CN100529198C - 用于处理装置的支承系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于能够处理基片和/或晶片的装置的支承系统(1)，所述系统包括具有基本平坦表面的固定基件(10)，在平坦表面上形成有带有基本平坦底部的基本圆柱形的支座(11)，以及可动的支承件(20)，其具有基本为盘形的形状，置于所述支座(11)内，能够围绕支座(11)的轴线进行旋转并具有基本平坦的底面和设置有至少一个用于基片或晶片的凹穴(21)的基本平坦的顶面；以及一个或多个气流的一个或多个通道(12)，其中所述通道(12)按照倾斜并优选为相对于所述轴线偏斜的方向设置在支座(11)内，以便抬起并旋转所述支承件(20)。

Description

用于处理装置的支承系统

技术领域

本发明涉及用于处理基片和/或晶片的装置的支承系统。

背景技术

为了产生集成电路或电子和光电子元件，需要处理基片和/或晶片；后者可由一种材料(半导体或绝缘体)或多种材料(导体、半导体和绝缘体)制成；术语“基片”和术语“晶片”实际上通常指相同物品，也就是通常为盘形的薄元件(在太阳能电池中它为正方形)；当元件基本只用作半导体材料的支承层或结构时使用第一术语；在其他情况下通常使用第二术语。

现有的处理形式包括加热的纯粹热处理和化学/物理处理；外延生长是最普通的化学/物理处理。

通常，为了在基片上实行半导体材料(Si、Ge、SiGe、GaAs、AlN、GaN、SiC…)的外延生长，当材料生长质量适用于为电子用途时需要高温。对于半导体材料，例如硅，使用的温度通常从1000℃到1200℃。对于半导体材料如碳化硅，甚至需要更高的温度；特别地，对于碳化硅通常使用从1500℃到1800℃的温度。在保持高温的过程中，生长工艺通常持续几十分钟。

因此，用于碳化硅或类似材料的外延生长的反应器首先需要产生热量的系统，从而能够在反应腔室内达到这些温度；当然，希望系统不仅能够有效地产生热量，而且能够高效地产生热量。因此，具有热壁的反应腔室用于这些类型的反应器中。

加热反应腔室壁的一种最适合的方法是基于电磁感应的方法，其提供由导电材料制成的元件、感应器和交流电流(频率通常在2kHz和20kHz之间)；电流在感应器中流动以便产生可变磁场，并且定位所述元件而使其浸于可变磁场中；元件中的感应电流因可变磁场而通过焦耳效应加热元件；这种加热元件被称作衬托器并在使用适合的材料时也能直接用作反应腔室的壁。

在具有冷壁的反应器中，感应加热也是非常广泛的；这时，通过感应加热的元件是基片支承件。

外延生长反应器还需要使反应腔室与外界环境绝热，以便特别地限制热损失，并很好地进行密封，进而一方面防止反应气体扩散和污染外部环境，另一方面防止气体从外部环境进入和污染反应环境。

在用于处理基片和/或晶片的装置中，特别是在外延反应器中，使基片支承件旋转是非常普通的；通常，该旋转通过驱动装置来进行，该驱动装置设置在处理腔室外部，并通过适合的传动装置向支承件施加旋转运动。特别地，支承件的转速总是从1rpm至100rpm的范围内，并通常在5rpm和25rpm之间。

这种旋转方法能够很好地起作用，但缺点是需要能够承受处理腔室环境的传动装置或者能够传递旋转运动的密封装置，或者两者都需要；在用于材料例如碳化硅的生长的反应器中，因为温度非常高而使得这些需要甚至更难以满足。

为了解决这个问题，以往考虑过使用基于利用流动气体的不同旋转方法。

美国专利4667076披露了一种用于晶片的热处理的装置；在该装置中，晶片直接通过多个气流从它的支座上升高，直接通过气流而保持悬浮在处理腔室的气体中，直接通过适合方向的气流而旋转，并通过微波辐射而被加热。

