CN101043042A - 半导体装置 - Google Patents

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Abstract

一种半导体装置，其包括：半导体元件，其具有形成有成像区的上表面；透明构件，其与该半导体元件隔开指定的距离并且面向该半导体元件；以及密封构件，其构造为密封该半导体元件的边缘部分和该透明构件的边缘表面；其中，该透明构件中形成有凹槽形成部，所述凹槽形成部位于该透明构件的边缘表面侧，该边缘表面侧位于该半导体元件的该成像区的外缘的外部。

Description

半导体装置
技术领域
本发明整体涉及一种半导体装置，更具体而言，涉及一种具有透明构件的半导体装置。
背景技术
众所周知一种通过以下方式形成的固态图像传感装置，其通过将固态图像传感器与透明构件如玻璃、线路板，连接该固态图像传感器与该线路板的接线、密封树脂及其它部件封装并模块化而形成。在此，举例来说，固态图像传感装置为诸如电荷耦合器件(CCD)或互补型金属氧化物半导体(CMOS)的图像传感器。
图1为现有技术的固态图像传感装置的剖视图。图2为现有技术的固态图像传感装置的俯视图。图1为沿图2的线X-X剖开的剖视图。
参看图1和图2，在固态图像传感装置10的结构中，固态图像传感器8通过晶片接合(die bonding)构件6安装至线路板4，该线路板4具有形成有多个外部连接端子2的下表面。设置有大量微型透镜的成像区9形成于固态图像传感器8的上表面。固态图像传感器8通过接合线7电连接至线路板4。
另外，透明构件1如玻璃通过粘合剂层3而安装至固态图像传感器8的上方。固态图像传感器8和线路板4的设置有接合线7的部分、透明构件1的外圆周部分以及粘合剂层3的侧面部分均由密封树脂5密封。
因此，固态图像传感器8由透明构件1和密封树脂5密封。参见日本特开No.62-67863、No.2000-323692和No.2002-16194号公报。
然而，图1中所示的形成固态图像传感装置10的各构件的热膨胀系数互不相同。例如，用作固态图像传感器8的硅(Si)的热膨胀系数为3×10-6/℃，用作透明构件1的玻璃的热膨胀系数为7×10-6/℃，密封树脂5的热膨胀系数为8×10-6/℃，以及线路板4的热膨胀系数为16×10-6/℃。
此外，例如，用于将封装如摄像模组安装至线路板4上的回焊处理中的回焊炉内的温度达到约260℃。采用热作为固态图像传感装置10的可靠性测试。而且，在固态图像传感装置10的正常使用中，可以将固态图像传感装置10放置在大气条件下，其中夏季的温度可能会高于80℃。
因此，在温度变化的大气条件下，这些构件可能由于各构件的热膨胀系数的不同而受热膨胀或收缩，因而透明构件1可能受到来自密封树脂5和/或线路板4的应力。
此外，密封树脂可能吸收来自固态图像传感装置(半导体装置)10外部的湿气而膨胀，因而透明构件1可能受到来自密封树脂5的应力。
由此，如图3中所示，应力致使裂缝自透明构件1的外周部分产生，所述应力是由于形成固态图像传感装置10的各构件的热膨胀系数不同或基于密封树脂5吸收湿气所导致的膨胀而产生。在此，图3为用于说明图1中所示的固态图像传感装置10的问题的剖视图。
如果透明构件1中的裂缝6如图3中所示地那样延展以至于到达成像区9附近，那么通过透明构件1传递的折射光就不再均匀。由此，就可能产生光的漫反射，因而，在形成于成像区上的图像中可能产生异常如模糊(flare)。此外，由于裂缝的延展，就可能破坏透明构件1如玻璃。
发明内容
因此，本发明可以提供一种解决上述一个或多个问题的新颖、实用的半导体装置。
本发明的另一个且更具体的目的在于可以提供一种具有高可靠性的半导体装置，其能够防止由应力所导致的透明构件中的裂缝延展至半导体装置的成像区附近，所述应力由于形成固态图像传感装置的各构件的热膨胀系数不同或基于密封树脂吸收湿气所导致的膨胀而产生。
本发明的以上目的可以通过一种半导体装置而实现，该半导体装置包括：一种半导体装置，其包括：半导体元件，其具有形成成像区的上表面；透明构件，其与该半导体元件隔开指定的距离并且面向该半导体元件；以及密封构件，其构造为密封该半导体元件的边缘部分和该透明构件的边缘表面；其中，该透明构件中形成有凹槽形成部，所述凹槽形成部位于该透明构件的边缘表面侧，该边缘表面侧位于该半导体元件的该成像区的外缘的外部。
