CN101002287A - 抗静电剂、抗静电膜和用抗静电膜涂覆的产品 - Google Patents

抗静电剂、抗静电膜和用抗静电膜涂覆的产品 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种抗静电剂，其包含水溶性导电聚合物和亲水部位的分子量为200至10,000的生物表面活性剂并在化学增强光刻胶中显示优异的避免膜减薄现象的性质，以及通过使用该抗静电剂得到的抗静电膜和涂覆产品。

Description

抗静电剂、抗静电膜和用抗静电膜涂覆的产品
相关申请的交叉引用
本发明根据35U.S.C.111(a)提交，根据35U.S.C.119(e)1，要求根据35U.S.C.111(b)于2004年8月12日提交的美国临时申请60/600,777的权利。
技术领域
本发明涉及抗静电剂。更具体而言，本发明涉及能够有效防止被用作电子工业原料的化学增强光刻胶(chemically amplified resist)膜中的膜减薄(film thinning)现象的抗静电剂、使用抗静电剂的抗静电膜和用抗静电膜涂覆的产品。
背景技术
自掺杂类型导电聚合物通常是溶于水的，因此，可以容易地成型为任何形状或成型为膜，这一特性使得容易生产大面积的膜。另外，这样的聚合物在需要显微加工(microscopic processing)的电子装置中表现出极好的可成型性，因此现在得到了广泛应用。
另一方面，化学增强光刻胶已经成为一种在使用光或带电粒子辐射例如电子束或粒子束的光刻印刷(lithographic printing)技术中常见的必需材料。但是，这样的光刻胶易受使用环境影响，并且被认为是难以运用的光刻胶。特别地，正化学增强光刻胶更难以运用，并且涉及对水溶性涂覆材料的有害影响的顾虑。
在光刻胶被水溶性涂覆材料涂覆的情况下，存在这样的问题，即当其氢离子浓度(以下简称为“pH”)落在某一范围时，通过对光曝光而产生的酸被涂覆材料中和，或者甚至在没有曝光过程的情况下，由涂覆材料所提供的酸与光刻胶被曝光的情形中形成相同的情况。因此，由于涂覆材料中痕量的酸严重影响光刻胶的敏感性，涂覆材料溶液的pH是重要的。这样的问题作为正类型光刻胶中的膜减薄现象发生，而在负类型光刻胶中作为几乎不溶的层或不溶的层的形成发生。
作为避免上述现象的方法，已经提出了以下方法：一种其中使用含有弱酸和胺的缓冲溶液控制pH减小的方法(JP-A-H11-189746)，一种其中使用含有氟化脂肪族磺酸或氟化脂肪族羧酸的组合物的方法(JP-A-2003-29410)，以及类似的方法。
另外，已经公开了含有水可溶的导电聚合物、基于乙烯的聚合物乳液和具有优异储存稳定性的非离子表面活性剂的组合物的膜(JP-A-H11-185523)。
近年来，在其中按照半导体设备中最小线路线宽度的缩小化形成图案的光刻胶倾向于容易地坍塌的情况下，做出了使光刻胶图案的长径比适当的努力以避免这一现象。并且因此，光刻胶膜厚度具有减小的倾向。在光刻胶图案已经经过显像(developing)过程后，图案通过干蚀刻过程被转录(transcribe)到基底(substrate)上。
在这一过程中，光刻胶的耐干蚀刻性的重要性在上升，并且由于可归因于抗静电膜的光刻胶形式的改变对于图案印刷具有巨大的影响，维持光刻胶性能的需求变得越来越迫切。
发明内容
本发明的目的是提供在化学增强光刻胶中显示优异的避免膜减薄现象的性质的抗静电剂、使用该抗静电剂的抗静电膜和用其涂覆的产品。
作为深入研究的结果，本发明人已经发现，特定的生物表面活性剂吸附在水溶性导电聚合物上从而由此形成胶束结构，并且其中产生的巨大胶束分子可以避免聚合物向化学增强光刻胶中的渗透。基于上述发现，本发明人完成了本发明。
即，本发明包括以下项目：
1.一种抗静电剂，其包含水溶性导电聚合物和亲水部位的分子量为200至10,000的生物表面活性剂。
2.项目1的抗静电剂，其进一步包含溶剂。
3.项目2的抗静电剂，其中包含的水溶性导电聚合物的量为0.1至20质量％、生物表面活性剂的量为0.0001至1质量％，溶剂的量为79至99.8质量％。
4.项目1或2的抗静电剂，其进一步包含烷基或烯基取代的芳香磺酸或其盐。
5.项目4的抗静电剂，其中包含的水溶性导电聚合物的量为0.1至20质量％、生物表面活性剂的量为0.0001至1质量％，烷基或烯基取代的芳香磺酸或其盐的量为0.0001至0.2质量％，并且溶剂的量为78.8至99.8质量％。
6.项目1的抗静电剂，其中生物表面活性剂具有多肽结构。
7.项目6的抗静电剂，其中生物表面活性剂包括环状结构。
8.项目1、3、5或6的抗静电剂，其中生物表面活性剂由至少一种选自芽胞杆菌属(Bacillus)、假单胞菌属(Pseudomonas)、红球菌属(Rhodococcus)、沙雷氏菌属(Serrartia)、不动杆菌属(Acinetobacter)、青霉菌属(Penicillium)、产碱菌属(Alcaligenes)、金杆菌属(Aureobacterium)、假丝酵母属(Candida)和分支杆菌属(Mycobacterium)的细菌生产。
9.项目1、3、5、6或7的抗静电剂，其中生物表面活性剂是选自表面活性肽、伊枯草菌素、大侧柏酸、arthrofactin、伊枯草菌素、serrawettin和直链表面活性肽中的至少一种。
10.项目1的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物是具有布朗斯台德酸基团的π-共轭导电聚合物或其盐。
11.项目10的抗静电剂，其中布朗斯台德酸基团是磺酸基团。
12.项目1、10或11的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物含有式(1)代表的化学结构：
Figure A20058002699400081
(式中，m和n各自独立地代表0或1。X代表S、N-R1和O中任一者，A代表具有1至4个碳原子的亚烷基或亚烯基(其中可以存在两个或更多个双键)，其具有至少一个由-B-SO3 -M+代表的取代基并且可以具有其他取代基，B代表-(CH2)p-(O)q-(CH2)r-，p和r各自独立地代表0或1至3的整数，q代表0或1。 M+代表氢离子、碱金属离子或季铵离子。)
