CN100585795C - 室隔离阀rf接地 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于接地室隔离阀的方法和装置。一般地，该方法利用(多个)导电性弹性构件，以有效地接地室隔离阀和/或隔离阀门，同时避免处理系统中的移动组件之间的金属-金属接触。在一个实施例中，弹性构件固定地附接到室隔离阀的门并且与该门电导通。当门在关闭位置(即在等离子体处理室中的衬底处理期间)时，弹性构件与等离子体处理系统的被接地组件进行接触。在另一实施例中，导电弹性构件附接到隔离阀上，而当支柱构件在衬底处理期间被布置以保持隔离阀门于合适位置时，其开始与等离子体处理系统的被接地组件接触。还提供了其他构造。

Description

室隔离阀RF接地
技术领域
本发明一般地涉及电子器件制造。更具体地，本发明涉及用于防止围绕等离子体处理室隔离阀的等离子体泄漏的方法和装置。
背景技术
衬底处理室通常通过可密封开口与衬底传送室相连通，其中可密封开口既宽又比较短，以容纳水平取向的衬底的插入和除去。已知使用室隔离阀(又称为狭缝阀)来密封这样的开口。例如，室隔离阀的密封板(又称为门)可以被延伸以密封开口，并且可以被缩回以允许衬底通过开口。避免以下问题的室隔离阀设计是优选的：(1)在操作期间，由于滑动摩擦和/或重复的金属-金属接触的离子生成，以及(2)弹性密封元件的不均匀压缩。
当衬底处理室在尺寸上增大和用于等离子体处理衬底所需的等离子体功率超过10KW时，很难在这样的室中的完全容纳等离子体。一般地，在衬底处理期间，电接地的导电表面(例如金属室壁)实质地包含存在于PVD、PECVD或其他等离子体处理室中的等离子体。然而，在一些例子中，从处理室的等离子体泄漏已经发生，逃逸越过关闭的隔离阀门并进入相邻的室中。对于处理非常大的衬底(即，大于约1,000mm×1,000mm)的室来说尤其是这样。
于是，存在对用于接地室隔离阀以防止越过隔离阀的等离子体泄漏同时避免隔离阀的部件和其相关的密封表面之间的金属-金属接触的改进方法和装置的需要。该改进方法和装置应可应用于在室之间的大压力差下操作的隔离阀。
发明内容
本发明的实施例提供用于接地室隔离阀的方法和装置。一般地，该方法利用(多个)导电性弹性构件来有效地接地室隔离阀和/或隔离阀门，同时避免处理系统中移动部分的金属-金属接触。
在一个实施例中，弹性构件固定地附接到室隔离阀的门并与该门进行电导通。当门在关闭位置布置时，弹性构件开始与等离子体处理系统的被接地组件进行接触。
在另一个实施例中，弹性构件固定地附接到室隔离阀的支柱构件上，并且当支柱构件在衬底处理期间布置以保持隔离阀门在适当位置时，该导电弹性构件与等离子体处理系统的被接地组件进行接触。
在另一个实施例中，用于电接地隔离阀的导电性弹性构件固定地附接到等离子体处理系统的被接地组件(诸如室壁)上。弹性构件可以嵌入被接地组件，以使得基本与被接地组件齐平。当门处于关闭位置时，隔离阀的(多个)导电构件开始与弹性构件接触。(多个)导电构件可以与隔离阀门、或隔离阀支柱构件和/或两者电导通。
在另一个实施例中，上述实施例的组合用于电接地室隔离阀。例如，导电弹性构件可以构造在隔离阀门上以及支柱构件上。
在另一个实施例中，用于接地室隔离阀的方法包括移动隔离阀到关闭位置，通过导电性弹性构件在室隔离阀和等离子体处理系统的被接地组件之间建立电接触。在一个方面，弹性构件可以固定地附接到隔离阀门和/或支柱构件。在另一个方面，导电弹性构件嵌入在等离子体处理系统的被接地组件中，并且当隔离阀移动到关闭位置时，室隔离阀的导电构件与弹性构件接触。导电构件可以与室隔离阀的门或支柱构件电导通。
附图说明
通过参考实施例，可以更详细地理解本发明的上述特征，得到对上面被概述的本发明的更具体的描述，其中一些实施例被图示在附图中。但是应注意，附图仅仅图示了本发明的典型实施例，并且因此不应被认为是对本发明的范围的限制，因为本发明可以容许其他的等同实施例。
图1是可适用受益于本发明的示例衬底处理系统的示意平面图。
图2示出密封处理室开口的室隔离阀门的示意侧视图。
图3A、3B和3C分别示出O型带、D型带和P型带的部分。
图4A-4C是可适用受益于本发明的室隔离阀的垂直截面图。
图5是室隔离阀的一个示例的垂直截面图，其中该室隔离阀具有在图4B中图示的示意侧视图示出的相同位置布置的支柱构件。
图6是室隔离阀的部分垂直截面图，其中该室隔离阀具有图5中预先示出的支柱构件。
图6A是具有支柱构件的室隔离阀的部分垂直截面图。
图7是具有支柱构件的室隔离阀的另一个部分垂直截面图。
图8是室隔离阀的部分垂直截面图。
