置)上，是否测量了开口光圈32的位置(步骤1006)。如果未测量预先决定的全部测量位置，则改变开口光圈32的测量位置(步骤1008)，重复步骤1002以下的步骤。

另一个方面，在预先决定的全部测量位置上，如果测量了开口光圈32的位置，则根据测量后的开口光圈32的位置以及投影光学系统30的NA，计算开口光圈32的修正量(步骤1010)。例如，对经过测量的开口光圈32的位置以及投影光学系统30的NA，和所希望的开口光圈32的位置以及所希望的投影光学系统30的NA进行比较，把其差分作为开口光圈32的修正量。

而后，根据开口光圈32的修正量，经由驱动机构34对开口光圈32的开口的大小(开口形状)以及位置进行修正(调整)(步骤1012)。

这样，通过利用作为来自开口光圈32的边缘的信息的衍射条纹，能够高精度地求开口光圈32的位置。

[实施例2]

图5是表示作为曝光装置1的变形例子的曝光装置1A的结构的概略剖面图。虽然曝光装置1A和曝光装置1一样，但测量单元100的结构不同。实施例2的测量单元100和实施例1的测量单元100比较，进一步具有掩膜130，取代测定部120具有测定部140。

掩膜130配置在掩膜原版载置台25上，在测量投影光学系统30的开口光圈32的位置的情况下，与光路上的掩膜原版20进行交换。掩膜130如图6所示，在和配置在投影光学系统30的物体面上的面相反的面上具有开口，在该开口的上部或者内部具有扩散光学元件132。因而，光学元件132变成从投影光学系统30的物体面稍微散焦的位置。在本实施方式中在用Cr形成的遮光部的中心形成透射部。此外，在作为透射部的开口部的内部配置扩散光学元件132。掩膜130靠扩散光学元件132的作用，具有和带有具有扩散效果的光学部件112a的开口板112同样的效果。因而，只要配置开口板112或者掩膜130之一即可。在此，图6是表示掩膜130的结构的概略剖面图。

掩膜130在和配置在投影光学系统30的物体面上的面相反的面上具有开口(小孔)。因为开口部的扩散光学元件132从投影光学系统30的物体面稍微散焦，所以当在投影光学系统30的像面上测量开口光圈32的位置的情况下，变得在远场位置上进行测量。即，能够看作被配置在和投影光学系统30的光瞳位置光学共轭的位置上。因而，通过了掩膜130的光通过投影光学系统30的开口光圈32，在投影光学系统30的像面上形成在光瞳面上的光强度分布。

测定部140测定形成在投影光学系统30的像面上的光强度分布。测定部140如图7所示，具有开口板142、在离开开口板142的位置上具有光量传感器144。测定部140配置在晶片载置台45上，使开口板142的位置移动到投影光学系统30的像面位置上，一边在XY方向上移动一边用光量传感器144检测通过开口板142的光量。由此，测定部140能够测定通过了投影光学系统30的开口光圈32的光的光强度分布。在此，图7是表示测定部140的结构的概略剖面图。

控制部126和实施例1一样，根据经过测定的光强度分布计算光强度分布图，通过根据该光强度分布图求提供极大值以及极小值的位置，从而分析开口光圈32的位置。而且，投影光学系统30的NA、开口光圈32的位置的计算等(控制部126的动作)和实施例1一样。

[实施例3]

图8是表示作为曝光装置1的变形例子的曝光装置1B的结构的概略剖面图。曝光装置1B和曝光装置1一样，但还具有掩膜130。此外，曝光装置1B不是必须需要测定部140，根据实际对搭载在晶片载置台45上的感光衬底RS进行曝光的结果，测量投影光学系统30的开口光圈32的位置。而且，感光衬底RS也可以是被处理体40。

掩膜130和实施例2一样，被配置在掩膜原版载置台25上，当测量投影光学系统30的开口光圈32的位置的情况下，与光路上的掩膜原版20进行交换。而且，因为掩膜130的结构等和实施例2一样，所以在此省略详细的说明。

在此，参照图9说明曝光装置1B中的曝光方法。图9是用于说明作为本发明的一个方面的曝光方法的流程图。

首先，把掩膜130以及感光衬底RS配置在规定位置上(步骤2002)。此时，感光衬底RS的Z方向(光轴方向)的位置用聚焦测量系统50来测量，衬底RS经由晶片载置台45被移动到投影光学系统30的像面位置上。