所述凹槽形成部的截面可具有以下构造：其中，底面为平的表面，并且多个侧面从该底面沿近似垂直于该底面的方向形成。所述凹槽形成部的截面可具有大致为V形的构造。凹槽形成部的截面可以为具有以下构造U形：其中，底面为弯曲的表面，并且多个侧面从该底面沿近似垂直于该底面的方向形成。
单个凹槽形成部可以在该透明构件的主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。多个凹槽形成部可以在该透明构件的主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。
根据本发明的实施例，可以提供一种具有高可靠性的半导体装置，其能够防止由应力所导致的透明构件中的裂缝延展至该半导体装置的成像区附近，所述应力由于形成固态图像传感装置的各构件的热膨胀系数不同或基于密封树脂吸收湿气所导致的膨胀而产生。
通过阅读以下结合附图所进行的详细描述，将会更加清楚本发明的其它目的、特征和优点。
附图说明
图1为现有技术的固态图像传感装置的剖视图；
图2为现有技术的固态图像传感装置的俯视图；
图3为用于说明图1中所示的固态图像传感装置的问题的剖视图；
图4为本发明第一实施例的固态图像传感装置的剖视图；
图5为图4中所示的固态图像传感装置的俯视图；
图6为示出了以下状态的剖视图，其中在图4中所示的固态图像传感装置中，透明构件的裂缝的延展受到凹槽形成部的阻止；
图7为本发明第二实施例的固态图像传感装置的剖视图；
图8为示出了以下状态的剖视图，其中在图7中所示的固态图像传感装置中，透明构件的裂缝的延展受到凹槽形成部的阻止；
图9为本发明第三实施例的固态图像传感装置的剖视图；
图10为示出了以下状态的剖视图，其中在图9中所示的固态图像传感装置中，透明构件的裂缝的延展受到凹槽形成部的阻止；
图11为用于说明本发明实施例的固态图像传感装置制造方法的第一实例的第一视图；
图12为用于说明本发明实施例的固态图像传感装置制造方法的该第一实例的第二视图；
图13为用于说明本发明实施例的固态图像传感装置制造方法的该第一实例的第三视图；
图14为用于说明本发明实施例的固态图像传感装置制造方法的该第一实例的第四视图；
图15为用于说明本发明实施例的固态图像传感装置制造方法的第二实例的视图；以及
图16为用本发明实施例的固态图像传感装置制造方法的该第二实例制造的固态图像传感装置的俯视图。
具体实施方式
以下参考图4-图16对本发明的实施例进行描述。更具体而言，参考图4至图10对本发明的实施例的半导体装置进行讨论，并且参考图11至图16对该半导体装置的制造方法进行讨论。
首先说明半导体装置。
在以下说明中，对作为本发明的实例的固态图像传感装置进行讨论。
1.本发明第一实施例的固态图像传感装置
参考图4至图6，对本发明第一实施例的固态图像传感装置进行讨论。
在此，图4为本发明第一实施例的固态图像传感装置的剖视图。图5为图4中所示的固态图像传感装置的俯视图。图4为沿图5的线X-X剖开的剖视图。图6为示出了以下状态的剖视图，其中在图4中所示的固态图像传感装置中，透明构件的裂缝的延展受到凹槽形成部的阻止。
参看图4和图5，本发明第一实施例的固态图像传感装置20具有以下结构，其中作为半导体元件的固态图像传感器28与透明构件21、多个接合线27、线路板24、密封树脂25及其它部件封装在一起。固态图像传感器28由透明构件21和密封树脂25密封。换句话说，固态图像传感器28通过晶片接合构件19而安装至具有形成有多个外部连接端子的下表面的线路板24上。
设置有大量微型透镜的成像区29形成于固态图像传感器28的上表面的光接收区域中。固态图像传感器28的电极(未示出)通过多个接合线27而连接至线路板24的电极(未示出)。
透明构件21通过由环氧基树脂制成的粘合剂层23而以指定距离设置于固态图像传感器28上方。构成粘合剂层23的材料并不限于环氧基树脂。举例来说，液态树脂如紫外线固化型粘合剂可用作粘合剂层23。
由于透明构件21设置成距固态图像传感器28一定距离，所以由透明构件21与固态图像传感器28所形成的空间中就存有空气。
由于空气与微型透镜29之间的折射指数不同，所以通过透明构件21入射的光就有效地入射在形成于固态图像传感器28的主表面上的光接收元件，即光电二极管上。
硅(Si)等可用作形成固态图像传感器28的半导体衬底。此外，玻璃、透明塑料、水晶、石英、蓝宝石等可以用作透明构件21。然而，本发明并不限于这些实例。
固态图像传感器28与设置有多个接合线27的部分覆盖着密封树脂25，因而密封树脂25的最上部与透明构件21的上表面，即与面向固态图像传感器28的表面相对的表面高度相同。
