CN101030537A - 等离子体蚀刻的装置与方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是有关于一种等离子体蚀刻的装置与方法，尤其是一种在等离子体反应器中蚀刻基材的装置与方法，其中等离子体反应器包含了固定基材的静电吸盘。首先，提供直流电压予静电吸盘，此直流电压使基材上带有静电荷。之后，再以等离子体蚀刻此基材，接着再将直流电压中断，以及利用射频源中和等离子体反应室中基材上的静电荷。本发明能够消除现有的等离子体蚀刻过程中存在微弧光放电损害的问题，而提供一种高效率和高准确度的等离子体蚀刻的装置与方法。

Description

等离子体蚀刻的装置与方法
技术领域
本发明涉及一种半导体制程的装置与方法，特别是涉及一种等离子体蚀刻的装置与方法。
背景技术
半导体集成电路的制造方式为将复杂图案的金属导线形成于半导体基材上。随着集成电路元件以及电路图案尺寸的缩小，相邻金属导线间的距离也进一步缩小。如何在高外观比值(Aspect Ratio)的情况下，在导线之间形成无孔洞的沟填(void-less gapfill)的介电层为一大挑战。而在图案尺寸缩小所面对的另一挑战为要如何精准地在基材上形成金属导线或其他材料层。
为了满足前述所提及的需要，传统上是使用例如真空等离子体处理器(vacuum plasma processors)来操作，同时使用静电吸盘(ElectroStasticChuck；ESC)来固定基材的位置。真空等离子体处理器包含了真空室(vacuumchamber)，真空室中具有一个静电吸盘，用以固定基材。在等离子体蚀刻与等离子体薄膜沉积的过程中，基材被固定于静电吸盘上。在等离子体蚀刻与等离子体薄膜沉积的制程中，主要是利用射频源(Radio frequencysource)对进入真空室的一种或多种气体作用，使之形成等离子体。此外，在等离子体真空室中可能会导入其他气体，作为热的传输媒介，用以提高真空室中的热传导。为避免在蚀刻或薄膜制程中基材的移动，一般而言，基材会通过静电吸附的方式固定于静电吸盘上。换句话说，静电吸盘可借由一直流电压来供电，使静电吸盘表面布满静电荷。一般而言，基材的材料为半导体材料，因此静电荷可进一步由静电吸盘转移到基材表面。
在前述提及的真空等离子体处理器中，基材表面具有多个金属板(metal board)区域。两两金属板之间是由金属线所组成的连接桥(connecting bridge)来进行连接。当双极性静电吸盘(bipolarelectrostatic chuck)吸附基材时，金属板上将会分别布满正电荷或负电荷，基材依靠静电吸引的方式固定在静电吸盘上。当进行移除(de-chucking)时，正负电荷将会互相吸引进而抵销，于连接桥上形成中和电流(counteracting current)，此中和电流常会导致连接桥受到损害。若连接桥的单位截面积不足以承受此中和电流所产生的能量的话，将使得构成连接桥的金属线断裂，此现象称之为微弧光放电损害(micro-arcing)。
微弧光放电损害一般常发生于基材移除的过程中，为克服此问题，单极性静电吸盘(Mono-Polar ESC)现有习知上是以一反向电压配合等离子体(Plasma)来消除基材上的静电荷。此反向电压使静电吸盘于等离子体环境下吸引与原先感应相反极性的静电荷以互相抵销来减少静电吸盘与基材之间的吸引力。此反向电压的大小可经由实验或借由监控基材上的电流脉冲(pulse)的振幅来决定。
借由基材上电流脉衡的监控来决定反向电压大小的方式，一般而言并不适用于玻璃或介电质材料的基材。此外，若改以实验的方式来决定反向电压的大小，又会有耗时、不精确以及无效率等问题。
双极性静电吸盘(Bi-Polar ESC)则以其双载子特性，可不需透过等离子体环境，只要切离电源即自行完成静电荷中合和使基材得以移除(Dechuck)。然而随着半导体发展，线径越来越细，此自行中和的过程，其中和电流常常造成微弧光放电损害(micro-arcing)，使连接桥金属线断裂。
有鉴于上述现有的等离子体蚀刻的装置与方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的等离子体蚀刻的装置与方法，能够改进一般现有的等离子体蚀刻的装置与方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，根据本发明所提供的等离子体蚀刻的装置与方法，能够消除现有的等离子体蚀刻过程中存在微弧光放电损害的问题，而提供一种高效率和高准确度的等离子体蚀刻的装置与方法。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种等离子体蚀刻的方法，其包括以下步骤：配置一基材于一静电吸盘上，该静电吸盘位于一等离子体室中且用以提供一双极性静电荷于该基材上；对该静电吸盘充电，用以形成静电荷于该基材上；等离子体蚀刻该基材；使该静电吸盘接地；以及提供具有任意射频频率的一射频讯号，用以中和该基材上的静电荷。