美国专利4860687披露了一种用于外延反应器的旋转支承系统，该旋转支承系统提供了多个(不少于三个)用于直接从(基件的)平坦表面直接升高盘形衬托器(即基板和/或晶片的可移动支承元件)的气流；一个或多个气流直接用于旋转衬托器；气体沿着沟道(在一侧面开启的狭长通道)行进，进而借助流体动力驱动效应旋转支承件；沟道典型地形成在基件(base element)中，但也可以形成在衬托器中。

美国专利5788777披露了一种用于外延反应器的旋转支承系统，该旋转支承系统包括借助驱动装置进行旋转的盘形构件，该盘形构件具有容纳4个盘形支承件的空腔；每个支承件通过两个垂直气流而保持被升举，并因整个支承构件旋转而围绕其轴线旋转。

发明内容

通常地，本发明的一个目的是提供一种不同于和/或优于已知系统的旋转支承系统。

本发明提供了一种用于适于处理基片和/或晶片的装置的支承系统，该支承系统包括：一具有基本平坦表面的固定基件，在该平坦表面上形成有带有基本平坦底部的基本为圆柱形的支座，和一可动的支承件，其基本为盘形形状，置于所述支座内，能够围绕支座的轴线进行旋转，并且具有基本平坦的底面和设置有至少一个用于基片或晶片的凹穴的基本平坦的顶面；其中所述支承系统包括适用于一个或多个气流的一个或多个通道，其中所述通道按照相对于所述轴线倾斜的方向设置在支座内，以便抬起并旋转所述支承件，所述支承件的底面设置有凹陷区域，该凹陷区域被成形使得从通道产生的气流在所述凹陷区域上施加推力。

本发明的原理是使用设置有圆柱形支座的固定基件，将可动盘形支承件容纳在支座内并使用一个或多个倾斜气流以抬起支承件及使其旋转。

根据本发明的支承系统借助适合的支承件获得良好的效果，本发明还提供了用于设计用来处理基片和/或晶片的装置的支承件，所述支承件具有基本盘形形状，所述盘形形状形成有基本平坦的底面和设置有至少一个用于基片或晶片的凹穴的基本平坦的顶面，其特征在于该底面设置有成形以接收气流推力的凹陷区域，所述凹陷区域到达支承件的底面边缘。

最后，本发明涉及一种外延生长反应器以及热处理装置，其中有利地使用了根据本发明的支承系统。

附图说明

通过以下接合示例性而非限定性的附图的说明，使得本发明变得更加清楚，其中：

附图1示出了本发明支承系统的各种视图；

附图2示出了本发明包含附图1中支承系统的外延反应器的反应腔室；

附图3示出了本发明配有不同形状的凹陷区域的支承件的底视图；

附图4示出了本发明配有8个相同形状的凹陷区域的支承件的底视图；

附图5示出了说明本发明的支承系统旋转所依据的原理的示意图；

附图6示出了说明本发明的凹陷区域操作所依据的原理的示意图；和

附图7为附图1中所示支承系统的详细截面图。

具体实施方式

附图1示例性地示出了根据本发明一个实施例的由基件和支承件基本构成的支承系统；特别地，附图1A为完整系统的俯视图，附图1B为没有支承件的系统的俯视图，以及附图1C为完整系统的截面图。

在附图1中，支承系统整体由附图标记1表示，基件由参考数字10表示以及支承件由附图标记20表示。

基件10被固定且具有形成有圆柱形支座11的平坦表面；使基件10定位以使其平坦表面为水平的(如附图中所示)；支座的底部是平坦的但具有一些凹槽和凸起，这些将借助附图7在下文中予以说明。

支承件20为顶面平坦而具有四个凹穴21、底面平坦而具有一些凹槽和凸起的盘形形状，上述凹槽和凸起通过附图3、4和7将变得清晰；四个凹穴21适用于四个基板或晶片；支承件20被置于支座11内部并可围绕支座的轴线旋转。

