CN113439237A - 用于测量辐射束的方法和光刻设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种包括投射系统的设备，该投射系统具有光轴并且被配置为投射辐射束。该设备包括被布置为测量由投射系统投射的辐射束的测量单元，该测量单元包括开口、以及感测表面，在使用时辐射束穿过开口，感测表面横向于光轴延伸并且被布置为测量穿过开口的辐射束。光刻设备被配置为在多个测量位置之间、在横向于光轴的平面中移动感测表面。辐射束限定上述平面中的视图，并且测量单元被配置为使得感测表面在每个测量位置捕获视图的一部分，该一部分比100％的视图小。本发明包括一种相对应的方法。

Description

用于测量辐射束的方法和光刻设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年2月13日提交的EP申请19156895.5的优先权，该申请通过整体引用并入本文。

技术领域

本发明涉及用于测量辐射束的方法和光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种将期望图案施加到衬底或衬底的一部分上的机器。例如，光刻设备可以用于制造平板显示器、集成电路(IC)和涉及精细结构的其他器件。在常规设备中，可以使用可以被称为掩模或掩模版的图案化装置来生成与平板显示器(或其他装置)的个体层相的电路图案。通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)层上，可以将该图案转印到全部或部分衬底(例如，玻璃板)上。

代替电路图案，图案化装置可以用于生成其他图案，例如滤色器图案或点矩阵。代替掩模，图案化装置可以是包括个体可控元件阵列的图案化阵列。与基于掩模的系统相比，在这种系统中可以更快地改变图案并且成本更低。平板显示器衬底的形状通常为矩形。被设计为曝光这种类型衬底的光刻设备，可以提供覆盖矩形衬底的整个宽度或覆盖该宽度的一部分(例如，该宽度的一半)的曝光区域。可以在曝光区域下方扫描衬底，同时通过光束同步扫描掩模或掩模版。以这种方式，图案被转印到衬底。如果曝光区域覆盖衬底的整个宽度，则可以通过单次扫描完成曝光。如果曝光区域覆盖例如衬底的宽度的一半，则可以在第一扫描之后横向移动衬底，并且通常执行进一步扫描以曝光衬底的剩余部分。

光刻包括以高精度将图案投射到衬底上。为了确保以高精度实现投射，在该设备内进行各种校准测量。在某些情况下，响应于这些测量而对该设备进行调节。

已知图像传感器可以被用于测量照射器的光瞳平面中的透镜像差和强度分布。这种传感器可以由顶板和传感器组成，该顶板传输来自投射透镜的穿过光栅或针孔的光，传感器放置在共轭光瞳平面处以记录光斑。能够被测量的光的分辨率取决于传感器的角分辨率。分辨率受限于像素数和传感器的可用空间。

随着光刻工具的发展的进步，对投射光学器件的要求已增加，从而需要更严格的像差控制以实现更好的成像。为了提供改进的校正技术，可能需要高空间分辨率波前测量以匹配必需的分辨率，以提供先进的高分辨率光刻工具。这种高空间分辨率波前测量对于在光刻设备的设置期间测量照射光瞳可能特别有益。

可用于这种传感器的分辨率可能由于多种原因、但特别是由于传感器的像素数和传感器的可用空间而受到限制。由于优选更高的分辨率，因此要么需要较小的像素，要么应当通过将检测器放置在远离传感器中所使用的标记处来增加光斑尺寸。然而，这两种解决方案都有其局限性。如果像素尺寸太小，则像素之间可能会出现串扰，从而降低传感器的测量质量。对于这种类型的传感器，可用的空间也存在几何限制，并且可能无法增加传感器与标记之间的距离。此外，所使用的传感器类型往往是市售的(即，现成的检测器)。因此，使用已可用或甚至已使用的传感器技术，以更有利的方式提供解决方案具有优势。

发明内容

在本发明中，提供了一种光刻设备，该光刻设备包括：具有光轴并且被配置为投射辐射束的投射系统；被布置为测量由投射系统投射的辐射束的测量单元，测量单元包括：辐射束在使用时穿过的开口；以及横向于光轴延伸并且被布置为测量穿过开口的辐射束的感测表面，其中光刻设备被配置为在多个测量位置之间、在横向于光轴的平面中移动感测表面，其中辐射束限定上述平面中的视图，并且其中测量单元被配置为使得感测表面在每个测量位置捕获视图的一部分，该一部分比100％的视图小。

根据本发明，还提供了一种在光刻设备中测量辐射束的方法，该方法包括：提供辐射束；使用具有光轴的投射系统投射穿过测量系统中的开口的辐射束；并且使用测量系统的感测表面，在多个测量位置处测量已穿过开口的辐射束，感测表面横向于光轴延伸；其中测量辐射束包括：在多个测量位置之间、在横向于光轴的平面中移动感测表面，其中辐射束限定上述平面中的视图，并且其中感测表面在每个测量位置捕获视图的一部分，该一部分比100％的视图小。

下面结合附图详细描述本发明的其他实施例、特征和优点、以及本发明的各个实施例的结构和操作。

附图说明

并入本文中并且形成说明书的一部分的附图，示出了本发明的一个或多个实施例，并且与描述一起进一步用于解释本发明的原理并且使得技术人员能够制作和使用本发明的相关技术。

图1示意性地描绘了光刻设备。

图2A和图2B示意性地描绘了已知测量传感器。

图3A、图3B、图3C和图3D示意性地描绘了实施例的设备。

图4A和图4B示意性地描绘了实施例的设备。

图5和图6描绘了根据实施例的方法。

现在将参考附图描述本发明的一个或多个实施例。在附图中，相同的附图标记可以表示相同或功能相似的元素。

具体实施方式

本说明书公开了合并本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅举例说明本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附的权利要求限定。

所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例(one embodiment)”、“实施例(anembodiment)”、“示例实施例(an example embodiment)”等的引用表明所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特征，但每个实施例不一定包括特定特征、结构或特征。此外，这些短语不一定是指相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应当理解，结合其他实施例实现这种特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内，无论是否明确描述。

图1示意性地描绘了光刻设备。该设备包括被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或任何其他合适的辐射)的照射系统(照射器)IL、被构造为支撑图案化装置(例如，掩模)MA、并且连接到第一定位装置PM的图案化装置支撑件或支撑结构(例如，掩模台)MT，第一定位装置PM被配置为根据某些参数准确定位图案化装置。光刻设备还包括被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位装置PW的衬底台(例如，晶片台)WT或“衬底支撑件”，第二定位装置PW被配置为根据某些参数准确定位衬底。衬底支撑件可以包括衬底台WT(也称为卡盘)，衬底保持器被支撑在衬底台WT上。衬底保持器可以被配置为支撑衬底W。该设备还包括投射系统(例如，折射投射透镜系统)PS，该投射系统PS被配置为将通过图案化装置MA赋予辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)。

照射系统IL可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学组件，诸如折射、反射、磁、电磁、静电或其他类型的光学组件或其任何组合。