图9是室隔离阀的部分垂直截面图。
为了清楚，在可适用的地方，已经使用相同的标号来指明图之间共有的相同元件。
具体实施方式
本发明公开了一种用于接地室隔离阀的方法和装置。一般地，该方法利用(多个)导电性弹性构件，以有效地将室隔离阀和/或隔离阀门接地，同时避免处理系统中的移动组件之间的金属-金属接触。一方面，弹性构件固定地附接到室隔离阀的门并且与该门电导通。当门在关闭位置(即在等离子体处理室中的衬底处理期间)布置时，弹性构件开始与等离子体处理系统的被接地组件进行接触。另一方面，用于接地隔离阀的导电弹性构件固定地附接到等离子体处理系统的被接地组件(诸如室壁)上，而当门处于关闭位置时，隔离阀的(多个)导电构件开始与弹性构件进行接触。(多个)导电构件可以与隔离阀门或隔离阀支柱构件和/或其两者进行电导通。
图1是用于受益于本发明的示例性衬底处理系统10的示意平面图。衬底处理系统10可以包括负载室20、传送室30、传送机械手31以及多个衬底处理室40、50。负载室20允许在没有将整个系统加压到大气压的情况下将一个或更多个衬底引入到衬底处理系统10的真空环境中。衬底在处理室40、50中处理。衬底处理室40、50可以在衬底上执行例如像物理气相沉积(PVD)和离子增强化学气相沉积(PECVD)之类的处理。通常，衬底处理室40、50必须相互隔离，以最小化不相容处理气体的渗透，并且因为不同处理可能要求相差很大的真空度。传送室30内部的传送机械手31根据需要在衬底处理室40、50和负载室20之间传送衬底(未示出)。通常，衬底处理系统10的每个室可以通过一个或更多个室隔离阀与所有其他室相隔离。在一些例子中，用于室隔离阀的机构基本设置于传送室30内部。对于更大的衬底(诸如那些用于产生平板显示器的衬底)，一般地将室隔离阀设置在衬底处理系统10的传送室30、负载室20或衬底处理室40或50中是不可行的。相反，室隔离阀通常设置于传送室30和在阀壳体105中与其相关联的室之间。
虽然，室隔离阀和隔离阀门主要由金属的(即导电性)组件构成，但是其中的非导电密封、衬垫以及其他构件经常导致用于隔离阀门的差的或不存在的接地路径。例如，图2示出通过抵抗前板密封表面121a关闭的密封室开口102的室隔离阀门107的示意侧视图。室开口102形成穿过处理室P的电接地外壁或穿过阀壳体105的电接地前板121。阀壳体105和前板121在图4A、4B和4C中更清楚地示出，并在下面更详细的讨论。为了使室隔离阀门107在关闭位置时抵抗前板密封表面121a电接地，则在室隔离阀门107和前板密封表面121a之间必须进行金属-金属接触。然而，已知在处理室的正常操作期间移动组件之间的金属-金属接触产生不可接受程度的颗粒污染。相反，室隔离阀门107包括弹性密封构件198，该弹性密封构件198以真空密闭方式密封室开口102，且通常尺寸为防止金属室隔离阀门107免于接触金属前板密封表面121a。这在室隔离阀门107和前板密封表面121a之间留下窄间隙125a。因此，室隔离阀门107不电接地阀壳体105和传送室30，亦不屏蔽阀壳体105和传送室30免于处理室中生成的等离子体。
由此，处理室40或50中形成的等离子体在室开口102处没有被屏蔽，越过室隔离阀门107逃逸到阀壳体105和/或传送室30中。与等离子体泄漏出处理室40或50相关联的一个问题是材料在传送室30和阀壳体105的表面上的不希望有的沉积，这后来可能生成损坏衬底的颗粒污染。另一个问题是传送室30中的等离子体的存在可能通过等离子体刻蚀损坏暴露到等离子体的表面，增大其表面粗糙度。这些表面可能难于清洁，并且除非修理或更换，这些表面可能导致增加的颗粒污染，这可能损坏衬底。第三个问题是用于传送室30和/或阀壳体105内部的组件的充电或从该组件的电弧放电的可能性。电弧放电可以引起在处理系统10中正在处理的衬底的严重颗粒污染、直接地对该衬底的严重损坏以及对处理系统10内部的敏感组件的损坏。
在某些类型的衬底处理步骤期间，压力差可能存在于处理室40和/或50以及传送室30之间，以使得处理室40和/或50内部的高压抵抗室隔离阀的密封板或门向外推。室隔离阀由此遭受压力和老化两者，随着更高的压力差而增大。当涉及大衬底(诸如用于平板显示器的那些衬底)时，压力差影响恶化，因为室隔离阀的门必须密封更大的开口。
当描述弹性体时，这里所使用的“导电性”指的是这样的材料：虽然不一定像金属物质一样传导电流，但是拥有不超过约0.200Ω·cm的体积电阻率。“O型带”、“D型带”和“P型带”是弹性突出，其是可以用于本发明一些实施例中的弹性构件的示例性实施例。图3A、3B和3C分别示出了O型带、D型带和P型带的部分。