管14形成在基件10的内部并在支座11中的支座11中间和边缘之间的中间区域(大约一半的长度处)分成两个通道12；通道12相对于支座11(相对于垂直方向)倾斜40°，并且更准确地是偏斜的；管14用于馈送(从旋转系统外部供给的)气体，以便沿着相对于支座11的轴线倾斜的方向从两个通道12提供两个气流；在附图1B中，两个箭头示例性地表示通道12提供的两个气流。

在支座11中，更准确地在支座的底部上形成周边环形沟道13，所述沟道用于收集通道12发出的气体；沟道13与管15相连通以将通道12的气体排放到旋转系统的外部。

上述构造设计得使管14内流动的所有气体也流入管15中；这意味着在支承件20的外边缘和支座11的内边缘之间的缝隙内仅有少量的气体流动；这种结果是由于上述构件直径尺寸之间的差值比较小所引起的。

在附图1所示的实施例中，支承件20具有大约190mm的直径以及大约4mm的厚度；支座11具有大约196mm的直径(比支承件20的直径大6mm)以及大约4.6mm的深度(比支承件20的厚度大0.6mm)；存在四个2.5英寸，相当于63mm大小的凹穴(英寸为微电子行业中晶片和基板的通用测量单位)。

在附图1的实施例中，支承件具有250-300g的重量(基板或晶片的附加重量根据材料和直径而处于几克至数克的范围内)；利用具有优选为平坦的底面并以10slm(标准升每分钟)的速度为管14供给氢气的支承件，能够获得大约10rpm的速度；附图1A使出了沿附图1B所示方向从通道12排出的两个气流所引起的支承件20的旋转方向。

附图1中所示实施例的变型例如可以设想为支承件20的厚度处于3mm和5mm的范围内，支座11的直径和支承件20的直径之间的差值处于4mm和10mm的范围内，支座11的深度和支承件20的厚度之间的差值处于0.4mm和1.0mm的范围内，通道12的倾斜角处于35°和45°(相对于垂直方向)之间；利用190mm直径的支承件20，能够可选地设想到一个单一6英寸的凹穴，三个3英寸的凹穴，四个2.5英寸的凹穴或六个2英寸的凹穴。至于诸如可选地为氢气的旋转气体，也可以使用氦气或氩气；旋转气体的流速可选在5slm至20slm或更大的范围内，但要避免引起支承件20在旋转过程中发生振动的过高流速。

附图2示出了根据本发明的包含附图1中所示支承系统的外延反应器中反应腔室的前视图；该腔室整体由附图标记2表示；基件10用作腔室的底壁；所述腔室也包含顶壁30、第一侧壁(左手侧)40、第二侧壁(右手侧)50；附图2所示的腔室为热壁型；四壁由石墨制成，其中至少向内朝向反应腔室密闭空间的壁涂覆有保护层，如碳化硅或碳化钽的保护层。

参照附图7，带有圆柱形孔的圆柱形凸起设置在基件10的支座11中心处，而带有圆柱形销的圆柱形凹槽设置在支承件20的底面中心处；支承件的销插入到基件的孔内，而基件的凸起插入到支承件凹槽内；如附图所示，销的长度大于凹槽的深度(大约两倍)；在之前的任一附图中尤其是在附图1中，都没有示出这种结构，因为其比较容易理解。

在附图7所示的实施例中，支承件20的凹槽具有大约12.5mm的直径以及大约2mm的厚度，支承件20的销具有大约2.5mm的直径和4mm的长度；基件10的凸起和孔的尺寸根据支承件20的相应尺寸而略微不同，尤其是直径，例如可相差0.5mm或0.4mm或者甚至更少。

附图7所示的实施例具有引导支座11内支承件20旋转的功能。

附图1所示的支承件20的底面配有大体由附图标记22指示的凹陷区域；附图3示出了包含四个不同形状的凹陷区域222、223、224和225的支承件20底面的底视图，而附图4使出了具有八个全部相同的凹陷区域221，特别是具有相同形状的支承件20底面的底视图，并且所述凹陷区域关于支承件20的轴线对称设置。为清楚起见，注意到附图3示出了凹陷区域的各种可能形状，而本发明的支承件通常具有相同形状的凹陷区域。

