CN101025566A - 图案形成方法和灰度掩模制造方法 - Google Patents

Abstract

一种灰度掩模，具有遮光部分、光透射部分和灰度部分。其制造方法包括：准备掩模坯料，其中在光透射的衬底上形成含有金属与硅的薄膜和基于无机物的蚀刻掩模层，其中每一个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性；在所述基于无机物的蚀刻掩模层上形成第一抗蚀图案；使用第一抗蚀图案作为掩模并使用蚀刻溶液蚀刻所述蚀刻掩模层；将余下的第一抗蚀图案剥除的步骤；以蚀刻掩模层作为掩模并使用蚀刻溶液来蚀刻所述薄膜。在剥除第一抗蚀图案的情况下蚀刻所述薄膜。在蚀刻掩模层和光透射衬底上形成第二抗蚀图案，使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层，将第二抗蚀图案剥除。由此，所述灰度部分通过所述薄膜而形成，遮光部分通过蚀刻掩模层和薄膜形成。

Description

图案形成方法和灰度掩模制造方法

技术领域

本发明涉及一种通过蚀刻对含有金属和硅的薄膜进行图案化的图案形成方法，并且还涉及一种制造灰度掩模的方法，所述灰度掩模适于在制造液晶显示器(随后称为LCD)等的薄膜晶体管(随后称为TFT)中使用。

背景技术

通常，在LCD中所包括的TFT的优点在于，它们可以容易地形成为较薄的类型，并且与CRT(阴极射线管)相比较，其耗电低。因此其商业化现在正在迅速推进。这种TFT在LCD中的布置的示意结构由TFT衬底和与所述TFT衬底相对的滤色器中间夹着液晶层而形成。特别地，当在滤色器上设置作为过滤器元件的用于像素的红、绿和蓝像素图案时，TFT被设置用于在TFT衬底上的矩阵中排列的相应的像素。LCD的TFT设置需要很多制造过程，其中仅仅为了制造TFT衬底就要使用五个或六个光掩模。

在这些情况下，已经提出一种利用四个光掩模来制造TFT衬底的方法。这种方法适于通过利用灰度掩模来减少掩模的数量。其中，灰度掩模具有遮光部分、光透射部分和光半透射部分即灰度部分。

如上所述，其中所使用的灰度掩模具有遮光部分、光透射部分和灰度部分。如日本未审查的专利申请公开物(JP-A)No.2002-189280(此后称为专利文献1)所披露，灰度部分通过光半透射的半色调膜(光半透射膜)而形成。使用这种光半透射膜可以通过减少在灰度部分的曝光量来进行半色调曝光。

灰度部分通过如上所述的光半透射膜而形成。这表明，可以只考虑设计中所需要的总的透光率和只考虑在制造灰度掩模中的光半透射膜的膜种类(膜材料)和膜厚度。

因此，在灰度掩模的制造中，只进行光半透射膜的厚度控制便足够了，因此这种处理相对容易。更具体地，通常与灰度掩模的灰度部分相对应地来制作TFT通道部分。在这种情况下，灰度部分通过光半透射膜而形成，并且可以通过光刻而容易地形成图案。因此，TFT通道部分可以形成复杂的结构。

发明内容

在制造灰度掩模时-其中灰度部分通过如上所述的光半透射膜而形成一利用MoSi蚀刻溶液并使用第一抗蚀图案作为掩模对光半透射膜(MoSi膜)进行湿式蚀刻。在这种情况下，具有第一抗蚀图案的抗蚀剂与MoSi蚀刻溶液可以相互进行化学反应，从而引起杂质不希望地产生。所述杂质附着在光透射衬底上，或者附着在具有遮光膜图案的遮光膜上，并引起严重的问题。