图4A-4C图示了可用于受益于本发明的室隔离阀101。室隔离阀101密封到邻近处理室P(在图4A的剖视图中示出)的开口102(在图4A的剖视图中示出)，以使得允许用于处理包含于其中的衬底的处理室P的加压。如图2中所图示，弹性密封构件198产生允许室P的增压所需要的围绕开口102的密封。
传统室隔离阀通常不设计成适应与大衬底(诸如平板)的等离子体处理相关联的较大的压力差。改进的装置和方法已经发展成将可移动支柱构件结合到室隔离阀中，当室隔离阀门关闭时，其在室隔离阀门上施加支撑性的支柱力(bracing force)。将支柱构件和支柱力应用到室隔离阀的方法和装置在下面结合图4A、4B和4C详细地讨论，并且预先参考在2004年5月12日提交、名称为“Methods and Apparatus For Sealing an Opening of aProcessing Chamber”的美国专利申请序列号10/844,974。
参考图4A-4C，室隔离阀101可以包括用于密封室开口102的关闭构件103。另外，室隔离阀101可以包括阀壳体105，在阀壳体105内部，至少部分的关闭构件103可以被可移动地布置。为了允许室隔离阀101与处理室P的开口102一起使用，室隔离阀101的阀壳体105可以抵抗处理室放置，以使得密封件(未示出)形成于阀壳体105以及待密封的处理室开口之间。
关闭构件103可以包括用于密封室开口102的室隔离阀门107。例如，可以利用室隔离阀门107，以使得非直接地密封室开口102，例如，通过密封与室开口102对准的阀壳体105的开口。或者，当阀壳体105不存在时，室隔离阀门107可以放置与处理室P直接接触(未示出)，使得室隔离阀门107围绕室开口102密封。
关闭构件103可以还包括支柱构件109，该支柱构件109相对于室隔离阀门107可移动。例如，支柱构件109可以适应于从室隔离阀门107远离延伸和向室隔离阀门107缩回。此外，支柱构件109可以用于支撑或支持室隔离阀门107，例如，当室隔离阀门107位于如上所述密封室开口102的位置时。与通常使用悬臂构造相比较，这样的安排在其减少抵消(counter)处理室P内部的正压力所需要的力的幅度方面是固有的有效的。
为了提供关闭构件103相对于室开口102的移动，关闭构件103可以还包括从室隔离阀门107向下延伸的延伸部分111。在这样的实施例中，与室隔离阀门107远离间隔的延伸部分111的一端可以用于由布置于阀壳体105内部或外部的致动器操作。这使关闭构件103能移作为一个单元移动，例如，通过经由延伸部分111一起移动室隔离阀门107和支柱构件103。例如，关闭构件103可以经由延伸部分111朝向和/或远离室开口102在图4B和图4C分别示出的室隔离阀101的构造之间水平地移动。或者，关闭构件103可以经由延伸部分111在图4A和图4B分别示出的室隔离阀101的构造之间垂直地移动。
阀壳体105可以界定密闭空间113、到密闭空间113的第一开口115以及到密闭空间113的第二开口117。第一开口115通常邻近传送室30内部并允许进入传送室30的内部。如图4A-4C中所示出的，第一开口115和密闭空间113沿轴线与室开口102对准，并且其大小使得允许衬底在关闭构件103处于打开位置时通过阀壳体105并进入和离开处理室P。第二开口117可以放置与室开口102气动地连通，以使得第二开口117基本上形成室开口102的延伸。
在室隔离阀101希望密封处于大压力差的处理室的实施例中，阀壳体105可以还包括后板119，第一开口115形成于该后板119中。如下文进一步描述，在密封期间，后板119可以适应于允许支柱构件109接触后板119并推靠用于支撑室隔离阀门107。阀壳体105可以还包括前板121，第二开口117形成于该前板121中。前板121可以用于允许关闭构件103的室隔离阀门107接触前板121并围绕第二开口117密封。或者，如上所述，室隔离阀门107可以直接接触处理室P，以密封室开口102。
在操作中，如图4A中所示，室隔离阀101的关闭构件103适合相对于第一开口115和第二开口117处于缩回位置，其中，关闭构件103间隔远离(例如，在下方)第一开口115和第二开口117。这样的构造允许衬底通过阀壳体105并进入和离开处理室P。又如图4A中所示，阀壳体105的密闭空间113优选地在具有多余空间的情况下包围室隔离阀门107和支柱构件109。这提供了支柱构件109和后板119之间的第一间隙123以及室隔离阀门107和前板121之间的第二间隙125。注意，第二间隙125比窄间隙125a稍宽，并且不同于该窄间隙125a，如图2中所示。在关闭构件103的垂直运动期间(即，在室隔离阀101的打开和关闭期间)，维持第一间隙123和第二间隙125。第一间隙123和第二间隙125的存在避免了在室隔离阀门107和表面121a和121b之间以及在支柱构件109和后板表面119a之间摩擦生成颗粒。
