CN100592505C - 薄膜覆晶封装 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜覆晶封装,适于以卷带自动接合技术将芯片接合至软板上,其包括一软板以及多个配置在软板上与芯片电性连接的引脚。此外,为了补强软板的结构,软板对应于芯片的芯片接合区上形成至少一线段。此线段包括至少一延伸线以及一补强线,延伸线的一端延伸至芯片接合区内,而补强线则位于芯片接合区内与延伸线连接或不连接。因此,可提高内引脚接合封装的可靠度。

Description

薄膜覆晶封装
技术领域
本发明是有关于一种半导体封装结构,且特别是有关于一种以内引脚接合芯片于软板上的封装结构。
背景技术
现有技术中,使用卷带自动接合(TAB,tape automatic bonding)方式进行芯片封装的制程,在完成软板上的线路及芯片上的凸块制程之后,以热压合(thermal compression)方式进行内引脚接合(ILB,inner lead bonding),使芯片上的凸块与软板上的内引脚产生共晶接合而电性连接。接着,使用封装树脂将芯片及软板上的内引脚的线路加以密封,于电性检测后,再进行外引脚接合(OLB,outerlead bonding)。其中,外引脚由软板上的内引脚向外延伸所形成,同样是以热压合方式,利用外引脚使软板与一电路基板或其他元件电性连接。
图1~图2是现有的一种以内引脚接合的芯片封装制程的分解示意图。请参考图1,薄膜100卷附在卷带机110上,并经由传动结构120而通过芯片130与热压头140之间的待封装区,以作为承载芯片的软板。此外,薄膜100上具有铜箔线路所形成的内引脚102,其对应于待封装的芯片130上的凸块132。请参考图2,将加热到预定温度的热压头140施压至薄膜100上,并压合薄膜100上的内引脚102与芯片130上的凸块132,以完成内引脚接合制程。
请参考图3的薄膜下陷示意图,由于热压头140的高温、高压会造成薄膜100局部变形,即受到热压的芯片接合区因无法抵抗热压头的高温而发生凹陷104,甚至部分凹陷104直接与芯片130表面接触而黏着在芯片130上,造成芯片130与薄膜100之间没有足够的间隙让封装树脂能顺利流动填充,封装树脂因而包覆产生气泡,进而影响内引脚接合封装的可靠度。
发明内容
本发明提供一种薄膜覆晶封装,其通过补强芯片接合区抵抗热压变形的能力,来提高内引脚接合封装的可靠度。
本发明提出一种薄膜覆晶(COF)封装,其包括一软板、多个引脚以及至少一线段。软板具有一芯片接合区,用以承载一芯片。引脚配置在软板上,这些引脚的一端延伸至芯片接合区内,且与芯片电性连接。线段包括至少一延伸线及一补强线,并与这些引脚等向排列配置在软板上,延伸线的一端延伸至芯片接合区内,而补强线则位于芯片接合区内与延伸线连接,补强线的形状包括一弧线。
在本发明一实施例中,补强线的材质例如是铜,因此补强线可提供软板与芯片接合时的支撑,防止热压头压合于软板时产生凹陷。
本发明提出另一种薄膜覆晶(COF)封装,其包括一软板、多个引脚以及至少一线段。软板具有一芯片接合区,用以承载一芯片。引脚配置在软板上,这些引脚的一端延伸至芯片接合区内,且与芯片电性连接。线段包括至少一延伸线及一补强线,并与这些引脚等向排列配置在软板上,延伸线的一端延伸至芯片接合区内,而补强线位于芯片接合区内。其中,补强线为一弧线,且补强线与延伸线之间形成一间隙。
在本发明一实施例中,补强线与延伸线之间的间隙可使封胶经由此间隙流入于芯片与软板之间的空隙中。
本发明因采用金属线段来补强软板受热压时产生凹陷或变形的缺陷,因此可提高内引脚接合制程的可靠度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1~图2是现有的一种以内引脚接合的芯片封装制程的分解示意图。
图3是薄膜受热变形而下陷的示意图。
图4是本发明一较佳实施例的薄膜覆晶封装的俯视示意图。
图5~图6是本发明另二实施例的薄膜覆晶封装的俯视示意图。
图7是图6的薄膜覆晶封装的侧视示意图。
具体实施方式
本发明以内引脚接合的芯片封装结构为范例,并以薄膜覆晶(COF,chip onfilm)封装为代表来说明内引脚接合制程所产生的缺陷,但任何以软板作为元件承载的封装结构均可适用。请参考图4,薄膜覆晶封装200包括一软板210以及配置在软板210上与芯片230电性连接的引脚220。此外,为了补强软板210的结构,软板210对应于芯片的芯片接合区212上形成至少一线段222。此线段222例如是金属线(铜线)或经强化的金属片(铜片),其通过软板210的芯片接合区212并延伸出芯片接合区212之外。
为说明本发明的特征及功效,特以三实施例配合附图具体说明,以使本领域具有通常知识者能具体实施。请参考图4的一较佳实施例,线段222大致上与引脚220等向排列在软板210上,其形状、宽度例如与引脚220的形状、线宽相等,且线段222与邻近引脚220之间的间距也大致上与二引脚220之间的间距相当,因此线段222与这些引脚220可经由现有的图案化制程、一次性地完成微影、蚀刻等步骤而各自形成所需的图案于软板210上,以简化制程。当然,此线段222不限定其排列方式、尺寸、数量及形状,因此任何些微的变化均可视为未脱离本发明所涵盖的范围。
如图4所示,由于此线段222与引脚220排列在相同的表面上,只作为结构补强之用,但不具有与芯片230电性连接的功能,因此此线段222亦可称为非功能性接脚或呆脚(dummy lead)。此线段222与引脚220不同的是,引脚220有一延伸入芯片接合区212的小区段以供芯片接合,然而本发明的线段222除了包含有延伸至芯片接合区212内的至少一延伸线224及/或226之外,还包括连接延伸线的补强线228,以形成一直线的线段,以补强芯片接合区212的薄膜强度。由于补强线228通过芯片接合区212的中央区,因此对于芯片接合区212中结构强度最弱的中央区而言,具有极佳的补强功效,也因此可避免软板210产生凹陷或变形等缺陷。
清参考图5的另一实施例,其与图4不同的是,补强线228’形成具有弧度的曲线或弯面,例如是半圆形、S形等波形。当然,其他可具体实施的V形、方波形、锯齿形等折线,也在本发明所涵盖的范围内。也由于波形或折线形的补强线228’相对于直线形的补强线228所涵盖的区域较广,故其补强的功效相对地更佳。
接着,请参考图6的实施例,在较佳情况下,补强线228”可独立存在而不需与延伸线224及/或226相连为一体,即补强线228”与延伸线224及/或226之间可形成适当间隙G的断点。由于补强线228”对芯片接合区212中结构强度最弱的中央区仍具有极佳的补强功效,因此补强线228”与延伸线224及/或226之间形成间隙并不会有负面影响,反而可使封胶(未绘示)经由此间隙流入于芯片230与软板210之间的空隙中,让封胶能均匀分布而填满所有的空隙。
请参考图7,其绘示图6的薄膜覆晶封装的侧视示意图。当软板210以热压头240热压接合至芯片230上的凸块232时,由于软板210上形成有支撑的线段222来补强软板210受热压时产生凹陷或变形的缺陷,因此软板210凹陷或变形的程度可有效地降低,甚至可避免现有部分凹陷直接与芯片表面接触而黏着在芯片上,造成芯片与软板之间没有足够的空隙让封胶树脂能填入其中。
综上所述,本发明通过补强结构让软板可承受热压头的高温压合而降低凹陷或变形的程度,进而提高内引脚接合封装的可靠度。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许更动与润饰,因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。