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中更包含在使该静电吸盘接地的步骤中，中断对该静电吸盘充电的一直流电源，在中断该直流电源的同时，同步操作具有任意频率的该射频讯号。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中更包含在使该静电吸盘接地的步骤中，中断对该静电吸盘充电的该直流电源，在中断该直流电源之后，操作具有任意频率之该射频讯号。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中所述的该基材为一晶圆。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中所述的该静电吸盘包含同心圆的结构，用以形成一双极性静电吸盘。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种等离子体蚀刻的装置，其包括：一真空室，该真空室用以容纳等离子体；一静电吸盘，位于该真空室的内部，该静电吸盘具有一表面用以放置一晶圆，且该静电吸盘用以传送静电荷予该晶圆；一导电线圈，位于该真空室的内部；以及一射频源，与该导电线圈连接，同时提供可变功率的一射频用以中和该真空室中该晶圆表面的电荷。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的等离子体蚀刻的装置，其中所述的该射频的功率范围为40瓦到600瓦。
前述的等离子体蚀刻的装置，其中所述的该静电吸盘为双极性。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种等离子体蚀刻的方法，其包括以下步骤：提供具有一静电吸盘的一真空室，该静电吸盘具有至少一电极；利用静电力固定一基材于该静电吸盘上，该静电吸盘经由该至少一电极与一直流电源连接；在该真空室中对该基材进行等离子体操作；中断与该至少一电极连接的该直流电源；以及提供具有任意的射频频率的一射频讯号，用以中和该基材上的静电荷。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中所述的中断该直流电源与提供该射频讯号同步进行。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中所述的中断该直流电源与提供该射频讯号为依序进行。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中所述的等离子体操作包含了蚀刻该基材。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中中和该基材上的静电荷包含了触发一射频源以提供一个射频讯号到该真空室中的一电极上。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中更包含监测该至少一电极或该静电吸盘上的电荷。
前述的等离子体蚀刻的方法，其中所述的该静电吸盘为双极性静电吸盘。
为了达到上述目的，本发明提供了一种基材被固定在静电吸盘上的等离子体蚀刻的方法，其中，双极性静电吸盘(Bi-Polar ESC)用以使基材上具有双极性的静电荷。之后，进行等离子体蚀刻。当等离子体蚀刻完成时，静电吸盘上的静电荷可自行中和而移除。基材上静电荷的移除可依据本发明一实施例中，于静电吸盘上的静电荷自行中和的同时在等离子体室中以射频讯号维持一低能量的等离子体环境，提供垂直向的路径协助中和掉静电荷的方式达成，来避免水平向中和电流因过载而产生的其中和电流常常造成微弧光放电损害(micro-arcing)。
另外，为了达到上述目的，本发明另提供了一种等离子体蚀刻装置。此等离子体蚀刻装置具有静电吸盘位于真空室中。此静电吸盘的表面可用以配置晶圆，同时也可用以使晶圆表面具有静电荷。一导电线圈位于真空室中，用以提供射频讯号。一射频源与此导电线圈连接，用以提供不同功率的射频讯号来中和晶圆表面的静电荷。
再者，为了达到上述目的，本发明再提供了一种等离子体蚀刻晶圆的方法，此方法包含了提供具有静电吸盘的等离子体反应室，其中静电吸盘包含了至少一个电极。基材借由直流电源所提供的静电力吸附在静电吸盘上。基材可在等离子体反应室中进行蚀刻或其他等离子体制程。接着，中断此直流电源，再利用具有任意射频频率的射频讯号，中和基材上的静电荷。
借由上述技术方案，本发明等离子体蚀刻的装置与方法至少具有下列优点：
1.保留习知双极性静电吸盘可不需透过等离子体环境，只要切离电源即自行完成静电荷中合和使基材得以移除的优点，并可消除现有的等离子体蚀刻过程中存在微弧光放电损害的问题，进而能够增加至程的良率，加速制程的产出。
2.运用本发明所提供的等离子体蚀刻的装置与方法，不只可用于半导体基材，更可运用于玻璃或介电质材料的基材，且无须借由监控基材上电流脉衡来决定反向电压大小的方式。且可避免改以实验的方式来决定反向电压的大小所生的耗时、不精确以及无效率等问题。