图4B示出关闭构件103，其在第一开口115和第二开口117前方布置，但相对于阀壳体115的第二开口117处于收回或非密封的位置。第二间隙125仍存在于关闭构件103的室隔离阀门107和前板121之间。图4C示出了在布置到完全关闭位置之后的关闭构件103，即，室隔离阀门107与前板121的表面121a和121b进行接触，并且已经与弹性密封构件198一起在阀壳体105的第二开口117上形成密封。接触表面121a和121b示于图5中。虽然为清楚起见，在图4C中未示出，窄间隙125a(见图2)仍存在于室隔离阀门107和前板121的金属前板密封表面121a和121b之间。窄间隙125a和弹性密封构件198清楚地图示于图2中。优选地，如图4B和4C中所示的室隔离阀101显示的，室隔离阀门107的运动相于前板121垂直，以减少和/或消除经由摩擦的颗粒生成。
在用于密封大压力差情况下的处理室的室隔离阀101的实施例中以及如图4C中所示，室隔离阀101可以用于生成分离力，该分离力相对于室隔离阀门107移动支柱构件109，以使得引起支柱构件109移动远离室开口102，而与阀壳体105的后板119进行接触。或者，可使得支柱构件109在室隔离阀门107接触前板121或处理室P之前接触传送室(未示出)的部分或另一个结构构件。在这个方面，室隔离阀101然后可以生成支柱力，并且倾向于驱动支柱构件109远离室隔离阀门107，以使得抵抗阀壳体105的前板121或抵抗处理室P支撑或支持关闭构件103的室隔离阀门107。这样的支撑力可以相对于关闭构件103以许多方式或在许多位置生成，诸如经由气动或其他致动器。
图5图示了具有支柱构件109的室隔离阀101的一个示例的垂直截面图，其中该支柱构件109在如图4B中所图示的示意侧视图中的阀壳体105中的相同位置布置。关闭构件103在第一开口115和第二开口117的前面布置，但室隔离阀门107和前板密封表面121a之间的密封接触还没有形成。第二间隙125(为清楚起见，在图5中未示出)存在于室隔离阀门107和前板密封表面121a之间，而第一间隙123存在于支柱构件109和后板表面119a之间。在这个示例中，支柱构件109包含至少一个上反应缓冲件109b和至少一个下反应缓冲件109c。反应缓冲件109b和109c优选地由耐磨、弹性、可真空用的材料(诸如聚醚醚酮(PEEK))形成，以最小化在支柱构件109驱动期间的颗粒生成。通常，对于相对宽的室隔离阀(诸如用于300mm硅晶片和平板显示器衬底的那些)，支柱构件109沿着支柱构件109的顶部和底部可以包含多个反应缓冲件。沿着支柱构件109的顶部和底部具有多个反应缓冲件的构造更可能避免支柱构件109和后板表面119a之间的金属-金属接触。
在本发明的一个方面中，导电性弹性构件107a(如图5和图6中所示)被固定地附接到室隔离阀101的室隔离阀门107上并与其电导通。导电性弹性件107a优选地是基于硅树脂的弹性体。为了有效地充当用于室隔离阀门107的电接地路径，导电弹性构件107a必须具有约0.200Ω·cm的最大体积电阻率，优选约为0.010Ω·cm。注意弹性体的体积电阻在暴露到高温后通常会发生变化是很重要的。这经常会增大弹性体体积电阻率(当其是新的时候的)两倍或三倍。因此，上述用于本发明的优选体积电阻率指在加热老化后的弹性体的体积电阻率，即，预热以稳定弹性体的性能。因为弹性体通常是差的电导体，导电填充材料可以加入到弹性体中，以减小其电阻率。导电填充材料包括但不限于银、铜、铝、镍以及石墨。
参考图5，当室隔离阀门107布置到如图4C中所示的完全关闭位置时，导电弹性构件107a与前板密封表面121a接触。导电弹性体107a可以沿第二开口117的一些或全部周边接触板密表面。因此，在这个方面，室隔离阀门107的接触部分包括弹性密封构件198和导电弹性构件107a。除非室隔离阀101完全关闭，否则在等离子体处理室P中不进行等离子体处理，因此，无论何时在处理室P中发生等离子体处理，室隔离阀门107都会被接地，以防止等离子体泄漏出处理室P。
