CN100573326C - 光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供高精度的光刻胶灵敏度的评价方法。包括：在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，根据已复制到检查对象光刻胶膜上的曝光量监控标记的检查复制像测定要变动的检查特征量的步骤，根据检查特征量用灵敏度校正数据计算检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。
Description
技术领域
本发明涉及在半导体器件的制造的光刻工序中使用的光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法。
背景技术
在半导体集成电路等的半导体器件的制造中的光刻工序中，用曝光装置使已形成了电路图形的掩模曝光，把电路图形复制到已涂敷到半导体衬底上边的光刻胶膜上。随着半导体器件的高性能化和高集成化，对于把已描画到光掩模上的电路图形复制到半导体衬底上边的图形形成，要求可以复制的电路图形的微细化。缩小投影曝光装置的成像性能，可以用由瑞利公式描述的光学成像理论进行评价。曝光装置的分辨率R，正比例于曝光光的波长λ，反比例于数值孔径NA。此外，聚焦深度DOF，正比例于曝光光的波长λ，反比例于数值孔径NA的二次方。因此，迄今为止，对于半导体器件的微细化的要求，一直都在不断进行曝光波长的短波长化、投影透镜的高NA化和与之同时进行的工艺改善。但是，对于近些年来的半导体器件的进一步的微细化要求，曝光量宽余度和聚焦深度DOF的工艺宽余量的确保已变得极其困难起来。为此，归因于半导体器件的微细化而招致了制造成品率的大的降低。
为了用少的工艺宽余量进行光刻工序，消耗工艺宽余量的误差的精密的分析和误差分配(误差预算)就变得重要起来。例如，即便是打算用同一设定曝光量在半导体衬底上边对多个芯片进行曝光，归因于光刻胶的灵敏度变化、曝光后烘焙(PEB)、显影的晶片内的不均一性、光刻胶膜的晶片面内膜厚变动等的原因，实效的恰当曝光量也会波动，产生成品率的降低。为此，为了有效地使用少的工艺宽余量，防止成品率的降低，就要求以更高的精度监控曝光量和聚焦，以进行反馈或前馈的曝光量和聚焦的控制方法。与此同时，还要对每一个工艺单元进行消耗工艺宽余量的误差要因的精密的分析，并以该分析结果为基础，施行主要的误差要因的改善。
就曝光量和聚焦管理来说，人们提出了这样的方法(参看专利文献1)：在使用的缩小投影曝光装置中，采用在半导体衬底上边在未进行析像的周期内，配置使透过部分与遮光部分的尺寸比在一个方向上连续地变化的图形的光掩模的办法，以使在曝光量上具有倾斜分布地进行曝光的曝光量监控法，和采用使彼此具有相位差的菱形图形对于散焦呈现不同的图形尺寸特性的办法来进行聚焦监控的方法。
此外，作为光刻胶灵敏度的管理方法。一般地说人们还知道采用通过曝光装置把配置有所希望的图形的掩模复制到光刻胶上边，对复制图形的尺寸进行测长的办法，来求光刻胶的灵敏度方法，和用比曝光装置的析像能力充分地大的图形来求膜去除灵敏度的方法等。
[专利文献1]
特开2001-102282号公报(第5页，图1)
如上所述，在微细加工中，由于要求半导体器件的图形尺寸的加工精度或均一性，故重要的是要高精度地控制光刻的曝光条件。光刻胶灵敏度的管理，最重要的是要变成为曝光量宽余量和聚焦宽余量少的微细的图形或微细的孤立的图形。但是，在用复制图形的尺寸进行的光刻胶灵敏度的评价方法的情况下，作为变动要因，不仅会因曝光装置的曝光量而变化，还会因聚焦而变化。因此，就不能根据用对复制图形的尺寸进行测长的方法得到的测定结果，分离判定光刻胶灵敏度的变动和聚焦的变动所产生的影响。此外，在用膜去除灵敏度进行的光刻胶灵敏度的评价方法的情况下，由于膜去除灵敏度附近的残存光刻胶膜厚变化是陡急的，故要正确地求与残存光刻胶膜厚对应的曝光量是困难的。
发明内容
本发明的目的在于解决这样的课题，提供可以高精度地判定光刻胶灵敏度的光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法。
为了解决上述课题，本发明的形态1的要旨是光刻胶灵敏度的评价方法，该方法包括：(1)在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，(2)根据已复制到检查对象光刻胶膜上的曝光量监控标记的检查复制像测定由曝光量而变动的检查特征量的步骤，(3)根据检查特征量用灵敏度校正数据计算检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。
本发明的形态2的要旨是光刻胶的制造方法，该方法包括：(1)借助于曝光装置用设定曝光量使曝光量监控标记曝光到标准光刻胶膜上的工序，(2)根据已复制到标准光刻胶膜上的曝光量监控标记的校正复制像，测定归因于曝光量而变动的校正特征量的工序，(3)作为灵敏度校正量数据取得设定曝光量与校正特征量之间的关系的工序，(4)借助于曝光装置用检查曝光量把曝光量监控标记曝光到检查对象光刻胶膜上的工序，(5)根据已复制到检查对象光刻胶膜上的曝光量监控标记的检查复制像测定归因于曝光量而变动的检查特征量的工序，(6)根据检查特征量用灵敏度校正数据计算检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的工序，(7)计算检查曝光量与检查光刻胶灵敏度之间的光刻胶灵敏度差的工序，(8)根据光刻胶灵敏度差，调整检查对象光刻胶的光刻胶灵敏度的工序。
附图说明
图1是在本发明的实施形态中使用的曝光装置的概略构成图。
图2的平面图示出了在本发明的实施形态的曝光量监控标记中使用的L/S图形的一个例子。
图3的剖面图示出了在本发明的实施形态的曝光量监控标记中使用的L/S图形的一个例子。
图4示出了本发明的实施形态的曝光量监控标记的一个例子。
图5示出了已复制上本发明的实施形态的曝光量监控标记的光刻胶监控图形的一个例子。