图案化装置支撑件以取决于图案化装置MA的取向、光刻设备的设计和其他条件(诸如例如，图案化装置MA是否被保持在真空环境中)的方式，来支撑图案化装置MA。图案化装置支撑件可以使用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持图案化装置。图案化装置支撑件可以是例如框架或台，其可以根据需要是固定的或可移动的。图案化装置支撑件可以确保图案化装置MA例如相对于投射系统PS处于期望位置。本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以被认为与更通用的术语“图案化装置”同义。

本文中使用的术语“图案化装置”应当广义地解释为是指可以用于在其横截面中向辐射束赋予图案以在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应当注意，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则赋予辐射束B的图案可能不完全对应于衬底W的目标部分中的期望图案。通常，赋予辐射束B的图案将对应于诸如集成电路等目标部分中产生的器件中的特定功能层。

图案化装置MA可以是透射性的或反射性的。图案化装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移等掩模类型、以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以个体地倾斜，以便在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

本文中使用的术语“投射系统”应当广义地解释为涵盖任何类型的投射系统，包括折射、反射、折反射、磁性、电磁和静电光学系统、或其任何组合，具体取决于所使用的曝光辐射或者其他因素，诸如浸没液体的使用或真空的使用。本文中对术语“投射透镜”的任何使用可以被认为与更通用的术语“投射系统”同义。

如本文中描绘的，该设备是透射型的(例如，采用透射掩模)。备选地，该设备可以是反射型的(例如，采用上述类型的可编程反射镜阵列，或者采用反射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双台)或更多个衬底台或“衬底支撑件”(和/或两个或更多个掩模台或“掩模支撑件”)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行使用附加工作台或支撑件，或者可以在使用一个或多个工作台或支撑件进行曝光的同时在其他一个或多个工作台或支撑件上执行准备步骤。

光刻设备还可以是以下类型：其中衬底W的至少一部分可以被具有相对较高折射率的液体(例如，水)覆盖，以填充投射系统PS与衬底W之间的空间。也可以将浸液施加到光刻设备中的其他空间，例如图案化装置(例如，掩模)MA与投射系统PS之间。浸没技术可以被用于增加投射系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不表示诸如衬底等结构必须浸没在液体中，而仅表示液体在曝光期间位于投射系统PS与衬底W之间。

参考图1，照射器IL从辐射源SO接收辐射束B。源和光刻设备可以是分开的实体，例如当源是准分子激光器时。在这种情况下，源不被视为形成光刻设备的一部分，并且辐射束B借助于光束传输系统BD从源SO传递到照射器IL，该光束传输系统BD包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其他情况下，源可以是光刻设备的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL连同束传输系统BD(如果需要)可以被称为辐射系统。

照射器IL可以包括被配置为调节辐射束的角强度分布的调节器AD。通常，可以调节照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别称为外部σ和内部σ)。另外，照射器IL可以包括各种其他组件，诸如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束B，以在其横截面中具有期望的均匀度和强度分布。

辐射束B入射在被保持在掩模支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案化装置(例如，掩模)MA上，并且由图案化装置MA图案化。在穿过图案化装置(例如，掩模)MA之后，辐射束B穿过投射系统PS，投射系统PS将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容式传感器)，衬底台WT可以被准确移动，例如以便将不同目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位装置PM和另一位置传感器(在图1中未明确描绘)可以被用于相对于辐射束B的路径准确定位图案化装置(例如，掩模)MA，例如在从掩模库中机械检索之后，或者在扫描期间。通常，图案化装置支撑件(例如，掩模台)MT的移动可以借助于形成第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现。类似地，衬底台WT或“衬底支撑件”的移动可以使用形成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现。在步进器(与扫描仪相对)的情况下，图案化装置支撑件(例如，掩模台)MT可以仅连接到短行程致动器，或者可以是固定的。可以使用图案化装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来使图案化装置(例如，掩模)MA和衬底W对准。尽管如图所示的衬底对准标记占据专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(这些被称为划线对准标记)。类似地，在图案化装置(例如，掩模)MA上提供有多于一个管芯的情况下，图案化装置对准标记可以位于管芯之间。

所描绘的装置可以在以下模式中的至少一种模式下使用：

1.在步进模式下，图案化支撑件(例如，掩模台)MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”基本保持静止，同时，赋予辐射束B的整个图案被一次性投射到目标部分C上(即，单次静态曝光)。然后，衬底台WT或“衬底支撑件”在X和/或Y方向上移动使得可以曝光不同目标部分C。在步进模式下，曝光场的最大大小限制了在单次静态曝光中成像的目标部分C的大小。

2.在扫描模式下，图案化装置支撑件(例如，掩模台)MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”被同步扫描，同时，赋予辐射束B的图案被投射到目标部分C上(即，单次动态曝光)。衬底台WT“衬底支撑件”相对于图案化装置支撑件(例如，掩模台)MT或“掩模支撑件”的速度和方向可以通过投射系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式下，曝光场的最大大小限制了单次动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了目标部分的高度(在扫描方向上)。

3.在另一模式下，图案化装置(例如，掩模台)MT或“掩模支撑件”保持基本静止以保持可编程图案化装置，并且衬底台WT或“衬底支撑件”被移动或扫描，同时，赋予辐射束的图案被投射到目标部分C上。在这种模式下，在衬底台WT或“衬底支撑件”的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间，通常采用脉冲辐射源并且根据需要来更新可编程图案化装置。这种操作模式可以容易地应用于利用可编程图案化装置的无掩模光刻，诸如上述类型的可编程反射镜阵列。

还可以采用以下的组合和/或变型：上述使用模式或完全不同的使用模式。

如上所述，可以进行测量以减少入射到衬底W上的辐射束B中的误差。已知传感器可以被用于执行由投射系统PS投射的辐射束B的校准测量。在光刻设备中执行的一个这种校准测量是测量存在于由投射系统PS投射的辐射束中的像差。然而，执行这种测量的已知传感器的分辨率存在限制。如上所述，分辨率可能受限于传感器中的像素数和/或传感器的可用空间。例如，像素数可能受限于传感器技术和/或要使用的传感器的成本。根据传感器的位置，可用于传感器的空间可能会受到限制。

因此，提供一种用于测量光刻设备中的辐射束的设备和方法是有益的。理想地，本发明的设备和方法可以用于在光刻设备中提供改进的测量。

本发明涉及例如如上所述的光刻设备。光刻设备可以包括上述特征中的一些或全部。光刻设备可以不限于包括所有上述特征。

光刻设备包括具有光轴并且被配置为投射辐射束的投射系统。光刻设备的投射系统可以如以上示例中描述的那样配置或者可以以其他方式配置。通常，投射系统是用于投射辐射束的任何系统。辐射束可以与上述辐射束B相同。

光轴可以被理解为具有线的一般含义，在光学系统(即，投射系统)中存在沿着该线的一定程度的旋转对称性。光轴可以不必穿过投射系统的中心轴。由投射系统投射的辐射束可以沿着光轴。因此，光轴可以是投射系统沿其投射辐射束的轴。

光刻设备还包括被布置为测量经由投射系统投射的辐射束的测量单元。测量单元包括辐射束在使用时穿过的开口。测量单元还包括横向于光轴延伸的感测表面。感测表面被布置为测量穿过开口的辐射束。感测表面可以相对于光轴定位，使得穿过开口的辐射束入射在感测表面上。因此，感测表面在开口的下游，使得辐射束穿过开口，并且然后入射在感测表面上。