图6是具有如图5中预先示出的支柱构件109的室隔离阀101的局部垂直截面图。第二间隙125存在于室隔离阀门107和前板密封表面121a之间，这是因为室隔离阀101没有布置为抵抗前板密封表面121a的完全关闭密封位置。在此示例中，导电弹性构件107a是P型带，其沿着室隔离阀门107的底部周边安装。根据室隔离阀101的几何形状，可以使用O型带或D型带构造。导电弹性构件107a安装到室隔离阀门107，以使得在导电弹性构件107a和前板密封表面121a之间存在第三间隙107b。在前板密封表面121a和弹性密封构件198之间还存在第四间隙198a。具有导电添加物的弹性体(例如，优选用于导电弹性构件107a的那些)比那些设计用于产生真空密封的弹性体(例如，优选用于弹性密封构件198的弹性体)倾向于更不耐磨并且更易于产生颗粒脱落。因此，导电弹性构件107a优选地在室隔离阀101的操作期间不承受大的力(诸如弹性密封构件198所承受的那些力)。为了允许弹性密封构件198吸收当用室隔离阀门107密封室开口102时所导致的力的主要部分。第三间隙107b大于第四间隙198a，产生第一空隙C1是非常重要的，如图6中所示。为了确保当室隔离阀门107关闭时导电弹性构件107a接触前板密封表面121a，空隙C1必须被成形以正确地预先考虑当室隔离阀门107密封室开口102时发生的弹性密封构件198的压缩。因此，空隙C1是弹性密封构件198的尺寸、组成(composition)和O型环沟槽设计的函数并且是用于密封室开口102的支柱力的函数。本领域一般技术人员在阅读这里的揭示的内容可以计算出用于任何情形时所需的空隙C1。
本发明的这个方面的主要优点是在第二开口117处密封室P中产生的等离子体的能力。这可以防止等离子体进入到阀壳体105中及对其中的组件潜在地污染和/或损坏。然而，应当注意，对于较大的处理室(即，处理衬底大于约1000mm×1000mm的室)，导电弹性构件107a和前板密封表面121a之间的接触可能断开。这是因为当室P是真空时可能发生的室P的壁的大的挠曲。参考图4A，可以看出，室P的大的向内挠曲可能会引起前板121从阀壳体105的密封空间113向外弓形弯曲。这接着可能会削弱或消除导电弹性构件107a和前板密封表面121a之间的电连接。由于此问题，对于建立到室隔离阀门107的可靠的接地连接，空隙C1的适当尺寸是非常重要的。
或者，例如，导电性弹性构件107a可以安装在室开口102的上方，以改善导电弹性构件107a的可达性，并最小化更换弹性构件107a所需要的时间。然而，在这种构造中，导电弹性构件107a将会重复地接触直接位于衬底被传送进入和离开处理室P的路径上的表面。由此，通常优选的是将导电弹性构件107a安装于室开口102之下以最小化对衬底的潜在的颗粒污染。在另一个方面中，导电弹性构件107a可以沿着室开口102的侧边安装，以在最大化从上面的可达性的同时最小化对衬底的可能的颗粒污染。
在本发明的另一方面，导电弹性构件109a固定地附接到支柱构件109，当支柱构件109布置以在衬底处理过程中保持室隔离阀门107于适当位置时，其与等离子体处理系统的被接地组件进行接触。因此，在这个方面，支柱构件109的接触部分包括反应缓冲件109b、109c以及导电弹性构件109a。
图7是具有如图5中预先示出的支柱构件109的室隔离阀101的另一个部分侧视图。第一空隙123存在于支柱109和后板表面119a之间，因为支柱构件109没有抵抗后板表面119a布置，以抵抗前板密表面121a密封室隔离阀门107。在这个示例中，导电弹性构件109a是P型带，并沿着支柱构件109的底部周边安装。基于支柱构件109的几何形状，还可以使用O型带或D型带结构。导电弹性构件109a安装到支柱构件109，以使得在导电弹性构件109a的表面和后板表面119a之间存在第五间隙198d。反应缓冲件109b(图7中未示出)和109c的低的弹性有利于将支柱力传递到室隔离阀门107。因此，当接触后板表面119a时，因为反应缓冲件109b和109c不需要建立真空密封，所以它们优选地由比弹性密封构件198更刚性的材料制成。
因为反应缓冲件109b和109c通常由相对刚性的非金属材料制造，故第五间隙198d(即，后板表面119a和导电弹性构件109a之间的间隙)可以稍微小于第一间隙123。这产生导电弹性构件109a和反应缓冲件109b、109c之间的空隙C2。空隙C2确保当支柱构件109无论何时抵抗后板119布置以抵抗前板121支撑室隔离阀门107时在关闭构件103和被接地后板119之间建立电接触。虽然导电弹性构件109a首先接触后接触表面119a，但是与刚性反应缓冲件109b和109c相比较，弹性构件109a是高弹性的。因此，刚性反应缓冲件109b和109c吸收抵抗后板119施加的大部分支撑力。在本发明的这个方面中，第二空隙C2的精确尺寸对于确保进行希望的电接触不是至关重要的。
