CN101046637A - 组件、调节系统、光刻装置和方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种组件，其包括调节系统和可移入和/或移出被调节区域的对象。该调节系统具有向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，并构造成根据该对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。

Description

组件、调节系统、光刻装置和方法
技术领域
本发明涉及一种包括调节系统和至少一个对象的组件、调节系统、光刻装置、用于调节区域的方法以及光刻器件的制造方法。
背景技术
光刻装置是将所需的图案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的设备。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件，或者可称为掩模(mask)或中间掩模(reticle)，可用于产生形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一个或者多个管芯(die))上。这种图案的转移通常是通过成像到基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。一般而言，单个基底包含由被相继构图的相邻靶部构成的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器和扫描器，在步进器中，对每一靶部的辐照是通过一次性将整个图案曝光到该靶部上来进行的；在扫描器中，对每一靶部的辐照是通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案穿过一辐射束，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描该基底。还可以通过将图案压印到基底上而把图案从构图部件转移到基底上。
包括调节系统和至少一个对象的组件可从现有技术了解。例如，欧洲专利EP0498499在其附图18中示出了光刻装置的一部分。该装置包括干涉仪系统以及可动基底台附近的空间，相应的干涉束在该空间中传播。期望的是恒定的层流气体(空气)流经该空间，以使该干涉仪系统具有更高精度。众所周知，对于传播过一定气体体积(如空气)的干涉束来说，该体积中的气体应该极其纯净，并具有均匀的温度，以便为该传播束提供基本上恒定的气体折射率。气体折射率的微小变化可能会产生难以接受的干涉测量误差。可以控制所供给气体的纯度和温度。在空气的情况下，该空气例如具有的纯度级为一级，其温度例如稳定在0.10℃的范围内或者更好。
发明内容
希望的是改进该组件，其中该调节系统能够良好地调节相应区域。而且，还希望提供一种改进的调节系统和方法。此外，还希望提供一种改进的光刻装置和方法。
按照本发明的一个实施例，提供一种包括调节系统和对象的组件，该调节系统包括向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，至少部分对象可移入和/或移出该被调节区域，其中，该调节系统构造成根据对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。
根据另一个实施例，提供一种调节系统，包括：
第一流体分配室；和
第二流体分配室，其包括位于第二室的下游部分中的多个流体出口通道，这些流体出口通道构造成使得在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约150，
其中，第一分配室包括流体流量调节器，所述流体流量调节器构造成将流体从第一室均匀地分配到第二室内，使得在使用过程中，第二室中在各流体出口通道的上游入口处的平均压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约50Pa。
根据一个实施例，提供一种光刻装置，其包括根据本发明的一个实施例的组件和/或根据本发明的一个实施例的调节系统。
根据又一个实施例，提供一种调节区域的方法，该方法包括：
使用调节系统的多个流体出口通道向被调节区域提供调节流体；和
一对象至少部分地可移入和/或移出该被调节区域，根据该对象的位置调整从流体出口通道流出的调节流体的流出量。
根据另一个实施例，提供一种光刻器件制造方法，包括：
用图案化投影束照射基底的靶部，该基底由基底支撑件保持；
用调节系统调节该基底支撑件附近的区域，该调节系统包括向该被调节区域提供调节流体的流体出口通道；
将该基底支撑件至少部分地移入和/或移出该被调节区域；和
根据该基底支撑件的位置来改变从多个流体出口通道流出的调节流体的流出量。
附图说明
现在参考所附示意图通过示例对本发明各实施例加以说明，附图中相同的参考标号表示相同的部件，其中：
图1示意性地示出了光刻装置的一个实施例；
图2A示意性地示出了在图1中示出的部分装置的截面，其中基底支撑件处于第一位置；
图2B是类似于图2A的视图，其中基底支撑件处于第二位置；
图3是类似于图2B的视图，它示出了本发明的一个实施例；
图4是在图3示出的实施例中多个流体出口通道的截面；
图5示意性地示出了本发明的一个实施例的透视图。
具体实施方式
图1示意性地示出了光刻装置的一个实施例。该装置包括：
照明系统(照明器)IL，其构造成调节辐射束B(例如UV辐射或其它辐射)；
支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA并与第一定位装置PM连接，该第一定位装置PM构造成依照某些参数精确定位该构图部件；
基底台(例如晶片台)WT，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W并与第二定位装置PW连接，该第二定位装置PW构造成依照某些参数精确定位该基底；