感测表面横向于光轴意味着感测表面跨光轴延伸。因此，感测表面不平行于光轴。此外，感测表面被定位为使得光轴穿过感测表面。例如，感测表面可以与光轴正交。然而，这不是必需的，感测表面可以以某种方式相对于光轴倾斜，即感测表面与光轴之间的角度大于0°且小于90°。

光刻设备被配置为在多个测量位置之间、在横向于光轴的平面中移动感测表面。因此，感测表面在其中被移动的平面不平行于光轴，即不仅仅在平行于光轴的方向上。换言之，感测表面在多个测量之间的移动的至少一个分量不平行于光轴，即存在垂直于光轴的移动分量，并且可选地，存在平行于光轴的移动分量。此外，该平面被定位为使得光轴穿过该平面。优选地，感测表面在其中被移动的平面与光轴正交。这可以允许以更容易处理的方式进行测量，因为将在距开口的设定距离处进行测量。然而，这不是必需的，并且平面可以以某种方式相对于光轴倾斜，即平面与光轴之间的角度大于0°且小于90°。

如下文将进一步详细描述的，可以将感测表面移动到不同测量位置，以在该测量位置测量入射到感测表面上的辐射束。感测表面可以以多种方式移动。感测表面可以相对于辐射束移动，即沿着如上所述的光轴移动。

辐射束限定上述平面(感测表面在其中移动)中的视图。这表示，穿过平面中的辐射束的横截面提供视图。可以通过平面中的感测表面来测量辐射束。可以理解，辐射束的强度在整个视图中可以变化。

测量单元被配置为使得感测表面在每个测量位置捕获视图的一部分，该一部分比100％的视图小。换言之，感测表面小于感测表面在其中被移动的平面中的100％的视图。因此，如果在感测表面在其中被移动的平面中截取辐射束的横截面，则辐射束的横截面积(即，100％的视图)将大于感测表面的横截面积。这表示，在任何时候，即当感测表面处于一个测量位置时，只有一部分而不是全部辐射束入射在感测表面上。如上所述，感测表面被移动到平面中的不同测量位置，使得可以在整个平面上进行辐射束的多次测量。100％的视图也可以称为整个视图。

提供以这种方式配置的测量单元是有益的，因为可以进行比使用已知传感器更高分辨率的测量。更详细地，由于感测表面被用于测量比已知传感器更小的辐射束部分，这表示可以使用相同的感测表面(即，具有相同数目的像素和感测表面尺寸)以更高的分辨率进行辐射束的测量。备选地，如果分辨率的这种改进不会为用户提供很大的好处，则用户可以用本发明替换现有系统，并且可以使用较小体积的测量单元来执行相同分辨率的测量。备选地，如果分辨率的这种改进不会给用户带来很大的好处，则用户可以用本发明替换现有系统，并且可以使用更大的像素(例如，更便宜的感测表面)来执行相同的分辨率测量，由于减少的像素串扰以及更低的噪声，这将提供更准确的测量。

感测表面可以是传感器的一部分。感测表面可以是基本平坦的或者可以是弯曲的。感测表面可以是平坦的，但可以与光轴成一定角度(不平行或正交)提供，即感测表面可以是倾斜的。感测表面可以具有任何合适的形状。下面描述的图将感测表面示为正方形或矩形。然而，感测表面不限于特定形状。感测表面是能够测量辐射束的传感器的一部分。即，辐射束将入射到传感器的一部分上，该一部分用于测量辐射束。可以使用各种不同类型的感测表面/传感器。例如，感测表面可以是电荷耦合器件(CCD)和/或互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器的一部分。传感器可以另外被称为检测器或感测单元。可以使用可以被配置为捕获光强度的任何传感器或检测器。感测表面可以由多个单元和/或分立的感测装置提供。例如，感测表面可以由光敏器件的条带形成。

如上所述，光刻设备被配置为移动感测表面。因此，光刻设备可以被布置为改变感测表面的位置，并且特别是在多个测量位置之间移动感测表面。感测表面因此可以获取感测表面在其中被移动的平面中的辐射束的多个部分的测量。这是有益的，因为这表示，可以以更高的分辨率测量平面中的辐射束的较大部分。

感测表面的位置可以相对于辐射束移动。光刻设备可以被配置为：当感测表面被配置为在多个测量位置测量辐射束时，将投射系统投射的辐射束的位置保持在基本恒定的位置。因此，辐射束的位置可以保持基本恒定，并且感测表面的位置可以改变。下面将更详细地描述感测表面的移动。以这种方式，感测表面可以被用于测量感测表面在其中被移动的平面中的辐射束的不同部分。可以基于进行测量的感测表面的位置来确定被测量的辐射束的部分。

光刻设备可以包括如上所述的支撑台。支撑台可以被配置为支撑衬底W，例如，支撑台可以是如上所述的衬底台WT。测量单元可以设置在支撑台上。因此，测量单元可以被支撑在支撑台的表面上。测量单元可以形成为支撑台的一部分。

光刻设备可以被配置为通过移动支撑台来移动感测表面。光刻设备可以被配置为以多种不同方式移动感测表面。如果感测表面(更一般的，和测量单元)由支撑台支撑，则支撑台的移动可以移动感测表面(和测量单元)的位置。例如，光刻设备可以包括定位器和传感器，传感器被配置为准确移动支撑台，诸如第二定位器PW和位置传感器IF。如上所述，定位器可以可选地包括长行程模块和短行程模块，以准确定位支撑台，并且从而准确定位感测表面。如果感测表面设置在任何其他支撑件上或作为其一部分，则类似组件可以用于准确定位支撑件和/或感测表面。

附加地或备选地，感测表面的位置可以独立于其上放置感测表面的支撑件来控制。因此，光刻设备可以被配置为相对于支撑件移动感测表面。例如，如下面进一步描述的，光刻设备可以包括被配置为移动测量单元的致动器。附加地或备选地，感测表面可以与测量单元的其他组件分开地移动。例如，可以提供至少一个致动器(未示出)以相对于测量单元和/或辐射束的其他组件移动感测表面。

理论上，感测表面的位置可以保持恒定并且辐射束可以移动。这将提供相同优点，因为可以因此测量平面中的辐射束的视图的不同部分。

优选地，由感测表面在一个测量位置捕获的视图的部分的至少一部分，与由感测表面在其他测量位置中的任何一个测量位置捕获的视图的部分不重叠。换言之，感测表面可以被用于在每个测量位置处测量视图中的辐射束的至少一个不同的未被测量的区域。因此，在每个测量位置，感测表面可以测量当感测表面处于任何其他测量位置时未被测量的辐射束的一部分。这是有益的，因为这表示，整个视图的更大部分可以由感测表面在不同测量位置测量，因为每个测量位置捕获在其他测量位置的未被测量的视图的至少一个新部分。减少重叠从而增加角分辨率。角分辨率也可以通过增加开口数来增加。

