CN100565785C - 受热基板支撑器 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 158
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 12
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920000914 Metallic fiber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003625 skull Anatomy 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Surface Heating Bodies (AREA)
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Abstract
本发明主要提供一种受热基板支撑器及其制造方法。在一个实施方案中，受热支撑器包括第一及第二板，其间置有一加热组件。该加热组件偏压向第一板，以对其提供良好的热传递。在另一个实施方案中，受热支撑器包括第一金属板，其连接至第二金属板并在中间包夹有至少一导件。一电阻性加热组件被相对于第一板的导件横向扣持。在本发明的另一方案中，提供有用以加热基板的加热室。在一个实施方式中，该加热室包括多个壁面，用以界定内部容积及多个受热支撑板连接至各壁面。这些支撑板大致彼此平行堆放于该内部容积内。一加热组件被压靠在每个第一支撑板上。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及受热基板支撑器及其制造方法。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)一般制作在大玻璃基板或片上，用于监视器、平板显示器、太阳能电池、个人数字助理(PDA)及蜂窝电话(移动电话)等方面。TFT形成于群集工具的多个真空室中，通过依序沉积包括非晶硅、掺杂及未掺杂氧化硅、氮化硅等的各种薄膜完成，这些真空室通常被置于中央传送室四周。用于这些结构中的良好品质的多晶硅前驱物的生产需要薄膜的氢含量被控制在低于约百分之一以下。为达到此低氢含量，需要在薄膜的沉积后进行约550℃的温度的加热处理。
当用于TFT制程的基板很大，即大小上接近1.5平方米时，为最大化基板产能，需要在处理前预热这些基板。为了有效预热这些基板，预热室主要被连接至群集工具的传送室，该预热室能在真空环境内预热多个基板。一种预热室可以由AKT购得，AKT为在美国加州圣塔卡拉的应用材料公司的分部。
一般地，基板设定在置于预热室中的多个受热基板支撑器的一个支撑器上。该基板支撑器通常由真空硬焊加热组件于两不锈钢板之间来制造。加热组件加热基板支撑器至预定温度。加热组件通常包括安置在铜板上的电阻性加热器。铜板的良好热传递特性允许来自加热组件的热被横向地分布，使支撑该基板的整个架表面的温度均匀分布。
虽然传统架构的受热基板支撑器已显示坚固及有效率，并对放置于其上的基板产生良好的温度均匀度，但用于制造基板支撑器的真空硬焊制造技术相当昂贵并且只能由少数几个供货商取得。
由于消费者需求及制程技术上的进步，用于制造LCD的基板尺寸已快速地增加。例如，目前正处理每侧长度1米以上的基板，也可以预见到将处理每侧1.5米以上的基板。因此，利用传统制造技术，来处理这些尺寸基板的基板支撑器的制造成本已经随着基板尺寸的增加而剧烈增加，同时也进一步限制可生产此等基板支撑器的供货商数量。更明确地说，因为基板的长及宽接近并超出1.2至1.5米时，使用真空硬焊技术制造的受热基板支撑器变成特别昂贵。
因此，需要有改良的基板支撑器。
发明内容
本发明主要提供一种受热基板支撑器及其制造方法。在一个实施例中，受热支撑器包括第一板和第二板，其间安排有加热组件。该加热组件偏压向顶板，以对其提供良好的热传递。在另一个实施例中，受热支撑器包括第一金属板，连接至第二金属板，以及，其间包夹有至少一导件。电阻性加热组件相对于第一板被导件横向扣持。
在本发明的另一方案中，提供用于加热基板的加热室。在一个实施例中，加热室包括多个壁面界定一内部容积及多个受热第一支撑板连接至各壁面。这些第一支撑板大致在内部容积内，以彼此平行方式堆栈。加热组件压靠至每一第一支撑板的一侧。
本发明的另一方案中，提供一种制造受热支撑板的方法。在一个实施例中，用于制造受热支撑板的方法包括步骤：提供具有第一面适于支撑基板及相对第二面的金属第一板，及第二金属板，在这些板的至少其一中，形成一通道，包夹安排在通道内的电阻性加热器于第一及第二板间，并将电阻性加热器由未压缩高度压成等于通道深度的压缩高度。
附图说明
图1例示被安排于预热室中的支撑基板的受热架实施例；
图2A为图1受热基板支撑器沿着剖面线2A-2A所取的部分分解剖面图；
图2B-2C为用于联结受热基板支撑器的第一板至第二板的其它固定方法剖面图；
图3A-3C为具有其它加热组件架构的受热支撑板的剖面图；
图4A-4B为受热支撑板的其它实施例的部分剖面图；
图5A-5B为受热支撑板的另一实施例部分剖面图；
图6为受热支撑板另一实施例的剖面图；
图7A-7B及8A-8B为受热支撑板其它实施例的剖面与分解图；
图9为受热支撑板另一实施例的部分剖面图；和
图10为图9受热支撑板的部分剖面图。