投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其构造成将利用构图部件MA赋予辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。
该照明系统可以包括各种类型的光学部件来引导、成形或者控制辐射，这些光学部件例如是：折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者它们的任意组合。
该支撑结构保持该构图部件，其对该构图部件的保持方式取决于该构图部件的方位、光刻装置的设计以及其它条件，例如该构图部件是否保持在真空环境中。该支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持该构图部件。该支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述掩模支撑结构可根据需要而是固定的或者是活动的。该支撑结构可以确保构图部件例如相对于该投影系统位于所需位置。在这里，术语“中间掩模”或者“掩模”的任何使用均可认为与更上位的术语“构图部件”同义。
这里所使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够向辐射束的截面中赋以图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给该辐射束的图案可以并不与基底靶部中的所需图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给该辐射束的图案对应于在靶部中形成的器件(如集成电路)内的特定功能层。
该构图部件可以是透射型的或者反射型的。构图部件的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，其类型例如是二元型、交替相移(alternating phase-shift)型、衰减相移型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小型反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向对入射辐射束进行反射。这些倾斜的反射镜可以在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋以图案。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反射折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，以适合于所用的曝光辐射，或者适合于其它方面，如浸液的使用或真空的使用。在这里，术语“投影透镜”的任何使用均可以认为与更上位的术语“投影系统”同义。此外，这里所使用的术语“光学系统”应广义地解释为包含任意类型或波长的电磁能，可使用光学器件或控制操作所需的任何装置来控制该电磁能。
如这里所指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者可替换地，该装置也可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。
该光刻装置可以具有两个(双平台)或者更多个基底台(和/或两个或更多个支撑结构)。在这种“多平台式”装置中，可以并行使用这些附加的台，或者可以在一个或多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。
该光刻装置还可以是这样一种类型，其中，至少部分基底由具有相对高的折射率的流体(例如水)覆盖，以填充投影系统和基底之间的空间。浸液也可以应用于光刻装置中的其它空间，例如应用于掩模和投影系统之间。本领域中众所周知，浸液技术可以用于增大投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸液”并不意味着诸如基底的结构必须浸没在流体中，而只是表示在曝光期间流体位于投影系统和基底之间。
参考图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻装置可以是分立的机构，例如当该辐射源是准分子激光器时。在这些情况下，不把辐射源看成是构成了该光刻装置的一部分，辐射束借助于束输送系统BD从辐射源SO传输到照明器IL，所述束输送系统BD包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，该辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当该辐射源是汞灯时。该辐射源SO和照明器IL(如果需要可以连同该束输送系统BD一起)可以被称作辐射系统。
照明器IL可以包括调节装置AD，用于调节辐射束的角强度分布。一般地，至少可以调节照明器光瞳平面内强度分布的外径向范围和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照明器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。该照明器可以用于调节辐射束，从而使该辐射束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。