作为形成第一抗蚀图案的抗蚀剂，例如可以使用基于酚醛树脂的抗蚀剂，在考虑到大量生产和低成本的情况下，所述基于酚醛树脂的抗蚀剂是优选的。

利用含有从氢氟酸、硅氢氟酸和氟化氢铵中选取的至少一种氟化合物和从过氧化氢、硝酸和硫酸中选取的至少一种氧化剂的蚀刻溶液作为MoSi蚀刻溶液。然而，取决于蚀刻溶液的成分，抗蚀剂和蚀刻溶液可以进行化学反应，从而产生含有作为主要成分的基于氟的有机化合物的杂质。如果所述杂质一旦附着在光透射衬底或遮光膜上，那么即使采用通常使用的酸洗或碱洗也很难将所述杂质去除。

另外，当前述抗蚀剂与前述蚀刻溶液接触时，所述抗蚀剂与遮光膜的附着性通常会降低，因此抗蚀剂容易在蚀刻期间被去除。被剥除的抗蚀剂可以作为杂质漂浮并再次附着在衬底上。在许多情况下，这种附着物质由于与蚀刻溶液反应而产生前述有机化合物，并倾向于牢固地附着在所述衬底上。

本发明的目的在于，提出一种图案形成方法，其能够防止通过反应而由抗蚀剂产生的杂质附着在衬底上或者附着在所述衬底上的薄膜上。

本发明的另一目的在于，提出一种采用所述图案形成方法的灰度掩模制造方法。

根据本发明的一个方面，提出一种通过蚀刻衬底上的含有金属和硅的薄膜形成图案的方法。所述方法包括如下步骤：

在薄膜上形成基于无机物的蚀刻掩模层，所述蚀刻掩模层具有对所述薄膜的蚀刻的抗蚀性；

在所述蚀刻掩模层上形成抗蚀图案；

使用所述抗蚀图案作为掩模并使用用于蚀刻掩模层的蚀刻溶液来蚀刻蚀刻掩模层，所述薄膜具有对所述蚀刻溶液的抗蚀性；

在蚀刻蚀刻掩模层之后将余下的抗蚀图案剥除；

通过使用蚀刻掩模层作为掩模和用于薄膜的蚀刻溶液来蚀刻薄膜；和除去一部分蚀刻掩模层。

根据本发明的另一方面，提出一种制造灰度掩模的方法，所述灰度掩模包括遮光部分、光透射部分和适于在使用掩模时减少曝光光线的透射量的灰度部分。所述方法包括如下步骤：

准备掩模坯料，其中以指定的顺序在光透射的衬底上形成含有金属与硅的薄膜和基于无机物的蚀刻掩模层，其中的每一个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性；

在蚀刻掩模层上形成第一抗蚀图案，所述第一抗蚀图案具有与光透射部分相对应的敞开区域；

使用第一抗蚀图案作为掩模并使用用于所述蚀刻掩模层的蚀刻溶液来蚀刻所述蚀刻掩模层；

剥除在蚀刻所述蚀刻掩模层之后余下的第一抗蚀图案；

使用所述蚀刻掩模层作为掩模和用于薄膜的蚀刻溶液来蚀刻薄膜，由此形成光透射部分；

在所述蚀刻掩模层和光透射衬底上形成第二抗蚀图案，所述第二抗蚀图案具有与灰度部分相对应的敞开区域；和

使用第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层，然后将第二抗蚀图案剥除，由此形成由薄膜形成的灰度部分和由所述蚀刻掩模层和薄膜形成的遮光部分。

根据本发明，在剥除抗蚀图案(第一抗蚀图案)之后，使用用于薄膜的蚀刻溶液并使用所述蚀刻掩模层作为掩模来蚀刻含有金属和硅的薄膜。因此，抗蚀图案(第一抗蚀图案)形式的抗蚀剂和用于薄膜的蚀刻溶液不会进行化学反应从而产生杂质。由此，可以可靠地防止否则可能产生的杂质附着在衬底上或者附着在所述衬底上的薄膜上。

