CN100999668A - 液晶介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种液晶介质，该介质在20℃下的双折射低于0.8和包含－1－30wt％一种或多种式IA的化合物，－1－10wt％一种或多种式IB的化合物，－0－9wt％一种或多种式IC的化合物，其中R1，R2，Y1和X具有在权利要求1中所述的含义，并涉及其用于电光学目的的用途，和涉及包含此介质的显示器。

Description

液晶介质
技术领域
本发明涉及液晶介质，涉及其用于电光学目的的用途，和涉及包含此介质的显示器。
背景技术
由于液晶的光学性能可以通过施加的电压而改变，液晶主要用作显示器件中的电介质。基于液晶的电光学器件是本领域技术人员特别公知的和可以基于各种效应。这样器件的例子是具有动态散射的液晶盒(cell)、DAP(对准相的变形)液晶盒、宾/主液晶盒、具有扭转向列型结构的TN液晶盒、STN(超扭转向列型)液晶盒、SBE(超双折射效应)液晶盒和OMI(光学模式干涉)液晶盒。最通常的显示器件基于Schadt-Helfrich效应和具有扭转向列型结构。
液晶材料必须具有良好的化学和热稳定性和对电场和电磁辐射的良好稳定性。此外，液晶材料应当具有低粘度和在液晶盒中产生短寻址时间、低阈值电压和高对比度。
它们此外应当在通常的操作温度下，即在室温以上和以下的最宽可能范围中具有合适的中间相，例如用于上述液晶盒的向列型或胆甾型中间相。由于液晶通常作为多种组分的混合物形式使用，所以重要的是各组分容易彼此混溶。依据液晶盒类型和应用领域，进一步的性能，如电导率、介电各向异性和光学各向异性必须满足各种要求。例如，用于具有扭转向列型结构的液晶盒的材料应当具有正介电各异性和低电导率。
例如，对于具有开关单个象素的集成非线性元件的矩阵液晶显示器(MLC显示器)，需要具有大的正介电各向异性，宽向列相，相对低双折射，非常高比电阻，良好UV和温度稳定性和低蒸气压的介质。
此类型的矩阵液晶显示器是已知的。可用于单个象素的单个开关的非线性元件是例如，有源元件(即晶体管)。这样使用术语“有源矩阵”，其中可区分为两种类型：
1.在作为基板的硅片上的MOS(金属氧化物半导体)或其它二极管。
2.在作为基板的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。
由于甚至各种分显示器的模块式组装体在接合处也导致问题，所以单晶硅作为基板材料的使用限制了显示器尺寸。
在更有前景的优选的类型2的情况下，使用的电光学效应通常是TN效应。区分为两种技术：包含化合物半导体，例如CdSe的TFT，或基于多晶或无定形硅的TFT。
TFT矩阵应用于显示器的一个玻璃板的内侧，而另一个玻璃板在它的内侧带有透明反电极。与象素电极的尺寸相比，TFT非常小和几乎对图象没有不利的影响。此技术也可以扩展到全色容(fullycolour-capable)的显示器，其中以一定的方式排列红色、绿色和蓝色滤色片的拼接件(mosaic)，使得滤色片元件与每个可开关的象素相对。
TFT显示器通常作为在透射中带有正交偏振片的TN液晶盒操作和是从背面照明的。
术语“MLC显示器”在此覆盖含有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即除有源矩阵外，同样还有含有无源元件，如变阻体或二极管的显示器(MIM＝金属-绝缘体-金属)。
此类型的MLC显示器特别适于TV应用(例如袖珍TV)或适于用于计算机应用(膝上型电脑)的高信息显示器和适于汽车或飞机构造。除关于对比度和响应时间的角度依赖性的问题以外，由于液晶混合物的不足够高比电阻，在MLC显示器中同样产生困难[TOGASHI，S.，SEKIGUCHI，K.，TANABE，H.，YAMAMOTO，E.，SORIMACHI，K.，TAJIMA，E.，WATANABE，H.，SHIMIZU，H.，Proc.Eurodisplay84，1984年9月；A210-288Matrix LCD Controrolled by Double Stage Diode Rings(双级二极管环控制的210-288矩阵LCD)，第141页及后几页，巴黎；STROMER，M.，Proc.Eurodisplay84，1984年9月：电视液晶显示器的矩阵寻址用的薄膜晶体管的设计，第145页及后几页，巴黎]。随降低的电阻，MLC显示器的对比度劣化，和可产生余象消除的问题。由于与显示器内表面的相互作用，液晶混合物的比电阻通常在MLC显示器的寿命内下降，所以高(初始)电阻是非常重要的以获得可接受的服务寿命。特别地在低伏混合物的情况下，迄今为止不可能达到非常高的比电阻值。此外重要的是比电阻随升高的温度和在加热和/或UV曝光之后显示最小可能的增加。现有技术中的混合物的低温性能，特别地所谓“低温稳定性”(LTS)也是特别不利的。需要不发生结晶和/或近晶相，甚至在低温下也如此，和粘度的温度依赖性尽可能低。现有技术中的MLC显示器因此不满足目前的要求。
因此持续存在对MLC显示器的极大需求，该显示器在大工作温度范围、甚至在低温下的短响应时间和低阈值电压的同时具有非常高的比电阻，它不具有这些缺点，或仅在降低的程度上具有这些缺点。
