CN100524148C

CN100524148C - 参数修正电路和参数修正方法

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Publication number: CN100524148C
Application number: CNB2003101195259A
Authority: CN
Inventors: 朴井高宏; 西川和彦
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-11-29
Filing date: 2003-12-01
Publication date: 2009-08-05
Anticipated expiration: 2023-12-01
Also published as: CN101588170A; US20090234612A1; US7552023B2; US7152009B2; US20040108881A1; US8019565B2; CN1504853A; US20070088517A1

Abstract

一种参数修正电路中，在LSI的端子(9)上连接有电阻值为目标值的高精度的基准电阻元件(R)。从已连接到恒流源(1)上的镜像电路(2)向上述基准电阻元件流以恒流(I1)，用电压测量电路(7)测量在基准电阻元件(R)上产生的电压值。从镜像电路(2)向作为修正对象的可变电阻元件(Rv)流以同一恒流(I1)，使得这时在可变电阻元件(Rv)上产生的电压变成为在上述基准电阻元件(R)上产生的电压那样地调整可变电阻元件(Rv)的电阻值。因此，即便是因制造离差等而得不到恒流源(1)的恒流(I1)的绝对精度的情况下，也可以把可变电阻元件(Rv)的电阻值精度良好地修正为目标值。

Description

参数修正电路和参数修正方法

技术领域

本发明涉及对电阻元件等的参数的制造离差进行修正的参数修正电路和参数修正方法，特别是涉及适合于例如用于记录型光盘的数据写入/读出系统中的半导体集成电路所具备的PLL(锁相环)电路中使用的参数修正电路和参数修正方法。

背景技术

以往，在记录型光盘，例如DVD-R或DVD-RAM中，在其光道中物理性地存在着被叫做摇摆(wobble)的地址信号。在像这样的记录型光盘的数据写入/读出系统用的半导体集成电路中具备的PLL电路中，采用把该摇摆信号倍频到186倍的办法，产生记录用时钟，以该记录用时钟为基准，对未记录状态的记录型光盘进行数据写入。

然而，这样的PLL电路，如图10所示，具备相位比较器50、电荷泵电路51、滤波器电路52、压控振荡器53和分频器54。对于向记录型光盘进行的数据写入来说，在把其写入的倍速设定为1倍速、2倍速、4倍速、8倍速等多个倍速的情况下，必须根据该所设定的倍速变更PLL电路的锁相环带宽。要想变更该锁相环带宽，一般地说，在图11所示的开环特性图中，就必须在使增益交点fc、极点fpole和零点fzero的比保持恒定的同时进行变更。例如，要从1倍速变更到2倍速时，就必须使上述增益交点fc、极点fpole和零点fzero分别变成为2倍。

作为如上所述地边保持上述比恒定边变更锁相环带宽的要素，具体地说，需要改变上述滤波器电路52中具备的电阻52r的电阻值、从电荷泵电路51输出的电荷泵电流、压控振荡器53的增益、分频器54的分频比等。

就变更在滤波器电路52中具备的电阻52r的电阻值以变更锁相环带宽来说，在半导体集成电路的内部具备该电阻52r的情况下，伴随着该半导体集成电路的制造工艺的波动，在该半导体集成电路的内部产生的电阻52r的电阻值也将波动，所以要进行内置是困难的。出于这样的关系，滤波器电路52中具备的电阻52r，如图10所示，以外接零件的形式而存在。

但是，在作为外接零件而具备电阻52r的情况下，尽管根据写入的倍速必须具备多个电阻52r，但是，由于半导体集成电路具备的端子的个数上存在着限制，所以作为外接零件要具备与要设定的倍速数相等的电阻52r，是困难的。此外，在DVD-R或DVD-RAM等的各种的记录型光盘中，由于要使用的锁相环带宽各不一样，所以如果想要使PLL电路在各种的记录型光盘中兼用，则电阻52r的个数就要变成为倍速数×要应对的记录型光盘的种类，要用在半导体集成电路中具备的端子数的话，以外接的方式具备必要个数的电阻52r，是困难的。