凹陷区域22具有能够改进支座11内的支承件20的旋转的功能；特别地，凹陷区域能够对应相同的气流获得更大的旋转速度(相比于不存在凹陷区域并仅由倾斜通道引起旋转的情况)。

在附图1所示的实施例中，支承件具有250-300g的重量(基板或晶片的附加重量根据材料和直径而处于几克至数克的范围内)；利用具有包含变化形状的凹陷区域且以10slm的速度(标准升每分钟)为管14供给氢气流的底面的支承件，能够获得15rpm和30rpm范围内的速度；附图3和4示出了沿附图1B所示方向从通道12发出的两个气流所引起的支承件20的旋转方向。

以下，参照附图3和4说明根据本发明的一些实施例的凹陷区域。

区域221由四个侧面所围合；所有的侧面都是弯曲的；一个侧面对应支承件底面边缘的长部分；一个侧面是其中心与支承件的轴线基本重合的短圆周部分；其他两个侧面沿着径向延伸并到达支承件底面边缘；该区域在圆周区域宽于中心区域。

对于实例221，凹陷区域开始于离支承件中心40mm处并在其边缘处终止，即在远离中心的95mm处终止。

区域222由三个侧面所围合；两个侧面是直的而一个侧面是弯曲的；弯曲的侧面对应于支承件底面边缘的长部分；两个直的侧面沿着径向延伸并到达支承件底面的边缘；该区域在圆周区域宽于中心区域。

区域223由四个侧面所围合；三个侧面是直的而一个侧面是弯曲的；弯曲的侧面对应于支承件底面边缘的长部分；两个直的侧面平行，沿着径向延伸并到达支承件底面的边缘；该区域在圆周区域和中心区域具有基本相同的宽度。

区域224由四个侧面所围合；两个侧面是直的且两个侧面是弯曲的；一个弯曲侧面对应于支承件底面边缘的长部分；另一弯曲的侧面是其中心与支承件的轴线基本重合的短圆周部分；两个直的侧面沿着径向延伸并到达支承件底面的边缘；该区域在圆周区域略宽于中心区域。

区域225由四个侧面所围合；三个侧面是直的而一个侧面是弯曲的；弯曲的侧面对应于支承件底面边缘的长部分；两个直的侧面沿着径向延伸并到达支承件底面的边缘；该区域在圆周区域宽于中心区域。

对于实例222、223、224和225，凹陷区域开始于离支承件中心大约60mm处并在其边缘处终止，即在远离中心的95mm处终止。

在附图3和4的所有实例中，支承件20的凹陷区域22具有可变的深度(参照附图6能够很容易地理解该术语的含义)；在这些实例中，其深度沿着所述区域的一个边缘从零开始直至到达最大值而逐渐增加；在附图3和4中，对应于区域边缘的侧面由实线表示而对应零深度的侧面由虚线表示。

定位凹陷区域22的边缘并使其成形，以便通道21发出的气流能够在所述边缘上产生推力。

在附图3和4的所有实例中，凹陷区域22的深度相对于支承件的轴线沿着切线方向减少或增加(根据观察的方式)。

在附图3和4的所有实例中，凹陷区域22的深度相对于支承件的轴线沿着径向减少或增加(根据观察的方式)。

通常，本发明的支承系统用于处理基板和/或晶片的设备，其包括：

-一具有基本平坦表面的固定基件，在所述平坦表面内形成有带有基本平坦的底部的基本圆柱形的支座；以及

-一具有基本盘形形状的可动支承件，其置于所述支座内并围绕所述支座的轴线旋转，且包含具有至少一个用于基板或晶片的凹穴的基本平坦的顶面、以及基本平坦的底面；

预计用于一个或多个气流的一个或多个通道；这些通道沿着倾斜并优选为相对于所述支座的轴线偏斜的方向设置在支座内部，以便抬起并旋转所述支承件。

以下借助附图5说明气流的作用。

气流从固定基件10的通道12排出并冲击可动支承件20的底面；因此，气流为支承件20提供一连续的推力。

该推力具有垂直分量和水平分量；垂直分量用于抬起支承件20而水平分量用于移动支承件20；支承系统的特定结构(圆柱形支座内容纳的盘体)以及气流的特定取向(相对于支座的轴线倾斜)使得支承件20执行旋转运动。附图5中两个箭头示意地说明了所述两个分量，但并未示出其长度；事实上，两分量之间的比例取决于各种因素，包括通道12的倾斜以及支承件20底面表面的粗糙度。

