CN100560486C - 一种制备纳米碳化硅的方法 - Google Patents
一种制备纳米碳化硅的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100560486C CN100560486C CNB2007100528597A CN200710052859A CN100560486C CN 100560486 C CN100560486 C CN 100560486C CN B2007100528597 A CNB2007100528597 A CN B2007100528597A CN 200710052859 A CN200710052859 A CN 200710052859A CN 100560486 C CN100560486 C CN 100560486C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon carbide
- cotton
- nanometer silicon
- crucible
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提供了一种制备纳米碳化硅的方法。所述的纳米碳化硅的制备方法步骤为:1)去除植物棉中的杂物;2)将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;3)将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10-3Pa后升温至600℃-1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃-1500℃保温150-180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,碳化硅粒径在3-15nm。本发明的特点是以植物棉尤其是废旧棉为原料,在真空条件下炭化→硅化植物棉,制备出纳米碳化硅。本技术可应用于其它动、植物纤维,尤其是废旧的动、植物纤维制备纳米碳化硅,工艺较为简单。
Description
技术领域
本发明涉及制备纳米碳化硅的新方法,特别是涉及用植物棉为原料制备纳米碳化硅的方法。
背景技术
纳米碳化硅,可应用于纳米复合硬质刀具、硬质合金,耐热耐磨材料、弥散强化材料,润滑动轴承,坩埚,耐热涂层、散热表面涂层、防腐涂层及吸波涂层等,应用面广,市场前景好。
目前制备纳米碳化硅的方法有:微波法、溶胶凝胶法、化学气相沉积法、通电加热蒸发法,工艺较为复杂。目前用的原料有:有机金属化合物、树脂、超细碳黑、超细SiO2。这些原料大都是人工合成,且成本较高。
目前未见以植物棉为原料制备纳米碳化硅的报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制备纳米碳化硅的方法。
为了实现上述目的,本发明的技术方案是:去除植物棉中的杂物,再将植物棉放在装有硅粉的石墨坩埚中,于高温真空炉中高温炭化→硅化。
本发明的纳米碳化硅的制备方法,按照下列步骤进行:
1)、去除植物棉中的杂物;
2)、将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;
3)、将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10-3Pa后升温至600℃-1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃-1500℃保温150-180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,碳化硅粒径在3-15nm。
所述的植物棉可为废旧棉花或尾棉。
本发明用振动的方法去除植物棉中的杂物。
本发明的技术特点
1、以植物棉尤其是废旧棉为原料;2、在真空条件下炭化→硅化植物棉,制备出纳米碳化硅。
本技术可应用于其它动、植物纤维,尤其是废旧的动、植物纤维制备纳米碳化硅。
具体实施方式
实施例1
纳米碳化硅的方法,按照下列步骤进行:
1)、用振动的方法去除植物棉(尾棉)中的杂物;
2)、将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;
3)、再将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10-3Pa后升温至600℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃保温180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,制备的纳米碳化硅粒径在3-5nm。
实施例2
纳米碳化硅的方法,按照下列步骤进行:
1)、用振动的方法去除废旧植物棉中的杂物;
2)、将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的废旧植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;
3)、再将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10-3Pa后升温至1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1500℃保温150分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,制备的纳米碳化硅粒径在10-15nm。
Claims (3)
1、纳米碳化硅的制备方法,其特征是,以植物棉为碳源,分析纯硅粉为硅源,按照下列步骤进行:
1)、去除植物棉中的杂物;
2)、将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;
3)、将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10-3Pa后升温至600℃-1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃-1500℃保温150-180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,碳化硅粒径在3-15nm。
2、如权利要求1所述的纳米碳化硅的制备方法,其特征是所述的植物棉为废旧棉花或尾棉。