于是，例如，在专利文献1中讲述了这样的技术：在把修正电阻的制造离差的影响的参数修正电路内置于半导体集成电路内的同时，把可变电阻内置于半导体集成电路内，变更该可变电阻的电阻值。人们认为如果用该技术，在根据写入的倍速变更内置于半导体集成电路内的可变电阻的电阻值，则在该电阻值的变更、调整时，就可以使用上述参数修正电路把电阻值调整为希望值。根据这种构思，则对于1种记录型光盘来说，就没有必要在半导体集成电路上外接多个电阻。

以下，如图12所示提出这样的参数修正电路的方案，并对该参数修正电路进行说明。

图12的电路图示出的是基于上述想法的参数修正电路的构成。在这里，对参数是电阻元件的情况进行说明。

在同图中，1是电流源，2是连接到上述电流源上、由2个晶体管构成的镜像电路，Rv是可使电阻值从0Ω到RvΩ进行切换的可变电阻元件，7是电压测量电路，8是CPU。

恒流源1被连接到镜像电路2上，镜像电路2使与上述恒流源1的电流相等的电流I1在可变电阻元件Rv中流动。该可变电阻元件Rv的一个端子连接到上述镜像电路2上，另一个端子则连接到接地(GND)上。电压测量电路7连接到上述镜像电路2上，在电流从镜像电路2向可变电阻元件Rv流动时，测量在可变电阻元件上产生的电压，并对该所测量的电压进行A/D转换后输出。CPU8接受来自上述电压测量电路7的A/D转换后的电压，根据在该可变电阻元件Rv上产生的电压，对可变电阻元件Rv的电阻值进行调整、设定。

以下，具体地说明由现有的参数修正电路进行的可变电阻元件Rv的电阻值的修正动作。首先，设可变电阻元件Rv的电阻值因制造离差而变成为产生了偏差的所定值R1而不是目标值R。该所定值R1当然事先不知道。最初，根据恒流源1预先得知的电流值I1借助于镜像电路2提供给可变电阻元件Rv。这时，用电压测量电路7测量在可变电阻元件Rv上产生的电位差V1＝R1·I1，该电位差V1向CPU8输出。CPU8在可变电阻元件Rv的电阻值是目标值R的情况下，对在可变电阻元件Rv中流动恒流源1的电流I1时在可变电阻元件Rv上产生电位差V(R·I1)，与实际上在上述可变电阻元件Rv上产生的电位差V1之间的大小比率进行运算，并根据该运算结果V/V1调整可变电阻元件Rv的电阻值。例如，在归因于制造离差使得可变电阻元件Rv的电阻值变成为目标值R的2倍时，由于变成为V1＝R1·I1＝2R·I1，V/V1＝0.5，所以在把多个单位电阻串联连接起来构成可变电阻元件Rv的情况下，就对可变电阻元件Rv调整、设定当初的电阻值的一半的值。

然后，在结束了电阻值修正后的正常状态下，通过关闭恒流源1以便不使电流在可变电阻元件Rv中流动，可以把已进行了电阻值修正后的可变电阻元件Rv作为电阻输出取出来使用。但是，假定：可变电阻元件Rv的电阻值的上限值Rv，已预先料定并制作为使得满足Rv>R、R1。

[专利文献1]

特开平03-150613号公报

但是，在图12所提案的参数修正电路的构成中，当恒流源1因制造离差等而输出与电流值I1不同的电流值时，存在着这样的课题：CPU8出于把从恒流源1输出规定的电流值I1当作输出电流值进行运算的关系，不能精度良好地把可变电阻元件Rv的电阻值调整到目标值。

例如，当恒流源1的实际的电流值归因于制造离差而变成为比期望值I1小10％的值，即变成为0.9·I1时，由于用电压测量电路7测量的电压值V1’，将变低为V1’＝0.9·I1·R1，所以V/V1’变成为V/V’＝1.1·V/V1，可变电阻元件Rv的调整后的电阻值，变成为比目标值R大10％的电阻值，不能精度良好地调整到目标值R。

发明内容

本发明是要解决这样的问题的发明，目的在于在参数修正电路或参数修正方法中，可以精度良好地修正电阻元件等的参数，而不会受在内部具备的恒流源等的零件的制造离差的影响。

为了实现上述目的，在本发明中采取的对策是：在半导体集成电路的内部具备的参数修正电路中，采用在该半导体集成电路上，连接已事先知道参数值的基准参数，从镜像电路向该基准参数内流入电流，检测该镜像电路的电流值，并在其基础上修正作为修正对象的可变参数的办法，使得不会受镜像电路等的制造离差的影响。

