CN100539375C - 直流-直流变换器的驱动电路和使用其的发光装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

驱动电路(100)控制DC/DC变换器的开关晶体管(Tr1)的导通/截止。第一电阻(R1)设置在与开关晶体管(Tr1)连接的变压器(10)的初级侧绕组中流过的电流的路径上，一端接地。第二电阻(R2)设置在变压器(10)的次级侧绕组中流过的电流的路径上，一端接地。在第一检测电压(Vx1)超过第一阈值电压(Vth1)时，开关控制单元(30)截止开关晶体管(Tr1)，从第二检测电压(Vx2)超过第二阈值电压开始经过规定的延迟时间τ后导通开关晶体管(Tr1)。

Description

直流-直流变换器的驱动电路和使用其的发光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及开关电源，特别涉及DC/DC变换器的驱动方式。
背景技术
为了生成比输入电压高的电压，升压型的开关电源广泛用于各种各样的电子设备。这样的升压型的开关电源具有开关元件、电感器或变压器，通过分时地导通/截止开关元件而在电感器或变压器中产生反向电动势，将输入电压升压并输出。
在绝缘型的DC/DC(直流-直流)变换器中，开关晶体管导通时，在变压器的初级侧流过电流，在变压器中蓄积能量，在开关晶体管截止时，在变压器的次级侧中蓄积在变压器中的能量经由整流二极管作为充电电流被传送至输出电容器，输出电压上升。变压器中蓄积的能量被传送到输出电容器时，整流二极管中流过的电流变成0。
绝缘型的DC/DC变换器中已知自激式(self-exciting)的DC/DC变换器，其不用振荡器，监视变压器的初级侧或次级侧的状态，根据该状态，控制开关晶体管的导通/截止(例如参照专利文献1、2)。
[专利文献1](日本)特开2004-201474号公报
[专利文献2](日本)特开2005-73483号公报
发明内容
本发明要解决的课题
这里，作为自激式DC/DC变换器的控制方法，考察如下的控制方式：监视变压器的初级侧以及次级侧流过的电流，在次级侧中流过的电流为0的定时导通开关晶体管，在初级侧的电流达到规定电平的状态截止开关晶体管。
在通过上述控制方式控制开关晶体管的情况下，在开关晶体管截止的状态，变压器中蓄积的能量被传送到输出电容器。此时，若在次级侧流过的电流下降至0附近的状态下马上将开关晶体管切换成导通状态，则由于整流二极管的反向恢复时间等的影响，在变压器中能量残留的状态下再次导通开关晶体管，DC/DC变换器的效率恶化。
本发明是鉴于上述课题而完成的发明，其总括性的目的在于提供一种DC/DC变换器及其驱动电路，确实地释放变压器的残留能量，改善效率。
用于解决课题的手段
本发明的一种方式涉及一种用于控制DC/DC变换器的开关晶体管的导通/截止的驱动电路。该驱动电路包括：第一电阻，设置在与开关晶体管连接的变压器的初级侧绕组中流过的电流的路径上，一端接地；第一电压比较器，比较第一电阻的另一端呈现的第一检测电压和规定的第一阈值电压；第二电阻，设置在变压器的次级侧绕组中流过的电流的路径上，一端接地；电平移位电路，将第二电阻的另一端呈现的负的第二检测电压向正向移位，作为正的电压输出；第二电压比较器，比较电平移位电路的输出电压和规定的第二阈值电压；以及开关控制单元，基于第一、第二电压比较器的输出来控制开关晶体管的导通/截止。在第一检测电压超过第一阈值电压时，开关控制单元截止开关晶体管，从电平移位电路的输出电压超过第二阈值电压开始经过规定的延迟时间后导通开关晶体管。
根据该方式，通过比较由电平移位电路向正向移位的电压和第二阈值电压，可检测出变压器的次级侧绕组中流过的电流下降至0附近。进而，在该电流下降至0附近后，等待经过规定的延迟时间，将开关晶体管切换成导通，从而能防止在变压器残留能量的状态下导通开关晶体管，能够改善DC/DC变换器的效率。
