CN100527434C - 显示板 - Google Patents

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Abstract

本发明的显示板能够抑制在数据线中流动的电流的延迟。在绝缘基板(32)上设有数据线(3)，用栅绝缘膜(34)覆盖数据线(3)，在栅绝缘膜(34)上与数据线(3)垂直地设有扫描线(2)及供给线(4)，扫描线(2)及供给线(4)由过敷绝缘膜(36)覆盖，在过敷绝缘膜(36)上与数据线(3)重合地设有隔壁(20)。在过敷绝缘膜(36)的下层，每个像素设有开关晶体管(5)、保持晶体管(6)、驱动晶体管(7)及电容器(8)。隔壁(20)的厚度Db设定成满足式(2)。

Description

显示板
技术领域
本发明涉及在每个像素设置了发光元件的显示板。
背景技术
例如，有机电致发光元件做成例如在基板上按阳极、有机化合物层、阴极的顺序层叠的层叠结构，在阳极和阴极之间施加电压时，向有机化合物层注入空穴及电子，从而由有机化合物层进行场致发光。
在有源矩阵驱动方式的显示板中，在每1点像素设有多个薄膜晶体管，利用薄膜晶体管使有机电致发光元件发光。例如，在日本特开平8-330600号公报中所述的显示板中，在每个像素设有2个薄膜晶体管。此外，在将多个有机电致发光元件构图为矩阵状时，对与薄膜晶体管连接的下层侧的阳极进行构图，以使每个像素独立。另一方面，阴极作为对所有像素共通的1个对置电极，在整个面成膜。
为了驱动显示板，在显示板上设有多个扫描线及信号线等。对显示板进行驱动时，通过向扫描线依次输出信号来依次选择扫描线，在选择了各扫描线时，向信号线输出与灰度等级相应的信号。由此，灰度等级信号被写入位于选择出的扫描线和信号线的交差部分的像素。
于是，存在根据向信号线输出的灰度等级信号的电压值进行控制的电压指定方式和由灰度等级信号的电流值进行控制的电流指定方式这两种方式。由于电压指定方式对信号线施加的信号是电压，所以若在信号线中存在一些寄生电容，则有时到达期望的电位为止有些延迟。此种由寄生电容导致的延迟，对电流指定方式的显示器一方影响特别大。即，为了能够用微弱的电流使发光单元本身发光，实际上在信号线中流动的电流的电流值微弱较好，但是加到这种布线的寄生电容较大时，布线达到期望的电流值为止需要时间。
发明内容
因此，本发明是为了解决上述的问题而做出的，其目的在于，将由寄生电容引起的电流的延迟抑制在最小限度。
为了解决上述问题，本发明的显示板包括：
发光元件；
具有与上述发光元件串联连接的驱动晶体管的像素电路；
经由上述像素电路提供数据电流的数据线；
用于选择上述像素电路的扫描线；
覆盖上述数据线的第一绝缘膜；以及
覆盖上述数据线及上述第一绝缘膜且由与上述第一绝缘膜不同的材料构成的第二绝缘膜，
在设经由上述像素电路直至上述信号线为止的所有路径的寄生电容为Ctotal、真空的介电常数为ε0、上述第一绝缘膜的相对介电常数为εa、上述第一绝缘膜的总膜厚为Da、上述第二绝缘膜的相对介电常数为εb、上述第二绝缘膜的厚度为Db的情况下，满足以下数学式1：
C total 20 ≤ ϵ 0 ϵ a ϵ b ϵ a D b + ϵ b D a ≤ C total 5
在上述显示板中，优选上述第二绝缘膜的相对介电常数为2.6～3.4、且厚度为2.0～17.7μm。
在上述显示板中，上述发光元件可以具备有机化合物层；上述第二绝缘膜可以是隔离上述有机化合物层的隔壁。