该辐射束B入射到保持在该支撑结构(如掩模台)MT上的构图部件(如掩模)MA上，并由构图部件进行构图。穿过该构图部件MA后，辐射束B通过该投影系统PS，该投影系统将该辐射束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量器件IF、线性编码器或电容传感器)的辅助下，可以精确地移动该基底台WT，从而例如将不同的靶部C定位在辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库中机械取出构图部件MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一位置传感器(图1中未明确示出)来相对于辐射束B的路径精确定位该构图部件MA。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)，可以实现该支撑结构MT的移动，所述长行程模块和短行程模块构成第一定位装置PM的一部分。类似地，利用长行程模块和短行程模块也可以实现基底台WT的移动，其中该长行程模块和该短行程模块构成第二定位装置PW的一部分。在步进器的情况下(这与使用扫描装置的情况相反)，该支撑结构MT可以只与短行程致动装置连接或者可以被固定。可以使用构图部件对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2来将该构图部件MA与该基底W对准。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部，但是它们也可以设置在各个靶部之间的空间中(这些空间被称为划片线(scribe-lane)对准标记)。类似地，在有超过一个的管芯设在构图部件MA上的情况下，可以将该构图部件对准标记设在这些管芯之间。
所示的装置可以按照下面模式中的至少一种使用：
1.在步进模式中，支撑结构MT和基底台WT保持基本不动，而赋予辐射束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动该基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，支撑结构MT和基底台WT被同步扫描，同时，赋予辐射束的图案被投影到靶部C上(即单次动态曝光)。基底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以由投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描运动的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
3.在另一模式中，支撑结构MT保持基本不动，并且保持一可编程构图部件，而基底台WT被移动或扫描，同时，赋予辐射束的图案被投影到靶部C上。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且，在每次移动基底台WT之后，或者在扫描期间相继的辐射脉冲之间，根据需要更新该可编程构图部件。这种工作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列类型。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者也可以采用完全不同的使用模式。
在一个实施例中，如图1所示，该装置可以包括一个或多个测量系统IF(例如干涉仪系统IF)以及一个或多个调节系统10、110，该调节系统用于向上述测量系统IF的至少部分光路OP提供大体上为层流的流体，例如气体或气体混合物。图2A、图2B和图3中也示出了这种情况，这三幅图示出了在图1所示的该装置的细节。在本实施例中，要被调节的光路OP可以具有各种长度，例如在300mm晶片光刻扫描仪中其长度超过大约350mm，最大长度为大约450mm，和/或如本领域技术人员所清楚的那样具有其它长度。
在一个实施例中，该调节系统10、110可以用来光学地调节光刻装置中的一个或多个光路OP。该调节可以包括光学调节，这例如是为了防止该光路中的热变化，特别地是为了提供具有稳定折射率的环境。光路(例如测量系统IF的干涉束)在图中用参考标号OP表示。该光路OP可以在该光刻装置的不同部件之间行进。例如，在使用过程中可以使用相应的干涉束来相对于投影系统PS的投影元件PL而精确定位该基底支撑件WT，例如沿正交的X、Y和/或Z方向(同样参见图1)来进行定位。在图2和图3示出的实施例中，由调节系统10、110调节的光路OP在部分干涉仪系统IF与基底支撑件WT之间延伸。相应的调节系统10、110可以在使用过程中调节这些光路OP，该调节系统可以在所述部分干涉仪系统IF与基底支撑件WT和投影元件PL之间延伸。在本实施例中，该调节系统10、110并不在基底支撑件WT或投影元件PL的背离所述部分干涉仪系统IF的那一侧上延伸。因而，在本实施例中，该调节系统10、110大体上在投影元件PL的一个横向侧上延伸。然而，也可以不同地提供一个或多个这样的调节系统，例如设在该装置的不同位置和/或调节该装置中的其它区域。
例如，该调节系统10、110可以构造成向要被调节的区域供给各种气体，如一种或多种惰性气体、氮、气体混合物或其它气体类型。在一个实施例中，该气体是空气，例如纯度级为1的超净空气。该气体的温度相对稳定，例如稳定在0.1℃的范围内，特别地是稳定在0.001℃的范围内。从现有技术中可以知道如何提供这种热稳定。可替换地，例如，该调节流体可以包括液体或气液混合物。
图2和3还示出了朝向基底支撑件WT延伸的其它光路OP′，该光路OP′例如垂直于上述光路OP延伸。例如，这些其它光路OP′并不是由该调节系统10、110直接进行调节。可以提供一个或多个其它调节系统(未示出)，以专门调节这些其它光路OP′。
图2A和2B示意性地示出了包括调节系统110和可动的基底支撑件WT的组件。特别地，该基底支撑件WT至少在基本上平行于调节系统110的下游流体出口侧的方向上是可动的。该调节系统包括气体簇射器110，该气体簇射器包括具有气体入口130和气体出口140的气体分配室120。该气体入口130与一个或多个合适的流体泵、储罐和/或其它装置70连接，以向该系统10、110提供流体。
在使用图2A和2B的该系统的过程中，气体簇射器110通过气体出口140向相应的被调节光路OP提供大量的纯净气体。为此，气体分配室120中的压力保持在比较高的值，以迫使该流体通过该气体出口140，其中，为了提供均匀的气体分布，该气体出口140可以包括例如气体分配膜。来自该气体簇射器的调节气体的流动用箭头CA示意性地表示。例如，在图2中，气体分配室120外部的压力可以基本上是大气压力，或更低或更高的压力，其中，气体分配室120中的压力可以比该分配室120外部的压力大至少200Pa或者更多。