举例来说，硅基树脂、丙烯酸基树脂、环氧树脂等可以用作密封树脂25。然而，本发明并不限于此。
如图5所示，在这个实施例中具有以下构造：即多个凹槽形成部26在板形透明构件21的主表面的四个侧边附近沿各相应侧边、以平行于各侧边的方式形成。
如图4所示，在这个实施例中，凹槽形成部26的截面具有以下构造，其中底面为平的表面，并且多个侧面从该底面沿大致垂直于该底面的方向形成。靠近透明构件21的中心(内侧)设置的侧面26-1的位置与成像区29的外缘处于相同的位置或者位于其外部(外侧)。
举例来说，凹槽形成部26沿左右方向的宽度可以等于或大于0.05mm左右，并且等于或小于0.2mm左右。然而，凹槽形成部26的位置越靠近形成有成像区29的位置处，穿过透明构件21的斜射光有时可能取决于凹槽形成部26的形成情况而不会入射在成像区29上。因此，优选的是通过考虑这一点而确定待形成的凹槽形成部26的位置。
另外，沿中心方向的入射光在侧面26-1上反射，从而变成散射光。如果散射光入射在成像区上，图像中就可能出现诸如模糊等缺陷。由此，可以将防反射法，如使表面粗糙法、防反射膜法、黑色法等应用于凹槽形成部26的侧面26-1上。
同时，其取决于固态图像传感器28和透明构件21的性能，在采用兆象素型的传感器的情况下，透明构件21沿图4中上下方向的厚度通常等于或大于0.3mm左右，并且等于或小于1.5mm左右。凹槽形成部26沿上下方向的深度大约为透明构件21的厚度的50％至90％。
同时，用作固态图像传感器28的硅(Si)的热膨胀系数为3×10-6/℃，用作透明构件21的玻璃的热膨胀系数为7×10-6/℃，密封树脂25的热膨胀系数为8×10-6/℃，以及线路板24的热膨胀系数为16×10-6/℃。
由于各构件的热膨胀系数不同，所以透明构件21、密封树脂25以及固态图像传感器28可能因受热而膨胀或收缩，因而透明构件21可能接收来自密封树脂25和/或线路板24的应力。
此外，密封树脂25可以吸收固态图像传感装置20外部的湿气而膨胀，因而透明构件21可能受到来自密封树脂25的应力。
因此，如图6中所示，应力致使裂缝27自透明构件21的外周部分产生，所述应力由于形成固态图像传感装置20的各构件的热膨胀系数不同或基于密封树脂25吸收湿气所导致的膨胀而产生。
然而，在这个实施例中，凹槽形成部26沿着四个侧边而形成于板形透明构件21的主表面的四个侧边附近。因此，如图6中所示，即使产生裂缝27，裂缝27的延展也能够受到凹槽形成部26的阻止，更具体而言，受到图6中所示实例的凹槽形成部26的底部的拐角部的阻止。
尤其是，在上述实施例中，靠近透明构件21的中心设置的侧面26-1位于与成像区29的外缘相同的位置或者位于其外部。因此，可以阻止裂缝27向内侧延展至透明构件21的、相应于形成成像区29的部分。因此，就不会对通过透明构件21传递的光的折射产生不利作用。因此，就可以阻止发生透镜性能显著降低进而降低图像质量的情况。此外，可以防止透明构件21如玻璃受损。因此，可以改善固态图像传感装置20的可靠性。
在这个实施例中，单个凹槽形成部26在板形透明构件21的主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。然而，本发明并不限于此。多个凹槽形成部26可以在板形透明构件21的主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。
2.本发明第二实施例的固态图像传感装置
参考图7和图8，对本发明第二实施例的固态图像传感装置进行讨论。
在此，图7为本发明第二实施例的固态图像传感装置的剖视图。图8为示出了以下状态的剖视图，其中在图7中所示的固态图像传感装置中，透明构件的裂缝的延展受到凹槽形成部的阻止。在以下说明中，对与图4至图6中所示的部件相同的部件给以相同的附图标记，并且省略对其的说明。
在本发明的上述第一实施例中，凹槽形成部26的截面具有以下构造，其中底面为平的表面，并且多个侧面从该底面沿大致垂直于该底面的方向形成。此外，在透明构件21的中心侧设置的侧面26-1位于与成像区29的外缘相同的位置或者位于其外部。然而，本发明并不限于本实例。可以使用图7所示的结构。
参看图7，在本发明第二实施例的固态图像传感装置30中，多个凹槽形成部36沿着四个侧边形成于板形透明构件31的主表面的四个侧边附近。凹槽形成部36具有V形的截面。在图7中箭头所示的、形成V形构造的侧面与透明构件31的主表面互相接触的部分位于与半导体元件的成像区29的外缘相同的位置或者位于其外部。