在上述显示板中，上述第一绝缘膜可以包括上述驱动晶体管的栅绝缘膜；可以包括覆盖上述驱动晶体管的过敷绝缘膜；或者，可以包括对成为上述驱动晶体管的沟道保护膜的相同层进行构图并与沟道保护膜一起形成的保护膜。
在上述显示板中，上述第一绝缘膜可以包括栅绝缘膜、过敷绝缘膜、沟道保护膜中的至少2个膜，相对介电常数均相同。
在上述显示板中，上述第一绝缘膜可以包括栅绝缘膜、过敷绝缘膜、沟道保护膜中的至少2个膜，均为相同材料的膜。
在上述显示板中，在上述第二绝缘膜上形成有对置电极。
在上述显示板中特别有效的是，上述像素电路是电流驱动型的像素电路，该像素电路向上述发光元件供给电流值依照在上述数据线流动的数据电流的电流值的驱动电流。
发明效果
根据本发明，能够设定隔壁的厚度来抑制在数据线中的延迟。
附图说明
图1是EL显示板1的电路图。
图2是用于驱动EL显示板1的信号的时间图。
图3是EL显示板1的2行6列部分像素的概略平面图。
图4是表示1个像素部分的电极的平面图。
图5是沿图4的切断线V-V的面的箭头方向观看的剖面图。
图6是表示隔壁20的厚度Db和寄生电容Cpd的关系的曲线图。
图7是输出灰度等级特性的曲线图。
图8是表示像素的宽度和液滴高度的关系的曲线图。
图9是表示EL显示板1整体的概略平面图。
图10是改变数据线的配置的变形例的箭头方向观看的剖面图。
符号说明
1 EL显示板
2 扫描线
3 数据线
4 供给线
5  开关晶体管
6  保持晶体管
7  驱动晶体管
8  电容器
12 像素电极
14 有机化合物层
16 对置电极
20 隔壁
具体实施方式
下面，使用附图来说明用于实施本发明的最佳方式。但是，下面叙述的实施方式中，为了实施本发明，虽然在技术上付加了优选的各种限定，但不是将发明的范围限定在下面的实施方式及图示例。此外，在以下的说明中，将所谓的电致发光(Electro Luminescence)的用语简称为EL。
图1是作为显示板以电流指定方式的有源矩阵驱动方式工作的EL显示板1的多个像素的电路图。在图1中，虽然为了简化附图，示出了2行3列部分的像素，但在实际中排列有更多的行数及列数部分的像素。
如图1所示，在EL显示板1中，多个扫描线2相互平行地排列，多个数据线3排列成与扫描线2垂直，在相邻的扫描线2之间与扫描线2平行地设有供给线4。由扫描线2和数据线3围绕的矩形区域成为像素，多个像素排列成矩阵状。
在1个像素中设置有具备薄膜晶体管5、6、7及电容器8的像素电路9和有机EL元件10。下面，将薄膜晶体管5称为开关晶体管5，将薄膜晶体管6称为保持晶体管6，将薄膜晶体管7称为驱动晶体管7。开关晶体管5、保持晶体管6及开关晶体管7都可以是非晶硅晶体管，这时为n沟道型晶体管。
在各像素中，开关晶体管5的栅极与扫描线2连接，开关晶体管5的漏极和源极中的一个与数据线3连接，开关晶体管5的漏极和源极中的另一个与有机EL元件10的阳极、电容器8的一个电极及驱动晶体管7的源极和漏极中的一个连接。驱动晶体管7的源极和漏极中的另一个与供给线4连接，驱动晶体管7的栅极与电容器8的另一个电极及保持晶体管6的漏极和源极中的一个连接。保持晶体管6的漏极和源极中的另一个与供给线4连接，保持晶体管6的栅极与扫描线2连接。
所有像素的有机EL元件10的阴极做成对置电极，阴极保持在一定电压Vcom(例如接地电位)。对有机EL元件10的发光色而言，同一行的有机EL元件10以红、绿、蓝的顺序排列，同一列的有机EL元件10成为相同的颜色。阴极优选功函数比由10nm以下的Ba构成的电子注入层及覆盖它的铝等的电子注入层高的保护导电层的层叠结构。施加了规定的电压时的亮度，在Ba的厚度为10nm、50nm、100nm中、10nm时最高，在100nm时最低。