开关控制单元包括使第二电压比较器的输出延迟的延迟电路，基于该延迟电路的输出导通开关晶体管也可以。
通过在第二电压比较器的后级设置延迟电路并调节该延迟电路的时间常数，可实现使DC/DC变换器的效率最高的延迟时间。
延迟电路也可以包括：晶体管，基极端子连接到第二电压比较器的输出，发射极接地；电阻，设置在晶体管的集电极端子和电源电压端子间；以及电容器，设置在晶体管的集电极端子和接地端子间。
通过将延迟电路设为CR时间常数电路，并通过调节电阻值和电容值，可将延迟时间设定成最合适的值。
开关控制单元也可以包括：锁存电路，锁存第二电压比较器的输出；以及延迟电路，延迟锁存电路的输出，开关控制单元基于延迟电路的输出导通开关晶体管。
通过锁存第二电压比较器的输出，在变压器的次级侧绕组中流过的电流、即第二检测电压变动的情况下，可防止开关晶体管成为导通为止的时间的变动，从第二电压比较器的输出被锁存的时刻开始经过规定的延迟时间后能够确实地导通开关晶体管。
延迟电路也可以包括：逻辑门，设置在所述锁存电路的后级；以及电容器，设置在逻辑门的输入端子和接地端子间。
这种情况下，通过锁存电路的输出，电容器被充电或放电，在电容器上呈现的电压达到逻辑门的阈值电压时，逻辑门的输出电平变化。其结果，从锁存电路的输出电平变化开始至逻辑门的输出电平变化为止，可设定对应于电容器的电容值的延迟时间。
另外也可以是，驱动电路还包括依次串联设置在产生预定的基准电压的基准电压端子与接地端子之间的第三电阻和第四电阻，电平移位电路包括依次串联设置在第二电阻的另一端与基准电压端子之间的第五电阻和第六电阻，第2电压比较器将第三电阻和第四电阻的连接点的电位，与第五电阻和第六电阻的连接点的电位进行比较。可以是第三电阻与第四电阻的电阻值相等，第五电阻与第六电阻的电阻值相等。
再有，电容器可设置在刚好锁存电路之后，也可以经由其他逻辑门而设置在其后级。
第一电压比较器、电平移位电路、第二电压比较器、开关控制单元被一体集成也可以。再有，此处的集成，包括电路的全部构成元件被形成在半导体衬底上的情况，或电路的主要构成元件被一体集成的情况，为了调节电路常数，也可以将一部分电阻或电容器等设置在半导体衬底的外部。而且，开关晶体管与这些电路元件一体构成也可以。
本发明的另外的方式为发光装置。该发光装置包括：DC/DC变换器输出电路，包含开关晶体管，升压动作通过该开关晶体管的导通/截止被控制；驱动电路，控制所述开关晶体管的导通/截止；以及发光元件，通过所述DC/DC变换器输出电路的输出电压被驱动。
根据该方式，由于通过DC/DC变换器可高效率地升压，所以可使发光元件效率良好地发光。
本发明的再另外的方式为电子设备。该电子设备包括：拍摄单元；以及上述发光装置，在拍摄单元的拍摄时用作闪光灯。发光装置将电池电压升压从而驱动发光元件。
根据该方式，由于发光装置可使发光元件效率良好地发光，所以可延长电池的寿命。
再有，以上构成元件的任意组合，本发明的构成元件或表现在方法、装置、系统等之间相互变换等，作为本发明的方式也依然有效。
发明效果
根据本发明的DC/DC变换器的驱动电路，可改善变换效率。
附图说明
图1是表示组装了实施方式的发光装置的电子设备的结构的方框图。
图2是表示实施方式的发光装置的结构的电路图。
图3是表示图2的DC/DC变换器驱动IC的动作的时序图。
图4是表示图2的开关控制单元的变形例的电路图。
附图标记说明
20 第一电压比较器，22 第二电压比较器，24 电平移位电路，30 开关控制单元，38 延迟电路，300 电子设备，310 电池，316 拍摄单元，200 发光装置，210 自激式DC/DC变换器，212 发光元件，100 驱动电路，Tr1 开关晶体管，10 变压器，R1 第一电阻，R2 第二电阻。
具体实施方式
以下根据优选实施方式参照附图来说明本发明，对各附图中示出的同一或同等的构成元件、部件、处理赋予相同的标记，适当省略重复的说明。另外，实施方式只是例示发明而不是限定发明。实施方式中所描述的所有特征或其组合对于发明不一定是必须的。