如图2A和2B所示，该基底台WT(例如与未在图2和图3中示出的基底组合使用)可以部分地移入和移出该被调节区域。在图2A中，该基底支撑件WT已经远离该测量系统IF移动了一段距离到达第一位置，使得基底支撑件WT并未面对着该调节系统110的该出口侧延伸。在这种情况下，该调节基本上不会朝着该基底支撑件WT引导气体。
在图2B中，基底支撑件WT已经朝着测量系统I F移动一段距离到达第二位置，使得该基底支撑件WT部分地在该调节系统110下面延伸(在该图中)。在这种情况下，该调节系统110将气体CA引导到基底支撑件WT上，迫使该气体进入在基底支撑件WT和调节系统110的气体出口140之间延伸的狭缝S中。因此，大量的调节气体CA被迫入该狭缝S中并引导到该基底支撑件WT上(和/或基底上，在由基底台保持基底的情况下)。这些气体被浪费了而不能用来调节该光路，并且会干扰对该测量系统IF的光路OP和其它附近光路OP′的调节。附加地或者可替换地，受迫进入狭缝S的这些大量调节气体CA可从狭缝S吸收热量和/或污染物(诸如水)，之后将这些热量和/或污染物输送到该光路OP、OP′中(这在图2B中用箭头HC表示)。附加地或者可替换地，当该基底支撑件处于第二位置(图2B)时，会在基底支撑件WT附近从狭缝S产生不希望有的高速调节气体射流。
图3和图4示出了一种组件的实施例，该组件包括调节系统10(如气体簇射器)和光刻装置的基底支撑件WT。在图3和图4的实施例中，调节系统10构造成根据基底支撑件WT相对于流体出口通道40的位置而被动地调节来自相应的流体出口通道40的调节流体的流出量。可替换地，该调节系统10构造成主动地控制这些通道40，以调整该调节流体的流出量。在本实施例中，基底支撑件WT和调节系统10构造成例如通过在它们之间延伸的狭缝S而彼此配合，以调整来自多个通道40的调节流体的流出量。
图3和图4的实施例的调节系统10包括位于上游的第一流体分配室20A和位于下游的第二流体分配室20B。在第一和第二室20A和20B之间布置有比较薄的流体流量调节器或流体预调节器25。该流体流量调节器25构造成接收来自第一室20A的调节流体，并且将该流体均匀地分配到第二室20B中。该第二室20B的下游侧具有该调节系统10的多个流体出口通道40，参见图3。作为一个非限制性示例，可以提供至少100个、或者至少1000个通道40。图4在一个示例性的横向截面中示出了多个这样的通道40。该调节系统10还具有合适的流体供给源30，其用于向第一室20A供给流体。该系统也可包括一个或多个泵、储罐和/或其它装置，以经由该流体供给源30向第一室20A提供所需量的调节流体，并且将第一室20A保持在所需压力下。这些泵、储罐和/或其它装置在图1中用项目70示意性地表示，它们可以从现有技术中了解，因此没有详细地描述。
在使用图3的实施例的过程中，在第二室20B中各相应通道40的上游入口处的平均压力比该流体通道的相应下游出口侧的压力高最多大约50Pa。这些流体出口通道可以构造成使得在使用过程中流过各流体出口通道的流体的雷诺数Re小于大约150。在另一个实施例中，调节系统10构造成使第一室20A的内部相对于第二室20B中的压力保持在相对高的过压下，例如至少100Pa的过压。例如，在使用过程中，第一室20A中的平均压力可以比下游第二室20B中的平均压力高大约150-200Pa或者更高。一个或多个合适的流体泵、储罐和/或其它装置70被构造和控制成为第一室20A提供上述压力，这对本领域技术人员来说是显然的。
此外或者可替换地，该调节系统10构造成使得在使用过程中，在第二室20B中各相应通道40的上游入口处的压力比在该流体通道的相应下游出口侧的平均压力高最多10Pa，例如大约5Pa(从而使得在整个流体出口通道40上的压降最多为大约10Pa)。
该流体流量调节器25可以各种方式进行构造。例如，该流体流量调节器25可以是第一室20A的底侧和第二室20B的顶侧。例如使用单丝织物由大量的流体通道和/或一织物层来提供该调节器25，和/或使用具有合适的微小气体通道的薄板来提供该调节器25。在一个实施例中，该流体流量调节器25设计成将相对均匀、一致的流体流动提供到该第二室20B中，该流体在上游第一室20A中处于上述相对高的压力。因此，该流体流量调节器25工作时，在整个调节器25上有相对大的压降，例如具有至少100-200Pa的压差，或者更大的压降。在一个实施例中，该流体流量调节器25包括微粒过滤器和/或微粒过滤介质。
这些流体出口通道40可以是或者提供一种“清洗流体极化器”，其包括多个相对长的具有某一雷诺数直径的管道40。该调节流体(例如气体)层流地流过这些调节管道40，该调节管道的长度设计成可特定降低所有非轴向的气体速度流动矢量，这对本领域技术人员来说是显然的。此外，该长管道或流体出口通道40可以朝着要被调节的区域特定地引导该调节流体，而不必在每个通道上都施加大的压差。
在又一个实施例中，该调节系统构造成使得在使用过程中，各相应的流体出口通道的上游入口处的压力比该流体出口通道的相应下游出口侧的平均压力高最多大约10Pa。该调节系统10可以有利地构造成使得在使用过程中，各相应流体出口通道40的上游入口处的静压与该通道40的相应下游出口侧的平均动压大致相同。如果调节系统构造成使得在使用过程中，流过各相应流体通道40的流体的雷诺数Re小于大约20，那么就可以获得良好的结果。这样，可以在调节系统10与该可动的基底支撑件WT之间实现良好且有效的配合，从而使得该基底支撑件WT可以用作多个流体出口通道40的非接触式外部流动限制装置。
该流体分配室20A、20B可以具有各种形状和尺寸。例如，在图3的实施例中，第一室和第二室20A、20B均包括锥形部分或端部，该锥形端部例如在投影系统PS的元件PL附近延伸，所述元件例如是投影系统的最末光学元件PL。在这种情况下，第一室和第二室20A、20B分别有一部分在沿基本上平行于流体出口通道40的流体流出方向的方向测量时(即，沿图中的Z方向测量时)具有变化的横向截面。图5示出了该调节系统的可替换实施例，该实施例与图3和图4的实施例类似。在图5中，该系统包括基本上为矩形的、比较扁平的第一室20A和第二室20B。