如图9所示，在EL显示板1的周围，扫描线2与电压控制的第1扫描侧驱动器21连接，供给线4与电压控制的第2扫描侧驱动器22连接，数据线3与电流控制的数据侧驱动器23连接，利用这些驱动器，以有源矩阵驱动方式驱动EL显示板1。
图2是表示向邻接的多个像素即多个行中的某行、多个列中的某列的像素及其下一行、该列的像素输出的信号的时间图。如图2所示，利用第1扫描侧驱动器21对各扫描线2依次施加导通电平(一定的高电平)的电压，从而依次选择与扫描线2连接的开关晶体管5及保持晶体管6。此外，利用第2扫描侧驱动器22，对各供给线4依次施加一定的低电平(供给有机EL元件10的阴极的电压Vcom以下)的写入电压，以便与第1扫描侧驱动器21的导通电平输出同步，从而按各行依次选择与供给线4连接的某列的全像素电路9。此外，第1扫描侧驱动器21选择各行的开关晶体管5及保持晶体管6时，数据侧驱动器23通过各列的数据线3进行电流控制，使得在各驱动晶体管7的漏极-源极之间流动电流值与各灰度等级相应的数据电流。数据电流是从数据线3流向数据侧驱动器23的提升(引き拔き)电流。下面，将某行的扫描线2成为导通电平的期间称为该行的选择期间，将某行的扫描线2成为截止电平(一定的低电平)的期间称为此行的发光期间。
在某行的选择期间，由于此行的扫描线2成为导通电平，所以在此行的任何像素的开关晶体管5及保持晶体管6都成为导通状态。此时，虽然供给线4的写入电压成为低电平，但由于数据侧驱动器23流过与灰度等级相应的期望的电流值这样的数据电流，并成为比供给线4的写入电压低的电位，所以，驱动晶体管7成为其栅极-源极间电压及漏极-源极间电压成为导通状态那样的电压。因此，在数据线3中，从供给线4通过驱动晶体管7的漏极-源极之间、开关晶体管5的漏极-源极之间，流过与各灰度等级相应的电平的数据电流，在此行的各像素中，流动朝向数据线3的数据电流。此数据电流的电流值由数据侧驱动器23明确地进行控制。此时，驱动晶体管7的栅极-源极之间的电位差自动地设定成与驱动晶体管7的漏极-源极之间的电位差相等，并与数据侧驱动器23设定的流过驱动晶体管7的漏极-源极之间的数据电流的电流值相称，并将根据此电位差的电平的电荷充电到电容器8。
在此后的发光期间，此行的扫描线2变成导通电平(一定的低电平)，开关晶体管5及保持晶体管6成为截止状态，通过截止状态的保持晶体管6保持加在电容器8的两端的电位差，仍维持在选择期间施加的驱动晶体管7的栅极-源极之间的电位差。为此，驱动晶体管7的栅极-源极之间的电位差存储成发光期间中流过与数据电流的电流值相应的电流值。在此发光期间，供给线4的电压从低电平转换成一定的高电平的发光电压，比有机EL元件10的阴极的一定电压Vcom高，从而数据电流的电流值为怎样的值，驱动晶体管7的漏极-源极间电压也能够被设定成驱动晶体管7的漏极-源极间电流的电流值成为饱和状态这样的电压。因此，驱动电流的电流值仅依赖于驱动晶体管7的栅极-源极间的电压。由于驱动晶体管7的栅极-源极间的电压在选择期间能够保持与在驱动晶体管7的漏极-源极间流动的数据电流的电流值对应的电压，所以在发光期间，驱动晶体管7流向有机EL元件10的驱动电流的电流值依照选择期间的电流值。如此，驱动电流从供给线4通过驱动晶体管7流到有机EL元件10，有机EL元件10发光。优选发光期间的驱动电流的电流值与此之前的选择期间的数据电流的电流值基本上相等。如此，驱动晶体管7串联连接在有机EL元件10上，对有机EL元件10供给驱动电流。