明显地，本发明的解决方案从构造观点来看是非常简单的，且允许获得优化的结果；解决方案的简化总是有利的，且在本方案必须用于复杂和重要的系统，如外延反应器和RTP(快速热处理)装置时，更为有利。

在操作条件下，当气体从通道12流出时，在支承件20和支座11的底部之间限定了填充有气体的薄圆柱形腔室；腔室内的气压有助于抬起支承件20，支承件承受以非常均匀的方式分布在支承件20整个底面上的推力；因此，在操作条件下，支承件20在气体层上方旋转并且不与支座11的底部相接触(如果表面彼此接触，则会形成小的固体颗粒，而这些颗粒将在外延生长处理中尤其是有害的)。

最初地，当气体开始流出通道12时，气流所产生的推力的垂直分量迅速抬起支承件20，而推力的水平分量由于支承件20的惯性而缓慢地移动支承件20；这样，支承件20的底面即使是在启动条件下也不会与支座11的底部相接触。在气流的推力下，支承件20逐渐增加其旋转运动。这种逐渐加速完全消除了基板或晶片在该步骤过程中移离支承件凹穴的危险。

在附图1所示的实施例中，测试出1分钟区域内的加速时间。

本发明支承系统内使用的通道的最小数量为1；可是在此情况中，需要引导支承件旋转的适合的构件，在下文中将予以更清楚地阐述。根据理论观点，不存在通道的最大数量。因此，通道可以是一个、两个、三个、四个、五个、六个、七个或八个。

通道设置在支座内；优选地，所述通道设置在支座中心和边缘之间的中间区域内，尤其是在中间位置。

构造简单且等效的实例包含仅有两个通道且通道关于支座的轴线对称设置的情况。

通道的倾斜为仔细选择的系统参数；该参数的选择首先依赖于表面的粗糙度和支承件底面的形状；选定的倾斜度可处于30°和60°之间(相对于垂直方向)；如果底面的表面平滑，则更适合利用30°和50°之间的倾斜度，而如果底面被构形则更适合地使用40°和60°之间的倾斜度。

优选地，支承件外边缘和支座内边缘之间的间隙尺寸很小，使得通道发出的气体不会流入所述间隙内。

本发明的支承系统具有两个常规的操作条件，即支承件静止和支承件移动的情况(基本匀速)；也存在两种过渡情况，即支承件开始运动并进而加速和支承件结束其运动并进而减速的情况。

当支承件静止和移动时，支承件有利地基本保持在支座内部；进而，适当地引导该支撑件旋转。有利地，支承件的顶面基本保持与基件的表面对准；这样，处理气流理想地在基板或晶片的顶面上流动，并且不会被支承件和支座扰动；此外，由于支承件在支座内不会过远插入，故更容易取出。

在支座内有利地提供环形沟道；这样，通道发出的气体收集在环形沟道内部并不会流入支承件外边缘和支座内边缘之间限定的间隙内。环形沟道有利地沿着支座底部圆周形成，使得气体主要对支承件的底面施加作用。

根据构造观点，如果各种通道都是同一管的分支，则是非常有利的；这样，沿着基件的长度可形成一个单一长孔，而通过设置短孔形成通道。

为了确保更好引导支承件的旋转运动，可设想一销及对应的孔；能够在支承件上设置销而在基件上设置孔，或者在基件上设置销而在支承件上设置孔。

为了获得更好的引导作用，能够使用更复杂的结构：在基件支座的中心设置具有圆柱形孔的圆柱形凸起，在支承件的底面中心处设置具有圆柱形销的圆柱形凹槽；支承件的销插入到基件的孔内，而基件的凸起插入到支承件凹槽内。