图6的剖面图示出了本发明的实施形态的光刻胶监控图形的复制像的一个例子。
图7的剖面图示出了本发明的实施形态的光刻胶监控图形的复制像的一个例子。
图8的剖面图示出了本发明的实施形态的光刻胶监控图形的复制像的一个例子。
图9的剖面图示出了本发明的实施形态的光刻胶监控图形的复制像的一个例子。
图10的曲线图示出了在本发明的实施形态的光刻胶灵敏度的评价方法中使用的校正曲线的一个例子。
图11是说明使用本发明的实施形态的光刻胶灵敏度的评价方法的光刻胶的制造方法的流程图。
图12的平面图示出了本发明的实施形态的第1变形例的曝光量监控标记的一个例子。
图13的剖面图示出了本发明的实施形态的第1变形例的曝光量监控标记的一个例子。
图14的剖面图示出了本发明的实施形态的第1变形例的曝光量监控标记的曝光强度分布的一个例子。
图15的剖面图(其1)示出了本发明的实施形态的第1变形例的光刻胶灵敏度的评价方法的工序的一个例子。
图16的剖面图(其2)示出了本发明的实施形态的第1变形例的光刻胶灵敏度的评价方法的工序的一个例子。
图17的剖面图(其3)示出了本发明的实施形态的第1变形例的光刻胶灵敏度的评价方法的工序的一个例子。
图18的曲线图示出了在本发明的实施形态的第1变形例的光刻胶灵敏度的评价方法中使用的校正曲线的一个例子。
图19示出了本发明的实施形态的第1变形例的光刻胶监控图形的复制像的膜减少量的一个例子。
图20的平面图示出了本发明的实施形态的第1变形例的曝光量监控标记的另一个例子。
图21的剖面图示出了本发明的实施形态的第1变形例的曝光量监控标记的另一个例子的光刻胶监控图形的复制像的一个例子。
图22的平面图示出了本发明的实施形态的第2变形例的曝光量监控标记的一个例子。
图23的剖面图示出了本发明的实施形态的第2变形例的曝光量监控标记的一个例子。
图24的剖面图示出了本发明的实施形态的第2变形例的曝光量监控标记的曝光强度分布的一个例子。
图25的剖面图示出了本发明的实施形态的第2变形例的光刻胶监控图形的复制像的一个例子。
图26的曲线图示出了在本发明的实施形态的第2变形例的光刻胶灵敏度的评价方法中使用的校正曲线的一个例子。
图27的平面图示出了本发明的实施形态的第2变形例的曝光量监控标记的另一个例子。
图28剖面图示出了本发明的实施形态的第2变形例的曝光量监控标记的另一个例子。
图29的剖面图示出了本发明的实施形态的第2变形例的光刻胶监控图形的复制像的另一个例子。
图30的平面图示出了本发明的实施形态的第2变形例的曝光量监控标记的另一个例子。
图31的剖面图示出了本发明的实施形态的第2变形例的曝光量监控标记的另一个例子。
图32的平面图示出了本发明的另外的实施形态的曝光量监控标记的一个例子。
图33的剖面图示出了本发明的另外的实施形态的曝光量监控标记的一个例子。
具体实施方式
以下参看附图对本发明的实施形态进行说明。在以下的图面的讲述中，对于那些同一或类似的部分都赋予了同一或类似的标号。但是，应当留意图面是模式性的图，厚度与尺寸之间的关系，各层的厚度的比率等与现实的关系和比率是不同的。此外，即便是在图面彼此间，理所当然地也会含有彼此的尺寸的关系或比率不同的部分。
在本发明的实施形态的说明中使用的曝光装置，例如是图1所示的那样的缩小投影曝光装置(步进式)，缩小率定为1/4。作为光源2，使用波长λ为248nm的KrF准分子激光，在照明光学系统3中，含有蝇眼透镜和聚光透镜。照明光学系统3的相干因子σ为0.3。投影光学系统5，由投影透镜和光瞳光阑等构成，透镜数值孔径NA为0.6。从光源2射出的曝光光，把设置在照明光学系统3与投影光学系统5之间的光掩模4的图形缩小投影到载置台6上边的半导体衬底1上。另外，虽然为了便于说明起见，把曝光装置的缩小率定为1/4，但是理所当然地也可以是任意的缩小比。在以下的说明中，作为光掩模4上边的图形的尺寸，除非另有说明，讲述的都是换算成缩小投影到半导体衬底1上边后的尺寸。
在光掩模4上，例如如图2的平面图和图3的AA剖面图所示的那样，配置有在设置在透明基板11的表面上的遮光膜12之间具有多个线条和间隙(L/S)图形15a～15c的衍射光栅的曝光量监控标记。例如，L/S图形15a，把间隙宽度S的多个间隙部分14a夹在中间地平行地排列周期为P，线条宽度为W的多个线条部分13a.L/S图形15b、15c也同样地分别把多个间隙部分14b、14c夹在中间地以周期P平行地排列多个线条部分13b、13c。L/S图形15a～15c的周期P虽然是同一的，但是间隙宽度S或线条宽度W则分别不同。例如，在图2中间隙宽度S，在L/S图形15a中最小，且按照L/S图形15b、15c的顺序变宽。
L/S图形15a～15c中，要使得周期P变成为曝光装置的临界析像度以下那样地，把P设定为
P＜λ/{(1+σ)*NA}......(1)
在要用照明光学系统3照明在曝光装置中配置有光掩模4的L/S图形15a～15c的情况下，透过L/S图形15a～15c的曝光光的1次以上的衍射光，就会被投影光学系统5的投影透镜的光瞳遮住，仅仅使直线前进的0次衍射光进入光瞳。因此，在半导体衬底1上边，仅仅产生一样的0次衍射光的分布，L/S图形15a～15c不能成像。此外，与L/S图形15a～15c的开口比，就是说与间隙宽度S相对应地变成为曝光量不同的单调曝光光后到达半导体衬底1的表面上边。为此，即便是曝光装置的设定曝光量相同，曝光量也会与L/S图形15a～15c的间隙宽度S相对应地变化。此外，由于L/S图形15a～15c的图形在半导体衬底1表面上不进行析像，故曝光量可以去除聚焦变动的影响。在要在实施形态的说明中使用的曝光装置(λ为248nm、NA为0.6、σ为0.3)的情况下，满足式(1)的条件的周期P，将大体上变成为318nm以下。在实施形态的情况下，把周期P定为300nm。