此外，在图3-图5的实施例中，流体分配室20A、20B的长度K1(沿图中的X方向测量)基本上与相应的被调节光路OP或被调节区域的最大长度相同，或者还略长一些。例如，上述长度K1在大约20-50cm的范围内，或者是其它长度。流体分配室20A、20B的宽度K2(沿图中的Y方向测量)明显小于长度K1。该宽度K2例如在大约4-15cm的范围内，或者是其它宽度。流体分配室20A、20B的总高度(沿图中的Z方向测量)明显小于宽度K2。该总高度K3例如小于大约5cm，或者是其它高度。例如，各流体分配室20A、20B可以是相对长、或细长的室，其在横向方向上具有相对小的尺寸，特别地是在垂直于被调节光路OP或者被清洗区域的高度方向上具有相对小的尺寸。此外，在一个实施例中，从该系统的横向截面来看，第二室20B的高度L3小于第一室20A的高度。作为一个示例，第二室20B的最大高度(不包括流体出口通道40的高度)可以是大约1cm或者是其它值。此外，在一个实施例中，第二室20B的内部容积与上游第一室20A的内部容积相同，或者小于该第一室的内部容积。对本领域技术人员来说，显而易见的是流体分配室20A、20B还可以具有其它形状和尺寸。
在图2和图3的实施例中，该基底支撑件WT可用作该调节系统的至少部分流体出口通道的可动闸或可动流量限制器。该基底支撑件WT可提供一种非接触式闸，包括一闸面，该闸面可移动到与调节系统10的至少部分流体出口通道40的出口侧相对的位置(如图3所示)，以便限制来自这些出口侧的流体流动，而不用机械地接触这些通道40的出口侧。换句话说，该基底支撑件WT(以及例如保持于其上的基底)可移动到该调节系统10的第一数量的通道40的下游出口侧，并且可移动离开该第一数量的通道40的下游出口侧。当该基底支撑件WT已经移动远离这些通道40的相应的出口侧并到达上述第一位置时(参见上文和图2A)，该调节系统10布置成使得该调节系统的该第一数量的通道40将一定(第一)量的调节流体排放到要被调节地区域中。在基底支撑件WT已经移动到相应的第二位置(参见图2B和图3)的情况下，使得部分基底支撑件面对着这些通道40的相应出口侧延伸，从而可以基本上限制来自调节系统10的该第一数量的通道40的流体流动。
在一个实施例中，基底支撑件WT和流体出口通道40的出口侧之间的最近距离L1相对较小。如图3所示，该最近距离L1是该狭缝S的高度，该狭缝在基底支撑件WT和通道40的出口侧之间延伸。例如，在本实施例中，该狭缝S的高度L1小于5mm、小于大约3mm，或大约2.5mm或者更小。例如当第二室20B中的压力保持在上述相对较低的值的情况下，这种相对较小的狭缝S可为来自邻近通道40的流出物提供良好的流动阻力。
在该图中在基本上平行于YZ平面的平面中测量时，第二室20B的内部截面可以大于在同一平面中测量的上述狭缝S的最小截面，该狭缝S可以在第二室20B和该可动的基底支撑件WT之间延伸。例如，在一个实施例中，在该图中在基本上平行于YZ平面的平面中测量时，第二室20B的最小内部截面可以至少与在同一平面中测量的上述狭缝S的最小截面相同，或者大于该狭缝S的最小截面。仅仅作为一个非限制性的示例，其中该狭缝S的高度L1为2.5mm，宽度K2为10cm，狭缝S的最小截面为250mm2，在这种情况下，在上述平面中测量的第二室20B的最小内部截面至少为250mm2，或者更大。然而，第二室20B的一个或多个部分也可以具有比狭缝S更小的截面，例如在该室为锥形的情况下(图3)，该第二室20B的顶端部分可以具有比狭缝S更小的截面。
该调节系统的流体出口通道40可以各种方式进行构造。在一个实施例中，这些通道40可以一起提供一种层流管组件，该管组件可以以上述压力向该光路OP提供层流的且基本上均匀的调节流体CA(例如纯净空气)的流动。例如，如图4所示，这些通道40可具有基本上为蜂窝状的截面，这可以获得良好的结果。可替换地或者附加地，一个或多个通道40可具有不同的截面，例如圆形、矩形和/或其它形状。进一步，这些通道40可以具有各种尺寸。各通道40的长度L2可以是相应通道的直径D的至少10至30倍。例如，通道40的直径D可以在大约0.1mm-5mm的范围内。各通道40的长度可以在例如1-6cm的范围内，特别是大约为1cm。而且，在一个实施例中，这些通道40具有基本上相同的直径D，并且基本上彼此平行。此外，例如，这些通道40可以设计成以第二室20B中的上述压力或在这些通道40的上述压降下提供基本上均匀的、层流的向下流动(沿图中的Z方向)的速度，例如大约1m/s或者更高，或者速度范围是大约0.4-2.9m/s，或者是其它速度。
在一个实施例中，例如，各通道40的长度L2选择成使得在使用过程中，可以在第二室20B内部的某一工作压力下，基本上防止通过这些通道的逆流(该逆流从被调节区域开始经由这些通道进入第二室20B)。在一个实施例中，例如，各通道40的长度L2可以是使得在使用过程中，例如由于临时压力峰值或通道40的出口附近区域中的压力变化，仅有流过通道的微小临时性逆流(在第二室20B内部的某一工作压力下)产生，其中这种通过通道的微小逆流不会导致流体和/或微粒从被调节区域输送到第二室20B中。
在本实施例中，流体出口通道40相对于被调节光路OP基本垂直地(在图中沿Z方向)延伸。可替换地，通道40可以相对于该光路倾斜。通道40也可以具有其它形状和尺寸。这些通道40可以包括多个管、一束或多束毛细管，它们由具有通孔或小孔(如激光钻孔)的薄板提供，和/或以不同的方式提供。
例如在一种器件制造方法中可以使用在图3中示出的该组件。正如从上面(也是参见图1)所得出的，该方法包括用图案化辐射束照射基底的靶部，基底由基底支撑件WT保持，然后调节基底支撑件WT附近的区域。在使用过程中，该基底支撑件WT可以至少部分地移入和移出该要被调节的区域。
为了提供对光路OP的调节，经由流体供给源30并使用一个或多个合适的流体泵、储罐和/或其它装置70(入口30与该装置连接)，将调节流体(如纯净空气)提供给第一室20A。使该调节流体在第一室20A中保持在这样一种压力下，即，使得该流体流量调节器25能够将该流体均匀一致地分配到第二室20B中(如图3中的箭头H所表示的那样)。例如，第一室20A中的压力可以比第二室20B中的压力高至少100Pa或更多，或者高大约200Pa或更多，如上所述。