优选地，由感测表面在不同测量位置捕获的视图的部分之间可以存在一些重叠。更优选地，在相邻测量位置测量的视图存在选定的重叠量。当感测表面处于不同测量位置时测量的视图具有一定量的重叠可能是有利的，因为可以通过允许比较在不同测量位置进行的测量来帮助提高准确度。重叠测量可以被用于校正随时间的变化并且提高测量的准确性。重叠量可以通过控制感测表面的移动和/或通过选择开口相对于彼此的位置来控制(如果提供有多个开口和/或通过选择感测表面相对于开口的位置)。

理想地，感测表面被移动到不同测量位置，使得被测量的视图的至少一部分不重叠，并且存在选定的重叠量以确保如上所述的那样进行准确测量。换言之，感测表面被移动到不同测量位置，使得被测量的视图的至多一部分，例如该视图的至多10％或50％，与由感测表面在任何其他测量位置捕获的视图的一个或多个部分重叠。

光刻设备可以被配置为将在多个测量位置捕获的视图的部分组合。以这种方式，光刻设备可以被用于将辐射束的各种不同部分的测量组合。理想地，光刻设备可以被配置为将这些部分组合以提供在上述平面中的100％的视图的测量。这可能是有益的，因为可以在感测表面在其中被移动的平面中、在整个辐射束上进行测量。因为感测表面进行的测量不是100％的视图，这表示，辐射束的测量小于视图，这表示，测量的分辨率高于使用类似感测表面在一个测量位置捕获整个视图时的分辨率。这表示，可以提供整个辐射束上的更准确的测量。以这种方式，可以进行改进的测量，同时仍然使用与已知感测装置中可能使用的相同的感测表面。

光刻设备可以包括处理器，该处理器被配置为将在多个测量位置捕获的视图的部分组合。处理器可以从感测表面接收表示由感测表面捕获的视图的数据。该数据可以通过网络(即，无线地)或使用电线从感测表面发送到处理器。处理器可以是可以被用于接收和组合数据的任何合适的计算设备/电子电路。

开口与感测表面之间的距离使得上述平面中的100％的视图的面积大于感测表面，即感测表面的总面积。换言之，感测表面可以相对于开口定位，使得辐射束在上述平面中的视图大于感测表面。对于给定尺寸的开口和感测表面，可以存在最小预定距离。因此，该距离可以根据至少这些因素而变化。

感测表面(即，感测表面的总面积)可以小于或等于100％的视图的面积的约70％。因此，在任一测量位置，感测表面可以被用于测量感测表面在其中被移动的平面中的辐射束的小于或等于约70％，即小于或等于整个视图的约70％。备选地，感测表面的面积可以更小。例如，感测表面可以小于或等于视图的100％的面积的约60％，或者小于或等于视图的100％的面积的约50％，或者小于或等于视图的100％的面积的约30％。

开口可以以多种不同配置提供。开口可以是简单地穿过板的孔，如稍后所述，或者是狭缝或一组线。开口可以是任何合适的形状和尺寸。如果开口是狭缝，这表示，传感器表面只能沿一个方向移动，从而导致一种连续或不连续扫描仪运动。开口可以可选地是1D或2D图案并且可以优选地包括光栅。光栅可以是任何适当的形式。例如，光栅可以是1D图案或2D图案，如具有预定间距的棋盘图案。

测量单元可以包括板，其中板形成开口。板可以具有任何适当数目的开口。例如，板可以包括单个开口或多个开口，如将进一步描述的。板可以通过具有通孔来提供开口，辐射可以穿过该通孔。如上所述，板可以包括开口中的某种形式的光栅。板可以是具有任何适当形状和厚度的、用以形成辐射束可以穿过以到达感测表面的开口的任何元件。

仅作为一个侧面的比较，在图2A和2B中描绘了先前可能已在现有技术中使用的传感器。图2A示出了X-Y平面中的示意图，也可以将其视为平面图。图2B示出了Z-X平面中的示意图，也可以将其视为侧视图。如图所示，传感器包括形成开口O和感测表面S的板PL。光束B穿过开口O并且在传感器中形成辐射锥。尽管此处产生并且示出了辐射锥，但这仅是示例，并且可以测量任何形状的光束。感测表面S用于测量辐射束。感测表面S的平面中的辐射束B的视图小于感测表面。因此，在如图2A和2B所示的单个测量位置，感测表面S捕获整个视图V，即100％的视图。到此为止，现在回到本发明。

在一个实施例中，测量单元包括多个开口，辐射束在使用时穿过这些开口，并且在每个测量位置使用开口之一。这表示，当感测表面处于每个测量位置时，辐射束穿过多个开口之一并且入射在感测表面上。优选地，多个开口相对于感测表面处于固定位置。因此，感测表面与多个开口不会相对移动。该实施例在图3A、图3B、图3C和图3D中示出。这些图描绘了测量单元M，测量单元M被配置为使得感测表面S在每个测量位置捕获视图的一部分，该一部分比100％的视图小。在感测表面S所在平面内的辐射束B的整个视图V被示为大于感测表面S的面积。

如上所述，光刻设备可以包括投射系统PS(如图3C和图3D所示)。辐射束B由投射系统PS投射并且入射在感测表面S上。感测表面S被配置为在每个测量位置测量视图的一部分，该一部分比100％的视图小。图3A和图3B描绘了在第一测量位置1、第二测量位置2、第三测量位置3和第四测量位置4之间移动的测量单元M，更具体地是感测表面S。图3C和图3D示出更详细地描述第一测量位置1和第二测量位置2。

测量系统M可以包括如图所示的多个开口O1、O2、O3、O4，辐射束在使用时穿过这些开口。在每个测量位置可以使用多个开口之一。测量系统M可以包括如上所述的板PL，板PL包括多个开口。如这些图所示，四个开口O1、O2、O3、O4被描绘在距离感测表面S的距离Z1处。如图所示，四个开口O1、O2、O3、O4位于平行于感测表面S的平面内，使得感测表面S到多个开口O1、O2、O3、O4中的每个的距离Z1相同。可以有任何数目的适当开口。开口数可以改变并且每个开口到感测表面S的距离可以与其他开口不同。

多个开口O1、O2、O3、O4可以相对于感测表面S处于固定位置，例如，包括开口的板PL可以以某种方式连接到感测表面S。测量单元M可以包括支撑感测表面S的壳体H以及具有开口O1、O2、O3、O4的板PL。感测表面S和板PL可以附接到壳体H，使得这些组件相对于彼此具有固定位置。在该实施例中，开口O1、O2、O3、O4以与感测表面S相对于辐射束B移动的相同方式，来相对于辐射束B移动。尽管在这些图中描绘了壳体H，但是感测表面S和开口O1、O2、O3、O4可以被提供作为诸如衬底台WT等支撑件的一部分，该支撑件可以将开口O1、O2、O3、O4和感测表面S保持在相对于彼此的固定位置。

在每个测量位置可以使用多个开口之一。因此，当在测量位置之一进行测量时，辐射束B可以穿过多个开口O1、O2、O3、O4之一并且入射在感测表面S上。当感测表面S和开口O相对于辐射束B移动时，辐射束B可以穿过不同开口O并且入射在感测表面S上以在不同测量位置进行测量。因此，可以有一个开口对应于每个测量位置。