13.项目1、10或11的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物含有式(2)代表的化学结构：
Figure A20058002699400082
(式中，R2至R4各自独立地代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或-B-SO3 -M+基团。B、p、q、r和M+如以上12中所定义。)
14.项目1、10或11的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物含有式(3)代表的化学结构：
Figure A20058002699400083
(式中，R5代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或-B-SO3 -M+基团。B、p、q、r和M+如以上项目12中所定义。)
15.项目1、10或11的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物含有式(4)代表的化学结构：
Figure A20058002699400091
(式中，R6和R7各自独立地代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或SO3 -M+基团。R8代表选自氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、苯基和取代苯基的单价基团。B、p、q、r和M+如以上项目12中所定义。)
16.项目12或13的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物是含有5-磺基异硫茚-1，3-二基的聚合物。
17.项目1的抗静电剂，其中包含颗粒度为0.05至10μm的光散射颗粒。
18.项目17的抗静电剂，其中颗粒度为0.05至10μm的光散射颗粒的颗粒分布为基于总颗粒50至99.9％。
19.一种抗静电膜，其通过使用项目1至18中任一项的抗静电剂得到。
20.项目19的抗静电膜，其膜厚度为0.1至50nm。
21.一种涂覆产品，其通过使用项目19或20的抗静电膜涂覆而得到。
22.项目21的涂覆产品，其中待涂覆的表面是已经施于基础基底上的光敏组合物或对带电粒子束敏感的组合物。
23.一种图案形成方法，所述方法使用项目19的抗静电膜。
最佳实施方式
本发明的抗静电剂是一种组合物，其含有水溶性导电聚合物和具有分子量为200至10,000的亲水部位的生物表面活性剂。
另外，本发明的组合物可以是进一步包含溶剂的溶液。另外，该溶液可以进一步含有烷基或烯基取代的芳香磺酸。
当本发明的抗静电剂被施用到制品上并且随后静置或干燥时，抗静电剂中所含的溶剂通过挥发等而减少，使得试剂成为半固体或固体(其不具备流动性)。这种不具备流动性的状态的试剂被称为“抗静电材料”，并且当这种材料具有膜的形状时，被称为“抗静电膜”。
本发明中所用的术语“生物表面活性剂”是生物机体例如微生物所产生的表面活性物质的统称，并且详述于“Kinouseikaimenkasseizai(官能表面活性剂)”p.p.122-133，CMC Publishing Co.，Ltd.中。
产生用于本发明中的生物表面活性剂的微生物的例子包括细菌，例如芽胞杆菌属、假单胞菌属、红球菌属、沙雷氏菌属、不动杆菌属、青霉菌属、产碱菌属、金杆菌属、假丝酵母属和分支杆菌属，并且在这些当中，特别优选芽胞杆菌属。
用于本发明中的生物表面活性剂的亲水部位的分子量为200至10,000，优选500到5000。如果亲水部位的分子量小于200，生物表面活性剂渗透光刻胶并且不能避免膜减薄。另一方面，如果分子量超过10,000，生物表面活性剂对水溶性导电聚合物的吸附被抑制，而这是不优选的。
在本发明中，优选生物表面活性剂具有多肽结构，更优选多肽结构为环结构。
在本发明中，生物表面活性剂所含的亲水部位是由氨基酸残基组成的多肽结构构成的部分。多肽结构可以是被羧酸、磺酸或磷酸的酯通过羧酸基团、羟基或磺酸基团取代的多肽结构。
在本发明中，生物表面活性剂中的亲油基团由以脂肪酸、不饱和脂肪酸、β羟基脂肪酸、类固醇、萜类等为代表的脂类物质构成。
在本发明中，具有多肽结构的生物表面活性剂的例子包括表面活性肽、伊枯草菌素、大侧柏酸、arthrofactin、serrawettin和直链表面活性肽。其中，具有环状多肽结构的表面活性肽和伊枯草菌素是优选的。可以单独使用这些生物表面活性剂中的一种，也可以使用它们中两种或多种的混合物。
在本发明中，生物表面活性剂吸附在以下描述的水溶性导电聚合物上以形成胶束结构，水溶性导电聚合物形成显然大的光散射颗粒。因而抑制了水溶性导电聚合物渗透入化学增强光刻胶，从而控制了光刻胶的成雾(fogging)和膜减薄。
在本发明中，优选抗静电剂中所含的光散射颗粒的颗粒度为0.05至10μm。特别地，在将该试剂施用到化学增强光刻胶上的情况下，为了获得所希望的性能，在照射带电粒子束的时候，带电粒子束必须透过经抗静电处理的膜以达到光刻胶。因此，优选颗粒度为0.05至10μm的颗粒为50到99.9％的颗粒度分布。
为了产生光散射颗粒，优选生物表面活性剂的添加量为水溶性导电聚合物的0.001至10质量倍。为了产生大颗粒度的光散射颗粒，优选添加比为0.1质量倍或更高。
为了让将要被吸附到水溶性导电聚合物上的生物表面活性剂覆盖聚合物的表面，所需要的生物表面活性剂的浓度取决于水溶性导电聚合物的化学结构并且无法简单定义，但是，所需要的浓度通常是0.1至10000ppm，特别优选1至1000ppm的浓度。
在大颗粒度的光散射颗粒可以无问题地存在的情况下，生物表面活性剂的浓度优选在1000至10000ppm的范围里。
在本发明中，生物表面活性剂在溶剂中的溶解性受到pH影响很大，并且当pH在温和的酸性和中性到弱碱性的范围内时溶解度特别高，因此可以在这样的pH范围内制备所希望的浓度。在本发明中，考虑到施用于化学增强光刻胶，抗静电剂的pH值可优选为2至11，特别优选3至7。