就是说，第1方面的发明的参数修正电路，内置于半导体集成电路内，其特征在于：所述半导体集成电路具备：电流供给电路、可变参数、多个开关电路、电压测量电路、以及调整所述可变参数的参数值的调整电路，在所述多个开关电路中的某一个上，连接有已预先知道参数值的基准参数，所述多个开关电路，切换所述电流供给电路、所述基准参数、所述可变参数以及所述电压测量电路间的电连接，所述电压测量电路，在由所述电流供给电路分别向所述基准参数和可变参数供给电流时，分别测量在所述基准参数和所述可变参数上产生的电压，所述调整电路，根据由所述电压测量电路测量的所述基准参数和所述可变参数的电压，调整所述可变参数的参数值。

第2方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，上述可变参数和基准参数，是可变电阻元件和基准电阻元件。

第3方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，上述可变参数和基准参数，是可变电感和基准电感。

第4方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，上述可变参数和基准参数，是可变电容元件和基准电容元件。

第5方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，上述基准参数，配置在上述半导体集成电路的外部，连接到上述半导体集成电路的外部端子上。

第6方面的发明，其特征在于：在上述第5方面的参数修正电路中，所述基准参数，是共用原本已连接在所述半导体集成电路的所述外部端子上的、参数值已预先知道的参数。

第7方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，所述基准参数，内置于所述半导体集成电路内。

第8方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，内置所述参数修正电路的半导体集成电路，是具备相位比较器、电荷泵、滤波器电路、压控振荡器及分频器的PLL电路，所述滤波器电路由电阻元件和电容元件构成，所述可变参数作为所述电阻元件或电容元件被内置于所述半导体集成电路内。

第9方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，所述电流供给电路具备：电流源、和与所述电流源连接、从输出端子流出与所述电流源的电流对应的电流的镜像电路。

第10方面的发明，其特征在于：在上述第9方面的参数修正电路中，上述多个开关电路，具备第1和第2开关电路，上述第1开关电路配置在上述镜像电路和上述基准参数之间，上述第2开关电路配置在上述镜像电路和上述可变参数之间。

第11方面的发明，其特征在于：在上述第10方面的参数修正电路中，上述多个开关电路，还具备第3开关电路，上述第3开关电路，连接到上述镜像电路的输出端子上，上述电压测量电路，测量从上述镜像电路向第3开关电路流以电流的情况下的第3开关电路的电压。

第12方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，所述电流供给电路，具备：电流源，和与所述电流源连接，使与所述电流源的电流同一值的电流、从第1输出端子流向所述基准参数并且从第2输出端子流向所述可变参数的镜像电路。

第13方面的发明，其特征在于：在上述第12方面的参数修正电路中，多个开关电路，具备第1和第2开关电路，上述第1开关电路配置在上述基准参数和上述电压测量电路之间，上述第2开关电路配置在上述可变参数和上述电压测量电路之间。

第14方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，所述电流供给电路，具备负载电路，所述负载电路，具备：源极与电源或接地连接，从漏极供给电流的晶体管；和与所述晶体管的栅极连接，控制所述晶体管的ON/OFF的开关电路。

第15方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，所述电压测量电路，具备：保持所述基准参数的电压的采样保持电路；和将所述可变参数的电压与被所述采样保持电路保持的所述基准参数的电压进行比较的比较器。

第16方面的发明，其特征在于：在上述第2方面的参数修正电路中，将所述可变电阻元件的电阻值修正为目标值后，用作取出当由所述电流供给源或其它电流供给源向所述可变电阻元件提供电流时在所述可变电阻元件中产生的电压的电流电压变换器。

第17方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，在所述半导体集成电路中，具备与所述可变参数同一构成的另一可变参数，所述另一可变参数，可实施与在所述参数修正电路中具备的可变参数同样的参数值调整。

第18方面的发明，其特征在于：在上述第3方面的参数修正电路中，所述可变电感的电感值被修正为目标值后，用作振荡频率被设定在规定频率的振荡电路。

第19方面的发明，其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，所述可变参数，由多个单位参数串联连接构成，可以取出在所具备的全部单位参数中，连续的任意个数的单位参数的串联电路。