如上所述，光刻设备被配置为在横向于投射系统PS的光轴OA的平面中移动感测表面S。这通过图3A和3B所示的测量单元M在测量位置1-4的位置变化来示出。在图中，仅作为示例，感测表面S在正交于光轴OA的X-Y平面中移动。如上所述，这不是必需的。

感测表面S(并且在该示例中是整个测量单元M)的位置可以相对于投射束B移动，使得可以测量感测表面S在其中被移动的平面中的辐射束B的整个视图V的不同部分。在该示例中，如图3A所示，由感测表面S在第一测量位置1、第二测量位置2、第三测量位置3和另一测量位置4进行的测量之间几乎没有重叠或没有重叠。如上所述，有一些重叠可能是有益的。

在该实施例中，光刻设备被配置为在上述平面内并且相对于由投射系统PS投射的辐射束B移动感测表面S，以在多个测量位置处获取测量。光刻设备可以被配置为将由投射系统PS投射的辐射束B的位置保持在基本恒定的位置，以用于多个测量位置处的测量。

在图3A和3B中，从左到右示出了四个测量位置。在第一测量位置1(左边的那个)，感测表面S捕获其中辐射束已穿过第一开口O1的视图的一部分。在第二测量位置2，感测表面S捕获其中辐射束已穿过第二开口O2的视图的一部分。在第三测量位置3，感测表面S捕获其中辐射束已穿过第三开口O3的视图的一部分。在第四测量位置4，感测表面S捕获其中辐射束已穿过第四开口O4的视图的一部分。本实施例的光刻设备可以被配置为将感测表面S相对于辐射束移动到测量位置(1-4)中的每个，以获取经由开口O1、O2、O3、O4中的每个开口的辐射束B的测量。因此，多个开口O1、O2、O3、O4中的每个开口可以对应于测量位置。在该实施例中，多个开口O1、O2、O3和O4也可以与在多个测量位置之间移动传感器表面相关联地来相对于辐射束移动。多个开口可以与感测表面同时或非同时移动。附加地或备选地，多个开口可以移动与感测表面相同的距离或与感测表面移动的距离不同的距离。

多个开口可以布置在相对于彼此固定的位置处。备选地，多个开口可以布置在相对于彼此可移动的位置处，或者可以被布置为相对于多个开口的一个或多个其他组开口按组移动。

多个开口O1、O2、O3、O4可以被布置为使得在每个测量位置，至少一个开口在辐射束之外，即在平面图中在视图V的100％之外。这表示，辐射束不会穿过整个视图V之外的至少一个开口。这可以减少针对特定测量位置的由于辐射穿过多个开口而产生的噪声。这在图3A中描述，其中第三开口O3在第一测量位置1的辐射束(以及平面中的整个视图V)之外，第四开口O4在第二测量位置2的辐射束(以及平面中的整个视图V)之外，第一开口O1在第三测量位置3的辐射束(以及平面中的整体视图V)之外，第二开口O2在第四测量位置4的辐射束(以及平面中的整个视图)之外。

可选地，如图3C和图3D所示，光刻设备可以包括掩模MK，该掩模MK被配置为掩蔽多个开口中的除在每个测量位置的开口之外的所有开口。这可以防止或减少辐射在这种测量期间经由其他开口进入测量单元。通过确保入射在感测表面上的辐射束仅穿过开口之一，这在降低噪声方面可能是有益的。这降低了由于提供多个开口而导致错误的可能性并且降低了噪声。掩模MK可以由任何合适的材料制成。掩模MK应当由能够基本上防止辐射透过掩模的材料制成。尽管掩模MK可以理想地掩蔽除了开口之一之外的所有开口，掩模MK可以仅用于掩蔽开口中的一个或多个，例如，与在特定测量位置使用的开口最邻近的开口。可以使用致动器(未示出)的形式来控制掩模MK的位置。

如上所述，开口可以包括光栅。在该实施例中，多个开口中的至少一个可以包括光栅。所有开口都可以包括光栅。光栅可以是相同的。这可能是有益的，因为通过不同开口进行的测量，可以更容易进行比较和/或制造可以更容易并且因此对于相同的光栅来说更便宜。

在上述实施例中的任何一个中，感测表面S在平面图中可以从辐射束B在使用时穿过的开口偏移。这表示平面图，例如，在图3A所示的X-Y视图中，感测表面S未与辐射束在任何测量位置穿过的开口对准。换言之，当进行测量时，感测表面S的中心点可能与开口的中心点未对准。例如，在第一测量位置1，感测表面S偏离辐射束穿过的第一开口O1。

在另一实施例中，测量单元可以仅包括单个开口，辐射束在使用时穿过该开口。在该实施例中，光刻设备可以被配置为在多个测量位置中的每个测量位置的测量之间，保持单个开口相对于投射系统投射的辐射束的位置。该实施例在图4A和图4B中描述。如上所述，光刻设备可以被配置为在多个测量位置之间、在横向于光轴的平面中移动感测表面S。图4A和图4B中示出了五个测量位置。光刻设备可以被配置为将单个开口O5的位置保持在基本恒定的位置，如图4A和图4B所示的测量位置1-5之间的恒定位置所指示的。

在该实施例中，可以提供仅包括单个开口O5的板PL。在该实施例中，感测表面S相对于测量单元M的其他组件移动。在每个测量位置，感测表面S被配置为在横向于光轴的平面中测量辐射束的视图的一部分，感测表面S在该平面中被移动，其中视图的该部分小于100％的视图V。辐射束B和单个开口O5的位置保持在基本恒定的位置并且感测表面S移动到不同的测量位置1-5。感测表面S然后在每个测量位置1-5测量辐射束B的不同部分。在测量位置1-5的每个测量位置中测量的视图部分可能存在一些重叠。

光刻设备可以包括如图4B所示的致动器A。致动器A可以是测量系统M的一部分。致动器A可以被配置为在多个测量位置之间移动感测表面S，例如如图4A和图4B所示。致动器A可以以任何适当的形式提供。例如，致动器A可以包括移动部件，该移动部件支撑感测表面S并且沿着测量单元M内的轨道移动。致动器A可以包括滚轮系统，类似于传送带，以将感测表面S沿X方向前后移动，如图4B所示。可以使用能够以足够小的规模提供用以移动感测表面S的任何合适的致动器。

在任何实施例中，感测表面S可以被用于在任何数目的测量位置进行测量。感测表面S可以以步进模式移动，在步进模式下，感测模式移动到测量位置并且在感测表面S基本静止时进行测量。备选地，感测表面可以以扫描模式移动，例如在移动感测表面S并且在感测表面S的移动期间进行测量。当仅提供单个开口时，可以连续移动感测表面S，优选地非常缓慢，因此可以在特定时间进行测量，以提供不同测量位置的测量，即以扫描模式。

如上所述，光刻设备可以包括处理器，该处理器被配置为组合在多个测量位置捕获的视图的部分。图3A、图3B、图3C和图3D中描绘了处理器PR。处理器PR未在图4A或图4B中描绘，但也可以与该实施例一起提供。处理器PR可以位于任何方便的地方。处理器PR可以形成为衬底台WT的一部分。