附图说明

图1A至1C为过程图，其中示出使用灰度掩模的TFT衬底的制造过程；

图2A至2C为过程图，其中示出在图1A至1C所示的制造过程之后的制造过程；

图3A至3H为过程图，其中示出惯常的灰度掩模制造方法；

图4A至4H为过程图，其中示出根据本发明的一个实施方式的灰度掩模制造方法；和

图5A和5B示出采用图4A至4H所示的灰度掩模制造方法而制造的灰度掩模，其中图5A是俯视图，图5B是侧剖视图。

具体实施方式

在说明本发明的优选实施方式之前，将对照图1A至1C和2A至2C对采用根据一般技术的灰度掩模的TFT衬底制造过程加以阐述。如图1A所示，在玻璃衬底1上形成有栅电极金属膜，并且采用光掩模通过光刻将所述栅电极金属膜图案化成栅电极2。之后顺序形成栅极绝缘膜3、第一半导体膜(a-Si)4、第二半导体膜(N⁺a-Si)5、源漏极金属膜6和正性光刻胶膜7。

然后，如图1B所示，在图1A所示的正性光刻胶膜7的上面设置灰度掩模100。如图1B所示，灰度掩模100具有遮光部分101、光透射(或透明)部分102和光半透射(或半透明)部分(即，灰度部分)103。正性光刻胶膜7通过灰度掩模100被曝光并随后显影，因此被图案化成第一抗蚀图案7A，其覆盖TFT通道部分形成区域、源漏极形成区域和数据线形成区域。如图1B所示，第一抗蚀图案7A在与TFT通道部分形成区域相对应的部分处的厚度薄于在与源漏极形成区域相对应的部分处的厚度。

之后，如图1C所示，通过采用第一抗蚀图案7A作为掩模来蚀刻源漏极金属膜6和第二与第一半导体膜5与4。然后，采用氧对抗蚀膜7进行灰化，以减少整体厚度，以便将抗蚀膜7的与通道部分形成区域相对应的薄部分去除。由此形成第二抗蚀图案7B，并将其留在如图2A所示的源漏极金属膜6上。

然后，如图2B所示，通过采用第二抗蚀图案7B作为掩模来蚀刻源漏极金属膜6，并将所述源漏极金属膜6图案化成源极6A和漏极6B，之后对第二半导体膜5进行蚀刻。

最后，如图2C所示，将余下的第二抗蚀图案7B剥除。

其中所使用的灰度掩模100特别地具有图3H中所示的结构，并且在图3H中被称为灰度掩模200。如同图1B，图3H中所示的灰度掩模200具有遮光部分101、光透射部分102、灰度部分103。如专利文献1中所述，灰度部分103通过光半透射的半色调膜(光半透射膜)而形成。采用所述光半透射膜可以进行半色调曝光，其中曝光量在灰度部分103处减少。

由于灰度部分103通过光半透射膜而形成，所以在设计中，只检查所需要的总的透光率便足够了，同样在灰度掩模200的制造中，所述掩模可以仅通过选取光半透射膜的膜种类(膜材料)和厚度而制得。

因此，在灰度掩模200的制造中，只进行光半透射膜的厚度控制便足够了，因此这种处理相对容易。就通过灰度掩模200的灰度部分103形成TFT通道部分而言，灰度部分103通过光半透射膜而形成，并且通过光刻容易将其图案化。因此，TFT通道部分可以具有复杂的配置。

在制造上述灰度掩模200时，首先对掩模坯料107进行规定，所述掩模坯料107具有相继地沉积在光透射的衬底104上的光半透射膜105和遮光膜106，如图3A所示。

光半透射膜105可以是包括钼和硅的膜，例如是MoSi膜。遮光膜106例如是含有铬作为主要成分的膜。

然后，如图3B所示，第一抗蚀图案108具有与光透射部分102相对应的敞开区域，并且所述第一抗蚀图案108在掩模坯料107的遮光膜106上形成。

之后，如图3C所示，通过被留作掩模的第一抗蚀图案108，使用用于铬的蚀刻溶液将遮光膜106蚀刻，并且形成遮光膜图案109。

其后，如图3D所示，通过用于Mo-Si的蚀刻溶液继续使用第一抗蚀图案108作为掩模来蚀刻光半透射膜105。因此，光半透射膜105通过第一抗蚀图案108被蚀刻，以形成光透射部分102。