如果把掩膜130以及感光衬底RS配置在规定的位置上，则用经过设定的曝光量对感光衬底RS进行曝光(步骤2004)。此时，通过掩膜130以及开口光圈32的光在投影光学系统30的像面上形成在投影光学系统30的光瞳面中的光强度分布。因而，把在投影光学系统30的光瞳面中的光强度分布曝光在感光衬底RS上。而后，判断是否用预先决定的全部种类的曝光量对感光衬底RS进行了曝光(步骤2006)。

当未用全部种类的曝光量对感光衬底RS进行曝光的情况下，移动感光衬底RS的XY位置，改变曝光量的设定(例如，对曝光量加上ΔE)(步骤2008)，返回步骤2004。由此，把在不同的曝光量下的光强度分布曝光在感光衬底RS上。

另一个方面，当以全种类的曝光量对感光衬底RS进行了曝光的情况下，通过对经过曝光的感光衬底RS进行显影，图像解析抗蚀剂像来计算光强度分布图(步骤S2010)。具体地说，在进行了感光衬底RS的显影后，通过利用光学式显微镜等观察在不同的曝光量下的光强度分布，并进行图像解析，再现立体的光强度分布图。而且，在步骤2004中，如图12所示，在曝光过的被测量图案151的周围也可以另外用双重曝光形成参照图案150。而且，在步骤2004的曝光步骤中，可以对多个曝光量不同的被测量图案151中的每一个，用双重曝光对参照标记150进行曝光。在制成步骤2010的光强度分布图的步骤中，因为能够以各个参照标记150为基准正确地掌握各被测量图案151的位置所以有效。在此，图12是表示形成在感光衬底RS上的图案的概略图。

接着，和实施例1一样，根据由光强度分布图提供极大值以及极小值的位置来计算投影光学系统30的NA(开口光圈32的位置以及开口的大小)(步骤2012)。而后，根据计算出的投影光学系统30的NA，修正开口光圈32的开口的大小(开口形状)以及位置。进而，把掩膜130变换为掩膜原版20，把感光衬底RS变换为被处理体40，把掩膜原版20的图案曝光在被处理体40上。

这样曝光装置1至1A能够高精度地测量投影光学系统30的数值孔径(开口光圈32的开口形状以及位置)，根据该测量结果高精度地调整投影光学系统30的NA。而且，测量上述的投影光学系统30的开口光圈32的位置的测量方法以及装置(测量单元100)也构成本发明的一个方面。

在曝光中，从光源12发出的光束靠未图示的照明光学系统的作用对掩膜原版20进行照明。通过掩膜原版20反映掩膜原版图案的光束经由投影光学系统30被成像在被处理体40上。曝光装置1使用的投影光学系统30高精度地调整开口光圈32的开口形状以及位置。由此，曝光装置1至1B能够实现优异的曝光性能(高分辨率)。因而，曝光装置1至1B与以往相比能够提供高品质的器件(半导体器件、液晶显示器件)。

接着参照图10以及图11说明利用了上述的曝光装置1至1B的器件制造方法的实施例。图10是用于说明器件(半导体器件、液晶显示器件)的制造的流程图。在此，以半导体器件的制造为例进行说明。在步骤1(电路设计)中，进行器件的电路设计。在步骤2(掩膜原版制作)中，制作形成了经过设计的电路图案的掩膜原版。在步骤3(晶片制造)中，用硅等材料制造晶片。步骤4(晶片工艺)称为前工序，使用掩膜原版和晶片利用光蚀刻技术在晶片上形成实际的电路。步骤5(组装)称为后工序，是使用在步骤4中制成的晶片进行半导体芯片化的过程，包含装配工序(切割，压焊(boarding))、封装(packaging)工序(芯片封装)等工序。在步骤6(检查)中，进行在步骤5中制成的半导体器件的动作确认测试、耐久性测试等检查。经过这样的工序，半导体器件完成，将其出厂(步骤7)。