在TN(Schadt-Helfrich)液晶盒中，需要促进在液晶盒中的如下优点的介质：
-延长的向列相范围(特别是低到低温)
-在特别低温度下开关的能力(室外使用，汽车，航空电子设备)
-对UV辐射的增加的抵抗力(更长的服务寿命)。
从现有技术可得的介质不允许在同时基本保持其它参数的同时达到这些优点。
在超扭转(STN)液晶盒的情况下，需要能够达到更大多路传输性和/或更低阈值电压和/或更宽向列相范围(特别地在低温下)的介质。为此目的，急切需要可利用参数范围(澄清点，近晶相-向列相转变点或熔点，粘度，介电参数，弹性参数)的进一步加宽。
对于TV和监视器应用，需要具有快速响应时间和低阈值电压的介质，此外要求良好的低温稳定性。同样，依赖于可切换LC层的厚度，可能要求高双折射。
发明内容
本发明的目的因此是提供介质，特别地用于此类型MLC，TN或STN显示器的介质，它不具有上述缺点或仅在降低的程度上具有上述缺点，和优选同时具有非常高的比电阻，低阈值电压，改进的LTS和快速开关时间。
现在已经发现，如果根据本发明的介质用于显示器中则可以达到此目的。
本发明因此涉及一种液晶介质，特别地基于极性化合物的混合物的介质，其特征在于它包含
-1-30wt％一种或多种式IA的化合物，
-1-10wt％一种或多种式IB的化合物，
-0-9wt％一种或多种式IC的化合物，
Figure A20071000171400111
Figure A20071000171400112
其中
R1和R2彼此独立地各自是含有1-12个碳原子的烷基，它是未取代的、由CN或CF3单取代或由卤素至少单取代的，其中一个或多个CH2基团任选地在每种情况下彼此独立地由-O-、-S-、
Figure A20071000171400113
-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以O原子不彼此直接连接的方式替代，
Y1是H或F，
X是F、Cl或含有最多至6个碳原子的卤代烷基、烯基、烷氧基或烯氧基。
在纯状态中，式IA-IC的化合物是无色的和在对于电光学用途有利地设置的温度范围中形成液晶中间相。它们是化学稳定的，热稳定的和对光稳定的。
式IA、IB和IC中的R1和R2优选是具有1-12，非常优选2、3、4、5、6或7个C原子的直链烷基或烷氧基。
式IA中的X优选是F、Cl、CF3、CHF2、OCF3、OCHF2、OCFHCF3、OCFHCHF2、OCFHCHF2、OCF2CH3、OCF2CHF2、OCF2CHF2、OCF2CF2CHF2、OCF2CF2CHF2、OCFHCF2CF3、OCFHCF2CHF2、OCF2CF2CF3、OCF2CF2CClF2、OCClFCF2CF3或CH＝CF2，最优选F或OCF3。
式IA的特别优选化合物是选自具有下式的那些：
Figure A20071000171400121
其中R1具有式IA中给出的含义。非常优选是式IA1的化合物。
式IB的特别优选化合物是那些，其中R1和R2选自2、3、4、5或6个C原子的直链烷基。
式IC的特别优选化合物是那些，其中R1选自2、3、4、5或6个C原子的直链烷基。
式IA、IB和IC的化合物由自身已知，如在文献中(例如在标准著作，如Houben-Weyl，Methoden der organischen Chemie(有机化学的方法)，Georg-Thieme出版社，斯图加特中)所述的方法，精确地在已知和适于该反应的反应条件下制备。也可以在此使用自身已知的变化方案，但对它们不在此更详细提及。
本发明也涉及包含此类型介质的电光学显示器(特别地具有如下部分的STN或MLC显示器两个平面平行的外板，它与框架一起形成液晶盒，在外板上用于开关单个象素的集成非线性元件，和位于液晶盒中具有正介电各向异性和高比电阻的向列型液晶混合物)，和涉及这些介质用于电光学目的的用途。除反射型显示器以外，根据本发明的混合物也适于IPS(平面内切换)应用，OCB(光学控制双折射)应用和VA(垂直对准)应用。
根据本发明的液晶混合物能够实现可利用参数范围的显著加宽。特别地，发现，通过使用包含式IA、IB和任选地IC的化合物的液晶混合物，可以获得具有低阈值电压和改进的LTS，特别地在-20℃或更低，特别地-40℃或更低的温度下的LTS的混合物。
可达到的澄清点、旋转粘度γ1、低Δn和介电各向异性的组合远优于现有技术中的先前材料。
对于高澄清点、在低温下的向列相和高正Δε的要求迄今为止仅在不适当的程度上达到。尽管存在具有高正Δε的现有技术混合物，例如MLC-6424，但它们仅具有低的澄清点数值和高的旋转粘度γ1数值。其它混合物体系具有良好的流动粘度v20和Δε数值，但仅具有在60℃左右的澄清点。
根据本发明的混合物在20℃下的双折射优选低于0.075，非常优选0.06-0.074，最优选0.07-0.073。
根据本发明的液晶混合物，在保持向列相低至-20℃，优选低至-30℃，和特别优选低至-40℃的同时，能够实现高于80℃，优选高于85℃的澄清点，同时实现≥8，优选≥10的介电各向异性Δε数值，和达到比电阻的高数值，能够获得优异的STN和MLC显示器。特别地，混合物的特征为低操作电压。TN阈值低于2.0V，优选低于1.7V，特别优选低于1.5V。