随后，如图3E所示，在形成光透射部分102之后将余下的第一抗蚀图案108剥除。

如图3F所示，第二抗蚀图案110在遮光膜图案109上形成，并且所述第二抗蚀图案110具有与灰度部分103相对应的敞开区域。然后，如图3G所示，通过作为掩模的第二抗蚀图案110，使用铬蚀刻溶液将遮光膜106蚀刻，由此形成遮光部分101和灰度部分103。

最后，如图3H所示，将余下的第二抗蚀图案110去除，由此制得灰度掩模200。

如上所述，在制造灰度掩模200时-其中灰度部分103通过光半透射膜105形成-利用MoSi蚀刻溶液并使用第一抗蚀图案108作为掩模对光半透射膜105(MoSi膜)进行湿式蚀刻，如图3D所示。在这种情况下，形成第一抗蚀图案108的抗蚀剂可能经常与MoSi蚀刻溶液进行化学反应，由此产生杂质。这种杂质附着在图3E中所示的光透射衬底104上，或者附着在被图案化成遮光膜图案109的遮光膜106上，并引起严重的问题。

在抗蚀剂形成第一抗蚀图案108时，例如可以使用基于酚醛树脂的抗蚀剂，并且在考虑到大量生产和低成本的情况下，所述基于酚醛树脂的抗蚀剂是优选的。利用含有从氢氟酸、硅氢氟酸和氟化氢铵中选取的一种氟化合物和从过氧化氢、硝酸和硫酸中选取的一种氧化剂的蚀刻溶液作为MoSi蚀刻溶液。然而，取决于蚀刻溶液的成分，抗蚀剂和蚀刻溶液可能进行化学反应，从而不希望地产生含有作为主要成分的基于氟的有机化合物的杂质。如果所述杂质一旦附着在光透射衬底104或遮光膜106上，那么即使采用通常使用的酸洗或碱洗也很难将所述杂质去除。

现在将对照附图对本发明的实施方式加以阐述。

参照图5A和5B，灰度掩模10例如用于制造液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)等的薄膜晶体管(TFT)或滤色器，并且适于在转印目标11上形成抗蚀图案12，所述抗蚀图案12的厚度逐步地或连续地变化。在图5B中，符号19A和19B分别指代在转印目标11上堆叠的膜。灰度掩模的尺寸为300×300mm或更大。然而，本发明适于尺寸超过1000mm的任何其它灰度掩模。因此，本发明能够适应显示板的增大。

具体而言，灰度掩模10包括：遮光部分13，其适于遮挡曝光光线(透光率几乎为0％)；光透射部分14，其适于几乎100％地透射曝光光线；灰度部分15，其适于将曝光光线的透光率减小到大约10％至60％。灰度部分15通过在诸如玻璃衬底的光透射衬底16的表面上沉积光半透射的光半透射膜17而形成。遮光部分13通过在光透射衬底16的表面上接连地形成光半透射膜17和遮光膜18而形成。

光半透射膜17通过含有金属和硅的薄膜而形成。所述金属例如可以是钼、钨、钽、钒、铌、钴、锆或镍。在这些金属中，钼是优选的。因此，根据本实施方式，光半透射膜17优选通过含有MoSi作为主要成分的膜而形成。如果在本发明的光半透射膜中含有碳，那么其蚀刻效率倾向于被降低。另外，如果含有氮或氧，那么灰度掩模的对清洗溶液的抗蚀性倾向于被降低。根据本发明，所述膜优选基本由钼和硅制成。另一方面，所述膜可以含有作为杂质的在形成光半透射膜时使用的溅射气体(例如Ar)。