第20方面的发明其特征在于：在上述第1方面的参数修正电路中，所述可变参数，由多个单位参数并联连接构成，可以取出在所具备的全部单位参数中，连续的任意个的单位参数的并联电路。

第21方面的发明，是用计算机修正可变参数的参数值的参数修正方法，其特征在于：所述计算机，将电流供给电路连接到预先知道参数值的基准参数上；由所述电流供给电路向所述基准参数供给电流，测量这时在所述基准参数上产生的电压；根据在所述基准参数上产生的电压和所述基准参数的参数值，计算出由所述电流供给电路所供给的电流值，并根据该电流值计算出在所述可变参数的参数值为目标值时的可变参数上产生的目标电压；然后，由所述电流供给电路向所述可变参数供给电流，这时，边测量在所述可变参数上产生的电压，边对可变参数的参数值进行修正使得该电压成为所述目标电压。

由以上可知，依据第1到第21方面的发明，由于可以采用从已连接到电流源上的镜像电路向已预先知道参数值的基准参数流以电流的办法，检测在这时的基准参数中产生的电压，并根据该电压计算电流源的电流值，所以即便是因电流源的制造离差而使得其电流值产生不一致，也可以与各自的电流源的电流值对应起来修正可变参数的参数值。

特别是在第11方面的发明中，在进行在基准参数和可变参数中产生的电压的测量时，即便是第1和第2开关电路的参数值会给该电压值造成影响，但由于可以另外从镜像电路向第3开关电路流以电流，测量这时在第3开关电路中产生的电压，所以只要从分别在基准参数和可变参数中产生的电压中减去在上述第3开关电路中产生的电压的量，就可以消除第1和第2开关电路的影响，就可以精度更为良好地进行可变参数的修正。

此外，在第13方面的发明中，由于基准参数不通过开关电路地连接到镜像电路的第1输出端子上，此外，可变参数也不通过开关电路地连接到镜像电路的第2输出端子上，所以在这些参数中产生的电压的测量或参数值的计算时，就可以进行高精度的参数修正而无须考虑开关电路的参数值。

再有，在第14方面的发明中，最初，把基准参数串接到负载电路上，测量设置在基准参数中产生的电压，然后，把可变参数串接到负载电路上，使得这时在可变参数中产生的电压变成为与在上述基准参数中产生的电压相等那样地调整可变参数的参数值。因此，只要预先把基准参数选定为与可变参数的目标值相等的值的参数，就可以把可变参数的参数值修正为目标值而不会受负载电路的制造离差的影响。

如上所述，依据第1到第21方面的发明，在半导体集成电路的内部具备可变参数，和该可变参数的修正电路的情况下，当使用在半导体集成电路的内部具备的电流供给电路进行该可变参数的修正时，即便是存在着含于该电流供给电路中的镜像电路或恒流源等的制造离差，使得得不到其绝对精度，也可以精度良好地把可变参数的参数值修正为目标值。

特别是倘采用第11方面的发明，在借助于第1和第2开关电路切换向基准参数流的电流和向可变参数流的电流的情况下，即便是在存在着这些开关电路的参数值的影响时，也可以除去它们的影响，精度良好地进行可变参数的修正。

再有，倘采用第13方面的发明，由于从镜像电路不通过开关电路地直接流以向基准参数和可变参数流的电流，所以可以精度良好地把可变参数的参数值修正为目标值而不会受开关电路的参数值的影响。

附图说明

图1示出了含有本发明的实施形态1的参数修正电路的半导体集成电路的全体概略构成。

图2(a)示出了本发明的实施形态1的参数修正电路的构成，(b)示出了本发明的实施形态2的参数修正电路的构成，(c)示出了本发明的实施形态3的参数修正电路的构成。

图3示出了本发明的实施形态2的参数修正电路的构成。

图4(a)示出了本发明的实施形态3的参数修正电路的构成，(b)示出了用电容元件置换了作为同图(a)的参数的可变电阻元件的情况下的参数修正电路的构成。

图5示出了本发明的实施形态4的参数修正电路的构成。

图6示出了本发明的实施形态5的参数修正电路的构成。

图7(a)示出了本发明的实施形态6的参数修正电路的构成，(b)示出了用电感置换了作为同图(a)的参数的可变电阻元件的情况下的参数修正电路的构成，(c)示出了用电容元件置换了作为同图(a)的参数的可变电阻元件的情况下的参数修正电路的构成。