理所当然的是，通过根据本发明的混合物的各组分的合适选择，也可以在更高的阈值电压下达到更高的澄清点(例如高于110℃)或在更低的阈值电压下达到更低的澄清点，同时保留其它有利的性能。在相应地仅轻微增加的粘度下，同样可以获得具有更大Δε和因此更低阈值的混合物。根据本发明的MLC显示器优选在第一Gooch和Tarry透射最小值下操作[C.H.Gooch和H.A.Tarry，Electron.Lett.10，2-4，1974；C.H.Gooch和H.A.Tarry，Appl.Phys.，第8卷，1575-1584，1975]，其中除特别有利的电光学性能，例如特征线的高陡度和对比度的低角度依赖性以外(德国专利3022818)，与在第二最小值下的类似显示器中相同的阈值电压下更低的介电各向异性是足够的。与包含氰基化合物的混合物情况下相比，这能够使用根据本发明的混合物在第一最小值下达到显著更高的比电阻。通过单个组分和它们的重量比例的合适选择，本领域技术人员能够使用简单的常规方法调节对于预规定的MLC显示器的层厚度而言必需的双折射。
在20℃下的流动粘度v20优选＜60mm2·s-1，特别优选＜50mm2·s-1。根据本发明的混合物在20℃下的旋转粘度γ1优选＜250mPa·s，特别优选＜210mPa·s。向列相范围优选是至少90℃，特别优选至少100℃。此范围优选延伸至少-20℃到+80℃。
电容保持比(HR)的测量[S.Matsumoto等人，Liquid Crystals 5，1320(1989)；K.Niwa等人，Proc.SID Conference，旧金山，1984年6月，第304页(1984)；G.Weber等人，Liquid Crystals 5，1381(1989)]已显示，与例如包含式
Figure A20071000171400141
的氰基苯基环己烷或式
Figure A20071000171400142
的酯代替本发明的式I的化合物的类似混合物相比，包含式I的化合物的根据本发明的混合物显示显著更小的随升高的温度的HR降低。
根据本发明的混合物的UV稳定性也相当程度上更好，即在对UV曝光时它们显示显著更小的HR降低。
根据本发明的介质优选仅包含低数量(≤10wt％)的包含氰基的化合物，非常优选不含有这样的化合物。在20℃下根据本发明的介质的保持比数值是优选＞98％，非常优选＞99％。
在液晶显示器件中短开关时间是特别优选的，特别地当用于视频和TV应用中时。对于这些应用，需要小于25ms的开关时间(t开+t关)。开关时间的上限由图象重复速率确定。
以下指示本发明的优选实施方案：
-介质另外包含一种或多种选自通式II-VII的化合物：
Figure A20071000171400151
Figure A20071000171400161
其中单个基团具有如下含义：
R0：正烷基、烷氧基、氧杂烷基、氟烷基或烯基，各含有最多至9个碳原子，
X0：F、Cl、含有1-6个碳原子的卤代烷基、卤代烯基、卤代烯氧基或卤代烷氧基，
Z0：-C2H4-、-(CH2)4-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCF2-或-CF2O-，
Y1到Y4：彼此独立地各自是H或F，条件是如果式VII中的Z0是-CF2O-，则式VII中Y1-Y4中的至少一个是H，
r是0或1；
-式II的化合物优选选自下式化合物
Figure A20071000171400171
其中R0具有式II中给出的含义。特别优选是式IIa的化合物。
-式IV的化合物优选选自下式化合物
Figure A20071000171400172
其中X0和R0具有式II中给出的含义和X0优选是F或OCF3。特别优选是式IVa和IVe的化合物。
-式VI的化合物优选选自下式化合物
Figure A20071000171400181
其中R0具有式II中给出的含义。特别优选是式VIa和VIb的化合物。
-式VII的化合物优选选自下式化合物
Figure A20071000171400182
其中X0和R0具有式II中给出的含义和X0优选是F或OCF3。
-介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：
其中R1和R2如在式IB中所定义，和优选选自含有2、3、4、5或6个C原子的直链烷基。
-介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：
Figure A20071000171400191
Figure A20071000171400201
其中R0、X0和Y1-4彼此独立地各自如在式II-VII中所定义。X0优选是F、Cl、CF3、OCF3或OCHF2。R0优选是烷基、氧杂烷基、氟烷基或烯基，各含有最多至6个碳原子。
-介质另外包含一种或多种下式的化合物：
其中R1和R2如在式IB中所定义和Y1如在式II中所定义。特别优选是这样的化合物，其中Y1是F。
-介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：
其中R1和R2如在式IB中所定义，和优选选自含有1、2、3、4、5或6个C原子的直链烷基或烷氧基。
-介质另外包含一种或多种下式的烯基化合物：
Figure A20071000171400204