遮光膜18含有作为主要成分的铬，并且如随后所述，当在灰度掩模10的制造中蚀刻光半透射膜17时，所述遮光膜18成为用作掩模的基于无机物的蚀刻掩模层。在含有作为主要成分的铬的遮光膜中可以含有氮、氧或碳，并且如果含有所述成分，那么在使用灰度掩模时优选产生反射防止等功能。灰度掩模15的透光率基于对光半透射膜17的材料和厚度的选取来设定。遮光部分13的透光率基于对光半透射膜17和遮光膜18的材料和厚度的选取来设定。

在使用上述灰度掩模10时，曝光光线在遮光部分13处不透射，并且曝光光线在灰度掩模15处减少。因此，敷在转印目标11上的抗蚀膜(根据本实施方式为正性光刻胶膜)形成抗蚀图案12，其中在与遮光部分13相对应的部分的膜厚度变大，在与灰度掩模15相对应的部分的膜厚度变小，在与光透射部分14相对应的部分处没有膜。

然后，在抗蚀图案12的没有膜的部分处，例如对转印目标11上的膜19A和19B进行第一次蚀刻。接着，通过灰化等将抗蚀图案12的厚度小的部分去除，在所述部分处，例如对转印目标11上的膜19B进行第二次蚀刻。通过这种方式，只用单个的灰度掩模10即可进行与采用两个惯常的光掩模实现的那些处理相当的处理，由此减少了掩模的数量。

现在将参照图4A至4H对制造上述灰度掩模10的制造过程加以阐述。

首先，接连地在光透射的衬底16的表面上形成光半透射膜17和遮光膜18，以便形成和准备光掩模坯料20。光半透射膜17例如可以通过在氩溅射气体中对溅射目标MoSi₂进行溅射来形成。然后，例如通过利用铬目标在诸如氮气、氧气、甲烷或二氧化碳的反应气体中进行反应溅射可以将遮光膜18形成为单层膜或多层膜(例如具有反射防止膜的遮光膜)。

光半透射膜17和遮光膜18中的每一个都具有在灰度掩模10的制造过程中对另一个的蚀刻的抗蚀性。具体而言，光半透射膜17对作为用于基于无机物的蚀刻掩模层的蚀刻溶液的铬蚀刻溶液具有预定的或更大的抗蚀性，而遮光膜18对作为用于含有金属和硅的薄膜的蚀刻溶液的MoSi蚀刻溶液具有预定的或更大的抗蚀性。

然后，如图4B所示，抗蚀膜(正性抗蚀膜)在掩模坯料20的遮光膜18上形成，并且所述抗蚀膜通过使用电子束或激光绘图设备曝光，并随后利用显影剂被显影，由此形成第一抗蚀图案21。

第一抗蚀图案21所形成的形状具有与有待制造的灰度掩模10的光透射部分14相对应的敞开区域。作为形成第一抗蚀图案21的抗蚀剂，可以使用基于酚醛树脂的抗蚀剂。

之后，如图4C所示，具有第一抗蚀图案21的掩模坯料20被浸入到铬蚀刻溶液中，从而利用铬蚀刻溶液并使用第一抗蚀图案21作为掩模对掩模坯料20的遮光膜18进行湿式蚀刻。

通过所述蚀刻，遮光膜18被图案化为或形成为遮光膜图案22。在蚀刻中所使用的蚀刻溶液的成分可以包括硝酸铈二铵和高氯酸等的混合物。光半透射膜17对铬蚀刻溶液具有预定的或更大的抗蚀性。另外，形成第一抗蚀图案21的抗蚀剂优选不会被铬蚀刻溶液剥除。