再有，在选择期间，在各像素电路9中从供给线4到数据线3之间的数据电流的路径中存在寄生电容，所以实际流动的数据电流的电平到达由数据侧驱动器23控制的数据电流的电平为止需要时间，如果此时间比选择期间短则没有特别的问题，但此时间比选择期间长的情况下，实际流动的数据电流的电平就不能达到由数据侧驱动器23控制的数据电流的电平，发光期间的驱动晶体管7的栅极-源极间的电压比期望的值低，进而低至流过有机EL元件10的驱动电流的电流值，最终，有时只能以比期望亮度低的亮度进行发光。因此，在本实施方式中，将EL显示板1的结构最佳化。
下面，具体说明EL显示板1的结构。
图3是EL显示板1的2行6列部分的像素的概略平面图。如图3所示，在相同行的扫描线2和供给线4之间，仅按列的数量配置有各有机EL元件10的像素电极，作为整体像素电极排列成矩阵状。在数据线3和相邻的数据线3之间，各像素电极排列在列方向上。在各数据线3上设置有隔壁20以覆盖各数据线3。如图9所示，隔壁20做成蛇行连续的结构，在隔壁20之间的列方向排列的多个像素电极12上，在列方向上连续形成有有机化合物层14。在此，通过行方向上邻接的各隔壁20，在行方向上相邻的有机化合物层14被隔离。有机化合物层14具有包括通过电流流过而发光的有机EL发光层的一个或多个电荷传输层，使作为有机化合物层14的材料溶解在溶媒中的溶液、或分散作为有机化合物层14的材料的分散液流入隔壁20、20之间并进行干燥而形成。此隔壁20具有电绝缘性，由称为聚酰亚胺的感光性有机树脂等构成。隔壁20为有机树脂的情况下，通过进行将隔壁20的最表面的构成分子中C-H键的部分置换为C-F键的防液加工，提高隔壁20的防液性，再有，作为结果，隔壁20的相对介电常数下降。
图4主要是表示1像素部分的电极的平面图，图5是沿图4的切断线V-V的面的箭头方向看的剖面图。如图4及图5所示，在有机化合物层14下形成有成为有机EL元件10的阳极的像素电极12，在有机化合物层14上形成有成为有机EL元件10的阴极的对置电极16，从下按像素电极12、有机化合物层14、对置电极16的顺序层叠的结构构成有机EL元件10。像素电极12在每个像素中独立地形成，像素电极12排列成矩阵状。对置电极16是在所有像素中共用的一个电极，对置电极16还覆盖隔壁20，在整个面上成膜，对置电极16由保护绝缘膜18覆盖。再有，在图4中，为了便于看图，省略像素电极12的图示，在图4中，在电容器8的左侧的矩形框状的部分和电容器8重合的区域形成有像素电极12。
像素电极12具有掺锡氧化铟(ITO)、掺锌氧化铟、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或镉-锡氧化物(CTO)等透明导电膜。
例如，有机化合物层14是自像素电极12依次按空穴传输层、发光层的顺序层叠的两层结构。空穴传输层由导电性高分子即PEDOT(聚乙烯二羟基噻吩)及掺杂剂即PSS(聚苯乙烯磺酸)形成，发光层优选聚亚苯基亚乙烯类发光材料和聚芴类发光材料等共轭双键高分子发光材料。有机化合物层14既可以是单层也可以是3层以上。
对置电极16由功函数比像素电极12低的材料形成，例如，由包含铟、镁、钙、锂、钡、稀土类金属的至少一种单体或合金形成。此外，对置电极16既可以是层叠了上述各种材料的层的层叠结构，也可以是除以上各种材料的层外还沉积金属层的层叠结构，具体地，可列举出在与有机化合物层14相接的界面侧成膜的低功函数的高纯度的钡层和覆盖钡层的铝层的层叠结构，及在下层设有锂层、在上层设有铝层的层叠结构。