借助倾斜的气流，能够实现支承件的良好旋转；为了提高旋转速度，必须使用其后表面被构形的适当支承件。

本发明也涉及后表面被构形的支承件。

在根据本发明的构形支承件中，其底面配有构形的凹陷区域使得通道排出的气流对这些区域产生推力；可以理解，这种构形不仅仅是二维的，也可以是三维的。

这些凹陷区域优选都是相同的并相对于支承件的轴线对称设置；这样促进支承件的设计和构造而不会反过来影响其性质。

借助上述说明，支承件的后表面被构造成类似薄涡轮叶片的形状；因此，气流能够更有效地引起支承件旋转。

由于上述区域相对于支承件表面是凹陷的，故该元件的整体尺寸不变，好像所述区域并不存在一样。

以下借助附图6说明凹陷区域的作用。

在撞击支承件20底面之后，流出通道12的气体在基件10和支承件20之间流动；当气体到达凹陷区域22时，其膨胀并撞击其侧壁；该侧壁被构形以将推力转换成旋转。

在附图6中，气体沿着凹陷区域22底部的倾斜外形流动并撞击凹陷区域22的边缘；这样，气体为支承件20传递转换成支承件20旋转的连续水平推力。

凹陷区域可以具有变化的形状；为简便起见，其可仅由三个或四个侧面围成；这些侧面中的每一个都可以是直的或弯曲的，如附图3和4所示。

凹陷区域可以到达支承件底面的边缘；这样，推力表面区域最大。

凹陷区域的一边可与一部分支承件的底面边缘相重合；这样气体在撞击凹陷区域后自由膨胀而不会妨碍支承件的进一步旋转。

优选地，凹陷区域具有可变的深度；这样，其能够确保气流对支承件甚至更有效的作用。

凹陷区域的深度关于支承件的轴线可沿着径向减少或增加；这样，能够控制支承件底面下方气压的分布。

凹陷区域的深度关于支承件的轴线可沿着切线方向减少或增加；这样，气体适当地在支承件底面的表面上流动。

如果凹陷部分具有以从通道排出的气流能够在其上产生推力的方式予以定位和构形(附图3和4中所示的所有实施例的实例具有该技术特征)的边缘(如图6所示)，则是非常有利的；每个凹陷区域的单一边缘都是足够的(附图3和4中所示的所有实施例的实例具有该技术特征)。

以上限定的支承件尤其也适用于用作衬托器；这样，其必须由导体材料制成；最常用于衬托器的材料是石墨；由于本发明的支承件插入到处理腔室(其中具有高的温度和处理气体)内，石墨部分典型地必须配备碳化硅或碳化钽制成的保护层。

由于支承件的旋转不需要传送构件，故本发明的支承系统尤其适用于执行将整个支承件(与相关基板或晶片一起)装入基件内以及从基件内卸除。

本发明的系统尤其适于用作外延生长反应器内基板的支承系统。

本发明的系统也可用作高温热处理装置，如RTP装置中晶片的支承系统；可是，应当理解，在这些设备中，能够非常迅速和非常快捷地执行加热，因此能够经常用灯加热晶片，并且晶片支承件具有非常小的质量；此外，还需要高的旋转速度。

Claims (31)

1.一种用于适于处理基片和/或晶片的装置的支承系统(1)，包括：

一具有基本平坦表面的固定基件(10)，在该平坦表面上形成有带有基本平坦底部的基本为圆柱形的支座(11)，和

一可动的支承件(20)，其基本为盘形形状，置于所述支座(11)内，能够围绕支座(11)的轴线进行旋转，并且具有基本平坦的底面和设置有至少一个用于基片或晶片的凹穴(21)的基本平坦的顶面；

其中所述支承系统包括适用于一个或多个气流的一个或多个通道(12)，其中所述通道(12)按照相对于所述轴线偏斜的方向设置在支座(11)内，以便抬起并旋转所述支承件(20)，