综上所述。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的等离子体蚀刻的装置与方法具有增进的多项功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下：
图1A到图1F是现有习知一双极性静电吸盘上的基材的电荷中和的情形。
图2是依照本发明一实施例所述的一种等离子体蚀刻装置的示意图。
图3A是依照本发明一实施例所述的一种静电吸盘320与一晶圆315的示意图。
图3B是射频源关闭时晶圆315与静电吸盘上的电压分布示意图。
图3C是射频源开启时晶圆表面与静电吸盘的电压分布示意图。
图3D是射频源开启时电荷中和的情形。
图4是依据本发明一实施例中所述的等离子体处理的步骤。
101：连接桥                    210：等离子体室
220、320：静电吸盘             235：第一阀门
250：第二气体来源              305：负电荷
315：晶圆                      323：第二同心圆
102：金属板                    215：基材
230：射频源                    240：第一气体来源
255：第二阀门                  307：正电荷
322：第一同心圆
具体实施方式
图1A到图1F是现有习知位在双极性静电吸盘上的基材的电荷中和的情形。图1A所示为连接桥101连接两个金属板102的情形。图1B所示为电荷均匀地分布在金属板102上的情形，且相邻的金属板之间具有至少一个连接桥101相互连接。图1C所示为金属板102上的电荷呈现不均匀的分布情形，正负电荷由于静电吸引的原因而分布在靠近连接桥101的位置。图1D所示为正负电荷经由连接桥101进行电荷中和，金属板102上的正负电荷移除，同时对连接桥101产生一中和力(counteracting force)。图1E所示为电荷中和电流对连接桥101产生破坏。图1F所示为微弧光放电所产生的结果。
图2是依照本发明一实施例所述的一种等离子体蚀刻装置的示意图。其中等离子体室210中具有静电吸盘220以及位于静电吸盘上的基材215。静电吸盘220与电源供应器245连接，其中电源供应器245可以为一直流电源、一双极性高压电源或其他可用以提供静电吸盘220静电荷的装置。一种或一种以上的气体由第一气体来源240经由第一阀门235供应到等离子体室210中。气体的传输系统在本发明中并不予以限制。第一气体来源240与第一阀门235可由一具有操作程式的控制器来控制其气体流量(未图示)。第二气体来源250可提供一种或一种以上的气体，经由第二阀门255，与静电吸盘220相通(communicate)，作为一种散热媒介。此第二气体来源250的设置并非必要的元件，可依等离子体蚀刻装置的设计。
如前所述，静电吸盘220与电源供应器245连接。电源供应器245可同时包含电源与用以控制施加予静电吸盘220电压大小的控制器(未图示)。在本发明一实施例中，此电源供应器245在特定的时间内提供定额电压予静电吸盘220。在另一实施例中，此电源供应器245提供随时间而变化的电压予静电吸盘220。
在图2中，等离子体室210更包含了导电线圈225。导电线圈225与射频源230连接，且射频源230可经由导电线圈225提供一射频讯号到等离子体室中。射频源230可包含一控制系统(未图示)。依据本发明一实施例，射频源230可对导电线圈225提供任意射频频率的射频讯号。在本发明另一实施例中，射频源230对导电线圈225提供一随时间而变频的连续式射频讯号。在本发明另一实施例中，射频源230对线圈提供脉冲频率的射频讯号，其中每一脉冲具有与前一脉冲相同或不同的脉波宽度。此外，每一脉冲具有与前一脉冲相同或不同的振幅与频率。
在本发明一实施例中，在静电吸盘220卸除充电(discharge)时，导电线圈225被同时充电。换句话说，在关掉电源供应器245时，同步利用具有任意射频频率的射频源230对导电线圈225充电。在另一实施例中，亦可在静电吸盘220的电源供应器245关掉后，再利用射频源230对导电线圈225充电。依据本发明中的每一实施例，射频源230对导电线圈225提供的能量可用以中和等离子体室210中基材215上的电荷。因此，在静电吸盘220的电源供应器245关闭时，可动态触发射频源230提供一电荷释放的途径，用以中和掉基材215上的电荷。
图3A是依照本发明一实施例所述的一种静电吸盘320与晶圆315的示意图。静电吸盘320与晶圆315配置于等离子体室210的情形如图2所示。图3A中，晶圆315位于静电吸盘320上。在本发明一实施例中，静电吸盘320包含了第一同心圆322与第二同心圆323，形成一双极性的静电吸盘320。其中，每一同心圆被充电形成不同的静电极性(未图示)。举例来说，第二同心圆323可被充电而形成静电吸盘320的负极，而第一同心圆322则被充电而形成静电吸盘320的正极。晶圆315可被配置在静电吸盘320的相邻位置或是与静电吸盘320直接接触。