因此，在这个实施例中，如图8所示，即使产生裂缝37，裂缝37的延展也会由凹槽形成部36所阻挡，更具体而言，会受到形成凹槽形成部36的V形截面的两侧面互相接触的部分的阻挡。
在这个实施例中，如上所述，透明构件31的侧面36-1与透明构件31的主表面互相接触的部分位于与成像区39的外缘相同的位置或者位于其外部，其中所述侧面36-1形成V形截面并靠近透明构件31的中心设置。
因此，可以阻止裂缝37延展至透明构件31的、与形成成像区29的位置相对应的部分。因此，就不会对通过透明构件31传递的光的折射产生不利作用。因此，就可以阻止发生透镜性能显著降低进而降低图像质量的情况。此外，可以防止透明构件31如玻璃受损。因此，可以改善固态图像传感装置30的可靠性。
在这个实施例中，单个凹槽形成部36在板形透明构件31的主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。然而，本发明并不限于此。多个凹槽形成部36可以在板形透明构件31主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。
3.本发明第三实施例的固态图像传感装置
参考图9和图10，对本发明第三实施例的固态图像传感装置进行讨论。
在此，图9为本发明第三实施例的固态图像传感装置的剖视图。图10为示出了以下状态的剖视图，其中在图9中所示的固态图像传感装置中，透明构件的裂缝的延展受到凹槽形成部的阻止。在以下说明中，对与图4至图6中所示的部件相同的部件给以相同的附图标记，并且省略对其的说明。
在本发明的上述第一实施例中，凹槽形成部26的截面具有以下构造，其中底面为平的表面，并且多个侧面从该底面沿大致垂直于该底面的方向形成。此外，在靠近透明构件21的中心设置的侧面26-1位于与成像区29的外缘相同的位置或者位于其外部。
在本发明的上述第二实施例中，凹槽形成部36的截面大致为V形构造。形成凹槽形成部36的V形截面的侧面36-1与透明构件31的主表面互相接触的部分位于与成像区29的外缘相同的位置或者位于其外部。
然而，本发明并不限于本实例。可以使用图9所示的结构。
参看图9，在本发明第二实施例的固态图像传感装置40中，凹槽形成部46沿着四个侧边形成于板形透明构件31的主表面的四个侧边附近。凹槽形成部46具有U形截面，其中：底面为弯曲的表面，并且多个侧面从该底面沿大致垂直于该底面的方向形成。
由图9中的箭头所示的、透明构件41的靠近中心设置的侧面46-1与透明构件41的主表面互相接触的部分位于与半导体元件的成像区29的外缘相同的位置或者位于其外部。
因此，在这个实施例中，如图10所示，即使产生裂缝47，裂缝47的延展也会受到凹槽形成部46的阻挡，更具体而言，会受到形成凹槽形成部46的U形截面的侧面和底面互相接触的部分的阻挡。
在这个实施例中，如上所述，形成U形截面的侧面46-1与透明构件41的主表面互相接触的部分位于与成像区29的外缘相同的位置或者位于其外部。
因此，可以阻止裂缝47延展至透明构件41的与形成成像区29的位置相对应的部分。因此，就不会对通过透明构件31传递的光的折射产生不利作用。因此，就可以阻止发生透镜性能显著降低进而降低图像质量的情况。此外，可以防止透明构件41如玻璃受损。因此，可以改善固态图像传感装置40的可靠性。
在这个实施例中，单个凹槽形成部46在板形透明构件41的主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。然而，本发明并不限于此。多个凹槽形成部46可以在板形透明构件41的主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。
其次描述半导体装置的制造方法。
接下来，对如上所述的固态图像传感装置的制造方法来进行讨论。
1.固态图像传感装置的制造方法的第一实例
参考图11至图14，对固态图像传感装置20、30和40的制造方法的第一实例进行讨论。
在此，图11至图14提供了第一视图至第四视图，用以说明本发明实施例的固态图像传感装置的制造方法的第一实例。在以下说明中，对固态图像传感装置20的制造方法的实例进行讨论。
参看图11-(a)，用宽度(边缘厚度)约为0.05mm至0.2mm的切割刀片50对由矩形玻璃板形成的透明板210进行切割，从而形成凹槽形成部26。用于该过程中的切割刀片50与用于图11-(b)所示的透明板210的切割过程的切割刀片相同。
