CN101043068A - 电路基板、电路基板的制造方法、电光学装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种带有基板、栅电极、栅绝缘层、源电极、漏电极和有机半导体层的电路基板，减小了其反向电流。本发明的电路基板(1)的特征在于其具备：基板(7)、安装在基板(7)的一面侧的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(2)、使该源电极(5)和漏电极(6)与该栅电极(2)绝缘的栅绝缘层(3)和与该栅绝缘层(3)相接设置的有机半导体层(4)，在形成有所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中具有底面位于所述基板(7)的内部或基板(7)侧的凹部(8)，所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面设定在比该区域以外的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面更靠向所述基板(7)的一侧。

Description

电路基板、电路基板的制造方法、电光学装置和电子设备
技术领域
本发明涉及一种电路基板、电路基板的制造方法、电光学装置和电子设备。
背景技术
近年来，作为使用硅为代表的无机材料的薄膜电场效果型晶体管置换的设备，使用有机半导体材料的有机薄膜电场效果型的晶体管正受到瞩目。这是可以用简便的方法制造元件，改变有机半导体材料的分子结构可以改变材料特性，比无机半导体有柔性，具有质量轻、不容易坏的特征等。这样的有机晶体管一般由栅电极、源电极、漏电极、半导体层、绝缘体层和基板构成，例如在专利文献1中公开的。
但是，该有机晶体管有反向电流变大的问题，进行元件的微细化困难的问题。并且，因为源电极和漏电极与有机半导体层间的载流子注入不好，会有作为有机晶体管的性能困难的问题。
专利文献1特开2005-203728号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有基板、栅电极、栅绝缘层、源电极、漏电极和有机半导体层的电路基板，减小其反向(off)电流。
该目的通过下述的本发明来实现。
本发明的电路基板的特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的源电极和漏电极；形成于所述源电极和漏电极上的有机半导体层；形成于所述有机半导体层上的栅绝缘层；和形成于所述栅绝缘层上的栅电极，所述基板包括第一部分、第二部分和夹在所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第一部分的厚度和所述第二部分的厚度大于所述第三部分的厚度，所述源电极形成于所述第一部分上，所述漏电极形成于所述第二部分上，所述有机半导体层的一部分形成于所述第三部分上，位于所述第一部分和第二部分上的所述栅绝缘膜的膜厚小于位于所述第三部分上的所述栅绝缘膜的膜厚。
由此，能增大栅绝缘层和有机半导体层界面的面积，降低反向电流，同时能谋求良好的载流子注入性、阈值电压绝对值的降低和迁移率的提高。
本发明的电路基板中，优选所述第一部分或所述第二部分的膜厚和所述第三部分的膜厚之差优选大于所述第三部分上形成的所述有机半导体层的部分的膜厚。
本发明的电路基板特征在于该电路基板包括基板、源电极、漏电极、栅电极、栅绝缘层和有机半导体层，该制造方法包括在所述基板的一个表面侧形成所述源电极和所述漏电极，同时在所述源电极和漏电极之间的区域形成底面是位于所述基板内部和基板侧的凹部的步骤，所述有机半导体层的所述源电极和漏电极之间的区域即与所述栅绝缘层的界面设定在比该区域以外的区域与所述栅绝缘层的界面更靠近所述界面侧这样来形成所述有机半导体层的步骤，以与所述有机半导体层连接来形成所述有机半导体层的步骤和对所述源电极和漏电极插入所述栅绝缘层，形成所述栅电极的步骤。
由此，能增大栅绝缘层和有机半导体层界面的面积，降低反向电流，同时能简便地获得具有良好的载流子注入性、阈值电压绝对值的降低和迁移率的提高的电路基板。
本发明的电路基板中，优选所述第一部分或所述第二部分的膜厚与所述第三部分的膜厚之差比在所述第三部分上形成的所述有机半导体层的一部分的膜厚大。
由此，进一步增大栅绝缘层和有机半导体层的界面的面积，降低反向电流，并且载流子的注入变得良好，实现阈值电压绝对值的降低和迁移率的提高。另外，能够在基板侧简便地设定栅绝缘层和有机半导体层的界面，能够作为电路基板良好地运行。
本发明的电路基板，其特征在于，包括：基板；在该基板的一面侧设置的源电极、漏电极和栅电极；使该源电极和漏电极与该栅电极绝缘的栅绝缘层；和与该栅绝缘层相接而设置的有机半导体层，在形成所述有机半导体层的所述源电极和漏电极间的区域，具有底面位于所述基板的内部或基板侧的凹部，所述有机半导体层的所述源电极和漏电极间的区域中与所述栅绝缘层的界面设定在比该区域以外的区域中与所述栅绝缘层的界面更靠向所述基板侧。
由此，进一步增大栅绝缘层和有机半导体层的界面的面积，降低反向电流，并且载流子的注入变得良好，实现阈值电压绝对值的降低和迁移率的提高。
本发明的电路基板中，优选位于所述源电极和漏电极间的区域的所述有机半导体层位于所述基板内。
由此，进一步增大栅绝缘层和有机半导体层的界面的面积，可靠地降低反向电流，并且载流子的注入变得良好，实现阈值电压绝对值的降低和迁移率的提高。
本发明的电路基板中，优选所述凹部形成于所述源电极和漏电极间的区域。
由此，能够在基板侧简便地设定栅绝缘层和有机半导体层的界面。
本发明的电路基板中，优选所述凹部的深度为1～1000nm。
由此，能够在基板侧简便地设定栅绝缘层和有机半导体层的界面，能够作为电路基板良好地运行。
本发明的电路基板中，优选所述有机半导体层的平均厚度是与所述凹部的深度相同或比其小的厚度。
由此，可靠地进一步降低反向电流，并且载流子的注入变得良好，可靠地实现阈值电压绝对值的降低和迁移率的提高。
本发明的电路基板中，优选所述有机半导体层的所述源电极和漏电极间的区域中与所述栅绝缘层的界面设定在与所述源电极和漏电极的所述基板侧的界面相同或比其靠向所述基板侧。
由此，可靠地进一步降低反向电流，并且载流子的注入变得良好，可靠地实现阈值电压绝对值的降低和迁移率的提高。
本发明的电路基板中，优选所述基板包括：基体和形成于所述基体上的基底绝缘层。
由此，能增大栅绝缘层和有机半导体层界面的面积，降低反向电流，同时能谋求良好的载流子注入性、阈值电压绝对值的降低和迁移率的提高。
本发明的电路基板的制造方法中，其为包括基板、源电极、漏电极、栅电极、栅绝缘层和有机半导体层的电路基板的制造方法，其特征在于，包括：在所述基板的一面侧形成所述源电极和所述漏电极，并且在所述源电极和漏电极间的区域形成底面位于所述基板的内部或基板侧的凹部的工序；形成所述有机半导体层，以使所述有机半导体层的所述源电极和漏电极间的区域中与所述栅绝缘层的界面设定在比该区域以外的区域中与所述栅绝缘层的界面更靠向所述基板侧的工序；与所述有机半导体层相接而形成所述栅绝缘层的工序；和相对于所述源电极和漏电极间介所述栅绝缘层而形成所述栅电极的工序。
由此，增大栅绝缘层和有机半导体层的界面的面积，获得降低反向电流，并且载流子的注入变得良好，实现阈值电压绝对值的降低和迁移率的提高的电路基板。
本发明的电路基板的制造方法中，优选所述基板包括：基体和形成于所述基体上的基底绝缘层，该制造方法包括：在形成所述源电极和漏电极之前，以与所述基板的所述基体相接的方式形成所述基底绝缘层的工序，在该基底绝缘层上形成有所述凹部。
由此，能够得到进一步增大了栅绝缘层和有机半导体层的界面的面积的电路基板。
本发明的电路基板的制造方法中，优选在所述源电极和漏电极间的区域形成凹部的工序，通过以所述源电极和漏电极作为掩模蚀刻来进行。
由此，能简便地蚀刻源电极和漏电极之间的区域。
本发明的电路基板的制造方法中，优选所述蚀刻利用氧等离子体来进行。
由此，能更简便地蚀刻源电极和漏电极之间的区域。
本发明的电光学装置的特征在于具备本发明的电路基板。
由此，能提供高性能的电光学装置。
本发明的电子设备的特征在于具备本发明的电光学装置。
由此，能提供高性能的电子设备。
附图说明
[图1]表示本发明电路基板的第一实施方式的示意图。
[图2]表示本发明电路基板的第二实施方式的示意图。
[图3]表示本发明电路基板的第三实施方式的示意图。
[图4]表示本发明电光学装置的实施方式的电泳显示装置的示意图。
[图5]表示有源矩阵装置结构的方块图。
[图6]用于说明图4所示电泳显示装置的制造方法的示意图。
[图7]表示作为本发明电子设备的实施方式的电子纸的示意图。
[图8]表示作为本发明电子设备的实施方式的显示器的示意图。
[图9]表示栅电压和漏电流关系的图。