在晶体管阵列面板30表面侧的表面设置有扫描线2、数据线3、供给线4、开关晶体管5、保持晶体管6、驱动晶体管7、电容器8、像素电极12及隔壁20。
晶体管矩阵面板30将透明绝缘基板32作为基底，在绝缘基板32上构图绝缘膜、导电膜、半导体膜、杂质半导体膜等，由此设置有扫描线2、数据线3、供给线4、开关晶体管5、保持晶体管6、驱动晶体管7及电容器8。
开关晶体管5、保持晶体管6及驱动晶体管7都具有逆交错结构。即，开关晶体管5、保持晶体管6及驱动晶体管7都包括在绝缘基板32上形成的栅极G、夹持覆盖栅极的栅绝缘膜34且与栅极的对置的半导体膜SC、在半导体膜SC的中央部上形成的沟道保护膜BL、在半导体膜SC的两端部上相互隔离形成的杂质半导体膜ISC、在另一侧的杂质半导体膜上形成的漏极D、及在另一侧杂质半导体膜上形成的源极S。如图9所示，通过在数据线3及供给线4的整个区域形成栅绝缘膜34，数据侧驱动器23的各凸起，通过设置在栅绝缘膜34的接触孔与露出的数据线3的端子部相连接。对置电极16设置成覆盖隔壁20的整个区域并且周边部16a围绕隔壁20。因此，如图5所示，由于隔壁20的台阶，即使对置电极16在隔壁20的角部20a断裂，由于没有设置隔壁20的对置电极16的周边部16a也连续，所以能够在整个像素区域使对置电极16的电压均等。
开关晶体管5、保持晶体管6及驱动晶体管7的栅极由在绝缘基板32上整个面成膜的导电膜的构图来形成，除栅极外，数据线3、电容器8的一个电极也由此导电膜的构图来形成。
栅绝缘膜34在整个面成膜，用共同的栅绝缘膜34覆盖开关晶体管5、保持晶体管6及驱动晶体管7的栅极、数据线3、电容器8的一个电极。
开关晶体管5、保持晶体管6及驱动晶体管7的源极和漏极由在栅绝缘膜34上整面成膜的导电膜的构图来形成，除源极和漏极外，扫描线2、供给线4、电容器8的另一个电极也由此导电膜的构图来形成。因此，在数据线3和扫描线2之间夹有栅绝缘膜34，在数据线3和供给线4之间夹有栅绝缘膜34。与开关晶体管5、保持晶体管6及驱动晶体管7一起，扫描线2、供给线4、电容器8的另一个电极，由共同的过敷绝缘膜36覆盖，过敷绝缘膜36的表面成为晶体管阵列面板30的表面。再有，在过敷绝缘膜36的表面成膜了树脂等平坦化膜，可以利用平坦化膜来消除由扫描线2、供给线4、开关晶体管5、保持晶体管6、驱动晶体管7及电容器8等引起的凹凸，此情况下，平坦化膜的平坦的表面成为晶体管阵列面板的表面。
开关晶体管5及保持晶体管6的栅极通过在栅绝缘膜34上形成的连接孔44与扫描线2接触，开关晶体管5的漏极和源极中的一个通过在栅绝缘膜34上形成的连接孔38与数据线3接触，保持晶体管6的漏极和源极中的一个通过在栅绝缘膜34上形成的连接孔40与电容器8的一个电极接触。电容器8的另一个电极通过在过敷绝缘膜36上形成的连接孔42与像素电极12接触。
栅绝缘膜34及过敷绝缘膜36都由相同的绝缘材料形成，优选由氮化硅或氧化硅形成。而且，在数据线3上形成隔壁20，并形成有对置电极16以覆盖隔壁20，在对置电极16和数据线3之间夹入隔壁20、过敷绝缘膜36，由此形成寄生电容Cpd。
寄生电容Cpd用式(1)表示：
(数学式2)
C pd = ϵ 0 ϵ a ϵ b ϵ a D b + ϵ b D a - - - ( 1 )
在此，ε0为真空的介电常数，εa为栅绝缘膜34及过敷绝缘膜36的相对介电常数，Da为栅绝缘膜34和过敷绝缘膜36的总膜厚，εb为隔壁20的相对介电常数，Db为隔壁20的厚度。再有，沟道保护膜BL夹在对置电极16和数据线3之间，且与栅绝缘膜34及过敷绝缘膜36一起由相同的材料形成，如果构图同材料的层，一起形成沟道保护膜BL及沿数据线3的保护层，Da成为栅绝缘膜34、过敷绝缘膜36及沟道保护膜BL的总膜厚。