参看图5，多个凹槽形成部26沿着四个侧边形成于板形透明构件21(透明板210的切割件)的主表面的四个侧边附近。
当其取决于图4所示的固态图像传感器28和图4所示的透明构件21的性能时，在采用兆象素型传感器的情况下，透明构件21沿图4中上下方向的厚度通常等于或大于0.3mm左右，并且等于或小于1.5mm左右。由刀片50切割的凹槽形成部26沿上下方向的深度大约为透明板210的厚度的50％至90％。
切割刀片50的截面具有以下构造，其中底面为平的表面，并且多个侧面从所述底面沿大致垂直于该底面的方向形成。通过该切割刀片50形成具有与此相对应的截面的凹槽形成部。
此外，如参考图4所进行的讨论，设置于透明构件的中心侧处的侧面26-1选择成位于与成像区29的外缘相同的位置或者位于其外部。
如上所述，在固态图像传感器30的凹槽形成部36具有V形构造的截面的情况下，采用具有V形截面的切割刀片用于形成凹槽形成部。在固态图像传感器40的凹槽形成部46具有U形截面的情况下，采用具有U形截面的切割刀片形成凹槽形成部。
接下来，如图11-(b)所示，通过使用图11-(a)所示的过程中使用的切割刀片50，对透明板210进行切割，切割刀片50穿透相邻凹槽形成部26之间的区域从而形成多个透明构件21，所述透明构件可在以下过程中固定于固态图像传感器28上方，并且具有形成有凹槽形成部26的两侧部分。
接下来，如图12-(c)所示，固态图像传感器28通过晶片接合构件19安装并固定至线路板24上。
其后，如图12-(d)所示，图11-(b)所示的过程中形成的透明构件21设置于安装至线路板24上的固态图像传感器28的光接收表面上方，所述透明构件21通过由环氧基树脂制成的粘合层23而与所述固态图像传感器28隔开指定距离。构成粘合层23的材料并不限于环氧基树脂。举例来说，紫外线固化型粘合剂可用作粘合剂层23的材料。粘合层23可以预先形成于玻璃侧。
接下来，如图13-(e)所示，通过接合线27连接固态图像传感器28的电极和线路板上的电极。
其后，如图13-(f)所示，由密封树脂25密封固态图像传感器28、透明构件21、接合线27以及线路板24。在这种情况下，由于需要透明构件21的表面露出，所以该表面用众所周知的传递模塑法密封，其中表面由离型膜51推动并且使用模具52。
接下来，如图14-(g)所示，线路板24的另一个主表面上形成外部连接端子22如焊球。随后，如图14-(h)所示，通过使用切割刀片55来进行制件过程，从而获得如图4所示的固态图像传感装置20。
2.固态图像传感装置的制造方法的第二实例
参考图15，对固态图像传感装置的制造方法的第二实例进行讨论。
在此，图15为用以说明本发明实施例的固态图像传感装置的制造方法的第二实例。
虽然在固态成像传感装置20的制造方法的第一实例中通过使用的切割刀片50来在透明板210中形成凹槽形成部26，但是在第二实例中通过蚀刻来形成凹槽形成部26。
如图15-(a)所示，将抗蚀剂60应用于透明板210的表面上。此外，应当通过图15-(b)和图15-(c)所示的过程形成凹槽形成部26的部分露出从而没有遮盖。就是说，对于凹槽形成部26的宽度约为0.05至0.2mm的位置，相应的抗蚀剂60的位置露出并且没有遮盖。随后，通过如图15-(c)所示那样切割透明构件21，凹槽形成部26沿着透明构件21的主表面的四个侧边并在其附近形成为框架形状，因而靠近透明构件21的中心设置的侧面26-1位于与成像区29的外缘相同的位置或者位于其外部。
接下来，如图15-(b)所示，通过使用蚀刻液体如氢氟酸来对透明板210进行蚀刻，从而形成凹槽形成部26。
如上所述，当其取决于图4所示的固态图像传感器28和图4所示的透明构件21的性能时，在采用兆象素型传感器的情况下，透明板210沿图4中的上下方向的厚度通常等于或大于0.3mm左右，并且等于或小于1.5mm左右。用于形成凹槽形成部26的蚀刻量大约为透明板210的厚度的50％至90％。
其后，如图15-(c)所示，对透明板210进行切割，以穿透相邻凹槽形成部26之间的区域。由此，形成多个凹槽形成部26形成于两侧的透明构件21。透明构件21的尺寸适用于固态图像传感器28。
此后，进行与图12至图14所示的、固态图像传感装置制造方法的第一实例的过程相同的过程，从而获得固态图像传感装置20。
图16为用本发明实施例的固态图像传感装置制造方法的第二实例制造的固态图像传感装置20的俯视图。