图8是表示本发明实施形态12的振荡电路的构成的图。

图9(a)示出了可变电阻元件的内部构成，(b)示出了可变电感的内部构成，(c)示出了可变电容元件的内部构成。

图10示出了内置PLL电路的现有的半导体集成电路的全体概略构成图。

图11示出了PLL电路的锁相环特性。

图12示出了现有的参数修正电路的构成。

具体实施方式

以下，边参看附图边对本发明的实施形态进行说明。

(实施形态1)

在图中，100是例如记录型光盘的写入/读出用系统用等的半导体集成电路(LSI)，101是PLL电路。上述PLL电路101，具备：相位比较器102、电荷泵103、滤波器电路104、压控振荡器105和分频器106。上述滤波器电路104具备可变电阻元件Rv和2个电容元件C1、C2。上述PLL电路101，除去上述滤波器电路104的2个电容元件C1、C2之外，内置于上述半导体集成电路100内。在上述滤波器电路104中，配置在半导体集成电路100的外部的2个电容元件C1、C2，通过半导体集成电路100的外部端子t1与配置在半导体集成电路100的内部的可变电阻元件Rv进行连接，通过外部端子t0与配置在半导体集成电路100的内部的电荷泵103进行连接。

在上述PLL电路101中，相位比较器102对外部基准时钟CLex和来自上述分频器106的内部时钟CLin之间的相位进行比较，根据其相位差向电荷泵电路103送出UP信号或DOWN信号。电荷泵电路103，根据来自上述相位比较器102的UP信号或DOWN信号使滤波器电路104充电或放电。滤波器电路104，对来自电荷泵电路103的充电和放电动作进行积分后变换成直流电压，当作压控振荡器105的输入电压。通过该输入电压，使压控振荡器105的输出频率产生变化，分频器106使来自上述压控振荡器105的输出频率进行分频。采用反复进行这一连串的动作的办法，最终使外部基准时钟CLex和内部时钟CLin的相位同步。

因数据写入的倍速，例如在记录型光盘是DVD-R或DVDRW等的情况下被设定成2倍速、4倍速、8倍速等多个，所以为了相应所选择的倍速来变更PLL电路101的锁相环带宽，而设置了在上述PLL电路101的滤波器电路104中具备的可变电阻Rv，并将其配置在半导体集成电路100内。另外，在PLL电路兼用于DVD-R或DVD-RW以及RAM的情况下，2个电容元件C1、C2的组合，也可以设置3种电容元件组，并与它们分开设置。

此外，在上述半导体集成电路100内，内置有参数修正电路A。该参数修正电路A，作为可变参数具有上述可变电阻Rv。以下，说明该参数修正电路A的构成的具体例。

图2(a)示出了上述参数修正电路A的构成。在这里，作为参数以已经说明的可变电阻元件Rv的情况进行说明。

在图2(a)中，IS是电流供给电路，它由电流源1、和由根据上述电流源1的电流而流动与该电流值相等的电流I1的晶体管构成的镜像电路2构成。3和4是独立的开关电路，R是配置在LSI100的外部的基准电阻元件(基准参数)，Rv是其阻抗值可从0Ω～最大值RvΩ可变的可变电阻元件(可变参数)，是在上述图1中说明的可变电阻元件Rv。此外，7是电压测量电路，8是CPU(计算机)。

在本实施形态的参数修正电路中，电流源1连接到镜像电路2上，在镜像电路2的输出端子2a上，通过第1开关电路3和LSI100的外部端子9连接基准电阻元件(基准参数)R的一端，基准电阻元件R的另一端则连接到接地(GND)上，向基准电阻元件R供给与来自恒流源1的电流相等的电流值为I1的电流。同样，在镜像电路2的输出端子2a上，通过第2开关电路4连接可变电阻元件(可变参数)Rv的一端，该可变电阻元件Rv的另一端则连接到GND上。