图中，1-电路基板；2-栅电极；3-栅绝缘层；4-有机半导体层；5-源电极；6-漏电极；7-基板；8-凹部；9-基底绝缘层；10-基体；11-晶体管；20-电泳显示装置；21-电泳显示片；22-有源矩阵装置；30-基部；31-基部；32-第一电极；33-第二电极；34a-电泳粒子；34b-电泳粒子；35-液相分散介质；36-密封部；37-电泳分散液；39-基板；40-微胶囊；41-粘合剂材料；100-刮板；301-数据线；302-扫描线；400-微胶囊含有层；401-胶囊主体；600-电子纸；601-主体；602-显示单元；800-显示器；801-主体部；802a-输送辊对；802b-输送辊对；803-孔部；804-透明玻璃板；805-插入口；806-端子部；807-插座；808-控制器；809-操作部。
具体实施方式
以下，使用附图来详细地说明本发明的电路基板、电路基板的制造方法、电光学装置和电子设备。
<第一实施方式>
首先，说明本发明的电路基板的第一实施方式。
(1)电路基板
图1是表示本发明的一个实施方式的图，表示了电路基板1的概略纵截面图。另外，下面的说明中，图1中的上侧称为“上”，下侧称为“下”。
图1所示的电路基板1包括：栅电极2、栅绝缘层3、有机半导体层4、源电极5、漏电极6、基板7和凹部8，构成顶栅·底接触(top gate bottom contact)型的结构。
下面依次说明各部的结构。
栅电极2是用于赋予有机半导体层4电场的部件，其和设置在基板7的另一个表面侧上的源电极5和漏电极6不相接，和栅绝缘层3相接。
该栅电极2的材料只要是具有导电性的材料，没有特别限制。作为具体的材料例如能列举有铬、铝、钽、钼、铌、铜、银、金、铂、铂、钯、铟、镍、钕等金属或它们的合金、或氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镓等导电性金属氧化物或铟锡复合氧化物(下面简称为“ITO”。)、铟锌复合氧化物(下面简称为“IZO”。)、铝锌复合氧化物(AZO)、镓锌复合氧化物(GZO)等导电性金属复合氧化物、或聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔等导电性高分子或在它们中添加盐酸、硫酸、磺酸等酸、六氟化磷、五氟化砷、氯化铁等路易斯酸、碘等卤素原子、钠、钾等金属原子等掺杂剂的产品，或者分散有碳黑或金属微粒的导电性复合材料等。并且，也可以使用含有金属微粒子和石墨这样的导电性粒子的聚合物混合物。它们可以单独使用1种或2种以上组合使用。它们中优选金属的合金，更优选金和铬的合金。由此，能获得电适当地流通的、具有优良特性的电路基板1。
栅电极2的平均厚度没有特别限制，但是优选为0.1～2000nm左右，更优选为1～1000nm左右。
栅绝缘层3是使源电极5和漏电极6与栅电极2绝缘的层，其设置在基板7另一面侧，且与栅电极2和有机半导体层4相接。
该栅绝缘层3的材料只要是具有绝缘性的材料，就没有特别限制，可以使用公知的有机材料或无机材料的任何一种。
作为有机材料能列举有聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯基乙酸酯或聚乙烯基苯酚等乙烯系高分子或聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、芳香族聚酯、聚芳酯或后述通式(1)表示的化合物等高分子。它们可以单独使用1种或2种以上组合使用。
作为无机材料，能列举有氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化锆、氧化铈、氧化锌、氧化钴等金属氧化物、氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化铈、氮化锌、氮化钴、氮化钛、氮化钽等金属氮化物、钛酸钡锶、锆钛酸铝等金属复合氧化物。它们可以单独使用1种或2种以上组合使用。
它们中优选有机材料，更优选聚甲基丙烯酸甲酯或后述通式(1)表示的化合物。由此，可以提高绝缘性。并且，使用后述通式(1)表示的化合物时，认为能实现从有机半导体层4吸引电子，抑制空穴的移动，进而提高迁移率或降低阈值电压等。
这些材料可以在栅绝缘层3中含有，但是优选以该材料作为主要材料来构成，优选含有50～100wt％，最优选含有70～100wt％的该材料。由此，任何在起到合适的绝缘效果的同时，使用通式(1)时能由有机半导体层4适当吸附电子，抑制电子空穴的移动，进而提高迁移率或降低阈值电压等。另外，通式(1)表示的化合物详细描述如下。
栅绝缘层3的平均厚度没有特别限制，但是优选为100～2000nm，更优选为500～1500nm。由此，能降低电路基板1的工作电压。这里栅绝缘层3的平均厚度是指凹部8上的栅绝缘层3的厚度。另外，优选凹部8上的栅绝缘层3的厚度大于源电极5上的栅绝缘层3的厚度或漏电极6上的栅绝缘层3的厚度。
有机半导体层4是通过栅电极2产生的电场使电流从源电极5流到漏电极6的层，其设置在基板7的一面侧，且与栅绝缘层3、源电极5、漏电极6和基板7相接来形成。
该有机半导体层4的材料只要具有半导体特性，没有特别限制。例如能列举有聚(3-烷基噻吩)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、聚(3-辛基噻吩)、聚(2，5-亚噻嗯亚乙烯基)(PTV)或四噻吩(4T)、六噻吩(6T)和八噻吩等α-寡噻吩类或2，5-二(5’-联苯基-2’-亚噻嗯基)-噻吩(BPT3)、2，5-[2，2’-(5，5’-二苯基)二亚噻嗯基]-噻吩等噻吩衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)等亚苯基亚乙烯基衍生物、聚(9，9-二辛基芴)(PFO)等芴衍生物、三烯丙基胺系聚合物、蒽、四氢蒽、五蒽和六蒽等蒽化合物、1，3，5-三[(3-苯基-6-三-氟甲基)喹喔啉-2-酰基]苯(TPQ1)和1，3，5-三[{3-(4-叔丁基苯基)-6-三氟甲基}喹喔啉-2-酰基]苯(TPQ2)等苯衍生物、酞菁、酞菁铜(CuPc)和酞菁铁这样的酞菁衍生物、三(8-羟基喹啉酯)铝(Alq3)和硫化油膏(factris)(2-苯基吡啶)铟(Ir(ppy)3)这样的有机金属化合物、C60、二唑系高分子、三唑系高分子、咔唑系高分子和芴系高分子这样的高分子系化合物和聚(9，9-二辛基芴-共-双-N，N’-(4-甲氧基苯基)-双-N，N’-苯基-1，4-苯二胺)(PFMO)、聚(9，9-二辛基芴-共-苯并硫代二唑)(BT)、芴-三烯丙基胺共聚物和聚(9，9-二辛基芴-共-二噻吩)(F8T2)等和芴的共聚物等。它们可以单独使用1种或2种以上组合使用。它们中优选和芴的共聚物，更优选F8T2。由此，能显示显著的半导体特性。
有机半导体层4的平均厚度优选为0.5～1000nm，更优选为1～500nm，特别优选和后述的凹部8的深度h相同或比它小的厚度。在该范围内，能起到电适当流通，迁移率的提高等效果。
有机半导体层4的源电极5和漏电极6之间的区域中与栅绝缘层3的界面设定在与源电极5和漏电极6的基板7侧的界面相同或比其更靠向基板7侧。由此，能增大栅绝缘层3和有机半导体层4的界面面积，更能降低反向电流。此外，还能降低阈值电压绝对值、提高迁移率。
特别的，形成和凹部8的深度h一样或比其小的平均厚度的有机半导体层4的话，因为其界面的面积更大，因而优选。由此，能更为降低反向电流。此外，还能降低阈值电压绝对值、提高迁移率。
另外，界面的位置向基板7一侧移动而使得界面的面积变大，源电极5和漏电极6之间的电子移动的距离(沟道长)必然变长了。
并且，位于源电极5和漏电极6之间的区域的有机半导体层4位于基板7内。由此，能扩大栅绝缘层3和有机半导体层4界面的宽度，更能降低反向电流。此外，还能降低阈值电压绝对值、提高迁移率。
源电极5设置在基板7上，且与有机半导体层4和基板7接触相接。
该源电极5的材料和在栅电极2中说明的一样。
源电极5的平均厚度没有特别限制，但是优选为10nm～2000nm，更优选为100～1000nm。由此，能显著地显示导电性。
漏电极6的构成、材料和平均厚度和源电极5一样。
源电极5和漏电极6可以由相同的化合物构成，也可以由不同的化合物构成，但是优选由相同的化合物构成。由此，能简便地获得电路基板1。
电子在源电极5和漏电极6之间的移动距离(沟道长)优选为0.1～100μm，更优选为2～50μm。该范围内，能实现反向电流的进一步降低、阈值电压绝对值的降低、迁移率的提高，能提高电路基板1的特性。
通常，在沟道长度短的晶体管上施加大的漏电压时，因为在源电极和漏电极之间流过大的反向电流，晶体管的开关特性变差，但是根据本实施方式，能进行反向电流的抑制。因而，在精细地形成晶体管且高密度集成时，能良好地保持开关特性。
并且，电子在源电极5和漏电极6之间移动的沟道区域中，和沟道长垂直的方向的长度(沟道宽)优选为0.05～5mm，更优选为0.1～3mm。只要在该范围内，能降低寄生电容，能防止电路基板1的特性变差。