图1是表示组装了实施方式的发光装置200的电子装置300的结构的方框图。电子装置300是组装了相机的便携式电话终端，包括电池310、通信处理单元312、DSP(Digital Signal Processor)314、拍摄单元316、发光装置200。
电池310例如是锂离子电池，作为电池电压Vbat输出3～4V左右的电压。DSP314是集中地控制电子设备300整体的块，与通信处理单元312、拍摄单元316、发光装置200连接。通信处理单元312包括天线、高频电路等，是与基站进行通信的块。拍摄单元316是CCD(Charge Coupled Device)或CMOS传感器等的拍摄装置。发光装置200是在拍摄单元316的拍摄时用作闪光灯的光源。
发光装置200具有自激式DC/DC变换器210、发光元件212、触发电路214。作为发光元件212，优选采用氙管(xenon tube)等。自激式DC/DC变换器210将由电池310提供的电池电压Vbat升压，并向发光元件212提供300V左右的驱动电压。触发电路214是控制发光装置200的发光定时的电路。发光元件212与拍摄单元316的拍摄同步而发光。
图2是表示发光装置200的结构的电路图。发光装置200包括驱动电路100、开关晶体管Tr1、变压器10、整流二极管12、输出电容器C1、发光元件212、IGBT214a。
图2所示的驱动电路100、开关晶体管Tr1、变压器10、整流二极管12、输出电容器C1对应于图1的自激式DC/DC变换器210。另外，图1的触发电路214对应于IGBT214a、发光控制单元214b。另外，在本实施方式中，开关晶体管Tr1、变压器10、整流二极管12、输出电容器C1构成自激式DC/DC变换器输出电路。
驱动电路100控制自激式DC/DC变换器210的开关晶体管Tr1的栅极电压来控制导通/截止。变压器10的初级侧绕组的一端被施加电池电压Vbat，另一端与开关晶体管Tr1的漏极端子连接。开关晶体管Tr1是N沟道MOS晶体管，其源极端子和接地端子间连接第一电阻R1。另外，开关晶体管Tr1的栅极端子被施加作为驱动电路100的输出信号的开关信号Vsw。
开关晶体管Tr1导通时，变压器10的初级侧绕组流过随时间增加的电流Ic1。第一电阻R1被设置在与开关晶体管Tr1连接的变压器10的初级侧绕组流过的电流Ic1的路径上，一端接地。第一电阻R1的另一端上呈现的电压称为第一检测电压Vx1，该第一检测电压Vx1被输入DC/DC变换器驱动IC110的初级侧检测端子104。第一检测电压Vx1按Vx1＝Ic1×R1提供。
另外，变压器10的次级侧绕组的一端连接整流二极管12的阳极端子。整流二极管12的阴极端子和接地端子间连接输出电容器C1。第二电阻R2被设置在次级侧绕组流过的电流的路径上，一端接地，另一端连接变压器10的次级侧绕组。第二电阻R2的另一端上呈现的电压称为第二检测电压Vx2，该第二检测电压Vx2被输入DC/DC变换器驱动IC110的次级侧检测端子106。
开关晶体管Tr1截止时，变压器10蓄积的能量经由整流二极管12被传送到输出电容器C1。此时，若设变压器10的次级侧绕组流过的电流为Ic2，则第二检测电压Vx2按Vx2＝-Ic2×R2提供。
DC/DC变换器驱动IC110是集成在一个半导体衬底上的集成电路，除了除去了驱动电路100的第一电阻R1、第二电阻R2的其他电路元件之外，还包括发光控制单元214b。DC/DC变换器驱动IC110具有作为输入输出端子的输出端子102、初级侧检测端子104、次级侧检测端子106、发光控制端子108。
DC/DC变换器驱动IC110从输出端子102输出应施加到开关晶体管Tr1的栅极端子的开关信号Vsw。另外，初级侧检测端子104、次级侧检测端子106是分别用于检测变压器10的初级侧和次级侧绕组流过的电流的端子。发光控制端子108是用于输出用于控制发光元件212的发光的发光控制信号SIG20的端子。
DC/DC变换器驱动IC110具有第一电压比较器20、第二电压比较器22、电平移位电路24、开关控制单元30。