在一个实施例中，正如从上面所得出的，第二室20B中的压力在使用过程中相对较低。例如，在各流体出口通道40的上游入口处的压力可以保持成比该通道40的相应下游出口侧的平均压力高最多大约50Pa。作为一个示例，通道40的下游出口侧的压力可以与被调节区域的平均压力大致相同，该被调节区域被本实施例中的测量系统的射束穿过。此外，在各相应流体出口通道40的上游入口处的静压保持成与该通道40的相应下游出口侧的平均动压大致相同或者略高于该平均动压的情况下，可以获得良好的结果。
在一个实施例中，例如在被调节区域中有临时压力脉冲的情况下，各流体出口通道40的上游入口处的静压可以暂时地低于在该通道40的相应下游出口侧的瞬间动压，这可能导致微小的、暂时的逆流通过该通道，从而使得来自被调节区域的潜在的非调节流体会进入一个或多个通道40，但是该来自被调节区域的潜在的非调节流体基本上不会经由通道40进入第二室20B。例如，在一个实施例中，基底支撑件WT朝通道40的移动可能会在使用过程中导致这种临时压力脉冲。
例如，下游第二室20B中的压力可以设置成能防止例如由于被调节区域中的临时压力脉冲或变化而导致有可能有逆流通过这些通道40。因此，可以防止潜在的非调节流体通过通道40从被调节区域渗入第二室20B，而获得对光路OP的良好调节。特别地，例如，第二室20B中相对低的压力和通道40的一定长度L2可以组合起来使得在工作过程中基本上防止通过通道40的逆流，或者至少使得可能存在于被调节区域的潜在的非调节流体不会通过通道40进入第二室20B。
在一个实施例中，在使用过程中，在各流体出口通道40的上游入口处的(工作)压力比该通道40的相应下游出口侧的压力高最多大约10Pa。例如，第二室20B中的总压力比被调节区域中的平均压力高最多大约10Pa。流过该调节系统10的各流体出口通道40的流体的雷诺数Re可以小于大约150(Re＜150)，并且可小于大约20(Re＜20)。本领域技术人员很清楚如何获得该雷诺数，例如根据所使用的调节流体。
这样，可以朝着光路OP从该流体出口通道40提供基本均匀的、基本上层流的调节流体CA。此外，来自流体出口通道40的调节流体CA的流出量取决于基底支撑件WT的位置，其中存在一种对这些通道40上的调节流体分布的被动控制。
在一个实施例中，该流体流量调节器25可提供高的压降层，而流体出口通道40可提供低的压降层。调节系统10和基底支撑件WT可以彼此配合，以根据该对象相对于这些通道40的位置来改变来自至少一些流体出口通道40的流体CA的流动。特别是，当基底支撑件WT已经移动到所述第二位置时，基底支撑件WT距离多个出口通道40的下游端部较短的距离(参见图3)，从而由该基底支撑件WT来显著减小或阻止来自这些通道40的流体流动。该基底支撑件WT用作一些流体通道40的非接触式闸或节流器，当基底支撑件WT处于第二位置(参见图3)时，该基底支撑件WT面对着这些流体通道40延伸。这里，该基底支撑件WT(和保持于其上的基底)与相面对的调节系统的流体出口通道40一起限定了一个小的狭缝S，该通道40朝着狭缝S延伸。该狭缝S可为来自这些通道40的流出物提供流动阻力，因而减小了这种流出物。由于第二室20B中的低压，该调节系统可以在狭缝S提供的流动阻力的影响下，基本上被动地减小来自流体出口通道40的流出量。第二室20B中的流体朝着这些基本上被阻塞的通道40的流动可以在第二室20B中被重新引导向其它出口通道40，以调节光路OP。这种重新引导在图3中用箭头Q表示。
通过这种方式，不会将大量的调节流体CA引导到基底支撑件WT上(和/或基底上，在基底由基底支撑件WT保持的情况下)。因此，可以非常好地防止从基底支撑件WT吸收热量和/或污染物，以及防止或基本上消除在基底支撑件WT附近所不期望有的高速调节流体射流。因而，在本实施例中，可以很好地对该光路OP进行光学调节，其中可以降低该光路OP中的热变化。此外或者可替换地，通过这种方式可以防止例如从基底支撑件WT或狭缝S向其它光路OP′输送热量和/或污染物。此外或者可替换地，该调节系统10在调节流体的消耗方面更加经济且有效。此外，该调节系统可以做得相对紧凑，特别是具有相对小的总高度(在图中的Z方向)。
如这里所描述的调节系统可以各种方式应用。例如，该调节系统可以用于调节一个或多个光路OP和/或其它区域。该调节系统例如可在晶片台、晶片处理系统中和/或干涉测量过程中提供气帘。该调节系统可以应用于光刻装置和/或方法，或者应用于其它类型的装置和/或方法，例如应用于热学地和/或光学地调节一个或多个区域的任何装置和/或方法中。作为一个示例，可以将3D测量装置、干涉测量器件、转换压力室和/或其它装置提供给这里描述的调节系统。
在如上所述的非限制性实施例中，该调节系统10构造成被动地改变调节流体的流出量。可替换地或者附加地，该调节系统可以构造成主动地控制出口通道40，以调整该调节流体的流出量。例如，各通道40可以分别具有一阀门，以在基底支撑件移动到与这些通道40相面对的位置时关闭该相应的通道40。这种阀门例如可以布置在通道40的入口处或下游出口处，或者布置在通道40内。可替换地或者附加地，例如，该调节系统可具有可动的闸装置，其能够根据基底支撑件WT相对于通道40的位置来关闭多个流体出口通道40。该调节系统也可以以不同的方式进行构造。
尽管在本申请中可以具体参考该光刻装置在IC制造中的使用，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应该理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯(die)”的使用应认为分别可以与更上位的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如匀胶显影机(track，通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其它基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处理的层的基底。