本发明还提供了一种测量辐射束的方法。该方法可以对应于上述设备，如下面将进一步详细描述的。所提供的与该设备相关的限定和描述也可以适用于该方法，但为了简洁起见在下文中不再重复。上述关于设备的优点同样适用于该方法的某些步骤。

该方法用于测量光刻设备中的辐射束。该方法可以包括使用如以上描述的任何变体和/或实施例中的光刻设备。该方法如图5所示。该方法包括提供辐射束，如在步骤S1中，投射辐射束，如在步骤S2中，以及测量辐射束，如在步骤S3中。

可以如上所述提供和/或投射辐射束B。例如，由投射系统投射的辐射束可以沿着光轴。可以使用上述设备来提供和/或投射辐射束B，或者可以使用其他配置或设备。通常，投射系统PS是用于投射辐射束B的任何系统。该方法包括通过测量系统中的开口投射辐射束。测量系统M可以如以上变体或实施例中的任何一个所述。

测量步骤S3包括使用测量系统的感测表面在多个测量位置测量已穿过开口的辐射束。如上所述，感测表面可以横向于光轴延伸。

测量辐射束包括在多个测量位置之间在横向于光轴的平面中移动感测表面。感测表面在其中被移动的平面可以与光轴正交。如上所述，辐射束限定上述平面中的视图，并且感测表面在每个测量位置捕获视图的一部分，该一部分比100％的视图小。

更详细地，测量步骤可以被认为具有图6所示的多个子步骤。如图所示，该方法可以包括在第一测量位置测量由投射系统投射的辐射束，如在步骤S3A中，在横向于光轴的平面中将感测表面移动到第二测量位置，如在步骤S3B中，并且在第二测量位置测量由投射系统投射的辐射束，如在步骤S3C中。可以包括附加的移动步骤以将感测表面移动到可以执行附加测量的其他测量位置。

该方法包括移动感测表面使得在多个测量位置处执行测量。因此，该方法包括改变感测表面的位置，并且特别是在多个测量位置之间移动感测表面。感测表面因此可以获取在感测表面在其中被移动的平面中的辐射束的多个部分的测量。感测表面可以以如上所述的多种方式在平面中移动。

测量步骤可以包括当感测表面在多个测量位置进行测量时，将由投射系统投射的辐射束的位置保持在基本恒定的位置。因此，辐射束的位置可以保持基本恒定，并且感测表面的位置可以改变。这表示，辐射束可以相对于移动的感测表面保持在基本恒定的位置。以这种方式，感测表面可以被用于测量感测表面在其中被移动的平面中的辐射束的不同部分。可以基于进行测量的感测表面的位置来确定被测量的辐射束的部分。

优选地，由感测表面在一个测量位置捕获的视图的部分的至少一部分，与由感测表面在其他测量位置中的任何一个测量位置捕获的视图的部分不重叠。如上所述，至少有一部分不重叠是有益的。也可能存在重叠，这可以有利地提高如上所述的测量的准确度。

开口可以以如上所述的各种不同配置来提供。该方法可以包括在上述开口中提供光栅。该方法可以包括提供任何适当数目的开口。如在针对设备描述的示例中，该方法可以包括使用单个开口或多个开口(包括上述示例，该示例包括四个开口)。测量系统可以包括形成上述开口的板。

该方法还可以包括提供被配置为支撑测量单元的支撑台。支撑台可以如上所述。如上所述，测量单元可以被支撑在支撑台WT的表面上或者被形成为支撑台WT的一部分。

该方法还可以包括将在多个测量位置捕获的视图的部分组合的步骤。理想地，该方法包括组合这些部分以提供100％的视图的测量。如上所述，这表示，可以进行改进的测量，同时仍然使用与已知感测装置中可能使用的相同的感测表面。

优选地，开口与感测表面之间的距离使得上述平面中的100％的视图的面积大于感测表面，即感测表面的总面积。换言之，感测表面可以相对于开口定位，使得辐射束在上述平面中的视图大于感测表面。对于给定尺寸的开口和感测表面，可能存在最小预定距离。因此，该距离可以根据至少这些因素而变化。

感测表面(即，感测表面的总面积)可以小于或等于100％的视图的面积的约70％。因此，在任一测量位置，感测表面可以用于测量感测表面在其中被移动的平面中的辐射束的小于或等于约70％，即小于或等于整个视图的约70％。备选地，感测表面的面积可以更小。例如，感测表面可以小于或等于视图的面积的100％的约60％，或者小于或等于视图的100％的面积的约50％，或者小于或等于视图的100％的面积的约30％。

在一个实施例中，测量单元包括多个开口，辐射束在使用时穿过这些开口。在每个测量位置使用多个开口之一。因此，当在测量位置进行测量时，辐射束可以穿过开口之一并且入射到感测表面上。在该实施例中，该方法还包括在多个测量位置中的每个的测量之间相对于辐射束移动多个开口和感测表面。当感测表面和开口相对于辐射束移动时，辐射束可以穿过不同开口并且入射在感测表面上以在不同测量位置进行测量。因此，可以有一个开口对应于每个测量位置。可选地，当相对于辐射束移动多个开口和感测表面时，保持多个开口相对于感测表面的位置。

在该实施例中，可以在第一测量位置测量辐射束，如图6的S3A中。这可以对应于例如在图3A、图3B和图3C中的第一测量位置进行测量。因此，例如，可以使用第一开口O1进行第一测量。该方法然后可以包括将平面中的感测表面移动到另一测量位置的步骤，如图6的步骤S3B中。例如，这可以对应于将感测表面和开口O1、O2、O3和O4(相对于辐射束)移动到图3A和图3B中的第二测量位置。然后可以在第二测量位置测量辐射束，如图6的S3C中。这可以对应于例如在图3A、图3B和图3D中的第二测量位置进行测量。因此，例如，可以使用第二开口O2进行第二测量。

多个开口可以被布置为使得在每个测量位置，至少一个开口在辐射束之外，即在平面图中在100％的视图之外。如上所述，这可以减少针对特定测量位置的由于辐射穿过多个开口而产生的噪声。

该方法还可以包括掩蔽至少一个开口，或者优选地，掩蔽多个开口中除了在每个测量位置的开口之外的所有开口。如上所述，这可能有利于降低噪声。掩蔽可以使用掩模MK进行。

该方法还可以包括在多个开口中的至少一个中提供光栅，或者优选地为多个开口提供相同的光栅。

在另一实施例中，测量单元仅包括单个开口，辐射束在使用时穿过该开口。该方法还包括在多个测量位置中的每个的测量之间，保持单个开口相对于由投射系统投射的辐射束的位置。在该实施例中，感测表面因此在辐射束的多个部分的测量之间相对于测量单元的其他组件移动。

如图4A和图4B所示，辐射束B和开口O5的位置保持在基本恒定的位置，并且感测表面S相对于辐射束和开口O5移动到另一测量位置。因此，当感测表面移动时，感测表面测量辐射束的不同部分。

在该实施例中，辐射束可以在第一测量位置处测量，如图6的S3A中。这可以对应于例如在图4A和图4B中的第一测量位置进行测量，其中辐射束已穿过开口O5。该方法然后可以包括将平面中的感测表面移动到另一测量位置的步骤，如图6的步骤S3B中。例如，这可以对应于将感测表面移动到图4A和图4B中的第二测量位置。然后可以在第二测量位置测量辐射束，如图6的步骤S3C中。这可以对应于例如在图4A和图4B中的第二测量位置进行测量，其中辐射束已穿过开口O5。