第一电压比较器20比较从初级侧检测端子104输入的第一检测电压Vx1和规定的第一阈值电压Vth1，在Vx1>Vth1时输出高电平，在Vx1<Vth1时输出成为低电平的输出信号SIG1。
如上所述，由于第一检测电压Vx1与变压器10的初级侧绕组流过的电流Ic1成正比例，所以在初级侧绕组流过的电流Ic1达到按Ith1＝Vth1/R1提供的第一阈值电流Ith1时，第一电压比较器20的输出信号SIG1变为高电平。
另外，第二电压比较器22检测变压器10的次级侧绕组流过的电流Ic2变成第二阈值电流Ith2的情况。在本实施方式中，第二阈值电流Ith2的值设定为0A附近的电流。
电平移位电路24包括电阻R20、R21。电平移位电路24将从次级侧检测端子106输入的第二检测电压Vx2向正向移位(shift)。输入到次级侧检测端子106的第二检测电压Vx2经由电阻R20被输入到第二电压比较器22的反相输入端子。另外，基准电压Vref经由电阻R21被输入该反相输入端子。在第二电压比较器22的输入阻抗充分高且R20＝R21成立时，电平移位电路24的输出电压Vx2’按Vx2’＝(Vx2+Vref)/2提供。
第二电压比较器24的反相输入端子被输入从电平移位电路24输出的被电平移位了的第二检测电压Vx2’。另外，同相输入端子被输入将基准电压Vref通过电阻R22、R23分压了的第二阈值电压Vth2。在R22＝R23时，第二阈值电压Vth2成为Vth2＝Vref/2。第二电压比较器22比较电平移位电路24的输出电压Vx2’和规定的第二阈值电压Vth2。在Vx2’<Vth2时，即Vx2<0时，第二电压比较器22的输出电压Vx3为高电平，在Vx2’>Vth2时，即Vx2>0时，第二电压比较器22的输出电压Vx3为低电平。这样，第二阈值电流Ith2设定为0A。
开关控制单元30基于第一电压比较器20、第二电压比较器22的输出来控制开关晶体管Tr1的导通/截止。
在第一检测电压Vx1超过第一阈值电压Vth1时，即变压器10的初级侧绕组流过的电流Ic1达到第一阈值电流Ith1时，开关控制单元30截止开关晶体管Tr1。
另外，从作为电平移位电路24的输出的第二检测电压Vx2’超过第二阈值Vth2开始，即从变压器10的次级侧绕组流过的电流Ic2达到第二阈值电流Ith2＝0A开始，经过规定的延迟时间后，开关控制单元30导通开关晶体管Tr1。
第一电压比较器20的输出信号SIG1通过反相器32被反相。反相器32的输出信号SIG2被输入RS触发器34的置位(set)端子。RS触发器34的输出信号SIG3通过反相器36被反相。反相器36的输出信号SIG4被输入D触发器40的预置(preset)端子。另外，RS触发器34的输出信号SIG3被输入NOR(“或非”)门50的一个输入端子。NOR门50的另一个输入端子被输入用于控制自激式DC/DC变换器210整体的导通/截止的使能(enable)信号EN。在使能信号EN为高电平时，DC/DC变换器驱动IC110驱动开关晶体管Tr1而进行升压动作。NOR门50的输出信号SIG8被输入NAND(“与非”)门44。
开关控制单元30包括使第二电压比较器22的输出电压Vx3延迟的延迟电路38，基于延迟电路38的输出而导通开关晶体管Tr1。
延迟电路38包括：基极端子连接到第二电压比较器22的输出、发射极接地的晶体管Tr2、设置在晶体管Tr2的集电极端子和电源电压端子间的电阻R30、设置在晶体管Tr2的集电极端子和接地端子间的电容器C30。第二检测电压Vx2达到0V时，第二电压比较器22的输出电压Vx3成为低电平。此时，晶体管Tr2截止，经由电阻R30开始电容器C30的充电。电容器C30的一端呈现的电压Vx4按照CR时间常数上升。
电容器C30的一端呈现的电压Vx4被输入至D触发器40的时钟端子。D触发器40的数据端子接地，被固定在低电平。另外，D触发器40的清零端子被输入使能信号EN。通过将使能信号EN输入到清零端子，能够在每次开始升压动作时将DC/DC变换器驱动IC110初始化。另外，D触发器40的预置端子被输入反相器36的输出信号SIG4。