【附图中数字说明】
100预热室 102基板
104室体 106埠
108抬举机制 110晶盒
112壁面 114底
116顶 118内部容积
120加热板 124空间
126第一侧 202第一板
204第二板 206加热组件
208第二侧 210通道
212第一侧 214高度
218深度 220内导体
222套管 224绝缘体
230点熔接 250加热板
252第一板 254第二板
256固定件 258穿通孔
260螺纹孔 400加热板
402第一板 404第二板
406加热组件 408导件
410第一凸缘 412第二凸缘
414中间部份 416通道
420深度 422高度
430点熔接 508导件
510通道 530点熔接
556通道 558导件
560固定件 562轴套
602主体 604突点
700支撑板 702第一板
704第二板 706加热组件
708导件 710通道
750加热板 752导件
754通道 900支撑板
902第一板 904第二板
906加热组件 908导件
910导件 912深度
914高度 930点熔接
1002导件 1004导件
1006导件 1008导件
实施方式
本发明的上述特点的完成方式可以通过参考实施例及附图详细了解。
然而，应注意附图只例示本发明的典型实施例，并不限制本发明的范围，因为本发明也可以采用其它等效的实施例。
为了使读者容易了解，相同参考数字尽可能地用来表示所有图中的相同组件。
图1为一预热室100，其具有受热基板支撑板120的实施例安置于其中。虽然所述板120是用于预热室100中，但板120也可以用于其它想要加热基板的装置中。
预热室100通常包括室体104，其具有一控制环境，其中安排有可动晶盒110。室体104包括至少可密封基板取用埠106，用以完成基板的进出室100。
晶盒110通常包括壁面112、底114及顶116，以界定内部容积118。多个加热板120连接至晶盒110的壁面112。四个加热板120示于图1所示的实施例中，然而，120可以包括任意数量的加热板120。加热板120一般被安置成堆栈，平行于晶盒110内，使得多个基板102可以被加热或热调整并被选择地存放于其上。晶盒110的底114通常连接至抬举机制108，使得选定板120可以对准埠106，以完成基板的传送。
每一加热板120具有第一侧126，以面向基板。多数间隔件124置于第一侧126上，以维持基板102对板120的分隔关系。间隔件124也可以连接至晶盒110的壁面112。间隔件124大致由材料构成和/或作成架构，使基板102被移动经间隔件124时，限制或免除基板102的刮伤。可以由本发明受益的预热室描述于由细川等人所申请于2001年10月17日的美国专利第09/982,406号申请中，该申请可并入作为参考。
第2图描述加热板120的剖面图。板120一般包括第一板202及第二板204，它们连接在一起，其间至少包夹有加热组件206。第一板202一般由具有适当导热的材料作成。较佳地，第一板202由不会对基板或基板处理造成微粒或化学污染的材料作成。例如，第一板202可以由不锈钢、镍及镍合金等所作成。
第一板202具有第二侧208，其面对朝向基板的第一侧126。第一侧126大致具有间隔件124连接至其上，用于支撑基板102，如图1所示。
第二板204一般由导热材料作成。一般地，第一板202及第二板204的构成材料要加以选择以具有接近的热膨胀系数，以最小化温度升高时的第一板202第一侧126的应力及弯翘。在一个实施例中，第一板202及第二板204均由具有热膨胀系数的材料作成，例如由同类型材料的不锈钢材料作成。
电阻性加热组件206一般包括内导体220，其为外套管222包围。绝缘体224一般置于导体220与套管222之间，以防止电气短路。导体220一般连接至位于预热室100外的电源(未示出)，并被选择以提供适当电阻性加热给第一板202。套管222通常由导热材料所制造。在一个实施例中，套管222由不锈钢、镍或镍合金作成。或者，套管222的材料也可以选择，以配合板202、204之一或两者的热膨胀系数，以进一步防止板120可能弯翘。
一或多个信道信道210大致提供在板202、204的至少其一，以包围住加热组件206。在图2A所示的实施例中，通道210形成在第二板204的第一侧212中。通道210大致架构以收纳电阻性加热组件206并在第一及第二板202、204连接后，维持电阻性加热组件206的横向位置于预定公差内。
一般而言，通道210架构以提供预定横向热分布于整个板120上。例如，通道210可以形成于第二板204中，并呈预定架构，能将加热组件扣持于一定位置，该位置能提供第一板202的第一侧126以预定温度均匀性，来均匀地加热该基板。在板120的顶面126上的温度均匀度不重要时，也可以使用更宽的通道间距。应了解的是，板202、204可以被架构以一或多个通道210，其可取决于加热及制程要求，而用于一个或更多加热组件206。
用于包围单一加热组件的连续信道210例被描绘于图3A中。信道210大致被安置为呈起伏图案，具有多数连接的分隔开的并行线路302，以提供预定的加热器密度。引入通道304连接至最外线路302，以允许加热组件206电气连接至电源。也可以想出其它架构。
具有连续通道352的加热板350的另一实施例被描述于图3B中。通道352一般被形成为预定架构，以包围住加热组件354。通道352的架构可以随机、螺旋或其它提供于整个加热板上想要温度分布的架构。