此时，寄生电容Cpd越小越好，在选择期间设从供给线4到数据线3之间的数据电流的路径整体的寄生电容为Ctotal的情况下，考虑寄生电容Cpd对晶体管5～7的设计不产生较大的影响，为了使数据线3不引起显著延迟，优选寄生电容Cpd为寄生电容Ctotal的20％以下。在此，改变晶体管5～7中的栅绝缘膜34、过敷绝缘膜36、沟道保护膜BL的各自的厚度，必须改变TFT的特性并较大地改变整体的设计，所以预先固定较好。同样地，栅绝缘膜34、过敷绝缘膜36、沟道保护膜BL的绝缘材料的选定即代替相对介电常数，也同样需要整体设计的变更，所以预先固定较好。因此，式(1)中，比较能够容易变化的参数为隔壁20的厚度Db。但是，为了使寄生电容Cpd比寄生电容Ctotal的5％小，必须非常厚地沉积隔壁的厚度Db，从制造工艺的观点看不是优选的。因此，设定隔壁20的厚度Db以成为式(2)的范围。
(数学式3)
C total 20 ≤ ϵ 0 ϵ a ϵ b ϵ a D b + ϵ b D a ≤ C total 5 - - - ( 2 )
作为寄生电容Ctotal的成分有数据线3和扫描线2的重合部分的寄生电容、数据线3和供给线4的重合部分的寄生电容、扫描线2的条数×开关晶体管5的栅极-源极间的寄生电容、驱动晶体管7的栅极的寄生电容、及像素电极12及电容器8的电容。
再有，作为EL显示板1的其它设定条件，像素的宽度(包括隔壁20的宽度的像素的间距)为330μm(EL显示板1为10.4″VGA时)以上，600μm(EL显示板1为37″WXGA时)以下；扫描线2的条数是768条(但，WXGA时上下分割，所以各384条)，480条(VGA时)或1080条(但，总HD时上下分割，所以各540条)；像素的容量是0.252fF/μm2，像素的数值孔径(像素区域的面积中的发光区域的面积的比例)为30％；选择期间为43.4μs(在60Hz驱动下，选择期间最长的情况，即扫描线2的条数最小的情况，WXGA上下分割384条)以下，最低亮度电流为5.2nA/dot以上(EL显示板1是10.4″VGA且灰度等级是8bit，最高亮度设定为300nit～500nit，像素的特性设定为12.0cd/A)。
此外，像素的亮度灰度等级是256级的情况下，无发光为第0级，设定最大亮度灰度等级为第255级。为了在整个灰度等级中不引起灰度等级反转，进行平衡好的显示，优选规定寄生电容Cpd，以使第2级的写入率为20％以上，且第255级的写入率为90％以上。在此，写入率是实际在有机EL元件10中流动的驱动电流的电流值相对于在由数据侧驱动器23控制的数据线3中流动的数据电流的比率。在此，除不发光外，不设定为作为最低的亮度灰度等级的第1级的写入率，而是设定为第2级的写入率的理由是因为反馈(feed through)电压的效果过大，在寄生电容引起的写入率的条件中不适合。
作为隔壁20适用了聚酰亚胺的情况下，此相对介电常数εb成为2.6～3.4的范围。例如，隔壁20的相对介电常数εb为3.0时，寄生电容Cpd和隔壁20的厚度Db的关系如图6所示。
在此，EL显示板1各部分的设定是表1(开关晶体管5、保持晶体管6、驱动晶体管7的阈值电压Vth为0.5V)中所示的设定时，在选择期间若计算从供给线4到数据线3之间的数据电流的整体路径的寄生电容Ctotal的各成分，如表2所示。在此，栅绝缘膜34、沟道保护膜BL及过敷绝缘膜36都是氮化硅，将相对介电常数设定为6.4。此外，栅绝缘膜34及沟道保护膜BL的总厚度为420nm，过敷绝缘膜36设定为200nm。