基板7是支持构成电路基板1的各层(各部)的产品。基板7优选在上方含有形成有源电极5的第一部分、形成有漏电极6的第二部分和形成有夹在第一部分和第二部分间的凹部8的第三部分，该第一部分的厚度和第二部分的厚度优选大于该第三部分的厚度。特别的，该第一部分或该第二部分的厚度和该第三部分的厚度之差更优选大于位于该第三部分上的有机半导体层4的厚度。
基板7只要是含有后述的基体10的结构物，也可以在基体上形成基底绝缘层9等。即，基部7也可以由基体10和基底绝缘层9构成。
作为基板7例如能使用玻璃基板、石英基板、硅基板、硫化钼、铜、锌、铝、不锈钢、镁、铁、镍、金、银等金属基板、镓砷基等半导体基板、塑料基板等。它们中优选塑料基板。
作为这样的塑料基板，也可以使用热塑性树脂、热固化性树脂的任何一种树脂。例如能列举有聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等聚烯烃、环状聚烯烃、改性聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚-(4-甲基戊烯-1)、离聚物、丙烯酸系树脂、聚甲基丙烯酸酯、丙烯酸-苯乙烯共聚物(AS树脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、网共聚物(polio copolymer)(EVOH)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚亚乙基萘酯(PEN)、聚环己烷对苯二甲酸酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮、聚醚砜(PES)、聚醚酰亚胺、聚缩醛、聚苯醚、改性聚苯醚、聚芳酯、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟系树脂、苯乙烯系、聚烯烃系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、氟橡胶系、氯化聚乙烯系等各种热塑性弹性体、环氧树脂、苯酚树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯、硅树脂、聚氨酯等，或以它们为主的共聚物、混合体、聚合物合金等，能使用它们中的1种或将2种以上叠层的叠层体。
凹部8是为了扩大源电极5和漏电极6之间区域的栅绝缘层3和有机半导体层4的界面的面积，以及使源电极5和漏电极6与有机半导体层4之间良好电接触的部件，它是在形成所述有机半导体层4之前，即本实施方式中基板7的所述源电极5和漏电极6之间区域的几乎整个区域形成的。接着，该底面位于基板内部，凹部8的内部中形成有机半导体层4的部分。由此，能增大该区域中栅绝缘层3和有机半导体层4的界面的面积，降低反向电流。此外，还能降低阈值电压绝对值、提高迁移率。
凹部8的深度h优选为1～1000nm，更优选为50～500nm。在该范围内，源电极5和漏电极6之间的操作长度变长，可以减小反向电流，进而，能降低阈值电压绝对值、提高迁移率，作为电路基板1良好地工作。
通过以上结构，能获得在基板7上具有凹部8，源电极5和漏电极6之间区域的栅绝缘层3和有机半导体层4的界面设定在比源电极5和漏电极6的基板7侧的界面更靠向基板7侧的电路基板1。
这样的电路基板1例如优选用作薄膜晶体管、透明晶体管、电场效果型透明晶体管(透明FET)、电场效果型有机发光晶体管(有机发光FET)、静电感应晶体管等晶体管，还能用作液晶元件、高分子分散型液晶元件、电泳显示元件、场致发光元件、镀铬(electro chromic)元件等和电光学元件组合使用的有源矩阵基板的转换元件等。并且，通过集成晶体管，能实现AND、OR、NAND、NOT等逻辑电路、存储元件、振荡元件、放大元件等数字元件或模拟元件。进而，通过将它们组合，还能制作IC卡或IC标记。
(2)半导体装置的制造方法
接着，说明本发明的电路基板1的制造方法。所述说明的电路基板1例如可以由下面的方法来制造。
图1所示的电路基板1的制造方法具有在基板7上形成源电极5和漏电极6，并且在基板7上形成凹部的工序[A1]，在源电极5、漏电极6和基板7上形成有机半导体层4的工序[A2]，在有机半导体层4上形成栅绝缘层3的工序[A3]和在栅绝缘层3上形成栅电极2的工序[A4]。
[A1]形成源电极和漏电极，并且形成凹部的工序
在基板7上形成源电极5和漏电极6。
此前，为了提高电极材料对基板7的密着性，优选进行预处理。该预处理能列举有使用六甲基二硅氨烷、环己烯、十八烷基三氯硅烷等表面改性材料的表面处理、使用丙酮或异丙醇等的有机清洗处理、盐酸或硫酸、醋酸等的酸处理、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙、氨水等的碱性处理、UV臭氧处理、氟化处理、氧或氩等的等离子体处理、兰米尔投影膜的形成处理。这些处理可以使用多个处理。它们中优选有机清洗处理。由此，可以进行表面的脱脂，可以密着性好地形成源电极5和漏电极6。
接着，在基板7上通过溅射法等真空成膜法、等离子CVD、热CVD、激光CVD这样的化学蒸镀法(CVD)、真空蒸镀、离子电镀等干式电镀法、电解电镀、浸渍电镀、无电解电镀等湿式电镀法、喷墨法、热喷涂法、溶胶凝胶法、MOD法形成导电膜，然后进行光蚀刻，可以进行源电极5和漏电极6的形成。
并且，使用规定形状的掩模，在基板7上通过所述方法也可以形成源电极5和漏电极6。
并且，使用含有金属微粒子和石墨这样的导电性粒子的聚合物混合物时，通过进行喷墨这样的溶液图案形成，能简便且低成本地形成电极。
接着，在基板7的源电极5和漏电极6之间的区域中形成底面位于基板内部或基板侧的凹部8。
凹部8的形成方法没有特别限制，优选通过蚀刻来进行。例如，通过以形成的源电极5和漏电极6作为掩模进行基板7的蚀刻，能在基板7的源电极5和漏电极6之间形成凹部8。
作为该蚀刻方法只要是蚀刻基板7，对源电极5和漏电极6没有影响的方法，可以使用公知的任何一种方法。具体的，能列举有使用氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸等酸的湿蚀刻、由氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙、氨水等碱的湿蚀刻、由芳香族系溶剂、酮系溶剂或醇系溶剂、有机溶剂的湿处理、使用氧等离子体、氩气等离子体、CF4等离子体干蚀刻等。
本实施方式中，优选不使用化学物质，能简便蚀刻的干蚀刻，并且，具有同时进行电极清洗效果的氧等离子体的蚀刻是优选的。由此，可以在基板内部形成合适的凹部8。
并且，也可以将源电极5和漏电极6形成图案时的抗蚀图案用作掩模，根据使用的电极材料、基板或蚀刻方法等使用适当的方法。
[A2]有机半导体层形成工序
接着，在源电极5、漏电极6和基板7上形成这样设定的有机半导体层4，即：有机半导体层4的源电极5和漏电极6之间的区域中与栅绝缘层3的界面相比源电极5和漏电极6的基板7侧的界面靠向基板7侧。
在此之前，通过实施[A1]中说明的预处理，可以提高有机半导体层4的密着性。
有机半导体层4的形成方法可以通过在源电极5、漏电极6和基板7上由真空蒸镀法、旋涂法、浇铸法、增加法、兰米尔投影法、喷射法、喷墨法或丝网印刷法等形成规定的有机半导体材料。它们中，本实施方式优选喷墨法。
形成有机半导体层4的条件可以根据所述的平均厚度、位置这样的各方法来适宜设定。
[A3]栅绝缘层形成工序
接着，在有机半导体层4上形成栅绝缘层3。
由无机材料构成栅绝缘层3时，栅绝缘层3例如可以通过热氧化法、CVD法、SOG法来形成。并且通过在原材料中使用聚硅氨烷，作为栅绝缘层3，可以由湿式工艺成膜二氧化硅膜、氮化硅膜。
由有机材料构成栅绝缘层3时，栅绝缘层3可以在覆盖涂敷包含有机材料或其前体的溶液到栅绝缘层3上后，根据需要对该涂膜进行后处理(例如加热、红外线照射、超声波提供等)来形成。涂敷含有有机材料或其前体的溶液到栅绝缘层3上的方法能使用旋涂法或浸渍涂敷法这样的涂敷法、喷墨法或丝网印刷法等印刷法等。它们中，本实施方式优选旋涂法。
[A4]栅电极形成工序
最后，在栅绝缘层3上形成栅电极2。
通过与[A1]说明的方法一样的方法在栅绝缘层3上用规定材料能形成栅电极2。它们中，本实施方式优选喷墨法。
通过包含所述的步骤的制造方法，能获得具有基板7的源电极5和漏电极6之间具有凹部8的电路基板1。
<第二实施方式>
本发明的电路基板1及其制造方法的第二实施方式中，主要说明和所述第一实施方式不同的地方，省略同样事项的说明。
(1)电路基板
图2是表示本发明一个实施方式的图，示出了电路基板1的概略纵截面图。另外，下面说明中，图2中的上侧称为“上”，下侧称为“下”。
图2所示的电路基板1与第一实施方式的电路基板1除了有无基底绝缘层9情况不同以外，和第一实施方式的电路基板1一样。