具有多数通道的加热板360描述于图3C中。第一通道362形成为预定架构，以包围住第一加热组件364。第二通道266形成为预定架构，以包围住第二加热组件368。加热组件364、368均连接至一个或多个电源，以提供电力给加热板360。被提供至每个加热组件364、368的电力可以被控制以在加热板360上产生均匀温度或局部地加热板350的一部份。也可以想出其它架构。
回到图2A，通道210一般具有一深度218，略微低于电阻性加热组件206的直径或高度214。当第一板202连接至第二板204时，当板202、204被连接在一起时，深度218与高度214之差造成电阻性加热组件206被压向第一及第二板202、204。电阻性加热组件206与板202、204间的最终接触造成其间良好的导热性，其加强了第一板202的温度均匀性，同时，降低了沿着电阻性加热组件206的可能高热点，高热点可能造成过热、使加热效能上劣化及加热器故障。在图2A所述的实施例中，通道210具有一深度218，造成电阻性加热组件206约0.05mm的压缩。
包括板120的板202、204可以使用各种方法连接在一起，例如，夹合、扣接、黏结、硬焊、熔接、及铆接等接合法。在图2B所示的实施例中，板202、204被夹合，其后再点熔接，以确保板202、204密合接触加热组件206。点熔接(以参考数字230表示)直接在加热组件206间的很多地方连接板202、204。
图2C描述加热板250的另一实施例，其具有一个或多个加热组件206包夹于适于支撑基板的第一板252及第二板254之间。一般而言，固持件256，例如一套管头盖螺丝被置于板252、254间，以将加热组件206压缩于其间，因而，确保加热组件206与至少第一板252间的良好热交换。在图2C所示的实施例中，第二板254包括穿通孔258，以允许固持件256啮合形成于第一板252中的螺纹孔260。也可以想出其它连接方法。
图4A为加热板400另一实施例的部分剖面图。加热板400包括第一板402、第二板404、至少一加热组件406及至少一导件408。板402、404通常由例如金属导热材料作成。加热组件406类似于上述加热组件206，并一般被包夹于板402、404之间。
导件408安置邻近于加热组件406的至少一部份。导件408大致限制加热组件406，使之不会相对于板402、404作横向移动。一个或多个导件408可以用于多个加热组件406或单一加热组件406。导件408一般由例如不锈钢、镍、及镍合金等的导热材料制造。导件材料可以被选择来配合板402、404中至少其一的热膨胀系数，以限制由于热膨胀差在加热时所造成的应力，应力可能造成板402、404的弯翘。
导件408大致被架构以相对于第一板402定位加热组件406成为一架构，以提供面对基板的顶板402表面预定温度均匀性。在一个实施例中，导件408具有为中间部份414所连接的第一凸缘410及第二凸缘412。中间部份414包括加热组件收纳信道416，其具有第二板404的第一侧418，加热组件406经过信道加以配送。一般而言，呈信道网络的若干导件408或单一导件408被架构以将加热组件406的多数部份定位于一定位置，以提供预定密度的加热组件406在加热板400的整个横向面上。
加热组件收纳信道416一般具有一深度420，略低于加热组件406的高度422(如虚线所示)。因此，当第一板402连接至第二板404时，在深度420与高度422间之差造成加热组件406被压靠第一板402与导件408的中间部份414，因而，将加热组件406压缩于导件408与第二板404之间，如同图4A所示。加热组件406、导件408、第一板402与第二板404间的紧密接触造成加热组件406间的良好热传递。图4A所示的实施例中，加热组件收纳信道416具有一深度，造成加热组件406约0.05mm的压缩。
第一板402与第二板404可以利用各种方法连接在一起。例如，板402、404可以通过夹合、扣接、黏结、硬焊、熔接、及铆接等接合法连接在一起。连接方法包括在板402、404被夹合后再点熔接，以确保与加热组件406的密合接触。点熔接(以参考数430表示)以熔接部接合板402、404与导件408的凸缘。
图4B为加热板450的另一实施例的部分剖面图。加热板450包括第一板402、第二板404、至少一加热组件406及至少一导件452。板402、404及加热组件406大致类似于以上所述。
导件452置于邻近加热组件406的至少一部分。导件452大致限制住加热组件406，使之不会相对于板402、404作横向移动。一个或多个导件452可以被用于多个加热组件406或用于单一加热组件406。导件452一般由导热材料制造，例如不锈钢、镍、镍合金等。导件材料可以被选择以配合板402、404至少其一的热膨胀系数，以限制在加热时，由于热膨胀差所造成的应力，该应力会造成板402、404的弯翘。
导件452大致架构成为一架构，相对第一板402定位加热组件406，以在面对基板的顶板402面上，提供预定温度均匀性。在一个实施例中，导件452具有加热组件收纳信道454，加热组件406通过该通道加以配送。加热组件收纳信道454包括圆底456，当加热组件406被压缩于板402、404之间时，增加导件452与加热组件406间的接触面积。一般而言，呈信道网络的多个导件452或单一导件452被架构以定位加热组件406的部分在一定位置，其可以在加热板450的整个横向面上提供预定密度的加热组件406。