尽管在上文已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻环境中的应用，但是应该理解本发明可以用于其它应用，例如压印光刻法，在本申请允许的地方，本发明不限于光学光刻法。在压印光刻法中，构图部件中的构形限定了在基底上形成的图案。该构图部件的构形可以被压入到施加于基底上的抗蚀剂层中，并在基底上通过施加电磁辐射、热、压力或上述方式的组合来使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，可以将构图部件从抗蚀剂中移出而留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365，355，248，193，157或者126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
在本申请允许的地方，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任意一种或组合，包括折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解，可以以不同于所描述的其它方式来实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含描述了上面所公开方法的一个或多个序列的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
上面的描述是为了说明性的而非限制性的。因此，对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离下面描述的权利要求的范围的条件下，可以对所描述的发明进行各种修改。
应该理解，在本申请中，术语“包括”不排除其它元件或步骤。此外，术语“一”和“一个”不排除多个。此外，单个处理器或其它单元可以实现在权利要求中列举的几个装置的功能。权利要求中的任何参考标号不应该解释为限制权利要求的范围。
例如，关于被调节区域的术语“区域”应广义地进行解释，它可以包括体积、体积空间、空间、地区和/或类似术语。类似地，例如，关于被调节空间的术语“空间”应广义地进行解释，它可以包括体积、体积空间、区域、地区和/或其它类似术语。

Claims (35)

1.一种包括调节系统和对象的组件，该调节系统包括向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，至少部分对象可移入和/或移出该被调节区域，其中，该调节系统构造成根据该对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。
2.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象和所述调节系统构造成彼此配合，以调整从多个流体出口通道流出的调节流体的流出量。
3.如权利要求2所述的组件，其特征在于，所述对象布置成一种非接触式闸，该非接触式闸包括一闸面，该闸面可移动到与至少多个流体出口通道的出口侧相面对的位置，以在没有机械接触所述出口侧的情况下限制从这些流体出口通道流出的流体流动。
4.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象至少可移动到第一数量的流体出口通道的出口侧，以及可移动离开该第一数量的流体出口通道的出口侧，其中，所述调节系统布置成：当所述对象已经移动离开这些出口侧时，该第一数量的流体出口通道能将一定量的调节流体排放到该被调节区域中，以及当所述对象移动到这些出口侧时，能基本上限制从该调节系统的该第一数量的流体出口通道流出的流体流动。
5.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成：在使用过程中，在各流体出口通道的上游入口处的压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约50Pa。
6.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成：在使用过程中，在各流体出口通道的上游入口处的压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约10Pa。
7.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成：在使用过程中，在各流体出口通道的上游入口处的静压与该流体出口通道的相应下游出口侧处的动压大致相同。
8.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成：在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约150。
9.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成：在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约20。
10.如权利要求1所述的组件，其特征在于，各流体出口通道的长度是相应流体通道的直径的至少10至30倍。
11.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象可移动到使得该对象与该调节系统限定了一狭缝的位置，该狭缝构造成向来自与该狭缝邻近的流体出口通道的流体流出物提供流动阻力；并且，所述调节系统构造成在该狭缝所提供的流动阻力的影响下显著减小来自与该狭缝邻近的流体出口通道的流出量。
12.如权利要求1所述的组件，其特征在于，各流体出口通道具有蜂窝状截面。
13.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统包括第一流体分配室和第二流体分配室以及流量调节器，该流量调节器构造成将流体从第一室均匀地分配到第二室内，其中，所述流体出口通道由该第二室的下游部分提供。