在小于pH2的强酸范围内，生物表面活性剂分离出来，不能将其溶解以获得可以表现其表面活性效果所需要的浓度，因此几乎不能获得表面活性效果。另一方面，在高于pH11的碱性范围内，发生生物表面活性剂中的弱键位置例如酯键的水解，而这是不优选的。
本发明中所用的生物表面活性剂可以与其他表面活性剂结合使用。通过将其他表面活性剂和生物表面活性剂结合使用，不仅可以抑制膜减薄现象，而且可以改善光刻胶表面上的可涂覆性。特别优选的与生物表面活性剂结合使用的表面活性剂的例子包括烷基或烯基取代的芳香磺酸。芳香磺酸的例子包括烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、烷基喹啉磺酸、烷基蒽醌磺酸及其盐。烷基的例子包括直链或支化辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基和十七烷基，并且，烯基的例子包括辛烯基、癸烯基、十一烯基、十二烯基、十三烯基、十四烯基、十五烯基、十六烯基和十七烯基和十八烯基。
在结合使用生物表面活性剂和上述芳香磺酸的情况下，生物表面活性剂的浓度/芳香磺酸浓度的比例(以下简称为“M”)优选在0.001至5的范围内。当M超过5时，膜减薄现象变得显著，表面活性剂的结合使用在这种情况下对于化学增强光刻胶没有效果。
在本发明中，除了生物表面活性剂和被烷基或烯基取代的芳香磺酸以外，可以一起使用其他表面活性剂。
可结合使用的表面活性剂不受特别限制，但是，阴离子表面活性剂的例子包括烷基醚羧酸、二烷基磺基琥珀酸、聚氧乙烯烷基醚硫酸酯、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸酯、高级纯磷酸酯、高级醇环氧乙烷加合物磷酸酯和酰基-N-甲基牛磺酸，并且对于酸类型也可以使用其盐。
阳离子表面活性剂的例子包括单烷基氯化铵、二烷基氯化铵、乙氧基化氯化铵、其他特定的季盐、烷基胺乙酸盐、二胺基二油酸盐以及LAG/月桂酰胺胍。
非离子表面活性剂的例子包括脂肪酸甘油酯(硬脂酸甘油酯和油酸甘油酯)、脂肪酸丙二醇酯、失水山梨糖醇脂肪酸酯(失水山梨糖醇油酸酯、失水山梨糖醇硬脂酸酯)、脂肪酸蔗糖酯、脂肪酸聚乙二醇酯(二硬脂酸乙二醇酯)、聚氧乙烯烷基醚、烷基甘油基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧烯烃烷基醚、乙烯二醇、聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯(四油酸聚氧乙烯山梨醇(tetraoleicacid polyoxyethylene sorbit))、烷基甘油基醚(异硬脂酰甘油基)、脂肪酸氧化烯烃加合物、聚氧乙烯硬化蓖麻油、脂肪酸烷基醇酰胺(月桂酸二乙醇酰胺)、脂肪酸酰胺氧化烯烃加合物、胺EO加合物、胺PO加合物以及二胺氧化烯烃加合物。
两性表面活性剂的例子包括月桂基二甲基氨基乙酸甜菜碱、硬脂酰二甲基氨基乙酸甜菜碱、月桂基二甲基氨氧化物、2-烷基-N-羧甲基-N-羟基乙基咪唑啉甜菜碱、月桂酸酰胺丙基甜菜碱、月桂基羟基磺基甜菜碱和基于丙氨酸的表面活性剂。
另外，除以上以外，可以使用各种高分子量表面活性剂和高分子量碱分散剂、磷脂(卵磷脂等)、基于氟的表面活性剂和基于硅氧烷的表面活性剂。
可以仅单独使用这些表面活性剂之一或者结合使用两种或多种的混合物。
作为用于本发明中的水溶性导电聚合物的例子，可以提及具有布朗斯台德酸基团的π-共轭导电聚合物或其盐。布朗斯台德酸基团可以由在π-共轭主链上直接取代而被包括。此外，布朗斯台德酸基团可以由通过间隔基团(例如亚烷基侧链或氧亚烷基侧链)间接取代而被包括。这并不一定限于初级化学结构。
水溶性导电聚合物的例子包括具有重复单元的共聚物例如聚(异硫茚磺酸)、聚(噻酚烷基磺酸)、聚(吡咯烷基磺酸)、聚(苯胺磺酸)、聚(苯胺烷烃磺酸)或聚(苯胺硫烷烃磺酸)及自掺杂型导电聚合物例如这些化合物的盐结构和取代衍生物。
另外，在共聚物中，具有带有磺酸基团的化学结构的重复单元的量通常在50至100mol％范围里，优选80至100mol％，基于总重复单元。
另外，用于本发明中的共聚物可以是具有由其他π-共轭化学结构所构成的重复单元的聚合物，也可以是由2至5种重复单元构成的共聚物。在此，本发明中所用的术语“具有重复单元的共聚物”不必限于具有连续重复单元的共聚物，以及，只要可以表现出所希望的基于π-共轭主链的导电性，其中重复单元无规则或不连续包含的共聚物如无规共聚物。
水溶性导电聚合物可以是其均聚物或共聚物。
在本发明中，布朗斯台德酸基团的优选结构包括式(1)、(2)、(3)和(4)代表的化学结构。
式(1)：
Figure A20058002699400141
(式中，m和n各自独立地代表0或1。 X代表S、N-R1和O中任一者，A代表具有1至4个碳原子的亚烷基或亚烯基(其中可以存在两个或更多个双键)，其具有至少一个由-B-SO3 -M+代表的取代基并且可以具有其他取代基，B代表-(CH2)p-(O)q-(CH2)r-，p和r各自独立地代表0或1至3的整数，q代表0或1。M+代表氢离子、碱金属离子或季铵离子。)
作为取代基，烷基或亚烷基可以带有具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基或取代苯基。
式(2)：
Figure A20058002699400151
(式中，R2至R4各自独立地代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或-B-SO3 -M+基团。B代表-(CH2)p-(O)q-(CH2)r-，p和r各自独立地代表0或1至3的整数，q代表0或1。M+代表氢离子、碱金属离子或季铵离子。)
在上述R2、R3、R4的烷基、烷氧基或烷基酯基团的链中，可以任选地含有羰基键、醚键、酯键、磺酸酯键、酰胺键、磺酰胺键、硫醚键、亚磺酰键、磺酰键或亚氨键。
式(3)：
Figure A20058002699400152