或者，导热填料458可以置于加热组件406与至少一导件452或板402间的通道454中。填料458加强了加热组件406与板402(和/或导件452)间的能量传导，因而提供更有效的板402加热及温度控制。填料458可以为导热膏、导热水泥、导热黏剂、导热泡沫、导热胶、金属粉末、金属纤维、金属网、或其它可以加强加热组件406与板402间热传递的材料，其可以与制程温度相配合并且不会造成基板的化学或微粒污染。
或者，如图5A及5B所示，导件508可以在被连接至板402、404之前，被固定至第一板402。如图5A所示，导件508可以以相同方法被固定至第一板402，可用以连接板402、404，例如，点熔接凸缘510至第一板402(参考数530表示点熔接)。导件508的通道516被作成较加热组件406的直径(如虚线所示)为浅，使导件508被连接至第一板402时，加热组件406被挤压成为与第一板402良好热接触。第二板406可以然后以例如上述的各种方法，被连接至导件508的至少其一或第一板402。
或者，如图5B所示，导件558可以相同的方法固定至第一板402，这些方法可用以连接至板402、404，例如点熔接。导件558的通道556被架构以将加热组件406扣持至第一板402。当第一及第二板402、404以例如固定件560固定在一起时，当导件558被第二板404所压迫加热组件406的原始高度(如虚线所示)时，加热组件406被压迫成与第一板作良好热接触。正停止特性或组件可以置于第一及第二板402、404，以确保加热组件406的预定压缩。在图5B所示的实施例中，轴套562安排在延伸于板402、404间的固定件560的部份旁。
图6为图4的加热板400沿着剖面线6-6所取的平面剖面图。一般而言，多个导件508用于扣持加热组件于靠着第一板402的预定位置。凸缘510(如所示由中央体602延伸突点604)为点熔接530所固持至第一板402。突点604允许邻近导件508予以嵌套，以允许在整个第一板402上的较大密度加热组件406。或者，凸缘510可以为连续件，沿着导引板408中心部份的每一侧行进。
图7A-B及8A-B为另一实施例的受热板700及750的部分剖面及分解图。参考图7A及8A，支撑板700具有第一板702及第二板704，这些包夹加热组件706。第一板702、第二板704及加热组件706大致类似于上述。加热组件706被导件708横向局限。导件708有连续成图案的信道710形成于其间，其中安排有加热组件706。信道710被架构以定位加热组件706于一位置，以在面对基板的第一板702的表面产生预定的温度均匀性。
通道710可以通过若干方法形成于导件708中。例如，通道710可以用加工、EDM、冲压、研磨或切割等形成方法所形成。导件708一般具有一厚度，界定通道710于一深度，以当第一板702与第二板704一起连接时，确保加热组件706被压迫与第一板702作良好热接触。通常地，加热组件706略被板702、704压缩。导件708可以连接至板702、704，作为单一固定处理的一部分，或可以在连接板702、704之前，连接至板702、704之一，以包夹加热组件706。
在描述于图7B及8B加热板750的另一实施例中，通道754部分延伸穿过导件752，类似于参考图4所述的通道416。导件752可以如上所述直接连接至板702、704，或导件752可以在连接第二板704至第一板702及导件752的组件前，连接至第一板702，以将加热组件706压靠至第一板702。第一板702与第二板704(或导件752)如上所述连接在一起，以确保加热组件706及第一板702间的良好热传递。
图9及10为加热支撑板900的另一实施例剖面图。支撑板900具有第一板902及第二板904，其包夹加热组件906。第一板902、第二板904及加热组件906大致类似于上述。加热组件906被多个导件横向局限。在图10所示的实施例中，加热组件906的一部分置于一对导件908、910之间。多数导件可以用以固定加热组件906的不同部份，使在整个支撑板900上能维持预定间隔或加热密度。另外，一个或多个导件，例如导件910可以划分加热组件906的一个部分以上(即，分开导件910每一侧上的组件906或不同组件906的不同部份)。
通常，导件908、910由导热材料制造，但也可以利用其它材料。在一个实施例中，用于制造导件908、910的材料为具有至少类似于板902、904之一热膨胀系数的材料。导件908、910可以由扁平材料制造并置于板902、910之间，成为如导件1002、1004描绘的矩形条，或可以制造为更复杂形状，例如图10的导件1006、1008。
一般而言，导件908、910的轮廓具有一深度912，略低于加热组件906的高度(如虚线所示)，以确保当第一板902及第二板904固定在一起时，加热组件906被压迫成良好热接触。一般而言，导件908、910可以使用各种方法连接在一起，方法为例如夹持、固定、黏结、硬焊、熔接及铆接等连接方法。在图9所示的实施例中，板902、904及导件908、910被夹持，以确保板902、904与加热组件906在点熔接后的紧密接触。点熔接(如参考数930所示)通常为直接连接板902、904及导件908、910于加热组件906间的多个位置。或者，导件908可以在如上所述连接第二板904至第一板902前，连接至板902、904之一。