即，本实施方式是在形成基底绝缘层9的源电极5和漏电极6之间的基底绝缘层9全部被蚀刻这一点上不同。
另外，图2所示的基底绝缘层9和基体10是构成图1所示的基板7的要素。即，基板7是由基体10和基底绝缘层9构成的。因而，基体10是由和第一实施方式中所述的基板7一样的材料构成的。
这里，基底绝缘层9是使有机半导体层4、源电极5、漏电极6或基体10绝缘的制品，在源电极5和漏电极6与基体10之间与有机半导体层4相接。并且，凹部8的底面位于基体10侧，位于源电极5和漏电极6之间区域中与有机半导体层4位于基底绝缘层9内。
该基底绝缘层9的材料和其含量与所述栅绝缘层3说明的一样。
这里，本发明人为了进一步提高迁移率，刻苦研究基底绝缘层9的材料，结果发现使用下述通式(1)表示的化合物的话，能进一步提高迁移率。
【化1】
Figure A20071008878700171
(式中，R1和R2分别独立地表示可以具有取代基的亚烷基，X1、X2、X3和X4表示氢或吸电子性基团，n为100～10000。)
这样的迁移率提高的机制还没有非常清楚，认为是因为该化合物从有机半导体层4吸引电子，能提高有机半导体层4的载流子密度和降低载流子阱水平。
这里，通式(1)中，R1和R2分别独立地表示可以具有取代基的亚烷基。亚烷基优选碳原子数为1～20的亚烷基，更优选为碳原子数为1～10的亚烷基，最优选碳原子数为1～4的亚烷基。具体的，能列举有亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚戊基、亚庚基、亚壬基等。它们中特别优选亚甲基。由此，能简便地合成通式(1)表示的化合物。
作为能够取代为亚烷基的取代基能列举有碳原子数为1～10的烷基或氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子等。它们中，为了从有机半导体层4吸引适当的电子，优选吸电子性的卤素原子。由此，可以从有机半导体层4吸引电子。
X1、X2、X3和X4能列举有氢、磺酸基团或硫醇基等。它们可以2种以上组合使用。它们中，优选可以从有机半导体层4吸引电子的卤素原子，更优选氯原子。由此，能可靠地提高载流子密度和降低载流子阱(trap)水平，因而能提高迁移率或降低阈值电压。
X1、X2、X3和X4任何之一可以被氢或吸电子性基团取代，没有特别限制。例如R1和R2是相同的基团时，吸电子性基团是一取代或三取代时，X1～X4的任何一个基团可以被取代。吸电子性基团是二取代时，X1和X2、X1和X3或X1和X4可以用吸电子性基团取代。另一方面，R1和R2是不同的基团时，吸电子性基团是一取代时，任何之一的基团也可以取代，吸电子性基团是二取代时，除了所述二取代时的组合，X2和X4是用吸电子性基团取代。吸电子性基团是三取代时，X1、X2和X3或X1、X2和X4可以用吸电子性基团取代。
它们中，更确切的，从有机半导体层4吸引电子的观点考虑，优选至少任何二个是用吸电子性基团取代，更优选X1、X2、X3和X4都被取代。由此，能更可靠地提高载流子密度和降低载流子阱水平，能实现迁移率的提高、开关比的提高、阈值电压的降低、元件寿命的提高。
具有以上结构的通式(1)表示的化合物其数均分子量优选为10000～100万。在该范围内，能简便地合成通式(1)表示的化合物，通过增加吸电子性基团，能从有机半导体层4中吸引合适的电子。
下面更具体地示出组合所述说明的R1、R2、X1、X2、X3和X4的通式(1)表示的化合物。
【化2】
Figure A20071008878700191
其中，从有机半导体层4吸引电子的观点考虑，特别优选聚-二氯-对-亚二甲苯基的2、3、4的化合物，聚-四氯-对-亚二甲苯基的6的化合物。由此，能从有机半导体层4吸引电子，提高迁移率、提高开关比、降低阈值电压等。
通式(1)表示的化合物可以包含在栅绝缘层3和/或基底绝缘层9中，但是优选至少包含在基底绝缘层9中。由此，能从有机半导体层4吸引电子，提高迁移率等。
并且，该化合物包含在栅绝缘层3和基底绝缘层9的任何之一中时，该化合物可以是不同的化合物。由此，可以控制从有机半导体层4中吸引电子的程度。
基底绝缘层9的平均厚度优选为10～1000nm左右，更优选为50～500。在该范围内，能可靠地形成凹部8。
(2)电路基板的制造方法
这样的电路基板1例如可以根据下面的步骤来制造。
图2所示的电路基板1的制造方法具有在基板10上形成基底绝缘层9的工序[B1]，在基底绝缘层9上形成源电极5和漏电极6，同时在基底绝缘层9上形成凹部8的工序[B2]，在源电极5、漏电极6和基体10上形成有机半导体层4的工序[B3]，在有机半导体层4上形成栅绝缘层3的工序[B4]和在栅绝缘层3上形成栅电极2的工序[B5]。
[B1]基底绝缘层形成工序
本工序是和第一实施方式中说明的[A3]一样来进行，但是本实施方式优选等离子体CVD法。
[B2]形成源电极和漏电极同时形成凹部的工序
本工序除了在基底绝缘层9上形成源电极5和漏电极6，对基底绝缘层9的源电极5和漏电极6之间的区域全部蚀刻以外，和第一实施方式说明的[A1]一样来进行。本实施方式中，为了效率好地进行蚀刻，优选湿蚀刻，更优选用氢氟酸等酸蚀刻。另外，凹部是形成于基底绝缘层9上，其底面是位于基体10侧，即基体10上面的位置。
[B3]有机半导体层形成工序
本工序是和第一实施方式中说明的[A2]一样来进行，但是本实施方式优选真空蒸镀法。
[B4]栅绝缘层形成工序
本工序是和第一实施方式中说明的[A3]一样来进行。
[B5]栅电极形成工序
本工序是和第一实施方式中说明的[A4]一样来进行。
通过包含以上步骤的制造方法，能获得对源电极5和漏电极6之间的基底绝缘层9全部被蚀刻的电路基板1。
<第三实施方式>
本发明的电路基板1和其制造方法的第三实施方式中，主要说明和所述第一、第二实施方式不同的地方，相同的事项省略说明。
(1)电路基板
图3是表示本发明一个实施方式的图，表示电路基板1的大概纵截面图。另外，以下的说明中，图3中的上侧称为“上”，下侧称为“下”。
图3所示电路基板1和第二实施方式的电路基板1的基底绝缘层9的蚀刻状态不同，此外和第二实施方式的电路基板1一样。
即，本实施方式是在源电极5和漏电极6之间区域的基底绝缘层9的一部分被蚀刻这一方面不同。
(2)电路基板的制造方法
这样的电路基板1例如通过下述步骤来制造。
图3所示的电路基板1的制造方法具有在基板10上形成基底绝缘层9的工序[C1]，在基底绝缘层9上形成源电极5和漏电极6，同时在基底绝缘层9上形成凹部8的工序[C2]，在源电极5、漏电极6和基底绝缘层9上形成有机半导体层4的工序[C3]，在有机半导体层4上形成栅绝缘层3的工序[C4]和在栅绝缘层3上形成栅电极2的工序[C5]。
[C1]基底绝缘层形成工序
本工序是和第二实施方式中说明的[B1]一样来进行。
[C2]形成源电极和漏电极同时形成凹部的工序
本工序是除了部分蚀刻基底绝缘层9的源电极5和漏电极6之间的区域以外，和第二实施方式中说明的[B2]一样来进行。该蚀刻处理希望以获得期望的深度的凹部8地进行，优选调整处理温度或处理时间以不全部蚀刻基底绝缘层9。由此，能获得基底绝缘层9的一部分被蚀刻的凹部8。
[C3]有机半导体层形成工序
本工序是和第二实施方式中说明的[B3]一样来进行。
[C4]栅绝缘层形成工序
本工序是和第二实施方式中说明的[B4]一样来进行。
[C5]栅电极形成工序
本工序是和第二实施方式中说明的[B5]一样来进行。
通过包含以上工序的制造方法，能获得源电极5和漏电极6之间的基底绝缘层9的一部分被蚀刻的电路基板1。
<其他实施方式>
所述实施方式中，基于附图说明顶栅·底接触型电路基板1，但是本发明的电路基板1可以在各层间设置任意目的的层，底栅(bottom gate)型、顶栅(topgate)型、顶接触(top contact)型、底接触(bottom contact)型等，其结构没有特别限制。由此，可以应用于晶体管等各种用途。
并且，所述实施方式中，位于源电极5和漏电极6之间区域的有机半导体层4是在基板7内或基底绝缘层9内，但是也可以位于基板7和基底绝缘层9内，根据电路基板1的结构，也可以有栅绝缘层3等。由此，能增大该区域中栅绝缘层3和有机半导体层4的界面的面积，降低反向电流。进而，能降低阈值电压绝对值，提高迁移率。
并且，所述实施方式中，有机半导体层4的源电极5和漏电极6之间区域中与栅绝缘层3的界面是设定在比源电极5和漏电极6的基板7侧的界面更靠向基板7侧，但是典型的，有机半导体层4和栅绝缘层3的该界面可以设定在比该区域以外的栅绝缘层3和有机半导体层4的界面更靠向基板7侧。由此，能增大该区域中栅绝缘层3和有机半导体层4的界面的面积，降低反向电流。进而，能降低阈值电压绝对值，提高迁移率。
进而，所述实施方式中，凹部8是在基板7的所述源电极5和漏电极6之间的区域几乎整个区域形成的，但是从增大栅绝缘层3和有机半导体层4的界面面积考虑，可以在该区域的部分形成凹部8。由此，能增大该区域中栅绝缘层3和有机半导体层4的界面的面积，降低反向电流。