14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述调节系统构造成使第一室相对于第二室保持在相对较高的过压下。
15.如权利要求13所述的组件，其特征在于，所述流体流量调节器由大量流体通道、一织物层或这两者提供，它们在第一室和第二室之间延伸。
16.如权利要求13所述的组件，其特征在于，所述第一室、第二室或这两个室具有变化的横向截面。
17.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象构造成保持或支撑基底。
18.如权利要求1所述的组件，其特征在于，还包括测量系统，所述测量系统构造成经由所述区域朝着所述对象引导一束。
19.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象和流体出口通道的出口侧之间的最近距离是小于5mm、小于大约3mm或大约2.25mm中之一，或者更小。
20.如权利要求1所述的组件，其特征在于，各流体出口通道的长度选择成使得该被调节区域中的临时压力脉冲基本上不会导致潜在的非调节流体经由相应的出口通道到达该第二室。
21.一种调节系统，包括：
第一流体分配室；和
第二流体分配室，其包括位于第二室的下游部分中的多个流体出口通道，这些流体出口通道构造成使得在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约150，
其中，第一分配室包括流体流量调节器，所述流体流量调节器构造成将流体从第一室均匀地分配到第二室内，使得在使用过程中，第二室中在各流体出口通道的上游入口处的平均压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约50Pa。
22.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述系统构造成在使用过程中使第一室的压力相对第二室中的压力保持至少100Pa的过压。
23.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述系统构造成使得在使用过程中，第二室中在各流体出口通道的上游入口处的压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约10Pa。
24.一种光刻装置，包括一组件，该组件包括调节系统和对象，该调节系统包括向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，至少部分对象可移入和/或移出该被调节区域，其中，该调节系统构造成根据该对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。
25.如权利要求24所述的装置，其特征在于，所述对象包括基底支撑件，其中，该装置还包括构造成朝着基底支撑件引导测量束的测量系统，并且，该调节系统构造成光学地调节该基底支撑件附近的区域，所述测量束穿过该区域。
26.一种光刻装置，包括：
调节系统，该调节系统包括：
第一流体分配室；和
第二流体分配室，其包括位于第二室的下游部分中的多个流体出口通道，这些流体出口通道构造成使得在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约150，
其中，第一分配室包括流体流量调节器，所述流体流量调节器构造成将流体从第一室均匀地分配到第二室内，使得在使用过程中，第二室中在各流体出口通道的上游入口处的平均压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约50Pa。
27.如权利要求26所述的装置，其特征在于，还包括：
基底支撑件；和
构造成朝着基底支撑件引导测量束的测量系统，
其中，该调节系统构造成光学地调节该基底支撑件附近的区域，所述测量束穿过该区域。
28.一种调节区域的方法，该方法包括：
使用调节系统的多个流体出口通道向被调节区域提供调节流体；和
一对象至少部分地可移入和/或移出该被调节区域，根据该对象的位置调整从流体出口通道流出的调节流体的流出量。
29.如权利要求28所述的方法，其特征在于，包括：根据该对象相对于多个流体出口通道的位置来改变从那些流体出口通道流出的流体的流动。
30.如权利要求28所述的方法，其特征在于，包括：将各流体出口通道的上游入口处的压力保持为比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约50Pa。
31.如权利要求28所述的方法，其特征在于，包括：将各流体出口通道的上游入口处的静压保持为与该流体出口通道的相应下游出口侧处的动压大致相同或者比后者略高。
32.如权利要求28所述的方法，其特征在于，包括：经由流体流量调节器将该调节流体从第一分配室均匀地分配到第二分配室内，该第二室具有流体出口通道，其中，第一室中的流体压力比第二室中的压力至少高100Pa或更多，或者至少高200Pa或更多。
33.如权利要求28所述的方法，其特征在于，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约150。
34.如权利要求28所述的方法，其特征在于，包括：将该对象移动一位置，该对象在该位置与该调节系统限定了一狭缝，该狭缝向来自于朝着该狭缝延伸的那些流体出口通道的流体流出物提供流动阻力。
35.一种光刻器件制造方法，包括：
用图案化投影束照射基底的靶部，该基底由基底支撑件保持；
用调节系统调节该基底支撑件附近的区域，该调节系统包括向该被调节区域提供调节流体的流体出口通道；
将该基底支撑件至少部分地移入和/或移出该被调节区域；和
根据该基底支撑件的位置来改变从多个流体出口通道流出的调节流体的流出量。
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