(式中，R5代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或-B-SO3 -M+基团。B代表-(CH2)p-(O)q-(CH2)r-，p和r各自独立地代表0或1至3的整数，q代表0或1。M+代表氢离子、碱金属离子或季铵离子。)
在上述R5的烷基、烷氧基、烷基酯基团的链中，可以任选地含有羰基键、醚键、酯键、磺酸酯键、酰胺键、磺酰胺键、硫醚键、亚磺酰键、磺酰键或亚氢键。
式(4)：
Figure A20058002699400161
(式中，R6和R7各自独立地代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或-SO3 -M+基团。R8代表选自氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、苯基和取代苯基的单价基团。B代表-(CH2)p-(O)q-(CH2)r-，p和r各自独立地代表0或1至3的整数，q代表0或1。M+代表氢离子、碱金属离子或季铵离子。)
在上述R6和R7的烷基、烷氧基或烷基酯基团的链中，可以任选地含有羰基键、醚键、酯键、磺酸酯键、酰胺键、磺酰胺键、硫醚键、亚磺酰键、磺酰键或亚氨键。
特别优选的R2至R7例子包括氢原子、烷基、烷氧基、烷基酯基团、苯基或取代苯基和磺酸基团。这些取代基的例子包括，作为烷基，甲基、乙基、丙基、烯丙基、异丙基、丁基、1-丁烯基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十四烷基、十六烷基，乙氧乙基、甲氧乙基、甲氧乙氧乙基、丙酮基和苯甲酰甲基，作为烷氧基，甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、十二烷基氧基、甲氧基乙氧基和甲氧基乙氧基乙氧基，作为烷基酯基团，烷氧羰基，例如甲氧羰基、乙氧羰基和丁氧羰基，以及酰氧基，例如乙酰氧基和丁酰氧基，以及作为取代苯基，氟苯基、氯苯基、溴苯基、甲基苯基和甲氧基苯基。
在作为R2至R7的烷基和烷氧基的链中，可以任选地含有羰基键、醚键、酯键、磺酸酯键、酰胺键、磺酰胺键、硫醚键、亚磺酰键、磺酰键或亚氨键。
在式(3)和式(4)中的R2至R5取代基的例子中，优选氢原子和具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷基或烷氧基，并特别优选氢原子和具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基。
在式(4)中的作为R6和R7的取代基的例子中，优选氢原子和选自具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、苯基和取代苯基的单价基团。
式(1)至(4)中的B代表-(CH2)p-(O)q-(CH2)r-，p和r各自独立地代表0或1至3的整数，q代表0或1。在p＝q＝r＝0的情况下，B代表单键，并且-B-SO3 -M+代表-SO3 -M+中的硫原子直接连接到目标成键部位上的结构。
优选的B例子包括单键、亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚芳基、亚丁二烯基、氧亚甲基、氧亚乙基、氧亚丙基、亚甲基氧亚乙基和亚乙基氧亚乙基。B的特别优选的例子是单键、亚乙基、亚丙基、氧亚乙基和亚乙基氧亚乙基。
式中的M+代表氢原子、碱金属离子或季铵离子，并且这些离子可以是其两种或更多种物质的混合物。
碱金属离子的例子包括Na+、Li+和K+。
季铵离子由N(R9)(R10)(R11)(R12)+代表。式中R9至R12中的每一者独立地代表氢原子、具有1至30个碳原子的直链或支化、取代或未取代烷基、取代或未取代芳基，或者可以代表具有含有非碳和氢的原子的基团的烷基或芳基，例如烷氧基、羟基、氧亚烷基、硫亚烷基、偶氮基、偶氮苯基和对-二亚苯基氧基。
作为季铵离子，例如使用NH4 +、NH(CH3)3 +、NH(C6H5)3 +或N(CH3)2(CH2OH)(CH2-Z)+(如果Z代表化学式重量为600或更小的任何取代基，并且其例子包括苯氧基、对-二亚苯基氧基、对-烷氧基二亚苯基氧基和对-烷氧基苯偶氮苯氧基)的未取代型的或者烷基-或芳基-取代型的阳离子。另外，为了将离子转化为特定的阳离子，可以使用常规离子交换剂。
在作为R9至R12的烷基的链中，可以存在羰基键、醚键、酯键、酰胺键、硫醚键、亚磺酰键、磺酰键或亚氨键等。
式(1)、(2)或(3)所代表的化学结构的优选的例子包括5-(3’-丙烷磺基)-4，7-二氧环己[2，3-c]噻吩-1，3-二基、5-(2’-乙烷磺基)-4，7-二氧环己[2，3-c]噻吩-1，3-二基、5-磺基异硫茚-1，3-二基、4-磺基异硫茚-1，3-二基、4-甲基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-甲基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-甲基-4-磺基异硫茚-1，3-二基、5-甲基-4-磺基异硫茚-1，3-二基、6-乙基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-丙基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-丁基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-己基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-癸基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-甲氧基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-乙氧基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-氯-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-溴-5-磺基异硫茚-1，3-二基、6-三氟甲基-5-磺基异硫茚-1，3-二基、5-(磺基甲烷)异硫茚-1，3-二基、5-(2’-磺基乙烷)异硫茚-1，3-二基、5-(2’-磺基乙氧基)异硫茚-1，3-二基、5-(2’-(2”-磺基乙氧基)甲烷)异硫茚-1，3-二基和5-(2’-(2”-磺基乙氧基)乙烷)异硫茚-1，3-二基，及其锂盐、钠盐、铵盐、甲基铵盐、乙基铵盐、二甲基铵盐、二乙基铵盐、三甲基铵盐、三乙基铵盐、四甲基铵盐和四乙基铵盐。