在实施形态的情况下，如图4所示，配置在光掩模4上的曝光量监控标记16，例如从纸面左上端的块17a开始在向右方方向上被分成为块17b、17c、...这么20块，在向下方向上以12块的矩阵状，一直到右下端的块17z为止被分成为共计240块。在块17a、17b、17c、...、17z上，配置一个如图2所示的那样的L/S图形15a～15c。块17a、17b、17c、...、17z的各自的L/S图形的间隙宽度S，在块17a中最小，并按照17b、17c、...的顺序间隙宽度S变宽，在块17z中S变成为最大。在实施形态中，间隙宽度S以0.625nm的步距变化，如使用具有曝光量监控标记16的光掩模4，就可以把具有与配置在块17a、17b、17c、...、17z上的L/S图形的间隙宽度S相对应地台阶式地增加的那样的曝光量分布的图形投影到半导体衬底1上。对于曝光装置的的设定曝光量，用与L/S图形的开口率对应的实效曝光量使半导体衬底1曝光。例如，如减少间隙宽度S，则结果就变成为实效曝光量也会减少。就是说，L/S图形的间隙宽度S，对于一定的设定曝光量，就可以用做实效曝光量的指标。
在实施形态的光刻胶灵敏度的评价方法中，用曝光装置用设定曝光量把曝光量监控标记16投影到标准光刻胶膜上形成复制像。曝光量监控标记16的复制像，就变成为具有与台阶式地增加的曝光量分布对应的光刻胶膜厚分布的图形。可以求在曝光量监控标记16的复制像之内，那些与因光刻胶膜溶解去除而使基底膜露出来的膜去除实效曝光量对应的L/S图形的间隙宽度S。在要测定检查对象光刻胶的光刻胶灵敏度的情况下，首先，要预先求得设定曝光量和相当于标准光刻胶膜的膜去除实效曝光量的间隙宽度S之间的关系。然后，采用用检查设定曝光量把曝光量监控标记16复制到检查对象的光刻胶膜上的办法，求膜去除后的L/S图形的间隙宽度S。如果所求得的检查对象光刻胶膜的间隙宽度S，与相当于用在测定时使用的检查设定曝光量进行的标准光刻胶膜的膜去除实效曝光量的间隙宽度S不同，则表明光刻胶灵敏度在检查对象光刻胶膜和标准光刻胶膜中不一样。把用设定曝光量进行的膜去除L/S图形的间隙宽度S当作光刻胶灵敏度的特征量。采用求检查对象光刻胶膜的光刻胶灵敏度的特征量并与标准光刻胶膜的特征量进行比较的办法，就可以对光刻胶灵敏度差进行评价。
首先，说明与L/S图形的膜去除灵敏度对应的间隙宽度S测定方法。例如，在硅(Si)等的半导体衬底1上边，在旋转涂敷后采用进行加热处理的办法形成反射防止膜。该反射防止膜的厚度，例如为60nm。旋转涂敷相当于标准光刻胶的化学放大系正型光刻胶，形成例如厚度0.4微米的光刻胶膜。在涂敷后，例如在大约100℃、90秒进行预坚膜处理。另外，反射防止膜或光刻胶膜的旋转涂敷和预坚膜处理，也可以在已连接到曝光装置上的涂敷显影装置(未画出来)内进行。把预坚膜处理结束后的半导体衬底1搬运到曝光装置内，使设置在光掩模4上的图4的曝光量监控标记16曝光。把曝光结束后的半导体衬底1搬运到涂敷显影装置内。在涂敷显影装置内，在用例如约100℃、90秒进行了PEB之后，用0.27规定的碱性显影液进行60秒的显影。用光学显微镜观察借助于显影处理在半导体衬底1上边形成的图形。
已把曝光量监控标记16复制到光刻胶膜22上的光刻胶监控图形26，例如，如图5所示，与曝光量监控标记16的多个块17a、17b、17c、...、17z相对应地形成多个复制区域25a、25b、25c、...、25z。曝光量监控标记16的多个块17a、17b、17c、...、17z的各个L/S图形，在光刻胶膜上边并不进行析像，变成为台阶式地增加的分布的光刻胶灵敏度的单调曝光。因此，在显影后的光刻胶监控图形26上，将与台阶式地增加的光刻胶灵敏度相对应地产生光刻胶膜厚的分布。
例如，在复制区域25a～25c、...、25f中，如图6所示，将变成为在半导体衬底1上边的反射防止膜21上形成的平坦的光刻胶膜的复制像26a。复制区域25a～25c、...、25f的光刻胶膜的厚度，则与光刻胶灵敏度的增加相对应地慢慢地减少。当用光学显微镜观察复制像26a时，从复制区域25a到复制区域25f，随着光刻胶膜慢慢地变薄，由于相干的影响复制像26a就慢慢地地变得明亮起来。在从复制区域25g到复制区域25j之间，由于溶解速度归因于借助于光刻胶膜中的薄膜相干效应的发生的驻波而变成为极小，故光刻胶膜的减少率小，是难于借助于显微镜观察变化的区域。从复制区域25k开始，在复制区域25p中形成的复制像26b，如图7所示，光刻胶膜膜厚将进一步减少下去，从看到光刻胶膜的基底的反射防止膜21的颜色透过开始，颜色将慢慢地变化下去。在从复制区域25q到复制区域25s中形成的复制像26c，如图8所示，是光刻胶膜的残渣，归因于光刻胶膜的一部分被除去基底的反射防止膜21开始露出的影响而变成为不均一的颜色。此外，在从复制区域25t到复制区域25z中，如图9所示，光刻胶膜完全溶解，基底的反射防止膜21的表面已露了出来。这样一来，就可以从光刻胶监控图形26的显微镜像容易地识别因光刻胶膜溶解而去除的边界的复制区域25q。把与因光刻胶膜溶解而去除的边界的复制区域25q对应的曝光量监控标记16的L/S图形的间隙宽度S取为光刻胶灵敏度的特征量。
采用使用标准光刻胶，使曝光装置的设定曝光量变化的办法来测定作为光刻胶灵敏度的特征量的间隙宽度S。把与所测定的特征量的间隙宽度S对应的设定曝光量当作光刻胶灵敏度，如图10所示，作为间隙宽度S与光刻胶灵敏度EDe的灵敏度判定数据绘制校正曲线。以0.2mJ/cm2的步距，设定曝光量，从5mJ/cm2到25mJ/cm2为止增加。例如，若用标准光刻胶膜用7.5mJ/cm2的设定曝光量复制曝光量监控标记16，则如图10所示，相当于膜去除灵敏度的L/S图形的间隙宽度S为大约250nm。如果用检查设定曝光量在检查对象光刻胶膜中求得相当于膜去除灵敏度的间隙宽度S为250nm，则光刻胶灵敏度就变成为7.5m J/cm2。如果检查设定曝光量与7.5m J/cm2不同，则结果就变成为检查对象光刻胶与标准光刻胶存在着光刻胶灵敏度差。可知相当于膜去除灵敏度的间隙宽度S狭窄的一方光刻胶灵敏度EDe的变化大。当借助于最小二乘逼近求图10的间隙宽度S与光刻胶灵敏度EDe之间的关系时，就变成为如下的式(2)
Ede＝0.0008*S2-0.48*S+77.523......(2)