虽然前述为关于本发明的较佳实施例，但在不脱离本发明的基本范围下也可以提出本发明的其它实施例，本发明的保护范围由附带的权利要求界定。
Claims (43)
1.一种基板支撑器，用以支撑基板，包括：
第一板，具有第一面，用于支撑该基板及相对的第二面；
连接至第一板的第二板；
置于第一板的第二面与第二板的第一面间的加热组件，该加热组件被压靠向第一板；和
第一板和第二板之间的至少一个金属导件，该金属导件相对于第一及第二板，横向扣持该加热组件。
2.如权利要求1所述的基板支撑器，其中第一板由不锈钢、镍及镍合金所构成组中至少一种材料制造。
3.如权利要求1所述的基板支撑器，其中加热组件包括一包围电导体的金属护套，该金属护套由不锈钢、镍及镍合金所构成组中至少一种材料制造。
4.如权利要求3所述的基板支撑器，其中金属护套与第一板由相同热膨胀系数的材料制造。
5.如权利要求3所述的基板支撑器，其中金属护套及第一板由不锈钢制造。
6.如权利要求1所述的基板支撑器，其中第一板或第二板的至少其一具有形成于其中的通道，以收纳该加热组件的至少一部份。
7.如权利要求1所述的基板支撑器，还包括：
多个基板支撑组件，置于第一板的第一面，用于维持基板与第一面呈分隔开的关系。
8.如权利要求1所述的基板支撑器，其中所述至少一个金属导件的一部份置于第二板与加热组件之间。
9.如权利要求1所述的基板支撑器，其中所述至少一个金属导件还包括：平行于第二板第一面放置的第一凸缘；
平行于第二板第一面放置的第二凸缘；
连接第一凸缘至第二凸缘的中间部份；和
形成于中间部份内的加热组件收纳通道。
10.如权利要求1所述的基板支撑器，其中第一板、第二板及金属导件被点熔接在一起。
11.如权利要求1所述的基板支撑器，其中加热组件被所述至少一个金属导件压靠在第一板上。
12.如权利要求1所述的基板支撑器，还包括：
多个间隔件，置于至少在第一板的第一面或接近第一板的第一面，间隔件用于维持基板与第一板的第一面成为分隔关系。
13.如权利要求1所述的基板支撑器，其中所述至少一个金属导件包括：
接近该加热组件的一部份放置的第一金属导件；和
接近加热组件背对第一金属导件的部份放置的第二金属导件。
14.如权利要求1所述的基板支撑器，还包括：
导热填料，置于加热组件与第一板之间。
15.如权利要求14所述的基板支撑器，其中导热填料为导热膏、导热水泥、导热黏剂、导热泡沫、导热胶、金属粉末、金属纤维或金属网中至少一种。
16.一种基板支撑器，用以支撑基板，包括：
第一金属板，具有第一面与相对的第二面；
第二金属板，连接至第一金属板；
至少一导件，置于第一金属板的第二面与第二金属板的第一面之间；和
电阻性加热组件，相对于第一板的第二面被所述至少一导件横向扣持，
其中所述至少一导件具有形成于其中的通道，面向第一板的第二面，该通道收纳电阻性加热组件。
17.如权利要求16所述的基板支撑器，其中通道具有深度低于电阻性加热组件的直径，以使电阻性加热组件被压靠向第一金属板。
18.如权利要求16所述的基板支撑器，其中通道具有一圆底。
19.如权利要求16所述的基板支撑器，其中所述至少一导件连接至第一金属板的第二面。
20.如权利要求16所述的基板支撑器，其中至少一导件还包括：
第一导件，置于电阻性加热组件的第一侧；及
第二导件，置于电阻性加热组件的第二侧。
21.如权利要求16所述的基板支撑器，其中电阻性加热组件包括一包围电导体的金属护套，该金属护套由具有第一金属板热膨胀系数的热膨胀系数材料作成。
22.如权利要求21所述的基板支撑器，其中金属护套与第一金属板与第二金属板的至少其一由不锈钢制造。
23.如权利要求16所述的基板支撑器，其中导件还包括多个突点，由中心部份的两侧延伸，各突点连接至第一金属板。
24.如权利要求16所述的基板支撑器，还包括：
导热填料，置于加热组件与第一金属板之间。
25.如权利要求24所述的基板支撑器，其中导热填料为导热膏、导热水泥、导热黏剂、导热泡沫、导热胶、金属粉末、金属纤维或金属网中至少一种。
26.一种用于支撑基板的基板支撑器，包括：
第一金属板，具有第一面与相对的第二面；
第二金属板，连接至第一金属板；
至少一导件，具有一中心体置于第一金属板的第二表面与第二金属板的第一面间；
一通道，形成于该中心体中；
多个突点，由中心体延伸，突点连接至第一金属板的第二面；和
电阻性加热组件，置于所述至少一导件中并被压靠至第一金属板的第二面。
27.如权利要求26所述的基板支撑器，其中至少一突点被点熔接至第一金属板。
28.如权利要求26所述的基板支撑器，其中电阻性加热组件包括一包围住电气导线的金属护套，该金属护套由具有与第一金属板的热膨胀系数相同热膨胀系数的材料制造。
29.如权利要求28所述的基板支撑器，其中金属护套与第一金属板和第二金属板的至少之一由不锈钢所制造。
30.一种加热基板的加热室，该室至少包括：
室体，界定一内部容积；
置于内部容积中的基板储存晶盒，其有壁面，和；
多个受热支撑器，连接至诸壁面并彼此平行堆栈于内部容积内，所述多个受热支撑器各自包括：
具有第一表面的第一支撑板，用于支撑基板；
被压靠至所述第一支撑板的第二表面的加热组件，第二表面背对第一表面；和
至少一导件，置于接近加热组件并相对于第一板的第二表面，横向扣持住加热组件。
31.如权利要求30所述的加热室，其中所述多个受热支撑器各自包括：