其中
A是1，4-亚苯基或反式-1，4-亚环己基，
a是0或1，
R3是含有2-9个碳原子的烯基，和
R4如对于式IA中的R1所定义。
特别优选的烯基化合物是选自下式的那些化合物：
其中R3a和R4a彼此独立地是H、CH3、C2H5或n-C3H7和烷基是含有1-8个碳原子的烷基。
特别优选是式XXa，XXf和XXg的化合物，特别地其中R3a是H或CH3。
-介质另外包含一种或多种下式的烯基化合物：
Figure A20071000171400221
其中
R3是含有2-7个碳原子的烯基，
Q是CF2、OCF2、CFH、OCFH或单键，
Y是F或Cl，和
L1和L2彼此独立地是H或F。
特别优选是式XXI的化合物，其中L1和/或L2是F和Q-Y是F或OCF3。进一步优选是式XI的化合物，其中R3是含有2-7，优选2、3或4个碳原子的1E-烯基或3E-烯基。
非常优选是下式的化合物
Figure A20071000171400222
其中R3a是H、CH3、C2H5或n-C3H7，特别地H或CH3。
-介质包含优选选自下式的另外化合物：
Figure A20071000171400223
其中R0，X0和Y1-4彼此独立地各自如在式II-VII中所定义，和1，4-亚苯基环可以由CN、氯或氟取代。X0优选是F、Cl、CF3、OCF3或OCHF2。R0优选是烷基、氧杂烷基、氟烷基或烯基，各含有最多至6个碳原子。所述1，4-亚苯基环优选由氟原子单取代或多取代。
-介质包含优选选自下式的另外化合物：
Figure A20071000171400231
其中R0如在式II-VII中所定义，d是0、1或2，和“烷基”和“烷基*”彼此独立地各自是含有1-9个碳原子的直链或支化烷基。R优选是烷基、氧杂烷基、氟烷基或烯基，各含有最多至6个碳原子。
优选为
或
Figure A20071000171400236
-介质包含式II、III、IV、V、VI或VII的一种或多种化合物；
-介质包含式VIII的一种或多种化合物，其中R1和R2是含有2、3、4、5或6个C原子的直链烷基；
-介质包含式XIX的一种或多种化合物，其中R1和R2是含有1、2、3、4、5或6个C原子的直链烷基或烷氧基；
-R0是含有2-7个碳原子的直链烷基或烯基；
-介质包含1-6种，优选1、2、3或4种式IA，最优选式IA1的化合物；
-介质包含1-5种，优选1、2或3种式IB的化合物；
-介质包含1、2或3种式IC的化合物；
-介质包含式IA，IB，IC，IIa，VIa和VIII的一种或多种化合物，和任选地式IVa，VIb和XIX的一种或多种化合物；
-介质中式IA的化合物的比例是1-40wt％，非常优选10-35wt％。
-介质中式IB的化合物的比例是1-15wt％，非常优选1-10wt％，最优选1-8wt％。
-介质中式IC的化合物的比例是1-9wt％，非常优选1-6wt％。
-介质中式II的化合物的比例是10-50wt％，非常优选15-40wt％。
-介质中式VI的化合物的比例是10-50wt％，非常优选15-40wt％。
-介质中式IV的化合物的比例是1-20wt％，非常优选1-10wt％。
-介质中式VII的化合物的比例是1-15wt％，非常优选1-10wt％。
-介质中式VIII的化合物的比例是1-12wt％，非常优选1-8wt％。
-介质中式XIX的化合物的比例是1-10wt％，非常优选1-5wt％。
-介质基本上由选自通式IA，IB，任选地IC，和II-XXIX的化合物组成。
术语“烷基”覆盖含有1-7个碳原子的直链和支化烷基，特别是直链基团，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基和庚基。通常优选是含有2-5个碳原子的基团。
术语“烯基”覆盖含有2-7个碳原子的直链和支化烯基，特别是直链基团。特别的烯基是C2-C7-1E-烯基、C4-C7-3E-烯基、C5-C7-4-烯基、C6-C7-5-烯基和C7-6-烯基，特别地C2-C7-1E-烯基、C4-C7-3E-烯基和C5-C7-4-烯基。优选的烯基的例子是乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基等。通常优选是含有最多至5个碳原子的基团。
术语“氟烷基”优选覆盖含有末端氟的直链基团，即氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基和7-氟庚基。然而，不排除其它位置的氟。
术语“氧杂烷基”优选覆盖式CnH2n+1-O-(CH2)m的直链基团，其中n和m彼此独立地各自是1-6。n优选＝1和m优选是1-6。
已经发现，与常规液晶材料，但特别地与式II，III，IV，V，VI和/或VII的一种或多种化合物混合的甚至相对低比例的式IA，IB和任选地IC的化合物导致阈值电压的显著降低和导致低双折射数值，其中同时观察到宽的向列相与低近晶相-向列相转变温度，改进了保存期限。特别优选是这样的混合物，该混合物除式IA，IB和任选地IC的一种或多种化合物以外，还包含式VI的一种或多种化合物，特别地式VIa的化合物。式IA，IB和IC和II-VII的化合物是无色，稳定的和容易与彼此混溶和与其它液晶材料混溶。此外，根据本发明的混合物的突出之处为非常高的澄清点，旋转粘度γ1的数值比较低，和高的LTS。