在实施形态中，即便是采用把(2)式用做光刻胶灵敏度的灵敏度判定数据的办法，也可以以与检查对象光刻胶膜的膜去除灵敏度对应的间隙宽度S为特征量，求光刻胶灵敏度。采用使与间隙宽度S对应的光刻胶灵敏度EDe与在测定时使用的设定曝光量进行比较的办法，就可以评价对标准光刻胶的相对的光刻胶灵敏度。
例如，如果设定曝光量为7.5mJ/cm2，与检查对象光刻胶膜的膜去除灵敏度对应的间隙宽度S为245nm，则光刻胶灵敏度可用图10求得为7.9mJ/cm2，可知：与标准光刻胶比较，光刻胶灵敏度增高了约5％。
再有，还可以根据标准光刻胶与检查对象光刻胶的光刻胶灵敏度差，进行检查对象光刻胶的灵敏度的调整，对已调整到与标准光刻胶在允许误差范围以内的光刻胶灵敏度的光刻胶进行调合。因此，采用对新批料的光刻胶应用实施形态的评价方法的办法，就可以高精度地对光刻胶灵敏度进行管理，就可以制造光刻胶灵敏度的变动得到抑制的光刻胶。
其次，用图11所示的流程图说明实施形态的光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法。判定光刻胶灵敏度的‘特征量’，如上所述，在实施形态中，使用的是与可用曝光装置的设定曝光量进行复制的曝光量监控标记16的复制像的膜去除对应的的L/S图形的间隙宽度S。除此之外，作为特征量也可以使用与可用曝光装置的设定曝光量进行复制的曝光量监控标记的复制像的变化对应的的物理量。例如，也可以把复制像的膜厚用做特征量。此外，在与实效曝光量相对应地使复制像进行图形变形的情况下，也可以把图形变形量用做特征量。
(1)首先，在步骤S80中，向半导体衬底1上边的反射防止膜上旋转涂敷预先准备好的标准光刻胶。
(2)把半导体衬底1和具有图4所示的曝光量监控标记16的光掩模4设置在图1所示的曝光装置内。在步骤S81中，用设定曝光量向标准光刻胶膜上投影曝光量监控标记16，在PEB后进行显影。其结果是得以复制图5所示的光刻胶监控图形26。
(3)在步骤S82中，根据光刻胶监控图形26的校正复制像求相当于膜去除灵敏度的L/S图形的间隙宽度S。采用使曝光装置的设定曝光量变化的办法测定相当于膜去除灵敏度的间隙宽度S。把相当于膜去除灵敏度的间隙宽度S当作校正特征量，把与各个校正特征量对应的设定曝光量当作光刻胶灵敏度。然后，把校正特征量和光刻胶灵敏度之间的关系取为灵敏度判定数据。
(4)在步骤S83中，重新向半导体衬底1上边的反射防止膜上边旋转涂敷新批料的检查对象光刻胶膜。
(5)把已涂敷上检查对象光刻胶膜的半导体衬底1和具有曝光量监控标记16的光掩模4，设置在曝光装置内。在步骤S84中，用检查曝光量向检查对象光刻胶膜上投影曝光量监控标记16，在PEB后进行显影。其结果是得以复制检查对象光刻胶监控图形。
(6)在步骤S85中，根据检查对象光刻胶监控图形的检查复制像，作为检查复制像的检查特征量求相当于膜去除灵敏度的L/S图形的间隙宽度S。根据灵敏度判定数据，取得相当于用检查对象光刻胶膜测定的检查复制像的检查特征量的检查光刻胶灵敏度。
(7)在步骤S86中，把与检查曝光量对应的光刻胶灵敏度，和检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度之间的差当作光刻胶灵敏度差进行计算，并与光刻胶灵敏度的判定基准进行比较。
(8)如果光刻胶灵敏度在判定基准以上，则在步骤S87中，根据预先测定好的光刻胶添加物量与光刻胶灵敏度的变化量的关系，调整检查对象光刻胶的组成。在调整后，用步骤S83到步骤S86的顺序，计算调整后的检查对象光刻胶膜的灵敏度，一直到变成为光刻胶灵敏度的判定基准以下为止反复进行。
倘采用实施形态，则可以使得与标准光刻胶之间的光刻胶灵敏度差变成为判定基准以下那样地以高精度调整新批料的光刻胶。
其次，说明应用实施形态的光刻胶灵敏度的评价方法的、新批料的光刻胶的制造方法。
标准光刻胶的制造要用以下的配方进行。将多羟基苯乙烯的酚的羟基(35％)用叔丁氧羰基保护起来的聚合物溶解到按重量等份比率为9倍的丙二醇内。作为光酸发生剂(感光剂)对于聚合物固形分量添加5重量％的三苯基锍三氟磺酸。此外，作为酸捕捉剂，向光酸发生剂添加5摩尔％的三苯基胺制作标准光刻胶。对所制作的标准光刻胶，用曝光装置复制曝光量监控标记16，以制成光刻胶灵敏度的灵敏度判定数据。
其次，用与标准光刻胶同样的配方制造新批料的光刻胶。把新批料的光刻胶旋转涂敷到半导体衬底1的表面上，形成检查对象光刻胶膜。借助于实施形态的光刻胶灵敏度的评价方法，对检查对象光刻胶膜，测定与膜去除灵敏度对应的L/S图形的间隙宽度S。其结果是检查对象光刻胶膜的光刻胶灵敏度比标准光刻胶低5％。
于是，借助于预先测定好的光酸发生剂的添加量和光刻胶灵敏度的变化量之间的关系，添加相当于与标准光刻胶之间的光刻胶灵敏度差的量的光酸发生剂，进行新的批料光刻胶的调整。再次把调整后的新的批料光刻胶涂敷到半导体衬底上，用实施形态的光刻胶灵敏度的评价方法评价光刻胶灵敏度，就可以把与标准光刻胶之间的光刻胶灵敏度差调整到1％以下和允许误差以下。
此外，与上述例子反过来，在新批料的光刻胶的去除曝光量与标准光刻胶比较例如高5％的情况下，也可以借助于预先测定好的酸捕捉剂的添加量与光刻胶灵敏度的变化量之间的关系，添加相当于与标准光刻胶之间的光刻胶灵敏度差的量的酸捕捉剂。
另外，在以上的说明中，作为曝光量监控标记16，使用的是配置有使作为衍射光栅起作用的L/S图形的间隙宽度S变化的图形群的标记。但是，衍射光栅并不限定于L/S图形，也可以采用配置周期性的孔图形或菱形的反复图形等的办法形成。
此外，也可以采用使得半导体衬底1表面上的曝光量变成为不会因聚焦的变动而变动的单调曝光那样地使用充分大的开口图形的办法，使得通过开口图形的光强度比台阶式地变化那样地，在光掩模的透明基板上边使之台阶式地变化膜厚地配置并使用半透明膜。
在实施形态的光刻胶灵敏度的评价方法中，作为特征量虽然使用的是与光刻胶膜因溶解而去除的膜去除灵敏度对应的L/S图形的间隙宽度，但是，并不限定于此。例如，也可以用膜厚计等测定对标准光刻胶膜的光刻胶灵敏度的光刻胶残膜量，并根据检查对象光刻胶膜的光刻胶残膜量的膜厚差进行评价。