此外，在镜像电路2的输出端子2a上连接有电压测量电路7，该电压测量电路7测量在基准电阻元件R和可变电阻元件Rv上产生的电压，并在对该电压进行了A/D转换后向CPU8(计算机)输出。CPU8(调整电路)根据用上述电压测量电路7测量的电压等进行规定的运算，并调整、设定可变电阻元件Rv的电阻值使得与该运算结果一致。

其次，对本实施形态的参数修正电路的动作进行说明。

首先，对可变电阻元件Rv的电阻值的修正时的动作进行说明。第1开关电路3设定为ON，第2开关电路4设定为OFF。在该状态下，恒流源1的电流值I1借助于镜像电路2通过第1开关电路3提供给基准电阻元件R。这时，电阻值Rr的基准电阻元件R上产生的电位差Vr＝Rr·I1被电压测量电路7测量，该电压值Vr被输出至CPU8，并被存储。由于基准电阻元件R的电阻值Rr是预先知道的，所以恒流源1的电流值I1可以求得为I1＝Vr/Rr。要通过该电流值I1使得可变电阻元件Rv成为目标值R的电阻值，可通过调整使得用电压测量电路7得到的测量电压R·I1满足R·I1＝R·Vr/Rr即可。

其次，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4设定为ON。这一次，要借助于镜像电路2通过第2开关电路4把同一恒流源1的电流值I1提供给可变电阻元件Rv。在这里，假定可变电阻元件Rv的电阻值，因制造离差变成为所定值R1而不是目标值R。该电阻值当然不可能事先知道。这时，在可变电阻元件Rv上产生的电位差V1为V1＝R1·I1，它可用电压测量电路7进行测量，通过对可变电阻元件Rv的电阻值进行调整，使得该电压值V1变成为先前运算的电压值R·Vr/Rr。

对于通常时的动作来说，要把恒流源1设定为OFF，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4设定为ON。通过把可变电阻元件Rv维持为调整后的设定的办法，可以作为电阻输出取出使用。

在这里，在外部搭载的基准电阻元件R，与内置于LSI100内的可变电阻元件Rv相比，由于可以搭载电阻值的精度高的电阻，所以例如在作为基准电阻元件R选择了精度1％误差的电阻值的情况下，由于恒流源1所流动的电流值I1’可计算为I1’＝Vr/(Rr·0.99)＝1.01·I1，所以对于目标值R来说可以把可变电阻元件Rv的电阻值修正为误差在1％以内的电阻值。

如上所述，依据本实施形态，通过把基准电阻元件R搭载到LSI100的外部，并使该基准电阻元件R中流动的电流值I1精度较高，可以提供不受恒流源1的制造离差的影响的参数修正电路。

另外，可变电阻元件Rv的电阻值的上限值(使用同一标号Rv)可以采用预先估计为使得满足Rv>R、R1的办法进行制作，此外，第1和第2开关电路3、4本身的电阻值假定已设计为可以忽略其影响那种程度地小的值。

此外，在本实施形态中，虽然说明的是把镜像电路2配置在电源一侧，把基准电阻元件R和可变电阻元件Rv配置在GND一侧的构成，但是，不言而喻也可以作成为把镜像电路2配置在GND一侧，把基准电阻元件R和可变电阻元件Rv配置在电源一侧的构成，或者，对于基准电压来说把这些镜像电路2和基准电阻元件R以及可变电阻元件Rv分别配置在各自的相反一侧的构成。再有，就镜像电路2的内部构成来说，也可以作成为在这里说明的构成以外的内部构成。

再有，基准电阻元件R，虽然采用连接到LSI100的外部端子上的办法配置在LSI100的外部，但是，在把该基准电阻元件R搭载到LSI100的内部的情况下，在该基准电阻元件R的制造离差的范围狭窄的时候，也可以把该基准电阻元件R搭载到LSI100的内部。这种情况并不限定于基准电阻元件R，对于作为基准参数采用电容元件或电感的情况也是同样的。

(实施形态2)

其次，边参看附图边对本发明的实施形态2进行说明。

图2(b)示出了本发明的实施形态2的参数修正电路的构成。在这里，作为参数对电感的情况进行说明。

在图2(b)中，1是由用电阻和晶体管构成的源极跟随器构成的可变电流源，2是由流动与来自上述可变电流源1的电流相等的电流I1的2个p型晶体管构成的镜像电路，3和4分别是独立的开关电路，L是搭载于LSI100的外部的基准电感，Lv是电感值可在0H到LvH间切换的可变电感，7是电压测量电路，8是CPU。