通过R0和X0的含义的合适选择，可以采用所需的方式改进寻址时间，阈值电压，透射特征线的陡度等。例如，与烷基或烷氧基相比，1E-烯基、3E-烯基、2E-烯氧基等通常导致更短的寻址时间，改进的向列型倾向和更高的弹性常数k33(弯曲)和k11(斜展)的比例。与烷基和烷氧基相比，4-烯基、3-烯基等通常得到更低的阈值电压和更小的k33/k11数值。
与单一共价键相比，-CH2CH2-基团通常导致更高的k33/k11数值。更高的k33/k11数值例如促进具有90°扭转的TN液晶盒中更平坦的透射特征线(以达到灰色色调)和STN、SBE和OMI液晶盒中更陡的透射特征线(更大的多路传输性)，和反之亦然。
式IA，IB和IC和II+III+IV+V+VI+VII的化合物的最优混合比基本依赖于所需的性能，依赖于式IA，IB，IC，II，III，IV，V，VI和/或VII的组分的选择，和依赖于可以存在的任何其它组分的选择。在以上给出的范围内的合适的混合比可以容易地从一种情况到另一种情况而确定。
根据本发明的混合物中式IA，IB和IC和II-XXIX的化合物的总数量不是关键性的。混合物可因此包含一种或多种另外的组分用于优化各种性能的目的。然而，式IA，IB和IC和II-XXIX的化合物的总浓度越高，观察到的对寻址时间和阈值电压的影响通常越大。
在特别优选的实施方案中，根据本发明的介质包含式II-VII(优选II和/或VI，特别地IIa和VIa)的化合物，其中X0是F、OCF3、OCHF2、OCH＝CF2、OCF＝CF2或OCF2-CF2H。与式IA，IB和IC的化合物的有利协同效果导致特别有利的性能。特别地，包含式IA，IB和IC和式VIa的化合物的混合物的突出之处为它们的低阈值电压。
包含式IA，IB和IC的化合物和进一步包含式II-XXIX的一种或多种化合物的根据本发明的液晶介质的特征为低旋转粘度值，高双折射，良好的LTS和显示快速响应时间。它们特别适于TV，视频和监视器应用。
可用于根据本发明的介质中的式IA，IB和IC和II-XXIX和它们的子式的单个化合物是已知的或它们可以类似于已知化合物而制备。
从偏振片、电极基板和表面处理的电极的根据本发明的MLC显示器的构造对应于此类型显示器的常规构造。术语“常规构造”在此宽泛地理解和也覆盖MLC显示器的所有衍生形式和变型，特别包括基于多晶Si TFT或MIM的矩阵显示器元件。
然而，在根据本发明的显示器和基于扭转向列型液晶盒的常规显示器之间的显著差异在于液晶层的液晶参数的选择。
采用自身常规的方式，例如通过混合式IA、IB和任选地IC的一种或多种化合物与选自式II-XIX的一种或多种化合物或与一种或多种另外的液晶化合物和/或添加剂，制备可以根据本发明使用的液晶混合物。通常，将所需数量的以较小数量使用的组分溶于构成主要成分的组分中，有利地在升高的温度下。也可以混合各组分在有机溶剂中，例如在丙酮、氯仿或甲醇中的溶液，和在充分混合之后再次除去溶剂，例如通过蒸馏进行。
电介质也可以包含本领域技术人员已知和文献中描述的另外添加剂。例如，可以加入0-15％的多色染料，纳米粒子，稳定剂或手性掺杂剂。合适的掺杂剂和稳定剂列于下表C和D。
具体实施方式
在本申请中和在以下的实施例中，借助首字母缩写词指示液晶化合物的结构，向化学式的转换根据下表A和B进行。所有的基团CnH2n+1和CmH2m+1是分别含有n和m个碳原子的直链烷基；n和m优选是0、1、2、3、4、5、6或7。表B中的编码是不证自明的。在表A中，仅指示母体结构的首字母缩写词。在个别情况下，母体结构的首字母缩写词由短划线分开地随后接有取代基R1*，R2*，L1*和L2*的编码。
  R1*，R2*，L1*，L2*的编码 R1* R2* L1* L2*
  nmnOmnO.mnnN.FnFnOFnClnF.FnF.F.FnCF3nOCF3nOCF2V-n   CnH2n+1CnH2n+1OCnH2n+1CnH2n+1CnH2n+1CnH2n+1OCnH2n+1CnH2n+1CnH2n+1CnH2n+1CnH2n+1CnH2n+1CnH2n+1CH2＝CH     CmH2m+1OCmH2m+1CmH2m+1CNCNFFClFFCF3OCF3OCHF2CnH2n+1     HHHHHHHHHFHHHH  HHHHFHHHFFHHHH
在表A和B中给出根据本发明的混合物概念的优选混合物组分。
表A
Figure A20071000171400281
Figure A20071000171400291
表B
Figure A20071000171400292
Figure A20071000171400311
Figure A20071000171400321
表C
表C显示优选以0.1-10wt％，非常优选0.1-6wt％的比例通常加入到根据本发明的化合物中的可能掺杂剂。
Figure A20071000171400331
表D
以下显示例如可以加入到根据本发明的混合物中的稳定剂。
Figure A20071000171400351
Figure A20071000171400361
Figure A20071000171400371
Figure A20071000171400381