D触发器40在预置端子和清零端子被输入高电平的期间，在输入到时钟端子的延迟电路38的输出电压Vx4成为高电平时，作为反相输出信号SIG5而输出高电平。而在输入到预置端子的反相器36的输出从高电平切换为低电平时，作为反相输出信号SIG5而输出低电平。
D触发器40的反相输出信号SIG5被输入到AND(“与”)门42。AND门42将D触发器40的反相输出信号SIG5和使能信号EN的“与”输出至NAND门44。NAND门44将NOR门50的输出和AND门42的输出的“与非”输出到反相器46。反相器46将NAND门44的输出信号SIG9反相。作为反相器46的输出的开关信号Vsw经由输出端子102被输入到开关晶体管Tr1的栅极端子。AND门48被输入AND门42的输出信号SIG6和使能信号EN。AND门48的输出信号SIG7被输入到RS触发器34的复位端子。
发光控制单元214b生成发光控制信号SIG20，控制IGBT214a的基极电压。
对如上那样构成的发光装置200的动作进行说明。图3是表示图2的DC/DC变换器驱动IC110的动作的时序图。各信号SIG1～SIG9对应图2所示的各信号。在时刻T0以后，将使能信号EN设定为高电平。
在时刻T0，开关信号Vsw成为高电平，开关晶体管Tr1处于导通。通过开关晶体管Tr1导通，变压器10的初级侧绕组流过的电流Ic1缓缓上升，在时刻T1成为Vx1>Vth1。
在Vx1>Vth1时，第一电压比较器20的输出SIG1从低电平切换成高电平。同时，反相器32的输出信号SIG2从高电平切换成低电平。信号SIG2从高电平切换成低电平时，RS触发器34被置位，RS触发器34的输出信号SIG3成为高电平。信号SIG3成为高电平时，反相器36的输出信号SIG4成为低电平，D触发器40被预置，D触发器40的反相输出信号SIG5成为低电平。由于使能信号EN为高电平，所以AND门42的输出信号SIG6取与信号SIG5相同的逻辑值。
使能信号EN为高电平时，NOR门50作为将RS触发器34的输出信号SIG3反相的反相器起作用。因此，在时刻T1，RS触发器34的输出信号SIG3成为高电平时，NOR门50的输出信号SIG8从高电平变化为低电平。此时，由于NAND门44的两个输入信号SIG6、SIG8均为低电平，所以NAND门44的输出信号SIG9成为高电平。其结果，在时刻T1从反相器46输出的开关信号Vsw成为低电平，开关晶体管Tr1截止。
在时刻T1，AND门42的输出信号SIG6成为低电平时，在经过数个门的延迟时间后的时刻T2，AND门48的输出信号SIG7成为低电平。在AND门48的输出信号SIG7从高电平变化成低电平时，RS触发器34被复位。其结果，RS触发器34的输出信号SIG3马上返回至低电平。RS触发器34的输出信号SIG3成为低电平时，NOR门50的输出信号SIG8成为高电平。另外，反相器36的输出信号SIG4、即向D触发器40的预置端子的输入也成为高电平。
在时刻T1开关晶体管Tr1截止时，变压器10的次级侧绕组开始流过电流Ic2。该电流Ic2在开关晶体管Tr1被截止的瞬间成为最大，随着变压器10中蓄积的能量减少而缓缓变小。其结果，第二电阻R2上呈现的第二检测电压Vx2随时间缓缓上升。此时，电平移位电路24的输出电压Vx2’也随时间上升，在时刻T3达到第二阈值电压Vth2，第二电压比较器22的输出电压Vx3从高电平切换成低电平。
在时刻T3第二电压比较器22的输出电压Vx3变成低电平时，延迟电路38的输出电压Vx4按照时间常数开始上升。在从时刻T3开始经过延迟时间τ后的时刻T4，在D触发器40的时钟端子输入的延迟电路38的输出电压Vx4达到高电平和低电平的阈值电压Vt时，D触发器40的反相输出信号SIG5成为高电平。D触发器40的反相输出信号SIG5成为高电平时，AND门42的输出信号SIG6、AND门48的输出信号SIG7均成为高电平。AND门42的输出信号SIG6成为高电平时，NAND门44的输出信号SIG9成为低电平，反相器46的输出信号、即开关信号Vsw成为高电平，开关晶体管Tr1再次导通。