[表1]
Figure C200610163551D00161
[表2]
Figure C200610163551D00162
在表2中，“C1”是数据线3和供给线4的重合部分的寄生电容，“C2”是数据线3和扫描线2的重合部分的寄生电容，“C3”是开关晶体管5的数量即扫描线2的条数×每一个开关晶体管5的寄生电容的总寄生电容，“C4”是驱动晶体管7的栅极的寄生电容，“C5”是像素电极12及电容8的电容。此外，在表2中，“Cpd的上限”是根据电容C1～C5及式(2)算出的隔壁20的厚度成为下限时的寄生电容Cpd，“Cpd的下限”是根据电容C1～C5及数学式(2)算出的隔壁20的厚度为上限时的寄生电容Cpd。此外，在表2中，“Ctotal的下限”是寄生电容Cpd下限时的寄生电容Ctotal，“Ctotal的上限”是寄生电容Cpd上限时的寄生电容Ctotal。
寄生电容Cpd的下限设定的情况，在图7中示出了各个输出灰度等级特性，其中第2级及第255级的写入率示于表3。在图7中，横轴的“Input data”是用8bit表示在由数据侧驱动器23控制的数据线3中流动的数据电流的灰度等级，纵轴的“Output data”是用8bit表示在有机EL元件10中流动的驱动电流的灰度等级。为了视觉上便于辨认，均作为256以上，但8bit的情况实际上到255为止。由表3可知，第2级的写入率为20％以上，且最大亮度的第255级的写入率为90％以上。
表3
 
输入 VGA10.4″ WXGA32″ WXGA37″ HD45″
2 22％ 43％ 24％ 29％
255 100％ 107％ 104％ 100％
在表4中示出了寄生电容Cpd为寄生电容Ctotal的20％以下的隔壁20的厚度Db、即厚度Db的下限，在表5中示出了寄生电容Cpd为寄生电容Ctotal的5％以上的隔壁20的厚度Db，即厚度Db的上限。
表4
 
ε<sub>b</sub> VGA10.4″ WXGA32″ WXGA37″ HD45″
2.6 2.7 2.3 2.0 2.4
3.0 3.1 2.6 2.3 2.7
3.4 3.5 3.0 2.6 3.0
             单位是μm
表5
 
ε<sub>b</sub> VGA10.4″ WXGA32″ WXGA37″ HD45″
2.6 13.5 11.5 10.1 11.8
3.0 15.6 13.3 11.7 13.6
34 17.7 15.1 13.2 15.4
             单位是μm
由表4可知，最低限度所必需的相对介电常数εb为2.6～3.4的隔壁20的厚度在2.0～3.5μm的范围，由表5可知，受寄生电容限制的相对介电常数εb为2.6～3.4的隔壁20的厚度的上限为10.1～17.7μm的范围。
在上述实施方式中，根据数据线3的寄生电容，使隔壁20的厚度最佳化，以下根据有机EL元件10的有机EL化合物层的成膜的观点，使隔壁20的厚度最佳化。在此，通过使作为有机化合物层14的材料溶解在溶媒中的溶液、或分散作为有机化合物层14的材料的分散液流入隔壁20、20之间而形成有机化合物层14。利用喷墨法形成有机化合物层14时，每一像素中，按照液滴的量，吐出1～几十滴的液滴。此时，不使液滴越出隔壁20溢到相邻的像素所需的隔壁20的厚度，能够用式(3)表示，这表示于图8。在式(3)中，W是隔壁20的宽度，L是一个像素的长度，P是一个像素的宽度(间距)，ρ是液滴量。即，每个像素能容纳液滴的容积ρ为ρ＝宽(P-W)×长L×高H，隔壁20的厚度Db可以是该高度以上。