除式IA，IB和任选地IC的一种或多种化合物以外，特别优选的混合物包含表B中的一种、二种、三种、四种、五种或更多种化合物。
以下实施例希望解释本发明而不限制本发明。上下文中，百分比是重量百分比。所有的温度以摄氏度计给出。m.p.表示熔点，cl.p.＝澄清点。此外，C＝结晶态，N＝向列相，S＝近晶相和I＝各向同性相。在这些符号之间的数据表示过渡温度。Δn表示光学各向异性和no表示折射率(589nm，20℃)。流动粘度v20(mm2/sec)和旋转粘度γ1[mPa.s]各在20℃下测量。V10表示10％透射的电压(垂直于板表面的视角)。t开表示在对应于2倍V10数值的操作电压下的接通时间和t关表示在此操作电压下的切断时间。Δε表示介电各向异性(Δε＝ε‖-ε⊥，其中ε‖表示平行于纵向分子轴的介电常数和ε⊥表示对其垂直的介电常数)。除非另外明确说明，电光学数据在TN液晶盒中在第1最小值下(即在0.5μm的d·Δn数值下)在20℃下测量。除非另外明确说明，光学数据在20℃下测量。
实施例1
CCP-1F.F.F    8.50％    澄清点      [℃]：    87.2
CCP-2F.F.F    8.50％    Δn[589nm，20℃]：    0.0716
CCP-3F.F.F    10.00％
CCP-5F.F.F    4.50％
CCQU-2-F      9.50％
CCQU-3-F      9.50％
CCQU-5-F      9.50％
ACQU-2-F      8.50％
ACQU-3-F      8.50％
ACQU-4-F      8.50％
PUQU-3-F      4.25％
CCH-301       1.50％
CH-33         2.50％
CH-43         0.75％
CCPC-33       3.00％
CCPC-34       2.50％
实施例2
CCP-1F.F.F    8.00％    澄清点      [℃]：    86.0
CCP-2F.F.F    8.50％    Δn[589nm，20℃]：    0.0713
CCP-3F.F.F    9.00％
CCP-5F.F.F    4.00％
CCQU-2-F      9.00％
CCQU-3-F      9.00％
CCQU-5-F      9.00％
ACQU-2-F      9.00％
ACQU-3-F      9.00％
ACQU-4-F      9.00％
PUQU-3-F      5.00％
CCH-501       2.50％
CH-33         2.00％
CH-43         1.50％
CCPC-33       3.00％
CCPC-34       2.50％
实施例3
CCP-1F.F.F    8.00％    澄清点      [℃]：    87.2
CCP-2F.F.F    8.00％    Δn[589nm，20℃]：    0.0717
CCP-3F.F.F    9.00％    Δε[1kHz，20℃]：    +13.2
CCP-5F.F.F    4.00％    γ1[m·Pas，20℃]：   205
CCQU-2-F      8.00％
CCQU-3-F      8.00％
CCQU-5-F      8.00％
ACQU-2-F      8.00％
ACQU-3-F      8.00％
ACQU-4-F      8.00％
CGU-2-F       4.00％
PUQU-3-F      2.50％
CCQG-2-F      2.50％
CCQG-3-F      4.00％
CH-33         2.50％
CH-43         2.50％
CH-35         2.00％
CCPC-33       3.00％
实施例4
CCP-1F.F.F    8.00％    澄清点      [℃]：    85.0
CCP-2F.F.F    8.50％    Δn[589nm，20℃]：    0.0716
CCP-3F.F.F    9.00％    Δε[1kHz，20℃]：    +13.9
CCP-5F.F.F    4.50％    γ1[m·Pas，20℃]：   200
CCQU-2-F      9.00％
CCQU-3-F      9.00％
CCQU-5-F      9.00％
ACQU-2-F      9.00％
ACQU-3-F      9.00％
ACQU-4-F      9.00％
PUQU-3-F      5.00％
CCH-501       3.00％
CH-33         2.00％
CCPC-33       3.00％
CCPC-34       3.00％
实施例5
CCP-1F.F.F    8.00％    澄清点      [℃]：    85.1
CCP-2F.F.F    9.00％    Δn[589nm，20℃]：    0.0715
CCP-3F.F.F    9.00％
CCP-5F.F.F    4.00％
CCQU-2-F      8.50％