这样，在本实施方式的DC/DC变换器驱动IC110中，分别检测变压器10的初级侧绕组、次级侧绕组流过的电流Ic1、Ic2，切换开关晶体管Tr1的导通/截止。通过切换开关晶体管Tr1的导通/截止，在输出电容器C1中蓄积电荷，输出电压Vout上升。在输出电压Vout上升至希望的电压值时，发光控制单元214b与图1的拍摄单元316的拍摄同步而将发光控制信号SIG20切换成高电平。其结果，IGBT214a导通，发光元件212即氙管作为闪光灯发光。
在本实施方式的DC/DC变换器驱动IC110中，在从时刻T3次级侧绕组流过的电流Ic2达到被设定在0A附近的第二阈值电流Ith2开始，经过规定的延迟时间τ的时刻T4，导通开关晶体管Tr1。其结果，可防止在变压器10中残留能量的状态下开关晶体管Tr1再次导通，可改善效率。
延迟电路38中产生的延迟时间τ最好设定成整流二极管12的反向恢复时间以上。该延迟时间τ实验性地确定也可以，以便开关稳压器的电源效率成为最大。通过调节延迟电路38的电容器C30、电阻R30的值可将延迟时间τ设定成希望的值。
图4是表示开关控制单元30的变形例的电路图。图4的开关控制单元30，取代图2的延迟电路38，具有用于反相第二电压比较器22的输出电压Vx3的反相器52，而且在AND门42的输出端子和接地端子间具有电容器C31。在图4中，对于与图2同一或同等的构成元件及信号赋予相同的标记，适当省略说明。
图4的开关控制单元30中，第二电压比较器22的输出电压Vx3通过反相器52被反相，输入到D触发器40的时钟端子。其结果，在变压器10的次级侧绕组流过的电流Ic2达到阈值电流，第二电压比较器22的输出电压Vx3从高电平转变到低电平时，D触发器40的反相输出信号SIG5马上变成高电平。
D触发器40的反相输出信号SIG5在直至D触发器40下次被预置的期间，持续维持高电平。即，D触发器40作为锁存第二电压比较器22的输出电压Vx3的锁存电路起作用。
D触发器40的反相输出信号SIG5从低电平转变到高电平时，AND门42的输出信号SIG6也欲从低电平转变到高电平。此时，为了使其输出从低电平转变到高电平，AND门42充电电容器C31。其结果，AND门42的输出信号SIG6通过电容器C31按时间常数上升。之后，在达到NAND门44的低电平和高电平的阈值电压时，NAND门44的输出信号SIG9从高电平变化成低电平。这样，从D触发器40的输出变化开始至NAND门44的输出变化为止的期间产生延迟。即，NAND门44和电容器C31构成延迟电路。
由于变压器10的圈数或耦合系数，在开关晶体管Tr1截止的状态下，有时变压器10的次级侧绕组流过的电流Ic2在0A附近振荡(ringing)。在这样的情况下，由于电平移位电路24的输出电压Vx2’在第二阈值电压Vth2附近变动，所以第二电压比较器22的输出电压Vx3一次从高电平转变到低电平后，再次返回高电平，产生至开关晶体管Tr1下次导通的时间变长的问题。
根据图4的开关控制单元30，由于在D触发器40的后级配置由NAND门44和电容器C31构成的延迟电路，在第二电压比较器22的输出电压Vx3一次从高电平转变到低电平时，该状态被D触发器40锁存。通过延迟电路对该D触发器40的反相输出信号SIG5赋予延迟时间，即使在变压器10的次级侧绕组流过的电流Ic2振荡的情况下，也可以在经过规定的延迟时间后导通开关晶体管Tr1。
本领域技术人员应理解，实施方式仅是例示，其各构成部件和各处理过程的组合可有各种各样的变形例，而且这些变形例也属于本发明的范围。
在实施方式中，说明了DC/DC变换器驱动发光元件212的情况，但不限定于此，也可以驱动其他的需要高电压的各种各样的负载电路。