第二板，连接至第一板并在其间包夹加热组件。
32.如权利要求30所述的加热室，其中所述至少一导件还包括扣持通道形成于其中的加热组件。
33.如权利要求30所述的加热室，其中所述至少一导件还包括多个由至少一导件延伸的突点，这些突点连接至第一板。
34.如权利要求30所述的加热室，其中所述至少一导件由具有与第一板的热膨胀系数相同热膨胀系数的材料制造。
35.如权利要求30所述的加热室，其中加热组件包括一包围住电导体的金属护套，该金属护套由具有与第一板的热膨胀系数相同的热膨胀系数的材料制造。
36.如权利要求35所述的加热室，其中加热组件包括一包围住电导体的金属护套，金属护套、第一板与所述至少一导件由不锈钢制造。
37.如权利要求30所述的加热室，其中所述多个受热支撑器各自还包括：
多个间隔件，连接至每一板的第一面和/或晶盒的壁面，间隔件用于将基板与第一面维持成为分隔关系。
38.一种加热基板的加热室，包括：
室体，界定一内部容积，
置于内部容积中的基板储存晶盒，具有各壁面；
多个第一支撑板，连接至各壁面并彼此堆栈于内部容积内，所述多个第一支撑板各自具有第一面，用于支撑基板；
金属导件，具有通道，面向第一支撑板的第二面；
电阻性加热组件，置于该被压靠向第一支撑板的第二侧的通道，第二侧背向第一侧；和
第二支撑板，与第一支撑板包夹金属导件。
39.一种制造加热支撑板的方法，包括步骤：
提供第一金属板，具有第一面，用于支撑基板及背面第二面，和第二金属板；
在各金属板的至少一板中形成通道；
在第一及第二金属板间，包夹被置于该通道中的电阻性加热器；和
将电阻性加热器由未压缩高度压缩成为等于通道深度的压缩高度。
40.一种制造加热支撑板的方法，包括：
提供第一金属板，有第一面，用于支撑基板及背面的第二面，和第二金属板；
将至少一导件定位于第一及第二金属板之间，该至少一导件具有一通道，该通道平行于该第一金属板的平面；
在第一及第二金属板间包夹电阻性加热器，该加热器具有大于该通道深度的高度。
41.如权利要求40所述的方法，还包括将电阻性加热器压靠向第一金属板的步骤。
42.如权利要求40所述的方法，还包括将所述至少一导件点熔接至第一金属板的步骤。
43.如权利要求42所述的方法，其中点熔接的步骤还包括焊接由所述至少一导件主体延伸的突点。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/074,856 US6897411B2 (en) | 2002-02-11 | 2002-02-11 | Heated substrate support |
| US10/074,856 | 2002-02-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1630932A CN1630932A (zh) | 2005-06-22 |
| CN100565785C true CN100565785C (zh) | 2009-12-02 |
Family
ID=27659970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB038036444A Expired - Fee Related CN100565785C (zh) | 2002-02-11 | 2003-01-30 | 受热基板支撑器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6897411B2 (zh) |
| EP (1) | EP1476896A1 (zh) |
| JP (1) | JP4490106B2 (zh) |
| KR (1) | KR20040083453A (zh) |
| CN (1) | CN100565785C (zh) |
| TW (1) | TWI276771B (zh) |
| WO (1) | WO2003069654A1 (zh) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040226513A1 (en) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform heating of large area substrates |
| TWI289610B (en) * | 2004-10-13 | 2007-11-11 | Applied Materials Inc | Heated substrate support and method of fabricating same |
| US20060075970A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-13 | Guenther Rolf A | Heated substrate support and method of fabricating same |
| CN100358097C (zh) * | 2005-08-05 | 2007-12-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 半导体工艺处理系统及其处理方法 |