CCQU-3-F      8.50％
CCQU-5-F      8.50％
ACQU-2-F      8.00％
ACQU-3-F      9.00％
ACQU-4-F      9.00％
PUQU-3-F      5.00％
CCQG-3-F      4.00％
CCH-501       1.50％
CH-33         2.00％
CH-43         2.00％
CCPC-33       2.50％
CCPC-34       1.50％
实施例6
CCP-1F.F.F    8.00％    澄清点      [℃]：    87.0
CCP-2F.F.F    9.00％    Δn[589nm，20℃]：    0.0716
CCP-3F.F.F    9.00％    Δε[1kHz，20℃]：    +13.8
CCP-5F.F.F    4.00％    γ1[m·Pas，20℃]：   202
CCQU-2-F      8.00％
CCQU-3-F      9.00％
CCQU-5-F      9.00％
ACQU-2-F      8.00％
ACQU-3-F      9.00％
ACQU-4-F      9.00％
PUQU-3-F      5.50％
CCH-501       2.50％
CH-33         2.00％
CH-43         1.50％
CH-35         1.50％
CCPC-33       3.00％
CCPC-34       2.00％
实施例7
CCP-1F.F.F    9.00％    澄清点      [℃]：    85.1
CCP-2F.F.F    9.00％    Δn[589nm，20℃]：    0.0713
CCP-3F.F.F    10.00％
CCP-5F.F.F    4.00％
CCQU-2-F      9.00％
CCQU-3-F      9.00％
CCQU-5-F      9.00％
ACQU-2-F      8.00％
ACQU-3-F      8.00％
ACQU-4-F      8.00％
CGU-2-F       7.00％
CH-33         2.00％
CH-43         2.00％
CH-35         2.00％
CCPC-33       2.00％
CCPC-34       2.00％
实施例8
CCP-1F.F.F    9.00％    澄清点      [℃]：    85.4
CCP-2F.F.F    9.00％    Δn[589nm，20℃]：    0.0711
CCP-3F.F.F    10.00％
CCP-5F.F.F    4.00％
CCQU-2-F      9.00％
CCQU-3-F      9.00％
CCQU-5-F      9.00％
ACQU-2-F      8.00％
ACQU-3-F      8.00％
ACQU-4-F      8.00％
PUQU-3-F      5.00％
CCH-301       2.00％
CH-33         2.00％
CH-43         2.00％
CH-35         2.00％
CCPC-33       2.00％
CCPC-34       2.00％
实施例9
CCP-1F.F.F    9.00％    澄清点      [℃]：    87.5
CCP-2F.F.F    9.00％    Δn[589nm，20℃]：    0.0717
CCP-3F.F.F    10.00％
CCP-5F.F.F    4.00％
CCQU-2-F      9.00％
CCQU-3-F      9.00％
CCQU-5-F      9.00％
ACQU-2-F      8.00％
ACQU-3-F      8.00％
ACQU-4-F      8.00％
PUQU-3-F      5.50％
CH-33         3.00％
CH-43         3.00％
CH-35         2.50％
CCPC-33       3.00％
实施例10
CCP-1F.F.F    8.00％    澄清点      [℃]：    86.4
CCP-2F.F.F    9.00％    Δn[589nm，20℃]：    0.0718
CCP-3F.F.F    9.00％
CCP-5F.F.F    5.00％
CCQU-2-F      9.00％
CCQU-3-F      9.00％
CCQU-5-F      9.00％
ACQU-2-F      9.00％
ACQU-3-F      9.00％
ACQU-4-F      9.00％
PUQU-3-F      4.50％
CCH-301       2.00％
CH-33         2.50％
CCPC-33       3.00％
CCPC-34       3.00％
实施例11
CCP-1F.F.F    9.00％    澄清点      [℃]：    87.1