图3B是射频源关闭时晶圆315与静电吸盘上的电压分布示意图。当射频源关闭时，晶圆315表面的电压为0V。静电吸盘的第一同心圆322的电压为350V，而第二同心圆323的电压为-350V，晶圆315上的净电压为0V。在射频源开启进行蚀刻的过程中，负离子吸附到带正电的第一同心圆322上以及加强了高分子的沉积。同时，正离子由于静电相斥而被排除在外，因此使晶圆315表面形成约为-100V的电压。一般而言，吸附在晶圆315上的高分子越多的话，晶圆表面具有越低的电压。此外，氧化层的蚀刻速率也会随着高分子层的厚度的增加而下降。图3C所示为当射频源开启时，晶圆表面具有-100V的电压，而第一同心圆322的电压为+450V，而第二同心圆323的电压为-250V。
图3D是射频源开启时电荷中和的情形。图3D中，晶圆315位于静电吸盘的上方(未完整图示)。晶圆315与静电吸盘的第一同心圆322接触的地方带正电荷，第二同心圆323接地。负离子305聚集到第一同心圆322处以中和第一同心圆322上的正电荷。在本发明一实施例中，当射频讯号提供到等离子体室时，正离子307会与负离子305中和。因此，可变功率的射频源的使用，可用以中和静电荷。
在图3D中，正离子307被带正电荷的第一同心圆322所排斥而沉积到第二同心圆323中。另一方面，负离子305则被带正电荷的第一同心圆322所吸引而形成高分子层于第一同心圆322之上。因此，当沉积的高分子越多，其对正负离子的吸引性与排斥性将降低。等离子体蚀刻的阻抗会提高，以及离子轰击(ion bombard)的强度会降低。这也就是为何氧化层的蚀刻速率随着高分子沉积厚度的增加而降低的主要原因。同样的，微弧光放电的破坏速率也是相同情形。
如前所述，氧化层的蚀刻速率会随着高分子沉积厚度的增加而下降。因此，传统上是使用自动清理系统(wafer-less autoclean；WAC)来清理等离子体室。WAC也可被用以清除高分子沉积污染及保持离子轰击的强度，用以恢复等离子体室的操作状态。离子轰击强度与蚀刻速率有密切的关系。因此本发明的实施例揭露了(一)较长时间的WAC程序处理，会有较佳的离子轰击强度与蚀刻速率；(二)较干净的第一同心圆会使得晶圆表面具有较高的负电压；(三)晶圆表面较高的静电压会产生较大的中和电流于晶圆上，较大的中和电流会提高微弧光发电，进而破坏晶圆。因此，依照本发明一实施所揭露，微弧光发电可经由下列方式消除：(一)降低WAC程式处理的时间；(二)关闭静电吸盘电源的方式为渐进式，逐步将电源降低至零；(三)在一等离子体室中提供可变功率的射频源，用以提供一个电荷释放的途径。
在本发明一实施例中，在进行操作前，一基材被置于一等离子体室中的双极性静电吸盘上，后续的步骤如下所示：(一)将氦气注入至等离子体室中，其中注入的时间为15秒，同时等离子体室中的压力上升到0.3mT；(二)持续保持氦气的注入，同时将氯气与三氟甲烷(CHF3)注入等离子体室中，持续注入30秒；(三)提供40瓦的底部射频功率；(四)提供600瓦的顶部射频功率；(五)氮气与氩气被注入到等离子体室中，同时射频功率被触发到100瓦到200瓦之间；(六)当静电吸盘的电源关闭时，氦气的流量改以不连续的方式注入；(七)将射频关掉。在此实施例中步骤一至步骤七列于表一。
表一依照本发明一实施例所述的等离子体制程
  编号   1   2   3   4   5   6   7
  步骤名称   底压   稳定   打穿   主要蚀刻   中和   中和   制程密度
  压力(mT)   0.3   12   12   12   12   12   10
  氦气最大流量   18   18   18   18   18   18   25
  顶部射频(W)   0   0   打穿步骤所需瓦数   600   100   100   0
  底部射频(W)   0   0   40   主要蚀刻步骤所需瓦数   0   0   0
  BCl3   0   0   0   数毫升/每分钟   0   0   0
  氯气   0   60   60   数毫升/每分钟   0   0   0
  氮气   0   0   0   0   50   50   50
  氩气   0   0   0   0   100   100   0
  CF3   0   5   5   5   0   0   0
  晶圆背面氦气   0   10   10   10   10   0   0
  完成时间   15秒   30秒   数秒   数秒   5   10   5
表一所揭露的本发明一实施例的等离子体处理系统为一双压偶合式等离子体(Transformer Couple Plasma；TCP)。此TCP等离子体处理系统具有两个射频源，其中顶部射频位于等离子体室上方的电极，用以点燃等离子体以及维持等离子体室中的等离子体。下部射频位于等离子体室中的下部电极，主要是用以控制离子轰击强度，进一步控制蚀刻速率。