虽然在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其他应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的引导和检测图案。技术人员将理解，在这种替代应用的上下文中，本文中对术语“晶片”或“管芯”的任何使用都可以被视为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，本文中所指的衬底可以在例如轨道(通常将抗蚀剂层施加到衬底上并且显影曝光的抗蚀剂的工具)或量测工具或检查工具中处理。在适用的情况下，本文中的公开内容可以应用于这种和其他衬底处理工具。此外，衬底可以被处理不止一次，例如以产生多层IC，因此本文中使用的术语衬底也可以指代已包含多个已处理层的衬底。

本文中使用的术语“辐射”和“光束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，波长为或约为365、248、193、157或126nm)和极端超紫(EUV)辐射(例如，波长在5-20nm范围内)、以及粒子束，诸如离子束或电子束。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指代各种类型的光学组件中的任何一种或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学组件。

以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域技术人员来说很清楚的是，在不脱离下面阐述的权利要求的范围的情况下，可以对如上所述的本发明进行修改。

本发明的前述和/或替代和/或补充实施例可以在以下条款中详细描述：

1.一种光刻设备，包括：

投射系统，具有光轴并且被配置为投射辐射束；以及

测量单元，被布置为测量由所述投射系统投射的所述辐射束，所述测量单元包括：

开口，所述辐射束在使用时穿过所述开口；以及

感测表面，横向于所述光轴延伸并且被布置为测量穿过所述开口的所述辐射束，

其中所述光刻设备被配置为在多个测量位置之间、在横向于所述光轴的平面中移动所述感测表面，

其中所述辐射束限定所述平面中的视图，并且

其中所述测量单元被配置为使得所述感测表面在每个测量位置捕获所述视图的一部分，所述一部分比100％的所述视图小。

2.根据条款1所述的光刻设备，其中所述设备被配置为：当所述感测表面被配置为在所述多个测量位置测量所述辐射束时，将所述投射系统投射的所述辐射束的位置保持在基本恒定的位置。

3.根据条款1或2所述的光刻设备，其中由所述感测表面在一个测量位置捕获的所述视图的部分的至少一部分，与由所述感测表面在其他测量位置中的任何一个测量位置捕获的所述视图的部分不重叠。

4.根据前述条款中任一项所述的光刻设备，其中所述开口包括光栅。

5.根据前述条款中任一项所述的光刻设备，其中所述测量单元被设置在支撑台上。

6.根据前述条款中任一项所述的光刻设备，其中由所述投射系统投射的所述辐射束沿着所述光轴，并且在其中所述感测表面被移动的所述平面与所述光轴正交。

7.根据前述条款中任一项所述的光刻设备，其中所述光刻设备被配置为组合在所述多个测量位置捕获的所述视图的部分以在所述平面中提供所述100％的视图的测量。

8.根据前述条款中任一项所述的光刻设备，其中所述开口与所述感测表面之间的距离使得所述平面中的所述视图的100％的面积大于所述感测表面。

9.根据条款8所述的光刻设备，其中所述感测表面小于或等于所述平面中的100％的所述视图的面积的约70％、或小于或等于所述平面中的100％的所述视图的面积的约60％、或小于或等于所述平面中的100％的所述视图的面积的约50％，或小于或等于所述平面中的100％的所述视图的面积的约30％。

10.根据前述条款中任一项所述的光刻设备，其中所述测量单元包括多个开口，所述辐射束在使用时穿过所述多个开口并且所述多个开口中的一个开口在每个测量位置被使用，并且其中所述光刻设备被配置为：与在所述多个测量位置之间移动所述传感器表面相关联地、横向于所述光轴移动所述多个开口。

11.根据条款10所述的光刻设备，其中所述多个开口相对于所述感测表面处于固定位置。

12.根据条款10或11所述的光刻设备，其中所述多个开口被布置为使得在每个测量位置，至少一个开口在所述辐射束之外。

13.根据条款10至12中任一项所述的光刻设备，其中所述光刻设备包括掩模，所述掩模被配置为掩蔽所述多个开口中的除在每个测量位置的开口之外的所有开口。

14.根据条款10至13中任一项所述的光刻设备，其中所述多个开口包括相同的光栅。

15.根据条款1至9中的任一项所述的光刻设备，其中所述测量单元仅包括所述辐射束在使用时穿过的单个开口，并且所述光刻设备被配置为：在所述多个测量位置中的每个测量位置的测量之间，保持所述单个开口相对于由所述投射系统投射的所述辐射束的位置。

16.一种在光刻设备中测量辐射束的方法，所述方法包括：

提供辐射束；

使用具有光轴的投射系统穿过测量系统中的开口投射所述辐射束；以及

使用所述测量系统的感测表面，在多个测量位置处测量已穿过所述开口的所述辐射束，所述感测表面横向于所述光轴延伸；

其中测量所述辐射束包括：在所述多个测量位置之间、在横向于所述光轴的平面中移动所述感测表面，

其中所述辐射束限定所述平面中的视图，并且

其中所述感测表面在每个测量位置捕获所述视图的一部分，所述一部分比100％的所述视图小。

17.根据条款16所述的方法，其中所述测量包括：当所述多个测量位置的所述测量由所述感测表面进行时，将所述投射系统投射的所述辐射束的位置保持在基本恒定的位置。

18.根据条款16或17所述的方法，其中由所述感测表面在一个测量位置捕获的所述视图的部分的至少一部分，与由所述感测表面在其他测量位置中的任何一个测量位置捕获的所述视图的部分不重叠。

19.根据条款16至18中任一项所述的方法，还包括在所述开口中的诸如光栅的1D或2D图案。

20.根据条款16至19中任一项所述的方法，还包括提供支撑台，其中所述测量单元被设置在所述支撑台上。

21.根据条款16至20中任一项所述的方法，其中由所述投射系统投射的所述辐射束沿着所述光轴，并且在其中所述感测表面被移动的所述平面与所述光轴正交。

22.根据条款16至21中任一项所述的方法，还包括以下步骤：将在所述多个测量位置捕获的所述视图的部分组合，以提供在所述平面中的100％的所述视图的测量。

23.根据条款16至22中任一项所述的方法，其中所述开口与所述感测表面之间的距离使得所述平面中的100％的所述视图的面积大于所述感测表面。

24.根据条款23所述的方法，其中所述感测表面小于或等于100％的所述视图的面积的约70％、或小于或等于所述视图的100％的面积的约60％、或小于或等于100％的所述视图的面积的约50％，或小于或等于所述视图的100％的面积的约30％。

25.根据条款16至24中任一项所述的方法，其中所述测量单元包括多个开口，所述辐射束在使用时穿过所述多个开口并且所述多个开口中的一个开口在每个测量位置被使用，并且其中所述方法还包括：在所述多个测量位置中的每个测量位置的测量之间，相对于所述辐射束移动所述多个开口和所述感测表面。