如上所述的导电弹性构件107a，导电弹性构件109a可以可选地安装在室开口102的上方。本发明的这种构造可以改进可达性，但可能潜在地增加衬底的颗粒污染。
在另一个方面，反应缓冲件109b和109c可以用作导电性弹性构件，其替代导电弹性构件109a将室隔离阀101电接地。本发明的这种构造确保关闭构件103和后板119之间的良好电接触。然而，这种构造仅在非金属材料用于反应缓冲件109b和109c时有效，其中反应缓冲件109b和109c具有高耐磨性、低弹性及低电阻率，这可能会有问题。在一个构造中，上反应缓冲件109b和下反应缓冲件109c用作导电构件。在另一个构造中，仅使用下反应缓冲件109c。
在另一个方面，用于接地室隔离阀101的导电弹性构件固定地附接到处理系统10的被接地组件，诸如前板121和后板119。当室隔离阀门107处于关闭位置时，隔离阀的(多个)导电的(即，通常金属的)构件与附接到前板121或后板119的弹性构件进行接触。
图8是类似于图6的室隔离阀101的部分侧视图。然而，在这个示例中，导电弹性构件130附接到前板121，其在室开口102的周边附近，但在由弹性密封构件198所密封的区域外部。导电弹性构件130优选地嵌入到前板表面121a并大部分与前板表面121a齐平，以使得最大化间隙125的尺寸并最小化与关闭构件103的运动的潜在干涉。或者，在其中阀壳体105不存在并且室隔离阀门107放置直接接触处理室P以密封室开口102的情况下，导电弹性构件130可以嵌入到处理室P的外壁中。导电弹性构件130被构造成当室隔离阀门107处于关闭位置时邻近导电构件131定位。在这个示例中，导电构件131当室隔离阀门107处于关闭位置时固定在室隔离阀门107的下部分，并位于由弹性密封构件198所密封的区域之下。在其他构造中，导电构件131可以安装在室隔离阀门107周边的任何地方，使得当室隔离阀门107处于关闭位置时其接触弹性密封构件198所密封的区域外部的导电弹性构件130。图8示出本发明这个方面(即，安装在室隔离阀门107的下部分)的优选构造，即，导电构件131被安装在室隔离阀门107的下部分上。
至于本发明的以前的方面，导电构件131必须构造成使得弹性密封构件198和导电构件131之间存在空隙C3。当室隔离方面107处于关闭位置以围绕室开口102产生真空密封时，这允许弹性密封构件198在没有与导电构件131干涉的情况下足够压缩。
在本发明这个方面的另一个构造中，反应缓冲件109b和/或109c可以用于通过接触后板119建立接地路径而电接地室隔离阀门101。然而，在本发明的这个构造中，反应缓冲件109b和/或109c通常由金属材料制造，并且，导电弹性构件132附接到后板119。这个在图9中示出。
图9是类似于图7的室隔离阀101的部分垂直截面图。然而，在这个示例中，导电弹性构件132在第一开口115的周边附近附接到后板119。反应缓冲件109c和后板表面119a之间存在第一间隙123，这是因为支柱构件109没有抵抗后板表面119a布置以抵抗前板密封表面121a(元件121a在图9中未示出)密封室隔离阀门107。
导电弹性构件132优选地嵌入到后板表面119a并大部分与后板表面119a齐平，以使得最大化间隙123的尺寸并最小化与关闭构件103的运动的潜在干涉。导电弹性构件132被构造成当室隔离阀门107处于关闭位置时邻近反应缓冲件109c定位。在这个示例中，反应缓冲件109c作为关闭构件103的建立到后板表面119a的电接地的导电构件示出。在其他构造中，任意一个或所有反应缓冲件可以用于接触弹性构件132。对于关闭构件103而言，一般优选地与(多个)下反应弹性体109c进行希望的接地接触，如图9中所示。或者，固定到支柱构件109的另一个弹性构件可以用于替代反应缓冲件109b和109c建立电接触。
在操作中，当反应缓冲件109c抵抗嵌入在后板表面119a中的导电弹性构件132施加支撑力时，在本发明的这个构造中建立所需的电接触。因此，无论何时室隔离阀门107处于关闭位置时，关闭构件103都会被电接地，从而防止等离子体泄漏。
在本发明的最后方面，弹性密封构件198可以自身由导电弹性体(如图6A中所示)构成，排除对使用额外弹性体导电构件(诸如图6中所示的弹性构件107a)的需要。然后，对室隔离阀门107的接地路径可以直接通过弹性密封构件198到达前板密封表面121a。因为导电性弹性体一般不耐磨并且比标准密封弹性体更可能随时间而产生颗粒，本发明优选的方面利用由导电性材料组成的一个或更多个辅助的、非承载的弹性构件。