再有，也可以不仅要测定显影后的光刻胶膜厚的变化，还要测定曝光后或PEB后的光刻胶膜厚的变化。归因于曝光，本身为含于光刻胶膜内的感光性组成物的高分子，归因于由光化学反应产生的交键切断等高分子的聚合链的状态也会变化。这是因为其结果在光刻胶膜的曝光部分和非曝光部分上会产生膜厚差的缘故。
(第1变形例)
在本发明的实施形态的第1变形例的光刻胶灵敏度的评价方法中使用的曝光量监控标记36，例如如图12的平面图和图13的BB剖面图所示，就是采用以一定的比率在透明基板11上边的遮光膜12上减少和增加例如多个遮光材料的线条部分33a～33o的线条宽度We，和透明基板11露了出来的间隙部分34a-34p的间隙宽度Se的办法，使开口率台阶式地变化的L/S图形的衍射光栅。L/S图形以一定的周期Pe周期性地排列。开口率就是说间隙宽度Se随着从曝光量监控标记36的中央的线条部分33h朝向纸面而且朝向右和左侧前进而增加。在中央的线条部分33h处开口率为0％，在左右边缘的线条部分33a、33o处开口率则变成为接近100％的最大值。周期Pe，在图1的曝光装置中，在可以用式(1)表示的临界析像度以下时，要被曝光的衍射光栅图形，在半导体衬底1上边根本不能进行析像。即便是在实施形态的变形例1中，也与实施形态同样，周期Pe变成为曝光装置的临界析像度以下的300nm。因此，曝光量监控标记36的衍射光栅的图形，在光刻胶膜上边不能析像。衍射透过线条部分33a～33o间的间隙部分34a～34p的曝光光的强度，与开口率相对应地变化。使曝光量监控标记36曝光得到的光刻胶图形，与要复制的光刻胶的灵敏度曲线相对应地在左右边缘处形成倾斜侧壁，此外，左右边缘还与曝光量相对应地缩小后退。以所复制的曝光量监控标记36的复制像宽度为特征量，就可以进行光刻胶灵敏度的测定。在实施形态的变形例1中，作为曝光量监控标记36，使用使开口率随着从中央朝向两端前进而台阶式地增加的L/S图形的衍射光栅，作为光刻胶灵敏度的特征量，使用曝光量监控标记36的复制像宽度这一点，与实施形态不同。其它的构成，与实施形态是同样的，故省略重复的说明。
图14示出了在使图12所示的曝光量监控标记36曝光时得到的在半导体衬底1上边的光刻胶膜表面上的BB剖面方向上的光强度分布。例如，把曝光量监控标记36的线条部分33h的中心当作位置的原点。曝光强度，在曝光量监控标记36的原点位置处为0，在左右侧端的间隙部分34a、34p的位置处则变成为1。在光刻胶膜面上边，由于仅仅可以照射在曝光量监控标记36处进行衍射的0次衍射光，故光强度分布就变成为与间隙部分的间隙宽度Se的2次方成正比例的分布。
其次，用具有图14所示的曝光量分布的曝光量监控标记36，说明测定光刻胶灵敏度的步骤。首先，如图15所示，向半导体衬底1上边的反射防止膜21表面上旋转涂敷光刻胶膜37。借助于曝光装置使曝光量监控标记36曝光到所涂敷的光刻胶膜37上。在实施形态的第1变形例的情况下，由于使用的是正型光刻胶，故在曝光光所照射到的部分处光刻胶成分的高分子交键被切断。因此，在曝光或PEB后，如图16所示，作为潜像与曝光量监控标记36相对应地在曝光光刻胶膜37a之间的非曝光区域上形成复制像38a。曝光光刻胶膜37a和复制像38a，由于高分子的构造不同，厚度或折射率等的光学特性不同。曝光光刻胶膜37a归因于PEB后的显影处理而溶解，如图17所示，在反射防止膜21上边形成复制像38b。复制像38a、38b，与图14的曝光光的光强度分布和被复制的光刻胶的灵敏度曲线相对应地在左右边缘上形成倾斜侧壁，此外，左右边缘与曝光量相对应地进行缩小后退。复制像38a、38b的复制像宽度Ls、Lt，可以用台阶差计或光学式的线条宽度测长装置测定。采用用标准光刻胶使曝光装置的设定曝光量变化的办法进行曝光，根据复制像宽度Ls、Lt与设定曝光量的关系，如图18所示，就可以得到特征量的复制像宽度Ls或Lt与光刻胶灵敏度EDe之间的校正曲线。采用把图18的关系用做灵敏度判定数据的办法，就可以高精度地对检查对象光刻胶膜的光刻胶灵敏度进行评价。
例如，用曝光装置的标准设定曝光量把曝光量监控标记36复制到检查对象光刻胶膜上。用台阶差计或光学式的线条宽度测长装置等测定显影后得到的复制像宽度。根据所测定的复制像宽度，用图18的校正曲线的关系求光刻胶灵敏度。用所求得的光刻胶灵敏度，就可以得到检查对象光刻胶对标准光刻胶的相对光刻胶灵敏度。
此外，用台阶差计测定显影后的光刻胶膜的膜减少量，如图19所示，就可以得到在复制像38b的左右边缘处在与倾斜侧壁对应的位置上光刻胶膜的膜减少量变化的分布。这样一来，即便是用光刻胶膜的膜减少量也可以求得与复制像宽度Lt对应的特征量。因此，就可以得到与图18同样的校正曲线，就可以对检查对象光刻胶膜的光刻胶灵敏度进行评价。作为光刻胶膜的膜减少率的测定方法，除去台阶差计之外，还可以使用光学方式的膜厚计。
此外，膜减少率的测定，如图20所示也可以使用在开口部分31之间以等间隔周期性地把多个曝光量监控标记36排列起来的光掩模。在该情况下，如图21所示，对于已复制到涂敷到半导体衬底1上边的反射防止膜21表面上的光刻胶膜上的多个复制像38c，可以用散射测量法测定光刻胶膜的膜减少量。若用散射测量法，则要以特定的角度使光向复制像38c的图形入射，测定使之衍射所得到的衍射光强度。采用与预先求得的图形分布与所测定的衍射光强度的关系比较对照的办法，就可以求得复制像38c的膜厚分布。这样一来，就可以用根据复制像38c的膜减少量求得的特征量与光刻胶灵敏度之间的关系，高精度地对检查对象光刻胶膜的光刻胶灵敏度进行评价。
另外，在实施形态的第1变形例的曝光量监控标记36中，使用的是使L/S图形的开口率在左右两个方向上增加的对称的构造的图形。但是，不言而喻也可以是使开口率从大约0％到100％仅仅在一个方向上变化的图形。在该情况下，光刻胶膜的复制像，可采用使开口率为100％一侧的另一个边缘进行缩小后退而开口率为0％一侧的一个边缘不进行缩小后退的办法形成倾斜侧壁。
(第2变形例)