26.根据条款25所述的方法，其中当相对于所述辐射束移动所述多个开口和所述感测表面时，所述多个开口相对于所述感测表面的位置被保持。

27.根据条款25或26所述的方法，其中所述多个开口被布置为使得在每个测量位置，至少一个开口在所述辐射束之外。

28.根据条款25至27中任一项所述的方法，还包括：掩蔽所述多个开口中的除在每个测量位置的开口之外的所有开口。

29.根据条款25至28中任一项所述的方法，其中所述多个开口包括相同的光栅。

30.根据条款16至24中任一项所述的方法，其中所述测量单元仅包括所述辐射束在使用时穿过的单个开口，并且所述方法还包括：在所述多个测量位置中的每个测量位置的测量之间，保持所述单个开口相对于由所述投射系统投射的所述辐射束的位置。

Claims (16)

1.一种光刻设备，包括：

投射系统，具有光轴并且被配置为投射辐射束；以及

测量单元，被布置为测量由所述投射系统投射的所述辐射束，所述测量单元包括：

开口，所述辐射束在使用时穿过所述开口；以及

感测表面，横向于所述光轴延伸并且被布置为测量穿过所述开口的所述辐射束，

其中所述设备被配置为在多个测量位置之间、在横向于所述光轴的平面中移动所述感测表面，

其中所述辐射束限定所述平面中的视图，并且

其中所述测量单元被配置为使得所述感测表面在每个测量位置捕获所述视图的一部分，所述一部分比100％的所述视图小。

2.一种在光刻设备中测量辐射束的方法，所述方法包括：

提供辐射束；

使用具有光轴的投射系统，投射穿过测量系统中的开口的所述辐射束；以及

使用所述测量系统的感测表面，在多个测量位置处测量已穿过所述开口的所述辐射束，所述感测表面横向于所述光轴延伸；

其中测量所述辐射束包括在所述多个测量位置之间、在横向于所述光轴的平面中移动所述感测表面，

其中所述辐射束限定所述平面中的视图，并且

其中所述感测表面在每个测量位置捕获所述视图的一部分，所述一部分比100％的所述视图小。

3.根据权利要求1所述的设备或根据权利要求2所述的方法，

其中在根据权利要求1所述的设备的情况下，所述设备被配置为：当所述感测表面被配置为在所述多个测量位置测量所述辐射束时，将所述投射系统投射的所述辐射束的位置保持在基本恒定的位置；

分别地，

其中在根据权利要求2所述的方法的情况下，所述测量包括：当所述多个测量位置的所述测量由所述感测表面进行时，将所述投射系统投射的所述辐射束的位置保持在基本恒定的位置。

4.根据权利要求1、3中任一项所述的设备或根据权利要求2至3中任一项所述的方法，

其中由所述感测表面在一个测量位置捕获的所述视图的部分的至少一部分，与由所述感测表面在其他测量位置中的任何一个测量位置捕获的所述视图的部分不重叠。

5.根据权利要求1、3至4中任一项所述的设备或根据权利要求2至4中任一项所述的方法，

其中所述开口中提供有诸如光栅的1D或2D图案。

6.根据权利要求1、3至5中任一项所述的设备或根据权利要求2至5中任一项所述的方法，

其中在根据权利要求1、3至5中任一项所述的设备的情况下，所述测量单元被设置在支撑台上；

分别地，

其中在根据权利要求2至5中任一项所述的方法的情况下，所述方法还包括提供支撑台，其中所述测量单元被设置在所述支撑台上。

7.根据权利要求1、3至6中任一项所述的设备或根据权利要求2至6中任一项所述的方法，

其中由所述投射系统投射的所述辐射束沿着所述光轴，并且所述感测表面在其中被移动的所述平面与所述光轴正交。

8.根据权利要求1、3至7中任一项所述的设备或根据权利要求2至7中任一项所述的方法，

其中在根据权利要求1、3至7中任一项所述的设备的情况下，所述设备被配置为将在所述多个测量位置捕获的所述视图的部分组合，以提供在所述平面中的100％的所述视图的测量；

分别地，

其中在根据权利要求2至7中任一项所述的方法的情况下，所述方法还包括以下步骤：将在所述多个测量位置捕获的所述视图的部分组合，以提供在所述平面中的100％的所述视图的测量。

9.根据权利要求1、3至8中任一项所述的设备或根据权利要求2至8中任一项所述的方法，

其中所述开口与所述感测表面之间的距离使得所述平面中的100％的所述视图的面积大于所述感测表面。

10.根据权利要求9所述的设备或根据权利要求9所述的方法，

其中所述感测表面小于或等于所述平面中的100％的所述视图的面积的约70％、或小于或等于所述平面中的100％的所述视图的面积的约60％、或小于或等于所述平面中的100％的所述视图的面积的约50％，或小于或等于所述平面中的100％的所述视图的面积的约30％。

11.根据权利要求1、3至10中任一项所述的设备或根据权利要求2至10中任一项所述的方法，其中所述测量单元包括多个开口，所述辐射束在使用时穿过所述多个开口并且所述多个开口中的一个开口在每个测量位置被使用，以及

其中：

在根据权利要求1或3至10中任一项所述的设备的情况下，所述设备被配置为：与在所述多个测量位置之间移动所述传感器表面相关联地、横向于所述光轴移动所述多个开口；

分别地，

在根据权利要求2至10中任一项所述的方法的情况下，所述方法还包括：在所述多个测量位置中的每个测量位置的测量之间相对于所述辐射束移动所述多个开口和所述感测表面。

12.根据权利要求11所述的设备或根据权利要求11所述的方法，

其中在根据权利要求11所述的设备的情况下，所述多个开口相对于所述感测表面处于固定位置；

分别地，

其中在根据权利要求11所述的方法的情况下，当相对于所述辐射束移动所述多个开口和所述感测表面时，所述多个开口相对于所述感测表面的位置被保持。

13.根据权利要求11或12所述的设备或根据权利要求11或12所述的方法，

其中所述多个开口被布置为使得在每个测量位置，至少一个开口在所述辐射束之外。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的设备或根据权利要求11至13中任一项所述的方法，

其中在根据权利要求11至13中任一项所述的设备的情况下，所述设备包括掩模，所述掩模被配置为掩蔽所述多个开口中的除在每个测量位置的开口之外的所有开口；

分别地，

其中在根据权利要求11至13中任一项所述的方法的情况下，所述方法还包括：掩蔽所述多个开口中的除在每个测量位置的开口之外的所有开口。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的设备或根据权利要求11至14中任一项所述的方法，

其中所述多个开口包括相同的光栅。

16.根据权利要求1、3至10中任一项所述的设备或根据权利要求2至10中任一项所述的方法，其中所述测量单元仅包括所述辐射束在使用时穿过的单个开口，并且

其中：

在根据权利要求1、3至10中任一项所述的设备的情况下，所述设备被配置为：在所述多个测量位置中的每个测量位置的测量之间，保持所述单个开口相对于由所述投射系统投射的所述辐射束的位置；

分别地，

在根据权利要求2至10中任一项所述的设备的情况下，所述方法还包括：在所述多个测量位置中的每个测量位置的测量之间，保持所述单个开口相对于由所述投射系统投射的所述辐射束的位置。

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