虽然上面针对于本发明的实施例，但是可以在不偏离本发明的基本范围的情况下，可以设计出其他或更多的本发明的实施例，因此本发明的范围由所附的权利要求所决定。

Claims (46)

1.一种在衬底的等离子体处理期间接地用于等离子体处理系统的室隔离阀的方法，其中室隔离阀包括门以及布置在壳体中的真空密封，该方法包括：
移动所述门到达与第一开口及第二开口接近的位置，其中，所述第一开口形成在所述壳体的第一壁中，并且所述第二开口形成在所述壳体的第二壁中，并且其中，所述第一壁具有第一表面，并且所述第二壁具有第二表面；
在所述门与所述第二表面之间挤压所述真空密封；并且
使用布置在所述门与所述第二表面之间的至少一个导电性构件在所述门和所述等离子体处理系统的至少一个电被接地组件之间建立电接触。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个导电性构件包括导电性弹性构件。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述导电性弹性构件固定地附接至所述室隔离阀门并与所述门电导通。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述导电性弹性构件与适于接触所述第一表面的支柱构件电导通。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述导电性弹性构件是弹性突出，其中所述弹性突出选自O型带、D型带以及P型带构成的组。
6.如权利要求2所述的方法，其中所述导电性弹性构件沿所述真空密封的周边安装。
7.如权利要求2所述的方法，其中所述导电性弹性构件沿所述第二开口的周边安装。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述室隔离阀还包括支柱构件，所述支柱构件包括适于与所述第一表面形成电连通的一个或更多导电缓冲件。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述一个或更多导电缓冲件包括安装在所述支柱构件的周边的导电性弹性构件。
10.如权利要求2所述的方法，其中所述室隔离阀还包括适于远离所述门移动以接触所述第一表面的支柱构件，所述支柱构件包括一个或更多导电缓冲件。
11.如权利要求1所述的方法，其中上述在所述门和所述等离子体处理系统的至少一个导电性被接地组件之间建立电接触包括：
移动支柱构件与所述门相对的至少一个导电表面与所述第一表面电接触。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述至少一个导电表面包括一个或更多导电缓冲件。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述第一表面的接触部分是所述等离子体处理系统的所述至少一个电被接地组件。
14.如权利要求11所述的方法，其中所述第二表面的接触部分是所述等离子体处理系统的所述至少一个电被接地组件。
15.一种在衬底的等离子体处理期间接地用于等离子体处理系统的室隔离阀的方法，其中所述室隔离阀包括门、支柱构件以及布置在壳体中的真空密封，该方法包括：
移动所述门和所述支柱构件到达与第一开口及第二开口接近的位置，其中所述第一开口形成在所述壳体的第一壁中，而所述第二开口形成在所述壳体的第二壁中，并且其中，所述第一壁具有第一表面而所述第二壁具有第二表面；
相互远离地移动所述门及所述支柱构件，使得在所述门与所述第二表面之间挤压所述真空密封；并且
接触所述等离子体处理系统的至少一个电被接地组件和至少一个导电性弹性构件，所述至少一个导电性弹性构件沿所述真空密封的周边布置在所述门与所述第二表面之间。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述至少一个导电性弹性构件的体积电阻率在其加热老化后不大于约0.200Ω·cm。
17.如权利要求15所述的方法，其中所述至少一个导电性弹性构件是弹性突出，其中所述弹性突出选自O型带、D型带以及P型带构成的组。
18.如权利要求15所述的方法，其中所述至少一个导电性弹性构件固定地附接至所述真空密封的周边，并且沿所述真空密封的所述周边安装。
19.如权利要求15所述的方法，其中所述支柱构件电连接至所述门并且可相对于所述门移动。
20.如权利要求19所述的方法，其中所述支柱构件包括固定地附接至其的一个或更多导电缓冲件。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述一个或更多导电缓冲件包括导电聚合物。