前述本发明的实施例的各个步骤于图4中所示。在图4中，步骤(一)为注入气体；步骤(二)中为用以稳定内部环境；步骤(三)为打穿步骤，为后续主要蚀刻步骤做预处理(此制程通常为25秒，在此实施例中为10秒)。步骤(四)为主要蚀刻步骤，用以蚀刻铝铜金属及氮化钛(此制程通常需70到100秒，在此实施例中为10秒)。步骤(五)为第一Ku-Lu处理程序(Ku-Lu treatment)，用以维持等离子体的稳定，此为本发明中所使用，其程序在后续会加以说明。步骤(六)为第二Ku-Lu处理程序，利用顶部射频维持等离子体环境，用以进行基材的移除。步骤(七)为制程的完成。
Ku-Lu处理程序为一种动态触发射频源用以提供静电释放途径的程序。在静电吸盘电源关闭的同时，利用Ku-Lu处理程序提供一个垂直于晶圆方向的电荷释放途径，用以取代电荷之间自身的中和反应。本发明中针对制程的改变，成功地解决了微弧光放电的问题。在本发明中，Ku-Lu处理程序藉由垂直方向的等离子体环境来释放基材上的静电荷的方式，较习知传统的制程更为有效。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (15)

1、一种等离子体蚀刻的方法，其特征在于其包括以下步骤：
配置一基材于一静电吸盘上，该静电吸盘位于一等离子体室中且用以提供一双极性静电荷于该基材上；
对该静电吸盘充电，用以形成静电荷于该基材上；
等离子体蚀刻该基材；
使该静电吸盘接地；以及
提供具有任意射频频率的一射频讯号，用以中和该基材上的静电荷。
2、根据权利要求1所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于其更包含在使该静电吸盘接地的步骤中，中断对该静电吸盘充电的一直流电源，在中断该直流电源的同时，同步操作具有任意频率的该射频讯号。
3、根据权利要求1所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于更包含在使该静电吸盘接地的步骤中，中断对该静电吸盘充电的该直流电源，在中断该直流电源之后，操作具有任意频率的该射频讯号。
4、根据权利要求1所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于其中所述的该基材为一晶圆。
5、根据权利要求1所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于其中所述的该静电吸盘包含同心圆的结构，用以形成一双极性静电吸盘。
6、一种等离子体蚀刻的装置，其特征在于其包括：
一真空室，该真空室用以容纳等离子体；
一静电吸盘，位于该真空室的内部，该静电吸盘具有一表面用以放置一晶圆，且该静电吸盘用以传送静电荷予该晶圆；
一导电线圈，位于该真空室的内部；以及
一射频源，与该导电线圈连接，同时提供可变功率的一射频用以中和该真空室中该晶圆表面的电荷。
7、根据权利要求6所述的等离子体蚀刻的装置，其特征在于其中所述的该射频的功率范围为40瓦到600瓦。
8、根据权利要求6所述的等离子体蚀刻的装置，其特征在于其中所述的该静电吸盘为双极性。
9、一种等离子体蚀刻的方法，其特征在于其包括以下步骤：
提供具有一静电吸盘的一真空室，该静电吸盘具有至少一电极；
利用静电力固定一基材于该静电吸盘上，该静电吸盘经由该至少一电极与一直流电源连接；
在该真空室中对该基材进行等离子体操作；
中断与该至少一电极连接的该直流电源；以及
提供具有任意的射频频率的一射频讯号，用以中和该基材上的静电荷。
10、根据要求9所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于其中所述的中断该直流电源与提供该射频讯号同步进行。
11、根据要求9所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于其中所述的中断该直流电源与提供该射频讯号为依序进行。
12、根据要求9所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于其中所述的等离子体操作包含了蚀刻该基材。
13、根据要求9所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于：其中中和该基材上的静电荷包含了触发一射频源以提供一个射频讯号到该真空室中的一电极上。
14、根据要求9所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于：更包含监测该至少一电极或该静电吸盘上的电荷。
15、根据要求9所述的等离子体蚀刻的方法，其特征在于所述的该静电吸盘为双极性静电吸盘。
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