并且，本发明的电路基板1的制造方法在能发挥本发明效果的范围内，可以包含其他步骤，各步骤的顺序没有特别限制。并且，也可以在基板7或基底绝缘层9上形成凹部8后，形成源电极5和漏电极6。
<电光学装置>
接着，说明带有本发明的半导体装置电电光学装置。
本发明的电光学装置例如能列举有液晶显示装置等液晶装置、有机EL显示装置等有机EL装置、电泳显示装置、打印机针头等装置。
下面以电泳显示装置为一个例子，使用附图说明带有本发明的半导体装置的电光学装置及其制造方法。
(1)电泳显示装置
图4是表示电泳显示装置的实施方式的纵截面图，图5是表示作为电泳显示装置带有的电路基板1的例子的有源矩阵装置结构的方块图。
另外，下面为了说明的方便，将图4和图5中的上侧称为“上”，下侧称为“下”。
图4所示的电泳显示装置20是具有电泳显示片(前面板)21、有源矩阵装置(后面板)22和气密性密封电泳显示片21和有源矩阵装置22之间间隙的密封部36。
电泳显示片21具有：具备平板状的基部31和在基部31下面设置的第二电极33的基板39、在该基板39下面(一侧)设置的微胶囊40和粘合剂材料41构成的微胶囊含有层400。
另一方面，有源矩阵装置22带有平板状基部30和在基部30上面设置的多个第一电极32。
如图5所示，有源矩阵装置22具有相互垂直的多个数据线301、多个扫描线302、在这些数据线301和扫描线302的各交点附近设置的晶体管11。
接着，晶体管11具有的栅电极2是连接在扫描线302上，源电极5是连接在数据线301上，漏电极6是连接在后述的像素电极(第一电极)32上。
在各胶囊40内分别封入特性不同的多种电泳粒子，本实施方式中是包含电荷和颜色不同的二种电泳粒子34a、34b，液相分散介质35的电泳分散液37。
下面说明各部的构成。
基部30和基部31分别由薄膜状(平板状)的部件构成，具有支持和保护它们之间配置的各部件的功能。
各基部30、31可以分别是具有挠曲性或硬质的产品的任何一种，优选具有挠曲性的产品。通过使用具有挠曲性的基部30、31，能获得具有挠曲性的电泳显示装置20，即例如在构筑电子纸方面有用的电泳显示装置20。
并且，作为制备具有挠曲性的各基部(基材层)30、31时的构成材料分别能列举有例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物等聚烯烃、改性聚烯烃、聚酰胺(例如尼龙6、尼龙46、尼龙66、尼龙610、尼龙612、尼龙11、尼龙12、尼龙6-12、尼龙6-66)、热塑性聚酰亚胺、芳香族聚酯等液晶聚合物、聚苯醚、聚苯硫醚、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚缩醛、苯乙烯系、聚烯烃系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、聚酯系、聚酰胺系、聚丁二烯系、反式聚异戊二烯系、氟橡胶系、氯化聚乙烯系等各种热塑性弹性体等、或以它们为主的共聚物、混合体、聚合物合金等，它们中可以单独使用1种或混合2种以上来使用。
这样等基部30、31的平均厚度可以分别根据构成材料、用途等适宜设定，没有特别限制，但是具有柔性时，优选为20～500μm左右，更优选为25～250μm左右。由此，既能调和电泳显示装置20等柔软性和强度，又能谋求电泳显示装置20的小型化(特别是薄型化)。
在这些基部30、31的微胶囊40侧的表面即基部30的上面和基部31的下面上分别设置层状(膜状)的第一电极32和第二电极33。
在第一电极32和第二电极33之间施加电压的话，在它们之间产生电场，该电场作用到电泳粒子(显示粒子)34a、34b上。
本实施方式中，第二电极33作为公用电极，第一电极32作为分割成矩阵状(行列状)的分立电极(连接到开关元件的像素电极)，第二电极33和一个第一电极32重叠的部分构成1个像素。
另外，第二电极33也可以和第一电极32一样分割成多个。
并且，也可以将第一电极32分割成条状，第二电极33也能同样分割成条状，将它们交替配置。
作为各电极32、33的构成材料，只要是各自基本上具有导电性，没有特别的限制，例如能列举有铜、铝、镍、钴、铂、金、银、钼、钽或含有它们的合金等金属材料、碳黑、碳纳米管、富勒烯(fullerene)等碳系材料、聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚(对亚苯基)、聚(对苯乙炔)、聚芴、聚咔唑、聚硅烷或它们的衍生物等电子导电性高分子材料、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚环氧乙烷、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯基咔唑、醋酸乙烯酯等矩阵树脂中分散NaCl、LiClO4、KCl、H2O、LiCl、LiBr、LiI、LiNO3、LiSCN、LiCF3SO3、NaBr、NaI、NaSCN、NaClO4、NaCF3SO3、KI、KSCN、KClO4、KCF3SO3、NH4I、NH4SCN、NH4ClO4、NH4CF3SO3、MgCl2、MgBr2、MgI2、Mg(NO3)2、MgSCN2、Mg(CF3SO3)2、ZnCl2、ZnI2、ZnSCN2、Zn(ClO4)2、Zn(CF3SO3)2、CuCl2、CuI2、CuSCN2、Cu(ClO4)2、Cu(CF3SO3)2等离子性物质等离子导电性高分子材料、铟锡氧化物(ITO)、掺氟的锡氧化物(FTO)、锡氧化物(SnO2)、铟氧化物(IO)等导电性氧化物材料这样等各种导电性材料，它们可以单独使用1种或2种以上混合使用。
作为其他的各电极32、33的构成材料，还可以分别使用例如在玻璃材料、橡胶材料、高分子材料等没有导电性等材料中混合金、银、镍、碳等导电性材料(导电性粒子)，赋予其导电性的各种复合材料。
作为这样的复合材料的具体例子，能列举有例如在橡胶材料中混合导电性材料的导电性橡胶、在环氧系、氨酯系、丙烯酸系等粘合剂组合物中混合导电性材料等导电性粘合剂或导电性糊剂、在聚烯烃、聚氯乙烯、聚苯乙烯、ABS树脂、尼龙(聚酰胺)、乙烯醋酸乙烯共聚物、聚酯、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、氨酯系树脂等矩阵树脂中混合导电性材料的导电性树脂等。
这样的电极32、33的平均厚度分别能根据构成材料、用途等适宜设定，没有特别限制，但是优选为0.05～10μm左右，更优选为0.05～5μm左右。
另外，在各基部30、31和各电极32、33中，在显示表明侧配置等基部和电极分别是具有光透过性等产品，即基本上透明(无色透明、有色透明或半透明)。由此，后述的电泳分散液37中的电泳粒子34a、34b的状态即电泳显示装置20中显示的信息(图像)能通过目视来容易地辨认。
另外，各电极32、33可以是由所述材料的单体构成的单层结构，此外还可以是依次叠层多种材料的多层结构。即，各电极32、33可以分别由ITO构成的单层结构，也可以是由ITO层和聚苯胺层的2层叠层结构。
电泳显示片21中，和第二电极33的下面接触，设置有含有微胶囊的层400。
该微胶囊含有层400是在胶囊主体(壳体)401中封入电泳分散液37的多个微胶囊40用粘合剂材料41固定(保持)来构成的。
微胶囊40是在有源矩阵装置22和基板39之间纵横并列以单层配置。
本实施方式中，通过第一电极32和第二电极33的夹持，微胶囊40呈在上下方向压缩，在水平方向扩张的扁平形状。换句话说，微胶囊40是在俯视的情况下为石垣结构。
通过这样的结构，电泳显示装置20中，有效显示区域增大，对比度良好。并且，因为能缩短电泳粒子34a、34b向上下方向的移动距离，能在短时间内移动电泳粒子34a、34b向规定的电极附近移动、集合，能提高响应速度。
并且，本实施方式中，相对于相邻的2个第一电极32，配置1个微胶囊40。即，微胶囊40以跨越相邻的2个第一电极32来配置。
作为胶囊主体(壳体)401的构成材料，例如能列举有明胶、阿拉伯橡胶和明胶的复合材料、氨酯系树脂、三聚氰胺系树脂、尿素树脂、聚酰胺、聚醚这样的各种树脂材料，它们中可以单独使用1种或2种以上的组合。
并且，在胶囊主体401的构成材料中也可以由交联剂形成交联(立体交联)。由此，一边能维持胶囊主体401的柔软性，一边能提高强度。结果能容易地防止微胶囊40的崩坏。
这样的微胶囊40优选其大小大致均匀。由此，能防止或降低电泳显示装置20显示不均的产生，发挥更优良的显示性能。
在胶囊主体401中封入的电泳分散液37是在液相分散介质35中分散(悬浮)至少一种电泳粒子34a、34b(本实施方式中，34a是着色粒子，34b是白色粒子)的制品。
电泳粒子34a、34b只要是具有荷电，通过电场作用在液相分散介质35中电泳的粒子(带电粒子)，可以使用任何的产品，没有特别限制，但是适合使用颜料粒子、树脂粒子或它们的复合粒子中的至少一种。这些粒子具有容易制造，以及较容易进行荷电控制的优点。