图11是步骤4的晶片工艺的详细流程图。在步骤11(氧化)中，氧化晶片的表面。在步骤12(CVD)中在晶片的表面上形成绝缘膜。在步骤13(电极形成)中用蒸镀等在晶片上形成电极。在步骤14(离子注入)中，向晶片中注入离子。在步骤15(抗蚀剂处理)中，在晶片上涂敷感光剂。在步骤16(曝光)中，用曝光装置1至1B在晶片上进行掩膜原版的电路图案的曝光。在步骤17(显影)中，显影经过曝光的晶片。在步骤18(蚀刻)中，消去经过显影的抗蚀剂像以外的部分。在步骤19(抗蚀剂剥离)中，除去蚀刻完成后不需要的抗蚀剂。通过重复进行这些步骤，在晶片上形成多层电路图案。根据本实施方式的器件制造方法，能够制造比以往更高品质的器件。这样使用曝光装置1至1B的器件制造方法以及作为结果的器件也构成本发明的一个方面。

以上说明了本发明的优选实施例，但本发明并不限于这些实施例，在其主旨的范围内可以进行各种变形以及变更。

Claims (10)

1、一种测量方法，用于测量光学系统的开口光圈的位置，其特征在于，具有：

在和上述光学系统的光瞳位置光学共轭的位置上测定通过了上述开口光圈的光的光强度分布的步骤；以及

根据在上述测定步骤中测定的上述光强度分布的衍射条纹，决定上述光学系统的开口光圈的位置的步骤。

2、如权利要求1所述的测量方法，其特征在于：

上述决定步骤具有：利用自上述光强度分布的外形中心起的旋转积分，求相对上述开口光圈的矢径方向的积分曲线的步骤；

求上述积分曲线的1个以上极值的步骤；以及

根据上述1个以上的极值求上述开口光圈的数值孔径的步骤。

3、如权利要求1所述的测量方法，其特征在于：

上述决定步骤具有：

利用自上述光强度分布的外形中心起的旋转积分，求相对上述开口光圈的矢径方向的积分曲线的步骤；

根据通过上述光强度分布的外形中心的多个剖面的曲线中的每一个求上述积分曲线的1个以上极值的步骤；以及

根据上述1个以上极值求上述开口光圈的形状的步骤。

4、如权利要求2或者3所述的测量方法，其特征在于：上述决定步骤进一步具有求上述开口光圈在光轴方向上的位置偏离的步骤。

5、如权利要求1所述的测量方法，其特征在于：

上述决定步骤具有：利用自上述光强度分布的外形中心起的旋转积分，求相对上述开口光圈的矢径方向的积分曲线的步骤；

把n设置为0以上的整数，求从上述积分曲线的上升开始到第n个为止的至少1个极大值或者极小值的步骤；以及

根据上述至少1个极大值或者极小值，求上述开口光圈在矢径方向上的位置或者上述开口光圈在光轴方向上的位置偏离的步骤。

6、一种测量装置，用于测量光学系统的开口光圈的位置，其特征在于具有：

在和上述光学系统的光瞳位置光学共轭的位置上测定通过了上述开口光圈的光的光强度分布的测定单元；以及

根据在上述测定单元所测定的上述光强度分布的衍射条纹，控制上述光学系统的开口光圈的位置的控制单元。

7、如权利要求6所述的测量装置，其特征在于：进一步具有包含被配置在和上述光学系统的物体面光学共轭的位置上、使光通过的开口部和使光扩散的扩散部的掩膜。

8、一种曝光装置，配备把掩膜原版的图案投影在被处理体上的投影光学系统，其特征在于具有：

包含被配置在和上述光学系统的物体面光学共轭的位置或者其附近、使光通过的开口部和使光扩散的扩散部的掩膜；

被配置在和上述投影光学系统的光瞳位置光学共轭的位置上，测定通过了上述投影光学系统的开口光圈的光的光强度分布的测定单元；以及

根据上述测定单元所测定的上述光强度分布的衍射条纹，控制上述光学系统的开口光圈的位置的控制单元。

9、一种把掩膜原版的图案经由投影光学系统曝光在被处理体上的曝光方法，其特征在于，具有：

在离开上述投影光学系统的图像的位置上，把包含被配置在和上述投影光学系统的物体面光学共轭的位置或者其附近、使光通过的开口部和使光扩散的扩散部的掩膜的掩膜图案以多个不同的曝光量曝光在上述被处理体上的步骤；以及

根据被曝光在上述被处理体上的上述掩膜图案，决定上述投影光学系统的开口光圈的位置的步骤。

10、一种调整方法，其特征在于具有：

使用权利要求1至5中的任意一项所述的测量方法或者权利要求6或者7所述的测量装置，测量光学系统的开口光圈的位置的步骤；以及

根据上述测量步骤的测量处理结果，调整上述光学系统的开口光圈的步骤。

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