式(4)所代表的化学结构的优选的例子包括2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、3-甲基-2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、5-甲基-2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、6-甲基-2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、5-乙基-2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、5-己基-2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、3-甲氧基-2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、5-甲氧基-2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、6-甲氧基-2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、5-乙氧基-2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基、2-磺基-N-甲基-1，4-亚氨基亚苯基和2-磺基-N-乙基-1，4-亚氨基亚苯基，及其锂盐、钠盐、铵盐、甲基铵盐、乙基铵盐、二甲基铵盐、二乙基铵盐、三甲基铵盐、三乙基铵盐、四甲基铵盐和四乙基铵盐。
另外，除了上述式(1)至(4)所述的以外，用于本发明中的水溶性导电聚合物的例子，聚(咔唑-N-烷烃磺酸)、聚(亚苯基-氧烷烃磺酸)、聚(亚苯基亚乙烯基-烷烃磺酸)、聚(亚苯基亚乙烯基-氧烷烃磺酸)、聚(苯胺-N-烷基磺酸)、聚(噻吩烷基羧酸)、聚(噻吩氧烷基羧酸)、聚(聚吡咯烷基羧酸)、聚(吡咯氧烷基羧酸)、聚(咔唑-N-烷基羧酸)、聚(亚苯基-氧烷基羧酸)、聚(亚苯基亚乙烯基-烷基羧酸)、聚(亚苯基亚乙烯基-氧烷基羧酸)、聚(苯胺-N-烷基羧酸)及其取代衍生物、6-磺基萘[2，3-c]噻吩-1，3-二基及其锂盐、钠盐、铵盐、甲基铵盐、乙基铵盐、二甲基铵盐、二乙基铵盐、三甲基铵盐、三乙基铵盐、四甲基铵盐和四乙基铵盐。
用于本发明中的水溶性导电聚合物的分子量，如果以构成主链的重复单元的数目来表示(聚合度)，通常为从5至2000，优选从10至1000。
用于本发明中的水溶性导电聚合物的特别优选的例子包括5-磺基异硫茚-1，3-二基的聚合物、含有80mol％或更多的5-磺基异硫茚的无规共聚物、聚(5-磺基异硫茚-1，3-二基-共聚-异硫茚-1，3-二基)、聚(3-(3-噻吩基)乙烷磺酸)、聚(3-(3-噻吩基)丙烷磺酸)、聚(2-(3-噻吩基)氧乙烷磺酸))、含有50mol％或更多的2-磺基-1，4-亚氨亚苯基的无规共聚物、聚(2-磺基-1，4-亚氢基亚苯基-共聚-1，4-亚氨基亚苯基)及其锂盐、钠盐、铵盐和三乙基铵盐。
本发明中的水溶性导电聚合物的浓度取决于所希望的膜的抗静电性能。但是，其通常为0.001至30质量％，优选从0.01至10质量％。
另外，在本发明的抗静电剂中，可以使用可与水混合并且可以溶解水溶性导电聚合物而不使其去掺杂的溶剂。溶剂的例子包括醚类例如1，4-二氧六环和四氢呋喃、碳酸酯类例如碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸亚乙酯和碳酸亚丙酯、腈类例如乙腈和苯基氰(benzonitrile)、醇类例如甲醇、乙醇、丙醇和异丙醇、质子溶剂类例如N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和N-甲基-2-吡咯烷酮、无机酸类例如硫酸和有机酸例如乙酸。可以单独使用这些溶剂中的一种或其两种或更多种的混合物溶剂。
作为本发明的抗静电剂的组合物的优选的例子，可以提及含有从0.1至20质量％的水溶性导电聚合物、0.0001至1质量％的生物表面活性剂和从79至99.8质量％的溶剂的组合物。
作为含有其它表面活性剂的抗静电剂的例子，可以提及从0.1至20质量％的水溶性导电聚合物、从0.0001至1质量％的生物表面活性剂、从0.0001至0.2质量％的烷基和烯基取代的芳香磺酸和从78.8至99.8质量％的溶剂的组合物。如果生物表面活性剂的浓度低于0.0001质量％，几乎得不到表面活性效果，而当其超过1质量％时，得不到与过量的生物表面活性剂相应的表面活性效果的增加。
本发明的抗静电剂可以与非化学增强光刻胶和化学增强光刻胶一起使用。
在非化学增强光刻胶中，本发明的抗静电剂起到具有优异可涂覆性的抗静电处理剂的作用。非化学增强光刻胶的例子包括酚树脂例如酚醛树脂、丙烯酸树脂例如聚甲基丙烯酸酯树脂和聚丙烯酸酯树脂和α-甲基苯乙烯和α-氯代丙烯酸的共聚物型。
在化学增强光刻胶中，观察到在抗静电膜和光刻胶的接触界面中更有效地避免了混合物层的形成。化学增强光刻胶的例子包括光敏树脂例如酚树脂类型、丙烯酸树脂类型和叠氮化合物类型，以及对带电粒子敏感的树脂例如聚甲基丙烯酸酯树脂类型、聚乙烯基苯酚类型、聚羟基苯乙烯类型以及α-甲基苯乙烯和α-氯代丙烯酸的共聚物类型。
另外，可以将添加剂例如光敏剂、叠氮化合物、交联剂、溶解抑制剂和酸发生剂加入光刻胶。
可以通过控制用于中和溶液中所含的水溶性导电聚合物的布朗斯台德酸的胺加入量来将本发明抗静电剂的pH调整至从酸到碱范围里的任何pH值。