所述支承件(20)的底面设置有凹陷区域(22)，该凹陷区域被成形使得从通道(12)产生的气流在所述凹陷区域上施加推力。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于所述支承件(20)基本保持在支座(11)内，支承件的顶面在其静止和运动时基本都与所述基件(10)的表面相对准。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于在所述支座(11)中形成用于收集通道(12)所发出气体的环形沟道(13)。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于所述通道(12)为同一管(14)的分支。

5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于所述通道(12)仅为两个并关于所述轴线对称分布。

6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于该系统设置有销和相应的孔以引导支承件(20)的旋转。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于具有圆柱形孔的圆柱形凸起设置在基件(10)的支座中心处，其中具有圆柱形销的圆柱形凹槽设置在支承件(20)的底面中心处，并且支承件的销插入基件的孔中而基件的凸起插入支承件的凹槽中。

8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于所述凹陷区域(22)都是相同的并关于所述轴线对称设置。

9.根据权利要求1所述的系统，其特征在于所述凹陷区域(22)由三个或四个侧面限定边界。

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于所述区域(22)具有至少一个直侧面。

11.根据权利要求9所述的系统，其特征在于所述凹陷区域(22)具有至少一个弯曲侧面。

12.根据权利要求9所述的系统，其特征在于所述凹陷区域(22)具有可变的深度。

13.根据权利要求12所述的系统，其特征在于所述凹陷区域(22)的深度关于旋转轴线沿着径向减少或增加。

14.根据权利要求12所述的系统，其特征在于所述凹陷区域的深度关于旋转轴线沿着切线方向减少或增加。

15.根据权利要求1所述的系统，其特征在于所述凹陷区域(22)到达支承件(20)的底面边缘。

16.根据权利要求15所述的系统，其特征在于所述凹陷区域(22)的一侧面与所述支承件(20)底面的部分边缘相一致。

17.根据权利要求1所述的系统，其特征在于所述凹陷区域(22)具有一个边缘，所述边缘以所述通道(12)产生的气流在所述边缘上施加推力的方式定位和成形。

18.根据权利要求1所述的系统，其特征在于所述支承件(20)也可用作衬托器。

19.根据权利要求1所述的系统，其特征在于该系统适于将所述支承件(20)装载入基件(10)中或将支承件(20)从基件(10)中卸载。

20.用于半导体材料在基片上外延生长的反应器，其中该反应器包括如权利要求1至19中任一项所述的用于基片的支承系统。

21.用于高温热处理晶片的装置，其中该装置包括如权利要求1至19中任一项所述的用于晶片的支承系统。

22.用于设计用来处理基片和/或晶片的装置的支承件(20)，所述支承件具有基本盘形形状，所述盘形形状形成有基本平坦的底面和设置有至少一个用于基片或晶片的凹穴(21)的基本平坦的顶面，其特征在于该底面设置有成形以接收气流推力的凹陷区域(22)，所述凹陷区域(22)到达支承件的底面边缘。

23.根据权利要求22所述的支承件，其特征在于所述凹陷区域(22)由三个或四个侧面限定边界。

24.根据权利要求23所述的支承件，其特征在于所述凹陷区域(22)具有至少一个直侧面。

25.根据权利要求22所述的支承件，其特征在于所述凹陷区域(22)具有至少一个弯曲的侧面。

26.根据权利要求22所述的支承件，其特征在于所述凹陷区域(22)具有可变的深度。

27.根据权利要求26所述的支承件，其特征在于所述凹陷区域(22)的深度关于其轴线沿着径向减少或增加。

28.根据权利要求26所述的支承件，其特征在于所述凹陷区域(22)的深度关于其轴线沿着切线方向减少或增加。

29.根据权利要求22所述的支承件，其特征在于所述凹陷区域(22)的一侧面与所述支承件底面的部分边缘相一致。

30.根据权利要求22所述的支承件，其特征在于所述凹陷区域(22)具有一个边缘，所述边缘被定位和成形以接受气流的推力。

31.根据权利要求22所述的支承件，其特征在于所述支承件(20)也可用作衬托器。

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