作为构成颜料粒子的颜料，例如能列举有苯胺黑、碳黑、钛黑等黑色颜料、氧化钛、氧化锑、硫酸钡、硫化锌、锌白、氧化硅、氧化铝等白色颜料、单偶氮、二偶氮、多偶氮等偶氮系颜料、异二氢吲哚酮、铬黄、黄色氧化铁、镉黄、钛黄、锑等黄色颜料、单偶氮、二偶氮、多偶氮等偶氮系颜料、喹吖酮红、铬朱红等红色颜料、酞菁蓝、阴丹士蓝、深蓝、永久蓝、钴蓝等蓝色颜料、酞菁绿等绿色颜料等，它们中可以单独使用1种或2种以上组合使用。
并且，作为构成树脂粒子的树脂材料，能列举有例如丙烯酸系树脂、氨酯系树脂、尿素系树脂、环氧系树脂、聚苯乙烯、聚酯等，它们中可以单独使用1种或2种以上组合使用。
并且，作为复合粒子，例如能列举有用树脂材料和其他颜料包覆颜料粒子的产品、用颜料包覆树脂粒子的表面的产品、以适当组成比混合颜料和树脂材料的混合物构成的粒子等。
作为用其他颜料包覆颜料粒子的表面的粒子，能列举有例如用氧化硅或氧化铝包覆氧化钛粒子的表面的产品，该粒子适合用作白色粒子34b。
并且，碳黑粒子或包覆其表面的粒子使用用作着色粒子(黑色粒子)34a。
并且，电泳粒子34a、34b的形状没有特别限制，但是优选为球形。
电泳粒子34a、34b的平均粒径优选为0.1～10μm左右，更优选为0.1～7.5μm左右。电泳粒子34a、34b的平均粒径在所述范围的话，可以可靠地防止电泳粒子34a、34b相互的凝聚或在液相分散介质35中的沉降，结果能适合地防止电泳显示装置20的显示质量的降低。
另一方面，作为液相分散介质35，适合使用对胶囊主体401的溶解性低，且具有比较高的绝缘性的产品。并且，这样的有机分散介质35是由极性低或实际上没有极性的非极性有机材料(非质子性分散介质)构成。
作为该液相分散介质35，例如能列举有醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、蚁酸乙酯等酯类、丙酮、甲乙酮、二乙酮、甲基异丁基酮、甲基异丙基酮、环己酮等酮类、戊烷、己烷、辛烷等脂肪族烃类(流动石蜡)、环己烷、甲基环己烷等脂环式烃类、苯、甲苯、二甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一碳烷基苯、十二碳烷基苯、十三碳烷基苯、十四碳烷基苯这样的具有长链烷基的苯类等芳香族烃类、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1，2-二氯乙烷等卤化烃类、吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族杂环类、乙腈、丙腈、丙烯腈等腈类、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等酰胺类、羧酸盐或其他各种油类等，它们可以单独使用或以混合物使用。
其中，液相分散介质35优选以具有长链烷基的苯类(特别是十二烷基苯)作为主要成分的产品。具有长链的烷基的苯类沸点比较高，由此可以在常温下降低挥发性。因此，例如在电泳分散液37的制造过程中，通过挥发液相分散介质35，能防止电泳粒子34a、34b的含量和水分含量等的变化。结果，能可靠地防止由该变化引起的电泳显示装置20的响应特性和显示性能的降低等。
进而，在液相分散介质35中，根据需要也可以溶解蒽醌系染料、偶氮系染料、靛青系染料、三苯基甲烷系染料、吡唑啉酮系染料、二苯乙烯系染料、二苯基甲烷系染料、咕吨系染料、茜素系染料、吖啶系染料、醌亚胺系染料、噻唑系染料、亚甲基系染料、硝基系染料、亚硝基系染料等各种染料。
该电泳粒子34a、34b向液相分散介质35的分散例如可以组合1种或2种以上的涂料振摇法、球磨法、介质磨法、超声波分散法、搅拌分散法等来进行。
并且，电泳粒子34a、34b的比重优选设定在和液相分散介质35的比重大致相等的范围内。由此，电泳粒子34a、34b在停止向电极32、33之间施加电压后，可以在液相分散液35中长时间滞留在一定位置。即，在电泳显示装置20中显示的信息可以长时间保持。
粘合剂材料41例如可以根据粘合有源矩阵装置22和基板39的目的、固定有源矩阵装置22和基板39与微胶囊40的目的、确保电极32、33间的绝缘性的目的等来提供。由此，能进一步提高电泳显示装置20的耐久性和信赖性。
该粘合剂材料41适合使用与各电极32、33和胶囊主体401(微胶囊40)的亲和性(粘合性)优良且绝缘性优良的树脂材料。
作为这样的粘合剂材料41，例如能列举有聚乙烯、氯化聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚丙烯、AS树脂、ABS树脂、甲基丙烯酸甲酯树脂、氯乙烯树脂、氯化烯-醋酸乙烯共聚物、氯乙烯-偏氯乙烯共聚物、氯乙烯丙烯酸酯共聚物、氯乙烯-甲基丙烯酸共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、乙烯-乙烯醇-氯乙烯共聚物、丙烯-氯乙烯共聚物、偏氯乙烯树脂、醋酸乙烯树脂、聚乙烯醇、聚乙烯缩甲醛、纤维素系树脂等热塑性树脂、聚酰胺系树脂、聚缩醛、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯醚、聚砜、聚酰胺酰亚胺、聚氨基双马来酰亚胺、聚醚砜、聚苯砜。聚芳酯、接枝化聚苯醚、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺等高分子、聚四氟乙烯、聚氟乙烯丙烯、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚偏氟乙烯、聚三氟化氯乙烯、氟橡胶等氟系树脂、硅树脂、硅橡胶等硅系树脂、聚氨酯等氨酯系树脂，其他还有甲基丙烯酸-苯乙烯共聚物、聚丁烯、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯-苯乙烯共聚物等各种树脂材料，它们可以单独使用一种或2种以上组合使用。
并且，粘合剂材料41优选设定其介电常数和所述液相分散介质35的介电常数大致相等。由此，在粘合剂材料41中优选添加例如1，2-丁二醇、1，4-丁二醇这样的醇类、酮类、羧酸盐等介电常数调节剂。
在基部30和基部31之间，沿着它们的边缘部设置密封部36。通过该密封部36，能气密地封闭各电极32、33和微胶囊含有层400。由此，能更可靠地防止水分侵入到电泳显示装置20内，防止电泳显示装置20的显示性能的劣化。
作为密封部36的构成材料，例如能列举有丙烯酸系树脂、氨酯系树脂、烯烃系树脂这样的热塑性树脂、环氧系树脂、三聚氰胺系树脂、苯酚系树脂这样的热固化性树脂等各种树脂材料等，它们可以单独使用一种或2种以上组合使用。
另外，密封部36可以根据需要设置，也可以省略。
这样的电泳显示装置20中，在1个或多个扫描线302上提供选择信号(选择电压)的话，连接到提供该选择信号(选择电压)的扫描线302上的电路基部1就接通。
由此，连接在该电路基板1上的数据线301和第一电极(像素电极)32基本上导通。此时，只要在数据线301上供给期望的数据(电压)的状态下，该数据(电压)就提供到第一电极(像素电极)32上。
由此，在第一电极(像素电极)32和第二电极33之间产生电场，根据该电场的方向、强度、电泳粒子34a、34b的特性等，电泳粒子34a、34b向任何之一的电极电泳。
另一方面，从该状态到停止向扫描线302提供选择信号(选择电压)的话，电路基板就关上，连接在该电路基板1上的数据线301和第一电极(像素电极)32处于非导通状态。
因而，通过适宜组合向扫描线302提供和停止选择信号、或向数据线301供给和停止数据，在电泳显示装置20的电泳显示片21侧(第二电极33侧)上能显示期望的图像(信息)。
特别的，本实施方式的电泳显示装置20中，通过使电泳粒子34a、34b的颜色不同，可以显示多灰度的图像。
并且，本实施方式的电泳显示装置20通过具有有源矩阵装置22，能选择地开/关连接到特定的扫描线302上的电路基板1，因此难以产生干扰的问题，并且，因为可以实现电路动作的高速化，能获得高质量的图像(信息)。
并且，本实施方式的电泳显示装置20因为在低驱动电压下工作，能节省电力。
这样的电泳显示装置的制造方法只要是包含制造本发明电路基板的方法，没有特别限制，可以使用公知的任何一种方法。例如可以根据下面的方法来制造。
(2)电泳显示装置的制造方法
图6分别是说明图4所示的电泳显示装置的制造方法的示意图。另外，下面的说明中，图6中的上侧称为“上”，下侧称为“下”。
[C1]微胶囊的制造方法
首先，制作封入电泳分散液37的微胶囊40。
作为微胶囊40的制造方法(向胶囊主体401封入电泳分散液37的方法)，没有特别限制，例如能使用表面聚合法、In-situ聚合法、相分离法、界面沉淀法、溅射干式法等各种微胶囊化方法。
并且，均匀大小的微胶囊40例如通过使用分门别类选择的方法、过滤法、比重差分级法等来获得。