可以将本发明的抗静电剂施于光刻胶的表面以形成抗静电膜。作为用抗静电剂涂覆光刻胶表面的方法，优选使用旋涂法，但是，也可以使用其它方法例如浸入法、喷雾法和刮条涂布机法。涂覆之后，通过在室温下空气干燥或在热台上加热涂覆有光刻胶膜的基础基底(base substrate)形成抗静电膜。另外，考虑到溶剂的除去，也优选在惰性气体气氛中的热处理。
在用抗静电剂涂覆之后，在用于在光刻胶膜上形成抗静电膜的过程中，如果光刻胶含有对水具有高亲和性的溶剂的残留，源自两层的液体组分相互渗透。液体组分的渗透伴随着水溶性导电聚合物的传递，并且因此在光刻胶和抗静电膜之间的界面中形成混合物层。如果源自导电聚合物的酸浓度超过用于诱发光刻胶中化学变化的浓度，在使用正类型化学增强光刻胶的情况下，这将导致膜减薄现象。
另一方面，在使用负类型化学增强光刻胶的情况下，溶剂残留导致形成不可溶的层并且进一步导致成雾现象。通过界面中的此类化学反应，在光刻胶中发生T-顶部(T-topping)或弯曲。此类形态变化在将图案印刷到基底例如硅晶片上的过程中引起线宽度变化或损害蚀刻深度和形态的控制。
用本发明的抗静电膜涂覆的产品的例子包括其上层叠有抗静电膜和光刻胶膜的基底。用于基底的材料的例子包括硅晶片、化合物半导体晶片例如砷化镓晶片和铟磷晶片、石英基底和磁性材料基底。
根据本发明的产品包括暂时使用于半导体生产中的基底、光掩模、中间掩模、模板掩模等。
由于当施于化学增强光刻胶上以形成抗静电膜时本发明的抗静电剂不引起质量变化例如成雾、膜减薄，以及形态变化例如T-顶部或弯曲)，本发明使得可以形成精细图案并且本发明人的抗静电效果在使用带电粒子束的蚀刻步骤中避免了位置误差。
实施例
以下通过参照水溶性聚合物的合成实施例来解释本发明。但是实施例和对比实施例决不限于以下实施例。
下面的实施例中所使用的测量设备和测量方法以及生物表面活性剂和光刻胶如下。
1)pH的测量
使用带有玻璃电极的氢离子浓度计(pH计F-13：HORIBA，Ltd.生产)来测量水溶液的pH。
2)制备包含抗静电剂的涂层膜的方法及其表面电阻的测量
使用Spinner 1H-III(Kyoei Semiconductor Co.，Ltd.生产)，将2ml抗静电剂加到45mm×45mm硅晶片上，然后在800rpm旋涂，制得抗静电剂的涂层膜。
使用表面电阻计(MEGARESTA HT-301型：SHISHIDOELECTROSTATIC，LTD.)测量涂层膜的表面电阻。
3)光刻胶膜厚度的测量
使用触针式表面光度计Dektak-3030(ULVAC Inc.生产)测量光刻胶膜厚度。
4)光散射颗粒分布的测量
使用PHOTAL FPAR-100(OHTSUKA ELECTRONICS CO.，LTD.生产)测量光散射颗粒分布。
5)接触角的测量
使用FACE CA-D(Kyowa InterFACE Science CO.，LTD.生产)测量接触角。
6)化学增强电子束光刻胶(以下简称“光刻胶”)的膜减薄
通过下列程序评价光刻胶中的膜减薄。
(1)光刻胶膜的形成：将正光刻胶旋涂在硅晶片上并随后通过预烘烤除去溶剂(根据所用的光刻胶来确定条件)。
(2)光刻胶膜厚度的测量：将在基底上形成的光刻胶部分剥离并使用触针式表面光度计，以基底表面为参考位置，测量光刻胶膜的初始厚度(A)。
(3)抗静电膜的形成：将2ml抗静电处理剂滴到涂覆的光刻胶表面上并在800rpm下旋涂，制得膜厚度为0.02μm的抗静电膜。
(4)烘烤处理：将其上层叠有抗静电膜和光刻胶的基底在120℃加热90秒并在室温下让其在空气中静置30秒。
(5)显像：将2ml由2.38质量％四甲基铵氢氧化物(以下简称“TMAH”)构成的显像溶液滴到抗静电膜的表面上。静置60秒后，在800rpm下将显像溶液旋去并保持旋转60秒以干燥表面。
(6)后烘烤处理：通过将基底放置于90℃的烘箱中10分钟以将其干燥进行后烘烤处理。
(7)相对于在以上(2)中膜剥离的位置，使用触针式表面光度计测量显像后的光刻胶的厚度(B)。
(8)通过从以上值中减去以上值B计算光刻胶中膜减薄量(C)(C＝A-B)。
7)膜减薄量的参考值
对于光刻胶，对于每一种光刻胶都存在一个膜变薄量(D)，并且它取决于形成光刻胶涂层膜后储存时间的长短。不能归因于抗静电剂的膜减薄的量(D)事先通过以下步骤测量。
(1)光刻胶膜的形成：将正光刻胶旋涂到硅晶片上并随后通过预烘烤除去溶剂(根据所用的光刻胶来确定条件)。
(2)光刻胶膜厚度的测量：将基底上形成的光刻胶部分剥离并使用触针式表面光度计以基底表面为参考位置测量光刻胶膜的初始厚度(E)。
(3)显像：将2ml由2.38质量％TMAH溶液构成的显像溶液滴到光刻胶表面上。静置60秒后，在800rpm下将显像溶液旋去并保持旋转60秒以干燥表面。
(4)后烘烤处理：通过将基底放置于90℃的烘箱中10分钟以将其彻底干燥进行后烘烤处理。
(5)相对于在以上(2)中膜剥离的位置，使用触针式表面光度计测量显像后的光刻胶膜的厚度(F)。
(6)通过从以上值F中减去以上值E，计算出光刻胶中膜减薄量(D)(D＝F-E)。
8)所使用的光刻胶和参考膜减薄量(D)
在实施例1到8和对比实施例1中，使用正化学增强光刻胶FEP171(FUJIFILM Arch Co.，Ltd.生产)作为光刻胶。将0.5ml光刻胶滴到硅晶片表面上并在800rpm下旋涂，并在事先加热到120℃的热台上加热90秒以形成光刻胶膜，光刻胶的参考膜减薄量(D)为13nm。
在本发明中，优选通过等式“膜减薄量(C)-参考膜减薄量(D)”所获得的值小于10nm，更优选小于3nm。
9)抗静电剂溶液滴的接触角的测量
为了评价抗静电剂对硅晶片上形成的光刻胶膜表面的可涂覆性，测定了接触角。通过在注射针的末端形成直径约30μm的光刻胶的液滴并使液滴接触到将要被吸收的光刻胶膜表面上，通过在吸收后将切线置于液滴表面20秒检测接触角，测量出接触角。
10)所使用的生物表面活性剂
作为生物表面活性剂，使用SHOWA DENKO K.K.生产的表面活性肽钠(AMINOFECT的注册商标)和伊枯草菌素。Aminofect是这样的多肽，其中作为亲水部位，L-谷氨酸-L-亮氨酸-D-亮氨酸-L-缬氨酸-L-asparaticacid-D-亮氨酸-L-亮氨酸的氨基酸残留物，β-羟基脂肪酸的羧酸基团和谷氨酸的氨基酸基团被缩合，并且β-羟基脂肪酸的羟基和亮氨酸的羧基被缩合以形成环状结构。亲油基团是十二烷基。