在本发明的实施形态的第2变形例的光刻胶灵敏度的评价方法中使用的曝光量监控标记46，如图22的平面图和图23的CC剖面图所示，在设置在半导体衬底1上边的遮光膜12上，具备例如在纸面的上下方向上延伸，在与长边方向垂直相交的方向上彼此相向地配置的位置检测图形45a、45b，和在位置检测图形45a、45b之间具有开口部分41和曝光倾斜部分42的曝光量监控图形40。开口部分41，被遮光膜12夹在中间地配置在位置检测图形45a一侧。曝光倾斜部分42则接连到每一者上地配置在开口部分41与位置检测图形45b之间。另外，曝光倾斜部分42，虽然被配置为接连到位置检测图形45b上，但是，也可以是使曝光倾斜部分42与位置检测图形45b之间分开中间存在着遮光膜12那样的配置。
曝光倾斜部分42，是这样的L/S图形的衍射光栅：采用使多个遮光材料的线条部分43a～43k的线条宽度，和透明基板11露了出来的间隙部分44a～44l的间隙宽度用一定的比率增加和减少的办法，使开口率在一个方向上台阶式地变化。L/S图形，以可以用式(1)表示的临界析像度以下的一定的周期进行排列。开口率就是说间隙宽度，随着从与曝光倾斜部分42的开口部分42邻接的线条部分43a朝向纸面的右侧前进而减少。在与曝光倾斜部分42邻接的开口部分41处开口率为100％，在右端的位置检测图形45b一侧的线条部分43k处开口率则变成为0％。在实施形态的第2变形例中，例如，把从位置检测图形45a的左边缘到位置检测图形45b的右边缘为止的距离LM定为大约30微米。CC剖面方向的位置检测图形45a、45b的宽度约为2微米。开口部分41和曝光倾斜部分42的宽度分别定为大约14微米和8微米。
当借助于曝光装置把曝光量监控标记46投影到半导体衬底1上边时，就可以得到图24所示的那样的曝光强度分布。在这里，曝光的位置的原点，在位置检测图形45a、45b之间的中心点。此外，曝光强度，是已用透过位置检测图形45a、45b或开口部分41的曝光光的曝光量归一化后的值。因此，就如从图24看到的那样，位置检测图形45a、45b和开口部分41的曝光强度分布LI1、LI4和LI2变成为恒定值的1。在曝光倾斜部分42处，曝光强度分布LI3，从开口部分41的边缘到位置检测图形45b的边缘为止与间隙部分44a～44l的间隙宽度相对应地减少。
在图24中，例如，把与光刻胶膜的膜去除灵敏度的曝光量对应的曝光强度当作实效曝光强度LIe。从曝光倾斜部分42的曝光强度分布LI3变成为实效曝光强度LIe的位置D，到开口部分41的左边缘为止的Min的区域，将变成为曝光量监控图形40的膜去除灵敏度区域。因此在借助于显影处理形成的光刻胶监控图形58中，如图25所示，就可以在光刻胶膜57之间形成与曝光量监控标记46的位置检测图形45a、45b对应的位置检测光刻胶开口部分55a、55b，和与从开口部分41及开口部分41的右端到曝光倾斜部分42的位置D之间对应的光刻胶开口部分51。此外，在与曝光倾斜部分42对应的的复制像56的左边缘上形成倾斜侧壁59。另外，在图25中，为了简单起见仅仅示出了光刻胶监控图形58，反射防止膜或半导体衬底等的基底层则省略未画。
光刻胶开口部分51，变成为从图24所示的曝光倾斜部分42的位置D到开口部分41的左边缘为止的宽度Min。如果使曝光装置的设定曝光量变化，则光刻胶灵敏度LIe就发生变化，曝光强度分布LI3的膜去除灵敏度的位置D发生变化。例如，当设定曝光量增大时，位置D就要向位置检测图形45b的方向偏移，宽度Min增加。另一方面。位置检测光刻胶开口部分55a、55b的中心间，是宽度Mout。即便是在使曝光装置的设定曝光量变化的情况下，宽度Mout也不会变化。因此，本身为宽度Min的中心C1与宽度Mout的中心C2之差的相对位置偏差量Δd，与光刻胶灵敏度的变动对应。在实施形态的第2变形例中，以测定光刻胶开口部分51的中心C1和位置检测光刻胶开口部分55a、55b之间的中心C2求得的相对位置偏差量Δd为特征量求光刻胶灵敏度，以对光刻胶灵敏度进行评价这一点，与实施形态或实施形态的第1变形例不同。其它的点则是同样的，故省略重复的说明。
使曝光装置的设定曝光量变化，形成已把曝光量监控标记46复制到标准光刻胶上的光刻胶监控图形58，用对准偏差检查装置等测定光刻胶开口部分51的中心C1，和位置检测光刻胶开口部分55a、55b的宽度Mout间的中心C2。图26示出了用百分率表示各个设定曝光量对标准曝光量的变化量的光刻胶灵敏度变动值ΔEDe，和用各个设定曝光量测定的相对位置偏差量Δd之间的关系。若用最小二乘逼近求图26的相对位置偏差量Δd与光刻胶灵敏度变动值ΔEDe之间的关系，则变成为下式
Δd＝0.0098*ΔEDe-0.0003......(3)
在实施形态的第2变形例中，由于可以采用把式(3)用做光刻胶灵敏度的灵敏度判定数据的办法，把与检查对象的光刻胶膜的膜去除灵敏度对应的相对位置偏差量Δd当作特征量来求，故可以用光刻胶灵敏度变动值ΔEDe评价对标准光刻胶的相对光刻胶灵敏度。
例如，用曝光装置的标准设定曝光量把曝光量监控标记46复制到检查对象光刻胶膜上。借助于对准偏差检查装置等测定在显影后得到的复制像的相对位置偏差量Δd。根据所测定的相对位置偏差量Δd，根据图26的校正曲线或式(3)的关系，求光刻胶灵敏度变动值ΔEDe。从所求得的光刻胶灵敏度变动值ΔEDe，就可以得到检查对象光刻胶对标准光刻胶的相对光刻胶灵敏度。
在在上述的说明中使用的曝光量监控标记46中，在曝光量监控图形40内配置有一个曝光倾斜部分42。在实施形态的第2变形例中，要配置的曝光倾斜部分则并不限定于一个。作为另外的例子，在曝光量监控标记46a中，如图27所示，在开口部分41a的左右两端配置有第1和第2曝光倾斜部分42a、42b。如图28的DD剖面图所示，曝光量监控标记46a的第1和第2曝光倾斜部分42a、42b，是从纸面的左端开始使开口率在同一方向上从大约100％到0％台阶式地变化的L/S图形的衍射光栅。L/S图形，以可以用式(1)表示的临界析像度以下的一定的周期进行排列。