另外，在本实施方式中，高电平、低电平的逻辑值的设定仅为一例，可通过由反相器等适当反相来自由地变更。
基于实施方式说明了本发明，但不用说实施方式仅为示出本发明的原理、应用，不用说，在不脱离权利要求所规定的本发明的思想的范围内，实施方式可有很多变形例或配置的变更。
工业利用可能性
根据本发明的DC/DC变换器的驱动电路，可改善变换效率。

Claims (10)

1.一种驱动电路，用于控制DC/DC变换器的开关晶体管的导通/截止，其特征在于，包括：
第一电阻，设置在与所述开关晶体管连接的变压器的初级侧绕组中流过的电流的路径上，一端接地；
第一电压比较器，比较所述第一电阻的另一端呈现的第一检测电压和规定的第一阈值电压；
第二电阻，设置在所述变压器的次级侧绕组中流过的电流的路径上，一端接地；
电平移位电路，将所述第二电阻的另一端呈现的负的第二检测电压向正向移位，作为正的电压输出；
第二电压比较器，比较所述电平移位电路的输出电压和规定的第二阈值电压；以及
开关控制单元，基于所述第一、第二电压比较器的输出来控制所述开关晶体管的导通/截止，
在所述第一检测电压超过所述第一阈值电压时，所述开关控制单元截止所述开关晶体管，从所述电平移位电路的输出电压超过所述第二阈值电压开始经过规定的延迟时间后导通所述开关晶体管。
2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述开关控制单元包括使所述第二电压比较器的输出延迟的延迟电路，基于该延迟电路的输出导通所述开关晶体管。
3.如权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述延迟电路包括：
晶体管，基极端子连接到所述第二电压比较器的输出，发射极接地；
电阻，设置在所述晶体管的集电极端子和电源电压端子间；以及
电容器，设置在所述晶体管的集电极端子和接地端子间。
4.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述开关控制单元包括：
锁存电路，锁存所述第二电压比较器的输出；以及
延迟电路，延迟所述锁存电路的输出，
所述开关控制单元基于所述延迟电路的输出导通所述开关晶体管。
5.如权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述延迟电路包括：
逻辑门，设置在所述锁存电路的后级；以及
电容器，设置在所述逻辑门的输入端子和接地端子间。
6.如权利要求1至5的任一项所述的驱动电路，其特征在于，还包括依次串联设置在产生预定的基准电压的基准电压端子与接地端子之间的第三电阻和第四电阻，
所述电平移位电路包括依次串联设置在所述第二电阻的所述另一端与所述基准电压端子之间的第五电阻和第六电阻，
所述第2电压比较器将所述第三电阻和第四电阻的连接点的电位，与所述第五电阻和第六电阻的连接点的电位进行比较。
7.如权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述第三电阻与所述第四电阻的电阻值相等，所述第五电阻与所述第六电阻的电阻值相等。
8.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一电压比较器、所述电平移位电路、所述第二电压比较器、所述开关控制单元被一体集成。
9.一种发光装置，其特征在于，包括：
DC/DC变换器输出电路，包含开关晶体管，升压动作通过该开关晶体管的导通/截止被控制；
权利要求1～5的任何一项所述的驱动电路，控制所述开关晶体管的导通/截止；以及
发光元件，通过所述DC/DC变换器输出电路的输出电压被驱动。
10.一种电池驱动型的电子设备，其特征在于，包括：
拍摄单元；以及
如权利要求9所述的发光装置，在所述拍摄单元的拍摄时用作闪光灯，
所述发光装置将电池电压升压从而驱动所述发光元件。
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