伊枯草菌素是这样的多肽，其中L-天冬酰胺-D-酪氨酸-L-天冬酰胺-L-谷酰胺-L-脯氨酸-D-天冬酰胺-L-丝氨酸-β-丙氨酸的氨基酸残留物被缩合以形成环状结构。亲油基团是选自取代在β-丙氨酸上的十一烷基、十二烷基、十三烷基和十四烷基的一种化合物或两种或更多种这些基团的混合物。
合成实施例1：水溶性导电聚合物
按照JP-A-H7-48436中描述的方法合成聚(5-磺基异硫茚-1，3-二基)。
合成实施例2：水溶性导电聚合物
按照Synthetic Metals，vol.30，pp.305-319(1989)中描述的方法合成聚(2-(3-噻吩基)乙烷)磺酸。
合成实施例3：水溶性导电聚合物
按照JP-A-H2-189333中描述的方法合成聚(3-(3-噻吩基)丙烷)磺酸。
合成实施例4：水溶性导电聚合物
按照WO98/03499中描述的方法合成聚(2-(3-噻吩基)氧乙烷)磺酸。
合成实施例5：水溶性导电聚合物
按照Macromolecules，Vol.29，pp.3950-3955(1996)中描述的方法合成自掺杂型导电聚合物化合物聚(2-磺基-1，4-亚氨基亚苯基-共聚-1，4-亚氨基亚苯基)(50mol％∶50mol％)。
实施例1：抗静电剂的制备
向95ml的0.6质量％的聚(5-磺基异硫茚-1，3-二基)的水溶液中加入2.8g的5质量％的Aminofect(由SHOWA DENKO K.K.生产)的水溶液和1.5ml的1N-氨水，并且将混合物搅拌2小时。再向其中加入适量的1N-氨水以得到pH值为6.1的抗静电剂。
在得到的抗静电剂静置于室温下3小时后，使用光散射光度计所测量到的光散射的积分强度中，归因于直径小于0.05μm的光散射颗粒的光散射强度为26％，而归因于直径在0.05至0.5μm的光散射颗粒的光散射强度为74％。没有观察到归因于直径0.5μm或更大的光散射颗粒的光散射。在将抗静电剂置于冷储存器中过夜后，再次使用光散射光度计测定光散射强度。归因于直径小于0.05μm的光散射颗粒的光散射强度为23％，而归因于直径0.05至0.5μm的光散射颗粒的光散射强度为76％，并且归因于直径从0.5μm至10μm的光散射颗粒的光散射强度为1％。使用所得到的抗静电剂，测量膜减薄量和接触角。结果见表1。
实施例2：抗静电剂的制备
向97ml的0.6质量％的聚(5-磺基异硫茚-1，3-二基)的水溶液中加入1.0g的5质量％的Aminofect(由SHOWA DENKO K.K.生产)和1.5ml的1N-氨水，并且将混合物搅拌2小时。再向其中加入适量的1N-氨水以得到pH值为5.0的抗静电剂。通过使用得到的抗静电剂，测量膜减薄量和接触角。结果见表1。
实施例3：抗静电剂的制备
向97ml的0.6质量％的聚(5-磺基异硫茚-1，3-二基)的水溶液中加入0.20g的5质量％的Aminofect(由SHOWA DENKO K.K.生产)、0.50g的5质量％的十二烷基苯磺酸(KANTO KAGAKU生产)的水溶液和1.5ml的1N-氨水，并且将混合物搅拌2小时。再向其中加入适量的1N-氨水以得到pH值为5.0的抗静电剂。通过使用得到的抗静电剂，测量膜减薄量和接触角。结果见表1。
实施例4：抗静电剂的制备
向94ml的0.66质量％的聚(5-磺基异硫茚-1，3-二基)的水溶液中加入2.0g的0.5质量％的伊枯草菌素(由SHOWA DENKO K.K.生产)和1ml的1N-氨水，并且将混合物搅拌2小时。再向其中加入适量的1N-氨水以得到pH值为6.0的抗静电剂。通过使用得到的抗静电剂，测量膜减薄量和接触角。结果见表1。
实施例5：抗静电剂的制备
向100ml的0.9质量％的聚(3-(3-噻吩基)乙烷磺酸)的水溶液中加入0.20g的5质量％的Aminofect(由SHOWA DENKO K.K.生产)的水溶液和0.50g的5质量％的十二烷基苯磺酸(KANTO KAGAKU生产)的水溶液和1.5ml的1N-氨水，并且将混合物搅拌2小时。再向其中加入适量的1N-氨水以得到pH值为4.0的抗静电剂。通过使用得到的抗静电剂，测量膜减薄量和接触角。结果见表1。
实施例6：抗静电剂的制备
向100ml的0.9质量％的聚(3-(3-噻吩甲基)丙烷磺酸)的水溶液中加入0.20g的5质量％的Aminofect(由SHOWA DENKO K.K.生产)水溶液和0.50g的5质量％的十二烷基苯磺酸(KANTO KAGAKU生产)的水溶液和1.5ml的1N-氨水，并且将混合物搅拌2小时。再向其中加入适量的1N-氨水以得到pH值为4.0的抗静电剂。通过使用得到的抗静电剂，测量膜减薄量和接触角。结果见表1。
实施例7：抗静电剂的制备
向100ml的0.9质量％的聚(2-(3-噻吩基)氧乙烷磺酸)的水溶液中加入0.20g的5质量％的Aminofect(由SHOWA DENKO K.K.生产)和0.50g的5质量％的十二烷基苯磺酸(KANTO KAGAKU生产)的水溶液和1.5ml的1N-氨水，并且将混合物搅拌2小时。再向其中加入适量的1N-氨水以得到pH值为4.0的本发明的抗静电剂。通过使用得到的抗静电剂，测量膜减薄量和接触角。结果见表1。
实施例8：抗静电剂的制备
向100ml的0.9质量％的聚(2-磺基-1，4-亚氨亚苯基-共聚-1，4-亚氨亚苯基)(50mol％∶50mol％)的水溶液中加入0.20g的5质量％的Aminofect(由SHOWA DENKO K.K.生产)的水溶液，0.50g的5质量％的十二烷基苯磺酸(KANTO KAGAKU生产)的水溶液和1.5ml的1N-氨水，并且将混合物搅拌2小时。再向其中加入适量的1N-氨水以得到pH值为4.0的本发明抗静电剂。通过使用得到的抗静电剂，测量膜减薄量和接触角。结果见表1。
对比实施例1：对比抗静电剂的制备
向95ml的0.6质量％的聚(5-磺基异硫茚-1，3-二基)的水溶液中加入4.0g的5质量％的十二烷基苯磺酸(KANTO KAGAKU生产)的水溶液和1.5ml的1N-氨水，并且将混合物搅拌2小时。再向其中加入适量的1N-氨水以得到pH值为5.0的对比抗静电剂。