CCP-2F.F.F    9.00％    Δn[589nm，20℃]：    0.0716
CCP-3F.F.F    10.00％
CCP-5F.F.F    4.00％
CCQU-2-F      10.00％
CCQU-3-F      10.00％
CCQU-5-F      10.00％
ACQU-2-F      8.00％
ACQU-3-F      8.00％
ACQU-4-F      8.00％
PUQU-3-F      4.00％
CCH-301       1.50％
CH-33         3.00％
CCPC-33       3.00％
CCPC-34       2.50％
实施例12
CCP-1F.F.F    8.00％    澄清点      [℃]：    87.2
CCP-2F.F.F    8.00％    Δn[589nm，20℃]：    0.0716
CCP-3F.F.F    10.00％   Δε[1kHz，20℃]：    +14.0
CCP-5F.F.F    5.00％    γ1[m·Pas，20℃]：   208
CCQU-2-F      9.00％
CCQU-3-F      9.00％
CCQU-5-F      9.00％
ACQU-2-F      9.00％
ACQU-3-F      9.00％
ACQU-4-F      9.00％
PUQU-3-F      4.50％
CCH-301       1.50％
CH-33         2.00％
CH-43         1.50％
CCPC-33       3.00％
CCPC-34       2.50％

Claims (11)

1.一种液晶介质，其特征在于其具有的在20℃下的双折射低于0.075且其包含
-1-30wt％一种或多种式IA的化合物，
-1-10wt％一种或多种式IB的化合物，
-0-9wt％一种或多种式IC的化合物，
Figure A2007100017140002C1
其中
R1和R2彼此独立地各自是含有1-12个碳原子的烷基，它是未取代的、由CN或CF3单取代或由卤素至少单取代的，其中一个或多个CH2基团任选地在每种情况下彼此独立地由-O-、-S-、 、-CH＝CH-、-C≡C-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以O原子不彼此直接连接的方式替代，
Y1是H或F，
X是F、Cl或含有最多至6个碳原子的卤代烷基、烯基、烷氧基或烯氧基，和
r是1或2。
2.根据权利要求1的介质，其特征在于它包含下式的一种或多种化合物：
Figure A2007100017140003C1
其中R1具有权利要求1中给出的含义。
3.根据权利要求1或2的介质，其特征在于它另外包含选自通式II、III、IV、V、VI和VII的一种或多种化合物
其中单个基团具有如下含义：
R0：正烷基、烷氧基、氧杂烷基、氟烷基或烯基，各含有最多至9个碳原子，
X0：F、Cl、含有1-6个碳原子的卤代烷基、卤代烯基、卤代烯氧基或卤代烷氧基，
Z0：-C2H4-、-(CH2)4-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCF2-或-CF2O-，
Y1到Y4：彼此独立地各自是H或F，条件是如果式VII中的Z0是-CF2O-，则式VII中Y1-Y4中的至少一个是H，
r是0或1。
4.根据权利要求1-3中至少一项的介质，其特征在于它另外包含一种或多种下式的化合物
Figure A2007100017140005C1
其中R0具有权利要求3中给出的含义。
5.根据权利要求1-4中至少一项的介质，其特征在于它另外包含一种或多种下式的化合物
Figure A2007100017140006C1
其中R0具有权利要求3中给出的含义。
6.根据权利要求1-5中至少一项的介质，其特征在于它另外包含一种或多种下式的化合物
Figure A2007100017140006C2
其中X0和R0具有式II中给出的含义和X0优选是F或OCF3。
7.根据权利要求1-6中至少一项的介质，其特征在于它另外包含一种或多种下式的化合物
Figure A2007100017140007C1
其中R1和R2如权利要求1中所定义。
8.根据权利要求1-7中至少一项的介质，其特征在于它包含式IA、IB、IC、IIa、VIa和VIII的一种或多种化合物，和任选地，式IVa、VIb和XIX的一种或多种化合物。
9.根据权利要求1-8中至少一项的介质，其特征在于它包含
-1-30wt％式IA的化合物，
-1-10wt％式IB的化合物，
-1-9wt％式IC的化合物，
-10-50wt％式II的化合物，
-10-50wt％式VI的化合物。
10.一种电光学液晶显示器，其包含根据权利要求1-9中至少一项的液晶介质。
11.制备根据权利要求1-9中一项或多项的介质的方法，其通过将权利要求1中定义的式IA和IB和任选地IC的一种或多种化合物，与权利要求3-7中一项或多项中定义的一种或多种化合物，或与一种或多种另外的液晶化合物和/或添加剂混合而进行。
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