如图4D所示，在形成遮光膜图案22之后，将在遮光膜图案22上余下的第一抗蚀图案21剥除。

可以通过将显影剂溅射到倾斜状态下的掩模衬底的主表面上将抗蚀剂剥除。优选使得显影剂溅射装置和掩模衬底相对移动(优选摆动)。因此，优选将剥除的抗蚀剂从掩模衬底完全去除。

如图4E所示，在剥除第一抗蚀图案21之后，具有遮光膜图案22的掩模坯料20与MoSi蚀刻溶液接触。在这种情况下，使用MoSi蚀刻溶液对光半透射膜17进行湿式蚀刻。因此，在湿式蚀刻中遮光膜图案22被用作掩模，并且光半透射膜17被图案化成光半透射膜图案23。

可以通过浸入蚀刻溶液或将蚀刻溶液溅射到倾斜状态下的掩模的主表面上来与蚀刻溶液接触。由于本发明适合应用于各边为300mm或更大的灰度掩模，并且用于制造显示器，所以最好特别是给大掩模溅射蚀刻溶液。遮光膜图案22和光半透射膜图案23被图案化，从而留下光透射部分14。

MoSi蚀刻溶液含有从氢氟酸、硅氢氟酸和氟化氢铵中选取的一种氟化合物和从过氧化氢、硝酸和硫酸中选取的一种氧化剂。氟化氢铵是优选的，因为它不损伤光透射衬底16。优选结合使用过氧化氢。遮光膜18具有对MoSi蚀刻溶液的预定的或更大的抗蚀性。由于使用MoSi蚀刻溶液并使用通过遮光膜18作为蚀刻掩模形成的遮光膜图案22来蚀刻光半透射膜17，所以形成第一抗蚀图案21的抗蚀剂和MoSi蚀刻溶液不会进行化学反应，从而产生由基于氟的有机化合物构成的杂质。

在形成上述光半透射膜图案23之后，将形成遮光膜图案22的遮光膜18的一部分去除。也就是说，如图4F所示，在遮光膜图案22和光透射衬底16上形成抗蚀膜，并且以与上述相同的方式将所述抗蚀膜曝光和显影，由此形成第二抗蚀图案24。第二抗蚀图案24所形成的形状具有与灰度部分15相对应的敞开区域。

然后，如图4G所示，另外还使用铬蚀刻溶液并使用第二抗蚀图案24作为掩模对形成遮光膜图案22的遮光膜18进行湿式蚀刻。

随后，如图4H所示，将余下的第二抗蚀图案24剥除，由此制得灰度掩模10，其具有通过光半透射膜17而形成的灰度部分15和通过堆叠在一起的遮光膜18及光半透射膜17两者形成的遮光部分13。

通过如此设计的前述实施方式，实现了如下效果。

如图4D所示，在灰度掩模10的制造中，在将第一抗蚀图案21剥除之后，通过使用遮光膜图案22作为掩模在MoSi蚀刻溶液中对光半透射膜17(MoSi膜)进行蚀刻。因此，形成第一抗蚀图案21的抗蚀剂不可能与MoSi蚀刻溶液进行反应，从而引起杂质产生。由此，可以可靠地防止否则可能产生的杂质的产生和附着。因此，没有杂质附着到光透射衬底16上或者附着到被图案化成遮光膜图案22的遮光膜18上。

另外，根据本发明，使用通过前述制造方法而得到的灰度掩模，可以利用曝光设备将曝光光线照射到所述掩模上，从而将图案转印到转印目标上。在这种情况下，如上所述，由于灰度掩模可以部分地和有选择地改变曝光光线的透射量，所以可以有选择地改变转印目标上的抗蚀剂的厚度，并由此可以减少光掩模的数量。

尽管已经借助于前述实施方式对本发明加以阐述，但本发明不限于此。

Claims (12)