微胶囊40的平均粒径优选为20～200μm左右，更优选为30～100μm左右。通过将微胶囊40的平均粒径控制在所述范围内，能更可靠地控制制造的电泳显示装置20中电泳粒子34a、34b的电泳。
[C2]微胶囊分散液的调制工序
接着，制备包含如上制得的微胶囊40、粘合剂材料41和分散介质的微胶囊分散液。
作为分散介质，优选亲水性高(即疏水性低)的溶剂(水系溶剂)。作为水系溶剂，具体的能列举有蒸馏水、纯水等水、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇等低级醇类等，它们中特别优选水。低级醇类中也可以引入甲氧基等疏水性低的取代基。通过使用这样的水系溶剂，更能可靠地抑制溶剂向微胶囊40的浸透，防止由于溶剂浸透引起的微胶囊40的膨润、溶解。
除掉微胶囊40的微胶囊分散液中的粘合剂材料41的浓度(含量)优选为50wt％以下，更优选为0.05～25wt％左右。
通过设定所述粘合剂材料41的浓度在所述范围，能将微胶囊分散液的粘度控制在适合的值，在后述的供给埋入微胶囊40间隙的微胶囊分散液的步骤中，能容易且可靠地移动微胶囊40。
并且，微胶囊分散液的粘度优选为1～1000cP(25℃)左右，更优选为2～700cP(25℃)左右。
并且，微胶囊分散液中微胶囊40的含量优选为10～80wt％左右，更优选为30～60wt％左右。
将微胶囊40的含量设定在所述范围内的话，微胶囊40以在厚度方向上不重叠的方式(单层)，在微胶囊含有层400中被移动(再配置)来设置上非常有利。
[C3]微胶囊含有层的形成工序
接着，准备如图6(a)所示的基板39。
接着，如图6(b)所示，在基板39上提供微胶囊分散液。
作为提供微胶囊分散液的方法，例如能使用旋涂法、浸渍涂敷法、喷涂法等各种涂敷法。
接着，根据需要，在基板39的各部中，以微胶囊分散液的厚度(量)均匀的方式，优选微胶囊40在厚度方向上不重叠地水平配置1个(单层)。
这可以通过例如如图6(c)所示，在基板39上通过刮板(平板状的夹具)100，扫过微胶囊40来进行。
由此，形成微胶囊含有层400，得到图6(d)所示的电泳显示片21。
[C4]有源矩阵装置的粘合工序
接着，如图6(e)所示，使第一电极32与微胶囊含有层400接触的方式在微胶囊含有层400上重合所述本发明电路基板1的制造方法中制造的电路基板1有源矩阵装置22。
由此，插入微胶囊含有层400，将电泳显示片21和有源矩阵装置22接合。
[C5]封闭步骤
接着，如图6(f)所示，沿着电泳显示显示薄膜21和有源矩阵装置22的边缘部，形成封闭部36。
这可以在电泳显示片21(基部31)和有源矩阵装置22(基部30)之间，将用于沿着它们边缘形成封闭部36的材料例如通过分配器等供给，通过固化或硬化形成。
经过以上步骤，得到电泳显示装置20。
<电子设备>
接着，说明带有本发明电路基板的电子设备。
本发明的电子设备例如能列举有个人电脑(便携式个人电脑)、手机、数字相机，此外还有电视和摄像机、取景器型、显示屏直看型磁带录像机、携带式计算机、汽车导航装置、电子纸、电子笔记本(也可以带通信功能)、电子辞典、电子计算器、电子游戏机、文字处理器、工作站、可视电话、防范用监视器、电子双目望远镜、POS机终端、带触摸屏的机器(例如金融机关的送钞机、自动售票机)、医疗仪器(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图显示装置、超声波诊断装置、内视镜用显示装置)、鱼群探测仪、各种测定仪器、测量装置(例如车辆、航空器、船舶的测量装置)、飞行模拟机、其他各种监视器类、投影机等投射型显示装置等。
(1)电子纸
图7是表示本发明电子设备电子纸的透视图。
该图中所示的电子纸600具有由可擦写薄膜构成的主体601和显示单元602，所述可擦写薄膜具有和纸一样的质感和柔软性。
这样的电子纸600中，显示单元602是由所述电泳显示装置20构成的。
这样的电子纸制造方法包含制备本发明电路基板的方法，或者是包含含有制造本发明电路基板的方法的电光学装置的制造方法，没有特别限制，也可以使用公知的任何一种方法。
(2)显示器
图8是表示本发明电子设备的显示器的图，(a)是截面图，(b)是俯视图。
该图所示的显示器800带有主体部801和可以对该主体部801自由安装卸下的电子纸600。另外，该电子纸600是所述这样来构成的，即和图7所示具有同样的结构。
主体部801是在器侧部(图中右侧)上形成可以插入电子纸600的插入口805的，并且在内部设置二组输送辊对802a、802b。通过插入口805在主体部801部内插入电子纸600的话，电子纸600通过输送辊802a、802b夹持的状态下设置在主体部801上。
并且，在主体部801的显示面侧(下图(b)中在纸面这一侧)上形成矩形状孔部803，在该孔部803上嵌入透明玻璃板804。由此，可以从主体部801的外部观察设置在主体部801上的电子纸600的状态。即，该显示器800是由显示面构成的，该显示面在透明玻璃板804中能观察主体部801上设置的电子纸600的状态。
并且，在电子纸600的插入方向前端(图中是左侧)上设置端子部806，在主体部801上设置电子纸600的状态下设置连接端子部806的插座807在主体部801的内部。该插座807使控制器808和操作部809电连接。
这样的显示器800中，电子纸600设置成可以在主体部801上自由装卸，也可以以从主体部801上取出的状态携带来使用。
并且，这样的显示器800其电子纸600是由所述电泳显示装置20构成的。
在有源矩阵装置中使用本发明的电路基板的这样的显示器800和显示器的数值孔径提供有关联性，是优选的。
这样的显示器800的制造方法包含制备本发明电路基板的方法，或者是包含含有制造本发明电路基板的方法的电光学装置的制造方法，没有特别限制，也可以使用公知的任何一种方法。
以上，说明了本发明的电路基板、电路基板的制造方法、带有该装置的电光学装置和电子设备，但是本发明不限于此。
实施例
1.薄膜晶体管的制造
(实施例1)
<1>源电极和漏电极形成工序
用异丙醇溶剂超声波清洗聚亚乙基萘酯基板(帝人デユポンフイルム公司制造；テオネツクスQ65注册商标)30分钟，进行表面脱脂处理。
接着，在该基板上真空蒸镀(1×10-4Pa)10nm的Cr，接着真空蒸镀100nmAu。使用光致抗蚀剂(东京应化工业公司制造，“TSMR8900”)，通过对Au和Cr的蚀刻，以沟长5μm、沟宽200μm、平均膜厚100nm的源电极和漏电极形成使该Au/Cr膜形成图案后，使用抗蚀剥离液除去抗蚀层。
<2>凹部形成步骤
接着，使用设定在RF功率200W、氧气流量100sccm下的等离子处理装置，在基板的源电极和漏电极之间的区域实施2分钟的氧气等离子处理。在该氧气等离子处理后使用接触式高度差计，测定源电极和漏电极之间区域的蚀刻深度，能确认有40nm的蚀刻。
<3>半导体层形成工序
使用聚-9，9-二辛基芴-共-二噻吩(F8T2)的0.5wt％甲苯溶液，通过喷墨装置对沟区域部分进行图案涂敷。然后，使用真空干燥机，在真空下60℃下干燥10分钟，形成膜厚为100nm的有机半导体层。
另外，为了使有机半导体层的膜厚为100nm，有机半导体层和栅绝缘层的界面位于源电极和漏电极与基板的界面之上。
<4>栅绝缘层形成工序
在有机半导体层上，通过旋涂法(2400rpm)涂敷聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的10wt％醋酸丁酯溶液后，在60℃下干燥。由此，形成凹部上的膜厚为1000nm的PMMA栅绝缘层。
<5>栅电极形成工序
通过喷墨法涂敷涂敷在甲苯中分散直径为10nm的金微颗粒的金微颗粒分散液(真空冶金公司制造，商品名“パ—フエクトゴ—ルド”)后，在80℃下干燥10分钟，形成宽10μm、膜厚1μm的栅电极。
通过以上步骤，获得在基板的源电极和漏电极之间区域具有凹部的顶栅·底接触型薄膜晶体管。
(实施例2)
在实施例1的<2>中，进行5分钟的氧气等离子体处理，源电极和漏电极间的蚀刻深度为100nm，此外和实施例1一样，得到顶栅·底接触型薄膜晶体管。另外，由于有机半导体层的膜厚为100nm，有机半导体层和栅绝缘层的界面与源电极和漏电极与基板的界面高度一样。
(实施例3)
在实施例1的<2>中，进行10分钟的氧气等离子体处理，源电极和漏电极间的蚀刻深度微200nm，此外和实施例1一样，得到顶栅·底接触型薄膜晶体管。另外，为了使有机半导体层的膜厚为100nm，有机半导体层和栅绝缘层的界面在源电极和漏电极与基板的界面之下。
(实施例4)
<1>基底绝缘层形成工序
在和实施例1的<1>进行同样的脱脂处理的基板上使用等离子CVD法形成膜厚为120nm的SiO2膜。
<2>源电极和漏电极形成工序
除了在基底绝缘层上形成以外，和实施例1一样，形成源电极和漏电极。
<3>凹部形成工序
使用1％的氢氟酸，在25℃下蚀刻获得的基板3分钟，仅完全除去没有覆盖到源电极和漏电极部分的SiO2膜，相对于源电极和漏电极之间的区域形成120nm的高度差。