在本实施形态的参数修正电路中，可变电流源1连接到镜像电路2上，来自镜像电路2的电流I1通过开关电路4供往可变电感Lv，可变电感Lv的另一端连接到GND上。此外，来自镜像电路2的电流I1还通过开关电路3和LSI100的外部端子9供往基准电感L，基准电感L的另一端连接到GND上。再有，来自镜像电路2的电流I1也被供往电压测量电路7。电压测量电路7的输出，提供给CPU8，根据在CPU8中计算的结果，变更可变电感Lv的电感值。

以下，对像以上那样地构成的本实施形态的参数修正电路进行说明。首先，对可变电感Lv的电感值的修正时的动作进行说明。

最初，使开关电路4变成为OFF，使开关电路3变成为ON。可变电流源1，当从外部给予与时间成正比的电压Vin后，就供给与时间成正比的电流I1＝I·t。该电流I1，可借助于镜像电路2通过开关电路3提供给基准电感L。这时，可借助于电压测量电路7测量由基准电感L产生的电位差Vr＝Lr·ΔI1/Δt＝Lr·I。上述电位差Vr的值被交付给CPU8，进行存储。

其次，当使开关电路3变成为OFF，使开关电路4变成为ON时，这一次，同一可变电流源1的电流值I1借助于镜像电路2通过开关电路4提供给可变电感Lv。假定可变电感Lv因制造离差其电感值变成为任意值L1而不是目标值Lo。由于该电感值L1是因制造离差而产生的，所以预先不知道。这时，可用电压测量电路7测量由可变电感Lv产生的电位差V1＝L1·ΔI1/Δt＝L1·I，对可变电感Lv进行调整，使得该电压值变成为先前计算的结果Lr·I。

对于通常时的动作来说，要把可变电流源1设定为OFF，把开关电路4设定为ON，把开关电路3设定为OFF。此外，通过使可变电感Lv维持调整后的设定，电感值可以作为已调整成目标值的电感Lv取出来使用。

另外，已搭载到LSI100的外部的基准电感L，与内置于LSI100内的可变电感Lv比较，由于可以配置电感值的精度高的电感，所以例如在作为基准电感L选择了精度1％误差的电感的情况下，就可以以最小1％的精度修正可变电感Lv的电感值。

如上所述，依据本实施形态，通过把基准电感L搭载到LSI100的外部，并使对基准电感L充电的电流值I1精度高，可以提供不受恒流源1的制造离差的影响的参数修正电路。

但是，可变电感Lv的电感值的上限值(用同一标号Lv表示)可以采用预先估计为使得满足Lv>L、L1的办法进行制作，基准电感L、可变电感Lv的电阻成分，假定已设计为可以忽略各自的影响那种程度地小的值。

此外，在本实施形态中，虽然说明的是把镜像电路2配置在电源一侧，把基准电感L和可变电感Lv配置在GND一侧的构成，但是，不言而喻也可以作成为把镜像电路2配置在GND一侧，把基准电感L和可变电感Lv配置在电源一侧的构成，或者，对于基准电压来说把这些镜像电路2和基准电感L以及可变电感Lv分别配置在各自相反一侧的构成。再有，就镜像电路2的内部构成来说，也可以作成为用在这里说明的构成以外的内部构成构成。

(实施形态3)

以下，边参看附图边对本发明的实施形态3进行说明。

图2(c)示出了本发明的实施形态3的参数修正电路的构成。在这里，在参数为电容元件的情况下，就是说，在不把图1所示的PLL电路101的滤波器电路104所具有的电容元件C1或C2配置在外部而是作为可变电容元件内置于LSI100内部的情况进行说明。

在图2(c)中，1是电流源，2是流动与来自上述电流源1的电流相等的电流I1的2个p型晶体管构成的镜像电路，3和4分别是独立的开关电路，C是搭载于LSI100的外部的基准电容，Cv是电容值可在0F到最大CvF间切换的可变电容，7是电压测量电路，8是CPU，40和41分别是独立的开关电路。