22.如权利要求15所述的方法，其中所述至少一个导电性弹性构件包括金属材料。
23.一种在衬底的等离子体处理期间接地用于等离子体处理系统的室隔离阀的方法，其中所述室隔离阀包括门、支柱构件以及布置在壳体中的真空密封，该方法包括：
移动所述门和所述支柱构件到达与第一开口及第二开口接近的位置，其中所述第一开口形成在所述壳体的第一壁中，而所述第二开口形成在所述壳体的第二壁中，并且其中，所述第一壁具有第一表面而所述第二壁具有第二表面；
通过相互远离地移动所述门及所述支柱构件，使得在所述门与所述第二表面之间挤压所述真空密封并且所述门及所述支柱构件与所述第一表面电连通，来建立所述第一表面与所述第二表面之间的电连通，其中，所述门或所述支柱构件包括分别沿所述第二开口或所述第一开口的周边布置的导电性构件。
24.如权利要求23所述的方法，其中所述导电构件包括具有体积电阻率在其加热老化后不大于约0.200Ω·cm的弹性构件。
25.如权利要求23所述的方法，其中所述导电性弹性构件是弹性突出，其中所述弹性突出选自O型带、D型带以及P型带构成的组。
26.如权利要求23所述的方法，其中所述导电性构件沿所述真空密封的周边牢固地附接至所述门。
27.如权利要求23所述的方法，其中所述导电性构件牢固地附接至所述支柱构件。
28.如权利要求27所述的方法，其中所述导电性构件包括一个或更多导电缓冲件。
29.如权利要求23所述的方法，其中所述第一表面包括所述等离子体处理系统的被接地组件。
30.如权利要求23所述的方法，其中所述第二表面包括所述等离子体处理系统的被接地组件。
31.一种用于等离子体处理系统的被接地室隔离阀，包括：
门；以及
与所述门电导通的至少一个导电性构件，当所述门处于关闭位置时，该导电性构件用于接触所述等离子体处理系统的至少一个被接地组件。
32.如权利要求31所述的室隔离阀，其中所述至少一个导电性构件是导电性弹性构件，并且所述导电性弹性构件具有在其加热老化后不大于约0.200Ω·cm的体积电阻率。
33.如权利要求32所述的室隔离阀，其中所述至少一个导电性弹性构件是弹性突出，其中所述弹性突出选自O型带、D型带以及P型带构成的组。
34.如权利要求32所述的室隔离阀，其中当所述室隔离阀处于所述关闭位置时，所述至少一个导电性弹性构件安装在室开口下方或旁边。
35.如权利要求32所述的室隔离阀，其中所述室隔离阀还包括支柱构件，并且所述至少一个导电性弹性构件包括所述支柱构件的一个或更多缓冲件。
36.如权利要求32所述的室隔离阀，其中所述至少一个导电性弹性构件包括所述门的密封构件。
37.一种用于等离子体处理系统的被接地室隔离阀，包括：
门；
支柱构件；以及
与所述支柱构件电导通的至少一个导电性弹性构件，当所述门处于关闭位置时，该导电性弹性构件用于接触所述等离子体处理系统的至少一个被接地组件。
38.一种用于等离子体处理系统的接地室隔离阀，包括：
门；以及
与所述门电导通的至少一个导电性表面，当所述门处于关闭位置时，该导电性表面用于接触所述等离子体处理系统的至少一个被接地组件，其中所述至少一个被接地组件包括导电性弹性构件。
39.如权利要求38所述的室隔离阀，其中所述导电性弹性构件包括具有在其加热老化后不大于约0.200Ω·cm的体积电阻率的弹性构件。
40.如权利要求38所述的室隔离阀，其中导电性弹性构件是弹性突出，其中所述弹性突出选自O型带、D型带以及P型带构成的组。
41.如权利要求38所述的室隔离阀，其中当所述室隔离阀处于所述关闭位置时，所述至少一个导电性表面安装在所述室的开口的周边。
42.如权利要求38所述的室隔离阀，其中所述室隔离阀还包括支柱构件，并且所述至少一个导电性表面包括所述支柱构件的导电部分。
43.如权利要求42所述的室隔离阀，其中所述支柱构件的所述导电部分是缓冲件。
44.如权利要求38所述的室隔离阀，其中所述等离子体处理系统的所述至少一个被接地组件是阀壳体前板。
45.如权利要求38所述的室隔离阀，其中所述等离子体处理系统的所述至少一个被接地组件是室开口的密封表面。
46.一种在衬底的等离子体处理期间接地用于等离子体处理系统的室隔离阀的方法，其中室隔离阀包括门以及真空密封，该方法包括：
竖直或水平地移动所述门到达与形成在室的壁中的开口接近的位置，其中，所述壁具有第一表面及第二表面；
在所述门与所述第一或第二表面之间挤压所述真空密封；并且
使用布置在所述门与所述第一或第二表面之间的至少一个导电性构件在所述门和所述等离子体处理系统的至少一个电被接地组件之间建立电接触。
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