在借助于曝光装置把曝光量监控标记46a复制到光刻胶膜上形成的光刻胶监控图形58a中，如图29所示，在光刻胶膜57上与位置检测图形45a、45b相对应地形成位置检测光刻胶开口部分55a、55b。对于第1曝光倾斜部分42a来说，在与左边缘部分对应的位置上，形成具有倾斜侧壁59a的第1复制像56a。此外，对于开口部分41a和第2曝光倾斜部分42b来说，则形成具有第2光刻胶开口部分51b和倾斜侧壁59b的第2复制像56b。在这里，设与第1和第2复制像56a、56b的倾斜侧壁59a、59b的基底层接连的边沿间的宽度Min的中心为Ca1，设位置检测光刻胶开口部分55a、55b的宽度Mout间的中心为Ca2。中心位置Ca1、Ca2间的相对位置偏差量Δd，由于边沿的位置因从第1和第2曝光倾斜部分42a、42b向复制形成的第1和第2复制像56a、56b的倾斜侧壁59a、59b一侧缩小后退向同一方向偏移，故与使用曝光量监控标记46的情况下比较相对位置偏差量Δd增大到约2倍，相对位置偏差量Δd的测定灵敏度的提高就变成为可能。因此，可以高精度地评价检查对象光刻胶膜的光刻胶灵敏度。
此外，在曝光量监控标记46a中，具有在第1和第2曝光倾斜部分42a、42b中使开口率在同一方向上台阶式地变化的L/S图形的衍射光栅。但是，在曝光量监控标记46b中，如图30的平面图和图31的EE剖面图所示，在位置检测图形45c、45d上也配置有使开口率在同一方向上台阶式地变化的L/S图形的衍射光栅。在该情况下，位置检测图形45c、45d的L/S图形的开口率的变化，将变成为与第1和第2曝光倾斜部分的L/S图形的开口率的变化方向相反的方向。因此，结果就变成为被复制的位置检测光刻胶图形之间的宽度的中心位置向与第1和第2倾斜侧壁的边沿间的宽度的中心位置相反的方向偏移，可得到的相对位置偏差量Δd会进一步增加。因此，可以更高精度地评价检查对象光刻胶膜的光刻胶灵敏度。
(其它的实施形态)
如上所述，虽然用实施形态对本发明进行了说明，但是构成该公开的一部分的论述和图面，不应当理解为是对本发明的限定。本专业的人员将会从该公开中弄明白各种各样的代替的实施形态、实施例和应用技术。
在本发明的实施形态中，为了使之具有曝光光的透过率的分布，虽然使用的是以所希望的比率使衍射光栅的开口率变化的曝光图形，但是，并不限于衍射光栅，只要借助于别的方法可以使之具有曝光光的透过率的分布，理所当然地也可以是任何的方法。例如，如图32和图33所示，作为曝光量监控标记46c，以恒定的宽度、而且使厚度以恒定的比率变化地在透明基板11上边配置多个遮光膜106a～106m。由于即便是金属只要作成为薄膜就会产生光透过性，故只要使之具有厚度的分布地淀积作为遮光膜106a～106m使用的金属，就可以使光的透过率可变。各个遮光膜的厚度随着从遮光膜106a朝向遮光膜106m前进而台阶状地增加。因此，随着遮光膜106a朝向纸面前进右侧的透过率是接近于100％的最大值，而在遮光膜106m处透过率则变成为0％。这样一来，在本发明的实施形态的第1和第2变形例中所说明的曝光监控中可以应用使遮光膜的厚度台阶状地变化的构造，是不言而喻的。此外，即便是使遮光膜的厚度，在一定的方向上连续地变化的构造，曝光光监控也是可能的。此外，为了使光透过率可变，即便是使遮光材料变成为粒子状而且使粒子密度变化的构造，理所当然地也可以得到同样的效果。
此外，在本发明的实施形态中，为便于说明，虽然使用的是KrF准分子激光缩小投影曝光装置，但是，作为光源理所当然地也可以使用i线或g线等的紫外线，ArF或F2气体等的别的准分子激光，或者电子束或X射线等。此外，还可以使用接触方式、邻近方式或反射镜投影方式等的曝光装置。
如上所述，本发明理所当然地包括在这里并未讲述的各种各样的实施形态。因此，本发明的技术范围，由上述的说明可知，仅仅可由妥当的技术方案的范围的发明特定事项决定。
倘采用本发明，则可以提供可以高精度地管理光刻胶灵敏度的光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法。
Claims (28)
1.一种光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于包括：
在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，
根据已复制到上述检查对象光刻胶膜上的上述曝光量监控标记的检查复制像测定由于曝光量而变动的检查特征量的步骤，
根据上述检查特征量用灵敏度校正数据计算上述检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。
2.根据权利要求1所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于还包括：
借助于上述曝光装置用设定曝光量把上述曝光量监控标记曝光到标准光刻胶膜上的步骤，
根据已复制到上述标准光刻胶膜上的上述曝光量监控标记的校正复制像，测定归因于曝光量而变动的校正特征量的步骤，
把上述设定曝光量与上述校正特征量之间的关系取作上述灵敏度校正数据的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述检查复制像和校正复制像，用衍射光栅形成。
4.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述检查复制像和校正复制像，用在上述曝光量监控标记的面内使开口率台阶式地倾斜分布的图形形成。
5.根据权利要求3所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述衍射光栅由线条和间隙图形构成，上述线条和间隙图形的周期，比由上述曝光装置的光源的波长、上述曝光装置的投影光学系统的透镜数值孔径和上述曝光装置的照明光学系统的相干因子决定的宽度小。
6.根据权利要求5所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述宽度，是用上述相干因子与1之和乘以上述数值孔径之后再除上述波长的值。
7.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述检查复制像和校正复制像，通过在上述曝光量监控标记的面内使上述曝光装置的曝光光台阶式地倾斜分布而形成。