| US8524005B2 (en) * | 2006-07-07 | 2013-09-03 | Tokyo Electron Limited | Heat-transfer structure and substrate processing apparatus |
| DE102007047330A1 (de) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Heizeinrichtung für eine Vakuumanlage |
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| US8070408B2 (en) * | 2008-08-27 | 2011-12-06 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber for large area substrate processing system |
| KR101544551B1 (ko) * | 2009-05-04 | 2015-08-13 | 엘지전자 주식회사 | 조리기기 |
| US20120006809A1 (en) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Colorado State University Research Foundation | Sublimation crucible with embedded heater element |
| EP2612755B1 (en) * | 2010-08-31 | 2019-03-20 | Sekisui Polymatech Co., Ltd. | Thermally conductive sheet |
| JP2012174819A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Sokudo Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP5814005B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2015-11-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ヒータユニット、ファンフィルタユニット及び基板処理装置 |
| CN102863147B (zh) * | 2012-09-26 | 2014-10-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 对基板进行烤焙处理的装置及方法 |
| CN105624633B (zh) * | 2014-10-28 | 2018-08-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种加热腔室及物理气相沉积设备 |
| US11236422B2 (en) * | 2017-11-17 | 2022-02-01 | Lam Research Corporation | Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability |
| WO2020010153A1 (en) | 2018-07-05 | 2020-01-09 | Lam Research Corporation | Dynamic temperature control of substrate support in substrate processing system |
| CN111312628B (zh) * | 2020-02-27 | 2022-05-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 在显示面板制程中应用的烘烤设备 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5151871A (en) | 1989-06-16 | 1992-09-29 | Tokyo Electron Limited | Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same |
| US5595241A (en) | 1994-10-07 | 1997-01-21 | Sony Corporation | Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member |
| JPH08288296A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-11-01 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の基板加熱装置 |
| KR100238998B1 (ko) | 1995-07-26 | 2000-01-15 | 우치가사키 기이치로 | 가열로 |
| US5850071A (en) * | 1996-02-16 | 1998-12-15 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate heating equipment for use in a semiconductor fabricating apparatus |