3、如权利要求1所述的纳米碳化硅的制备方法,其特征是用振动的方法去除植物棉中的杂物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2007100528597A CN100560486C (zh) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | 一种制备纳米碳化硅的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2007100528597A CN100560486C (zh) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | 一种制备纳米碳化硅的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101157452A CN101157452A (zh) | 2008-04-09 |
CN100560486C true CN100560486C (zh) | 2009-11-18 |
Family
ID=39305705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2007100528597A Expired - Fee Related CN100560486C (zh) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | 一种制备纳米碳化硅的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100560486C (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101603207B (zh) * | 2009-07-21 | 2011-11-09 | 中国地质大学(北京) | 高纯高产率网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法 |
CN102596802A (zh) * | 2009-08-26 | 2012-07-18 | Lg伊诺特有限公司 | 用于制备碳化硅粉体的系统和方法 |
CN101746759B (zh) * | 2010-02-11 | 2012-07-25 | 浙江工业大学 | 一种利用植物纤维合成碳化硅纳米线的方法 |
CN101850972B (zh) * | 2010-06-21 | 2012-10-03 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 一种碳化硅纳米线的制备方法 |
JP2012240869A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素粉末および炭化珪素粉末の製造方法 |
CN102491334A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-06-13 | 西安工程大学 | 采用废弃棉短绒模板法制备纳米SiC纤维的方法 |
CN104593746B (zh) * | 2014-10-29 | 2017-07-14 | 北京工业大学 | 一种制备3C‑SiC纳米盘、制备方法 |
CN113072069A (zh) * | 2021-02-19 | 2021-07-06 | 南昌航空大学 | 基于废旧纤维纺织品的碳化物及其制备方法 |
-
2007
- 2007-07-30 CN CNB2007100528597A patent/CN100560486C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101157452A (zh) | 2008-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100560486C (zh) | 一种制备纳米碳化硅的方法 | |
CN107032816B (zh) | 一种碳化硅纳米线增强C/C-SiC-ZrB2陶瓷基复合材料的制备方法 | |
CN101658940B (zh) | 一种硬质合金回收及再生的方法 | |
CN102093083B (zh) | 炭/炭复合材料HfC抗烧蚀涂层的制备方法 | |
CN101386409A (zh) | 一种制备碳化硅纳米线的方法 | |
CN103952796A (zh) | 一种硅氮硼连续陶瓷纤维的制备方法 | |
CN103011836A (zh) | 一种碳材料表面涂层组合物及涂层的制备方法 | |
CN103641482A (zh) | 自润滑碳化硅陶瓷密封材料的制备方法 | |
CN102746015A (zh) | 一种反应烧结碳/碳-碳化硅-氮化硼复合摩擦材料及其制备方法 | |
CN103045983A (zh) | 一种表面含钨涂层的碳纤维基高温隔热材料的制备方法 | |
CN104313518A (zh) | 一种陶瓷复合材料及其制备方法和应用 | |
CN105909707B (zh) | 一种含石墨烯高性能摩擦材料组合物 | |
CN109400166A (zh) | 晶体硅金刚线切割废料制备碳化硼碳化硅复合陶瓷的方法 | |
CN102583317A (zh) | 一种提高碳化物衍生碳结构有序性的方法 | |
CN107573075A (zh) | 利用碳纤维预浸带制备C/SiC材料刹车盘的方法 | |
CN110304933A (zh) | 表面改性碳化硅晶须增韧反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法 | |
CN108456950B (zh) | 一种高模量高导热沥青基炭纤维的制备方法 | |
CN1331743C (zh) | 一种试管刷状碳化硅的制备方法 | |
CN111268917B (zh) | 一种两步法原生纳米孔干法复合真空绝热芯材及其制备方法 | |
CN102728582A (zh) | 一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法 | |
CN109095929B (zh) | 一种碳陶刹车盘制备方法 | |
CN101905979A (zh) | 一种C/C-SiC复合材料自愈合抗氧化涂层的制备方法 | |
CN102583277A (zh) | 一种具有带状纤维形貌的氮化硅的制造方法 | |
CN102503562B (zh) | 一种碳/碳复合材料抗氧化磷酸盐玻璃涂层的制备方法 | |
CN110158309A (zh) | 一种制备表面具有碳化硅涂层的碳纤维的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20091118 Termination date: 20110730 |