在得到的抗静电剂静置于室温下3小时后，在通过使用光散射光度计测量的光散射的积分强度中，归因于直径小于0.05μm的光散射颗粒的光散射强度为100％，而没有观察到归因于直径0.05μm或更大的光散射颗粒的光散射。另外，在将抗静电剂置于冷储存器中过夜后，归因于直径小于0.05μm的光散射颗粒的光散射强度为100％，而没有观察到归因于直径0.05μm或更大的光散射颗粒的光散射。
通过使用得到的抗静电剂，测量膜减薄量和接触角。结果见表1。
                            表1
    膜减薄量C(nm)     膜减薄量-参考膜减薄量(C-D)(nm)   接触角(度)
  实施例1     8     -5   33
  实施例2     10     -3   46
  实施例3     13     ±0   28
  实施例4     15     2   51
  实施例5     18     5   33
  实施例6     19     6   31
  实施例7     19     6   30
  实施例8     20     7   31
  对比实施例     30     17   31
工业实用性
本发明的可以有效抑制光刻胶的膜减薄、成雾等的抗静电剂对于化学增强光刻胶特别有用。

Claims (23)

1.一种抗静电剂，其包含水溶性导电聚合物和亲水部位的分子量为200至10,000的生物表面活性剂。
2.权利要求1的抗静电剂，其进一步包含溶剂。
3.权利要求2的抗静电剂，其中包含的水溶性导电聚合物的量为0.1至20质量％、生物表面活性剂的量为0.0001至1质量％，溶剂的量为79至99.8质量％。
4.权利要求1或2的抗静电剂，其进一步包含烷基或烯基取代的芳香磺酸或其盐。
5.权利要求4的抗静电剂，其中包含的水溶性导电聚合物的量为0.1至20质量％、生物表面活性剂的量为0.0001至1质量％，烷基或烯基取代的芳香磺酸或其盐的量为0.0001至0.2质量％，并且溶剂的量为78.8至99.8质量％。
6.权利要求1的抗静电剂，其中生物表面活性剂具有多肽结构。
7.权利要求6的抗静电剂，其中生物表面活性剂包括环状结构。
8.权利要求1、3、5或6的抗静电剂，其中生物表面活性剂由至少一种选自芽胞杆菌属、假单胞菌属、红球菌属、沙雷氏菌属、不动杆菌属、青霉菌属、产碱菌属、金杆菌属、假丝酵母属和分支杆菌属的细菌生产。
9.权利要求1、3、5、6或7的抗静电剂，其中生物表面活性剂是选自表面活性肽、伊枯草菌素、大侧柏酸、arthrofactin、伊枯草菌素、serrawettin和直链表面活性肽中的至少一种。
10.权利要求1的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物是具有布朗斯台德酸基团的π-共轭导电聚合物或其盐。
11.权利要求10的抗静电剂，其中布朗斯台德酸基团是磺酸基团。
12.权利要求1、10或11的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物含有式(1)代表的化学结构：
Figure A2005800269940003C1
其中m和n各自独立地代表0或1。 X代表S、N-R1和O中任一者，A代表具有1至4个碳原子的亚烷基或亚烯基(其中可以存在两个或更多个双键)，其具有至少一个由-B-SO3 -M+代表的取代基并且可以具有其他取代基，B代表-(CH2)p-(O)q-(CH2)r-，p和r各自独立地代表0或1至3的整数，q代表0或1。M+代表氢离子、碱金属离子或季铵离子。
13.权利要求1、10或11的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物含有式(2)代表的化学结构：
Figure A2005800269940003C2
其中R2至R4各自独立地代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或-B-SO3 -M+基团。B、p、q、r和M+如以上12中所定义。
14.权利要求1、10或11的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物含有式(3)代表的化学结构：
其中R5代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或-B-SO3 -M+基团。B、p、q、r和M+如以上权利要求12中所定义。
15.权利要求1、10或11的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物含有式(4)代表的化学结构：
Figure A2005800269940004C1
其中R6和R7各自独立地代表氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或SO3 -M+基团。R8代表选自氢原子、具有1至20个碳原子的直链或支化、饱和或不饱和烃基、苯基和取代苯基的单价基团。B、p、q、r和M+如以上权利要求12中所定义。
16.权利要求12或13的抗静电剂，其中水溶性导电聚合物是含有5-磺基异硫茚-1，3-二基的聚合物。
17.权利要求1的抗静电剂，其中包含颗粒度为0.05至10μm的光散射颗粒。
18.权利要求17的抗静电剂，其中颗粒度为0.05至10μm的光散射颗粒的颗粒分布为基于总颗粒50至99.9％。
19.一种抗静电膜，其通过使用权利要求1至18中任一项的抗静电剂得到。
20.权利要求19的抗静电膜，其膜厚度为0.1至50nm。
21.一种涂覆产品，其通过使用权利要求19或20的抗静电膜涂覆而得到。
22.权利要求21的涂覆产品，其中待涂覆的表面是已经施于基础基底上的光敏组合物或对带电粒子束敏感的组合物。
23.一种图案形成方法，所述方法使用权利要求19的抗静电膜。
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