在固态图像传感装置的制造方法的第二实例中，不同于通过使用切割刀片50来在透明板210中形成凹槽形成部26的固态图像传感装置的制造方法的第一实例，其通过蚀刻来形成凹槽形成部26。因此，在透明构件21的主表面上，凹槽形成部可以容易地形成框架形状，而不会使四个凹槽形成部在主表面的四个侧边形成拐角处彼此交叉。
本发明并不限于这些实施例，而是在不背离本发明的范围的情况下，可以做出各种变化与改变。
例如，在上述实施例中，透明构件的凹槽形成部通过使用切割刀片或蚀刻方法来形成。然而，形成本发明的凹槽形成部的方法并不限于这些实例。例如，构成透明构件的材料如玻璃、塑料等可以通过具有与凹槽形成部相对应的构造的模具融化，从而可以通过模制来形成具有凹槽形成部的透明构件。
此外，例如，在上述实施例中，对作为本发明的半导体装置的实例的固态图像传感装置进行说明，并且对作为本发明的形成半导体装置的半导体元件的实例的固态图像传感器进行说明。然而，本发明并不限于此。半导体元件并不限于固态图像传感器如图像传感器，而是，举例来说，使用玻璃的指纹传感器。此外，本发明可以应用于半导体装置如光学模块或可擦可编程只读存储器(EPROM)。
本专利申请基于2006年3月22日提交的日本优先权专利申请No.2006-79062，其全部内容在此引入作为参考。

Claims (13)

1.一种半导体装置，其包括：
半导体元件，其具有形成有成像区的上表面；
透明构件，其与该半导体元件隔开指定的距离并且面向该半导体元件；以及
密封构件，其构造为密封该半导体元件的边缘部分和该透明构件的边缘表面；
其中，该透明构件中形成有凹槽形成部，所述凹槽形成部位于该透明构件的边缘表面侧，该边缘表面侧位于该半导体元件的该成像区的外缘的外部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，该凹槽形成部的截面具有以下构造：其中，底面为平的表面，并且多个侧面从该底面沿近似垂直于该底面的方向形成。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述凹槽形成部的、靠近该透明构件的中心设置的侧面位于与该半导体元件的该成像区的该外缘相同的位置或者位于该外缘的外部。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述凹槽形成部的宽度等于或大于0.05mm左右，并且等于或小于0.2mm左右。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述凹槽形成部的截面具有近似V形的构造。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，
其中，截面为近似V形构造的所述凹槽形成部的靠近该透明构件的中心的侧面与该透明构件的主表面互相接触的部分，位于与该半导体元件的该成像区的该外缘相同的位置或者位于该外缘的外部。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述凹槽形成部的截面为具有以下构造的U形：其中，底面为弯曲的表面，并且多个侧面为从该底面沿近似垂直于该底面的方向形成。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
其中，截面为近似U形构造的所述凹槽形成部的靠近该透明构件的中心的侧面与该透明构件的主表面互相接触的部分位于与该半导体元件的该成像区的该外缘相同的位置或者位于该外缘的外部。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述凹槽形成部的深度约为该透明构件的厚度的50％至90％。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，单个所述凹槽形成部在该透明构件的主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，多个所述凹槽形成部在该透明构件的主表面的四个侧边中的各侧边附近沿相应侧边形成。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述凹槽形成部通过切割刀片的切割形成；以及
所述凹槽形成部的截面的构造与该切割刀片的截面的构造相对应。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述凹槽形成部通过蚀刻该透明构件来形成。
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