8.根据权利要求7所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，是开口率分别不同的多个上述线条和间隙图形的间隙宽度或线条宽度。
9.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述检查复制像和校正复制像，通过在上述曝光量监控标记的面内使上述曝光装置的曝光光台阶式地在一个方向上倾斜分布而形成。
10.根据权利要求9所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，是上述检查复制像和校正复制像的上述一个方向的宽度。
11.根据权利要求10所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，是在借助于上述曝光量监控标记复制的位置检测光刻胶开口部分，和上述检查复制像和校正复制像之间的上述一个方向上的相对位置偏差量。
12.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，用显影后的上述检查复制像和校正复制像进行测定。
13.根据权利要求1或2所述的光刻胶灵敏度的评价方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，用曝光后或曝光后烘焙(PEB)后的上述检查复制像和校正复制像进行测定。
14.一种光刻胶的制造方法，其特征在于包括：
借助于曝光装置用设定曝光量使曝光量监控标记曝光到标准光刻胶膜上的工序，
根据已复制到上述标准光刻胶膜上的上述曝光量监控标记的校正复制像，测定归因于曝光量而变动的校正特征量的工序，
作为灵敏度校正数据取得上述设定曝光量与上述校正特征量之间的关系的工序，
借助于上述曝光装置用检查曝光量把上述曝光量监控标记曝光到检查对象光刻胶膜上的工序，
根据已复制到上述检查对象光刻胶膜上的上述曝光量监控标记的检查复制像测定归因于曝光量而变动的检查特征量的工序，
根据上述检查特征量用上述灵敏度校正数据计算上述检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的工序，
计算上述检查曝光量与上述检查光刻胶灵敏度之间的光刻胶灵敏度差的工序，
根据上述光刻胶灵敏度差，调整上述检查对象光刻胶的上述光刻胶灵敏度的工序。
15.根据权利要求14所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：还包括如下步骤：
取得对于灵敏度校正光刻胶的添加剂的上述灵敏度校正光刻胶的光刻胶灵敏度变化的关系的步骤，
根据上述光刻胶灵敏度变化的关系进行上述检查对象光刻胶的上述光刻胶灵敏度的调整的步骤。
16.根据权利要求15所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述添加剂是感光剂，上述检查对象光刻胶的上述光刻胶灵敏度的调整通过添加上述感光剂进行。
17.根据权利要求15所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述添加剂是酸捕捉剂，上述检查对象光刻胶的上述光刻胶灵敏度的调整通过添加上述酸捕捉剂进行。
18.根据权利要求14所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述检查复制像和校正复制像，用衍射光栅形成。
19.根据权利要求18所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述检查复制像和校正复制像，周在上述曝光量监控标记的面内使开口率台阶式地倾斜分布的图形形成。
20.根据权利要求18或19所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述衍射光栅由线条和间隙图形构成，上述线条和间隙图形的周期，比由上述曝光装置的光源的波长、上述曝光装置的投影光学系统的透镜数值孔径和上述曝光装置的照明光学系统的相干因子决定的宽度小。
21.根据权利要求20所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述宽度，是用上述相干因子与1之和乘以上述数值孔径之后再除上述波长的值。
22.根据权利要求19所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述检查复制像和校正复制像，通过在上述曝光量监控标记的面内使上述曝光装置的曝光光台阶式地倾斜分布而形成。
23.根据权利要求22所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，是开口率分别不同的多个上述线条和间隙图形的间隙宽度。
24.根据权利要求19所述的光刻的制造方法，其特征在于：上述检查复制像和校正复制像，通过在上述曝光量监控标记的面内使上述曝光装置的曝光光台阶式地在一个方向上倾斜分布而形成。
25.根据权利要求24所述的光刻的制造方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，是上述检查复制像和校正复制像的上述一个方向的宽度。
26.根据权利要求25所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，是在借助于上述曝光量监控标记复制的位置检测光刻胶开口部分，和上述检查复制像和校正复制像之间的上述一个方向上的相对位置偏差量。
27.根据权利要求19所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，用显影后的上述检查复制像和校正复制像进行测定。
28.根据权利要求19所述的光刻胶的制造方法，其特征在于：上述检查特征量和校正特征量，用曝光后或曝光后烘焙的上述检查复制像和校正复制像进行测定。
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