(数学式4)
Db>ρ/(P-W)·L               (3)
在图8中，示出在隔壁20、20之间加入作为有机化合物层14的一个60pl的液滴时的液滴的高度，横轴是像素的宽度，纵轴为液滴的高度。10.4″VGA中，RGB 3个部分的像素的宽度为330μm，在32″WXGA中，RGB 3个部分的像素的宽度为510μm，在37″WXGA中，RGB 3个部分的像素的宽度为600μm。根据图8可知，即使在10.4″VGA的各像素中用1滴就能完全形成有机化合物层14，最低限度2.0μm厚度的隔壁20也是必需的，长度相对于像素的宽度为3倍，在各像素的3个位置一滴滴地滴下，能够使厚度整体均匀时，需要厚度6.0μm的隔壁20。
如上，根据本实施方式，由于隔壁20的厚度Db设定为满足上述式(2)，所以能够抑制因对置电极16和数据线3之间的寄生电容的影响而导致的数据电流的延迟。
此外，在上述实施例中，在图4所示的结构中，在数据线3和对置电极16之间夹入栅绝缘膜34，如图10所示，可以将与驱动晶体管7的源极S、漏极D相同的材料膜进行构图，与源极S、漏极D一起形成数据线3，在栅绝缘膜34的上方配置数据线3。

Claims (10)

1.一种显示板，包括：
发光元件；
具有与上述发光元件串联连接的驱动晶体管的像素电路；
经由上述像素电路提供数据电流的数据线；
用于选择上述像素电路的扫描线；
覆盖上述数据线的第一绝缘膜；以及
覆盖上述数据线及上述第一绝缘膜且由与上述第一绝缘膜不同的材料构成的第二绝缘膜，
在设经由上述像素电路直至上述信号线为止的所有路径的寄生电容为Ctotal、真空的介电常数为ε0、上述第一绝缘膜的相对介电常数为εa、上述第一绝缘膜的总膜厚为Da、上述第二绝缘膜的相对介电常数为εb、上述第二绝缘膜的厚度为Db的情况下，满足以下数学式1：
C total 20 &le; &epsiv; 0 &epsiv; a &epsiv; b &epsiv; a D b + &epsiv; b D a &le; C total 5 .
2.根据权利要求1所述的显示板，上述第二绝缘膜的相对介电常数为2.6～3.4且厚度为2.0～17.7μm。
3.根据权利要求1所述的显示板，上述第一绝缘膜包括上述驱动晶体管的栅绝缘膜。
4.根据权利要求1所述的显示板，上述第一绝缘膜包括覆盖上述驱动晶体管的过敷绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的显示板，上述第一绝缘膜包括对成为上述驱动晶体管的沟道保护膜的相同层进行构图并与沟道保护膜一起形成的保护膜。
6.根据权利要求1所述的显示板，上述第一绝缘膜包括栅绝缘膜、过敷绝缘膜、沟道保护膜中的至少2个膜，相对介电常数均相同。
7.根据权利要求1所述的显示板，上述第一绝缘膜包括栅绝缘膜、过敷绝缘膜、沟道保护膜中的至少2个膜，均为相同材料的膜。
8.根据权利要求1所述的显示板，
上述发光元件包括有机化合物层；
上述第二绝缘膜是隔离上述有机化合物层的隔壁。
9.根据权利要求1所述的显示板，在上述第二绝缘膜上形成有对置电极。
10.根据权利要求1所述的显示板，上述像素电路是电流驱动型的像素电路，该像素电路向上述发光元件供给以在上述数据线中流动的数据电流的电流值为依据的电流值的驱动电流。
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