<4>半导体层形成工序
对该基板真空蒸镀(1×10-4Pa)升华精制完毕的五嗯，形成膜厚为50nm的有机半导体层。另外，由于有机半导体层的膜厚为50nm，有机半导体层和栅绝缘层的界面在源电极和漏电极与基底绝缘层的界面下方。
<5>栅绝缘层的形成工序
和实施例1一样，形成栅绝缘层。
<6>栅电极形成工序
和实施例1一样形成栅电极。
通过所述工序，获得在基底绝缘层的源电极和漏电极之间区域具有凹部的、顶栅·底接触型薄膜晶体管。
(实施例5)
在实施例4的<3>中，通过进行25℃的蚀刻10秒，部分除去源电极和漏电极上没有覆盖部分的SiO2膜，对源电极和漏电极之间的区域形成20nm的高度差以外，和实施例4一样来进行，得到顶栅·底接触型的薄膜晶体管。另外，为了使有机半导体层的膜厚为50nm，有机半导体层和栅绝缘层的界面在源电极和漏电极与基底绝缘层的界面之上。
(实施例6)
在实施例4的<1>中，在聚-对亚二甲苯基膜形成装置上设置进行脱脂处理的基板，进行成膜。即，在减压下(1托)、设定在180℃的温度下的气化炉中引入二氯对亚二甲苯基二聚体，加热蒸发。接着，在0.5托、加热到650℃到分解炉中通入蒸发到这些化合物，热分解，产生自由基单体。然后，在设定为0.05托、室温(25℃)的蒸镀室中引入产生的自由基单体，在蒸镀室中设置的基板上蒸镀10分钟，形成膜厚为120nm到聚-(二氯)-对亚二甲苯基制得的基底绝缘层。
该基底绝缘层形成工序以后的工序和实施例4一样进行，得到顶栅·底接触型薄膜晶体管。
(实施例7)
<1>基底绝缘层形成工序
在和实施例6一样形成膜厚120nm的聚-(二氯)-对亚二甲苯基制得的基底绝缘层。
<2>源电极和漏电极形成工序
和实施例4的<2>一样，形成源电极和漏电极。
<3>凹部形成工序
和实施例5一样进行，相对于源电极和漏电极之间的区域形成60nm的高度差。
<4>半导体层形成工序
和实施例4的<4>一样进行，形成膜厚为50nm的有机半导体层。另外，由于使有机半导体层的膜厚为50nm，有机半导体层和栅绝缘层的界面在源电极和漏电极与基底绝缘层的界面之下。
<5>栅绝缘层的形成工序
和实施例6一样进行，形成膜厚为120nm的聚-(二氯)-对亚二甲苯基制得的栅绝缘层。
<6>栅电极形成工序
和实施例4的<6>一样形成栅电极。
通过所述工序，获得在基底绝缘层的源电极和漏电极之间区域具有凹部的、顶栅·底接触型的薄膜晶体管。
(比较例)
除了不进行实施例1的<2>凹部形成工序以外，和实施例1一样进行，得到顶栅·底接触型的薄膜晶体管。
2.评价
使用半导体参数分析器(アジレント·テクノロジ—公司制造：4156C)，施加-40V的漏电压，测定栅电压从+10V扫描到-40V时的漏电流。其结果示于表1和图9中。另外，表1中的各项目用下面的方法求得。
(1)反向电流
从获得的栅电压和漏电流的关系图(图9)求得栅电压为0时的电流。
(2)开关比
求出栅电压为0V时和栅电压为-40V时的漏电流之比。
(3)迁移率、阈值电压
由以漏电流的1/2幂为纵轴，栅电压为横轴的图的直线截距求得阈值电压，并且从直线的斜率计算饱和区域的晶体管的迁移率。
表1
栅绝缘层 基底绝缘层   凹部(nm)   有机半导体层(nm)   反向电流(A)   开关比 迁移率(cm2/Vs)   阈值电压(V)
实施例1     PMMA     无   40   100   3×10-12   1×107   1×10-3   -5
实施例2     PMMA     无   100   100   4×10-13   3×107   4×10-3   -2
实施例3     PMMA     无   200   100   2×10-13   2×103   2×10-3   -3
实施例4     PMMA     SiO2   120   50   1×10-12   8×105   1.2   -5
实施例5     PMMA     SiO2   20   50   3×10-12   1×106   1.0   -6
实施例6 PMMA     聚-(二氯)-对亚二甲苯基 120 50 3×10-12 2×108 1.5 -4
实施例7     聚-(二氯)-对亚二甲苯基     聚-(二氯)-对亚二甲苯基   60   50   1×10-12   5×106   1.6   -2
比较例     PMMA     无   0   100   5×10-10   1×105   1×10-3   -10
如表1和图9所示，任何一个实施例和比较例相比，反向电流、开关比、迁移率和阈值电压的任何一个都有良好的结果，能获得高性能下可靠性高的晶体管。特别的，实施例1～3的开关比有8位数，实施例5～7有7位数，得到良好的特性。从该结果可以明显看出形成凹部下能获得优良的特性。
并且，从实施例4～7的结果可以看出有无基底绝缘层没有影响。
进而，从实施例6、7的结果看出基底绝缘层和/或栅绝缘层中含有通式(1)表示的化合物的话，能获得迁移率进一步提高的优良性能。
另外，实施例4～7中，也调查图9所示的栅电压和漏电流的关系，得到和实施例1～3相同的结果。

Claims (15)

1、一种电路基板，其特征在于，包括：
基板；
形成于所述基板上的源电极和漏电极；
形成于所述源电极和漏电极上的有机半导体层；
形成于所述有机半导体层上的栅绝缘层；和
形成于所述栅绝缘层上的栅电极，
所述基板包括第一部分、第二部分和夹在所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第一部分的厚度和所述第二部分的厚度大于所述第三部分的厚度，
所述源电极形成于所述第一部分上，
所述漏电极形成于所述第二部分上，
所述有机半导体层的一部分形成于所述第三部分上，
位于所述第一部分和第二部分上的所述栅绝缘膜的膜厚小于位于所述第三部分上的所述栅绝缘膜的膜厚。
2、如权利要求1所述的电路基板，其中，
所述第一部分或所述第二部分的膜厚与所述第三部分的膜厚之差比在所述第三部分上形成的所述有机半导体层的一部分的膜厚大。
3、一种电路基板，其特征在于，包括：
基板；
在该基板的一面侧设置的源电极、漏电极和栅电极；
使该源电极和漏电极与该栅电极绝缘的栅绝缘层；和
与该栅绝缘层相接而设置的有机半导体层，
在形成所述有机半导体层的所述源电极和漏电极间的区域，具有底面位于所述基板的内部或基板侧的凹部，
所述有机半导体层的所述源电极和漏电极间的区域中与所述栅绝缘层的界面设定在比该区域以外的区域中与所述栅绝缘层的界面更靠向所述基板侧。
4、如权利要求3所述的电路基板，其中，
位于所述源电极和漏电极间的区域的所述有机半导体层位于所述基板内。
5、如权利要求3或4所述的电路基板，其中，
所述凹部形成于所述源电极和漏电极间的区域。
6、如权利要求3～5中任一项所述的电路基板，其中，
所述凹部的深度为1～1000nm。
7、如权利要求3～6中任一项所述的电路基板，其中，
所述有机半导体层的平均厚度是与所述凹部的深度相同或比其小的厚度。
8、如权利要求3～7中任一项所述的电路基板，其特征在于，
所述有机半导体层的所述源电极和漏电极间的区域中与所述栅绝缘层的界面设定在与所述源电极和漏电极的所述基板侧的界面相同或比其靠向所述基板侧。
9、如权利要求1～8中任一项所述的电路基板，其中，
所述基板包括：基体和形成于所述基体上的基底绝缘层。
10、一种电路基板的制造方法，其为包括基板、源电极、漏电极、栅电极、栅绝缘层和有机半导体层的电路基板的制造方法，其特征在于，包括：
在所述基板的一面侧形成所述源电极和所述漏电极，并且在所述源电极和漏电极间的区域形成底面位于所述基板的内部或基板侧的凹部的工序；
形成所述有机半导体层，以使所述有机半导体层的所述源电极和漏电极间的区域中与所述栅绝缘层的界面设定在比该区域以外的区域中与所述栅绝缘层的界面更靠向所述基板侧的工序；
与所述有机半导体层相接而形成所述栅绝缘层的工序；和
相对于所述源电极和漏电极间介所述栅绝缘层而形成所述栅电极的工序。
11、如权利要求10所述的电路基板的制造方法，其中，
所述基板包括：基体和形成于所述基体上的基底绝缘层，该制造方法包括：在形成所述源电极和漏电极之前，以与所述基板的所述基体相接的方式形成所述基底绝缘层的工序，在该基底绝缘层上形成有所述凹部。
12、如权利要求10或11所述的电路基板的制造方法，其中，
在所述源电极和漏电极间的区域形成凹部的工序，通过以所述源电极和漏电极作为掩模蚀刻来进行。
13、如权利要求12所述的电路基板的制造方法，其中，
所述蚀刻利用氧等离子体来进行。
14、一种电光学装置，其特征在于，
具备：权利要求1～9中任一项所述的电路基板。
15、一种电子设备，其特征在于，
具备：权利要求14所述的电光学装置。
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