1.一种通过蚀刻衬底上的含有金属和硅的薄膜来形成图案的方法，所述方法包括如下步骤：

在所述薄膜上形成基于无机物的蚀刻掩模层，所述蚀刻掩模层具有对所述薄膜的蚀刻的抗蚀性；

在所述蚀刻掩模层上形成抗蚀图案；

在用于所述蚀刻掩模层的蚀刻溶液中使用所述抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层，所述薄膜具有对所述蚀刻溶液的抗蚀性；

在蚀刻所述蚀刻掩模层之后将剩余的所述抗蚀图案剥除；

使用所述蚀刻掩模层作为掩模在用于所述薄膜的蚀刻溶液中蚀刻所述薄膜；和

除去所述蚀刻掩模层的一部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述薄膜包括金属和硅。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻掩模包括作为主要成分的铬。

4.如权利要求1所述的方法，其中用于所述薄膜的所述蚀刻溶液含有从由氢氟酸、硅氢氟酸和氟化氢铵选取的一种氟化合物和从过氧化氢、硝酸和硫酸中选取的一种氧化剂。

5.一种制造灰度掩模的方法，所述灰度掩模包括遮光部分、光透射部分和适于减少曝光光线的透射量的灰度部分，所述方法包括如下步骤：

准备掩模坯料，所述掩模坯料具有光透射的衬底、在所述光透射衬底上的含有金属与硅的薄膜和在所述薄膜上的基于无机物的蚀刻掩模层，所述薄膜和所述蚀刻掩模层中的每一个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性；

在所述蚀刻掩模层上形成第一抗蚀图案，所述第一抗蚀图案具有与所述光透射部分相对应的敞开区域；

使用所述第一抗蚀图案作为掩模在用于所述蚀刻掩模层的蚀刻溶液中蚀刻所述蚀刻掩模层；

将在蚀刻所述蚀刻掩模层之后余下的所述第一抗蚀图案剥除；

使用所述蚀刻掩模层作为掩模在用于所述薄膜的蚀刻溶液中蚀刻所述薄膜，由此形成所述光透射部分；

在所述蚀刻掩模层和所述光透射衬底上形成第二抗蚀图案，所述第二抗蚀图案具有与所述灰度部分相对应的敞开区域；和

使用所述第二抗蚀图案作为掩模来蚀刻所述蚀刻掩模层，然后将所述第二抗蚀图案剥除，由此形成由所述薄膜形成的所述灰度部分和由所述蚀刻掩模层和所述薄膜形成的所述遮光部分。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述薄膜包括含有金属和硅的光半透射膜。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述基于无机物的蚀刻掩模层包括含有作为主要成分的铬的遮光膜。

8.如权利要求5所述的方法，其中用于所述薄膜的所述蚀刻溶液包括从由氢氟酸、硅氢氟酸和氟化氢铵中选取的一种氟化合物和从过氧化氢、硝酸和硫酸中选取的一种氧化剂。

9.如权利要求5所述的方法，其中所述灰度掩模包括用于制造液晶显示器的光掩模。

10.一种采用如权利要求5所述的方法制造的灰度掩模。

11.一种图案转印方法，包括利用通过如权利要求9所述的方法制造的灰度掩模将光线曝光到用于转印的目标物上的步骤。

12.一种制造灰度掩模的方法，所述灰度掩模包括含有预定材料的薄膜和在所述薄膜上的含有不同于所述预定材料的材料的掩模层，所述方法包括如下步骤：

在所述掩模层上形成抗蚀图案；

利用所述抗蚀图案作为掩模通过第一蚀刻溶液蚀刻所述掩模层，以制成形成图案的掩模层；

将在蚀刻所述掩模层之后余下的所述抗蚀图案剥除；

在没有抗蚀图案留在掩模层上的情况下，利用形成图案的所述掩模层作为掩模，通过不同于所述第一蚀刻溶液的第二蚀刻溶液蚀刻所述薄膜；和

除去所述掩模层的一部分。

Images