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| US6035101A (en) | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
| JP3715073B2 (ja) | 1997-04-22 | 2005-11-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
| US6054688A (en) | 1997-06-25 | 2000-04-25 | Brooks Automation, Inc. | Hybrid heater with ceramic foil serrated plate and gas assist |
| US6276072B1 (en) | 1997-07-10 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for heating and cooling substrates |
| JPH1154496A (ja) | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びガス処理装置 |
| US6147334A (en) * | 1998-06-30 | 2000-11-14 | Marchi Associates, Inc. | Laminated paddle heater and brazing process |
| US6087632A (en) | 1999-01-11 | 2000-07-11 | Tokyo Electron Limited | Heat processing device with hot plate and associated reflector |
| US6221437B1 (en) | 1999-04-12 | 2001-04-24 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Heated workpiece holder for wet plating bath |
-
2002
- 2002-02-11 US US10/074,856 patent/US6897411B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-30 JP JP2003568684A patent/JP4490106B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-30 KR KR10-2004-7012403A patent/KR20040083453A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-01-30 CN CNB038036444A patent/CN100565785C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-30 WO PCT/US2003/002735 patent/WO2003069654A1/en not_active Application Discontinuation
- 2003-01-30 EP EP03739685A patent/EP1476896A1/en not_active Withdrawn
- 2003-02-07 TW TW092102606A patent/TWI276771B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005537632A (ja) | 2005-12-08 |
| US20030150849A1 (en) | 2003-08-14 |
| CN1630932A (zh) | 2005-06-22 |
| JP4490106B2 (ja) | 2010-06-23 |
| TWI276771B (en) | 2007-03-21 |
| US6897411B2 (en) | 2005-05-24 |
| EP1476896A1 (en) | 2004-11-17 |
| TW200302913A (en) | 2003-08-16 |
| WO2003069654A1 (en) | 2003-08-21 |
| KR20040083453A (ko) | 2004-10-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: American California Patentee after: Applied Materials Inc. Address before: American California Patentee before: Applied Materials Inc. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20091202 Termination date: 20210130 |