Claims (8)

1.一种薄膜覆晶封装,包括:
一软板,具有一芯片接合区,用以承载一芯片;
多个引脚,配置在该软板上,该些引脚的一端延伸至该芯片接合区内,且与该芯片电性连接;以及
至少一线段,包括至少一延伸线及一补强线,并与该些引脚等向排列配置在该软板上,该延伸线的一端延伸至该芯片接合区内,而该补强线则位于该芯片接合区内与该延伸线连接,该补强线的形状包括一弧线。
2.如权利要求1所述的薄膜覆晶封装,其特征在于,该线段与该些引脚经图案化制程各自形成于该软板上。
3.如权利要求1所述的薄膜覆晶封装,其特征在于,该线段与该些引脚的线宽相同。
4.一种薄膜覆晶封装,包括:
一软板,具有一芯片接合区,用以承载一芯片;
多个引脚,配置在该软板上,该些引脚的一端延伸至该芯片接合区内,且与该芯片电性连接;以及
至少一线段,包括至少一延伸线及一补强线,与该些引脚等向排列配置在该软板上,该延伸线的一端延伸至该芯片接合区内,而该补强线则位于该芯片接合区内,
其中该补强线为一弧线,且该补强线与该延伸线之间形成一间隙。
5.如权利要求4所述的薄膜覆晶封装,其特征在于,该线段与该些引脚经图案化制程各自形成于该软板上。
6.如权利要求4所述的薄膜覆晶封装,其特征在于,该线段与该些引脚的线宽相同。
7.如权利要求4所述的薄膜覆晶封装,其特征在于,该线段为非功能性引脚。
8.如权利要求4所述的薄膜覆晶封装,其特征在于,该线段的材质包括铜。
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