在本实施形态的参数修正电路中，恒流源1连接到镜像电路2上，来自镜像电路2的电流I1通过开关电路4被供往可变电容Cv，可变电容Cv的另一端连接到GND上。

此外，来自镜像电路2的电流I1还通过开关电路3和LSI100的外部端子9供往基准电容C，基准电容C的另一端连接到GND上。再有，来自镜像电路2的电流I1还供往电压测量电路7，该电压测量电路7还连接到CPU8上，并可以根据在CPU8中运算的结果借助于CPU8调整、设定可变电容Cv的电容值。此外，与基准电容C和可变电容Cv的已经连接到GND上的一侧相反的一侧，则分别通过开关电路40和开关电路41连接到GND上。

以下，对像以上那样地构成的本实施形态的参数修正电路，对其动作进行说明。首先，对可变电容Cv的容量的修正时的动作进行说明。

最初，为了把开关电路3和开关电路4都设定为OFF，并使基准电容C和可变电容Cv的各电荷初始化，先分别使开关电路40和开关电路41变成为ON，在隔以对初始化充分的时间后，再返回OFF。

其次，使开关电路4变成为OFF。当以一定时间T使开关电路3为ON后再使之变成为OFF时，恒流源1的电流值I1就借助于镜像电路2通过开关电路3提供给基准电容C。这时，可用电压测量电路7测量由基准电容C产生的电位差Vr＝I1·T/Cr。上述电位差Vr的值被交付给CPU8，进行存储。由于基准电容Cr的值是预知的，所以可以求得恒流源1的电流值I1＝Vr·Cr/T。这样，为了使可变电容Cv得到目标值Co的值，可知只要通过调整使电压测量电路7所测量的测量电压为I1·T/Co＝Vr·Cr/Co即可。

接着，当保持把开关电路3设定为OFF原状不变，使开关电路4ON与先前相同的一定时间T，然后使其OFF时，这一次，要借助于镜像电路2通过开关电路4把同一恒流源1的电流值I1提供给可变电容Cv。假定可变电容Cv的电容值因制造离差变成为任意值C1而不是变成为目标值Co。在这里，由于任意值C1是因制造离差而产生的，所以不可预知。这时，虽然可用电压测量电路7测量由Cv产生的电位差V1＝I1·T/C1，但是，要用CPU8调整可变电容Cv，使得该电压值变成为先前运算出来的结果Vr·Cr/Co。

对于通常时的动作来说，要把可变电流源1设定为OFF，把开关电路4设定为ON，把开关电路3设定为OFF，把开关电路40和41设定为OFF。采用使可变电容Cv维持调整后的设定的办法，就可以作为已把电感值调整成目标值Co的电容器Cv取出来使用。

另外，已搭载到LSI100的外部的基准电容C，与内置于LSI100内的可变电容Cv比较，可以配置电容值的精度高的电容。为此，例如在作为基准电容C选择了精度1％误差的电容器的情况下，因I1’＝Vr·Cr·1.01/T＝1.01·I1，故可以把可变电容Cv的电容值调整、修正到精度1％以内。

如上所述，依据本实施形态，通过把基准电容C搭载于LSI100的外部，并使对基准电容C充电的电流值精度高，可以提供不受恒流源1的制造离差的影响的参数修正电路。

但是，假定可变电容Cv的电容值的上限值(同一标号Cv)要采用预先估计为使得满足Cv>C、C1的办法制作，并把开关电路3、4、40、41本身的寄生电容值设计为可以忽略其影响的那种程度地小的值。

此外，在本实施形态中，虽然说明的是对把镜像电路2配置在电源一侧，把基准电容C和可变电容Cv配置在GND一侧的构成，但是理所当然地也可以是把镜像电路2配置在GND一侧，把基准电容C和可变电容Cv配置在电源一侧的构成，或者对于基准电压来说把这些镜像电路2和基准电容C以及可变电容Cv分别配置在各自相反一侧的构成。此外，至于镜像电路2的内部构成，也可以用在这里所说明的构成以外的构成构成。除此之外，至于C和可变电容Cv的初始化，虽然作成为用2个开关电路40、41使之变成为GND电压，但是即便是使之初始化为别的基准电压值也可以得到同一结果。

(实施形态4)。

以下，边参看附图边说明本发明的实施形态4。

图3示出了本实施形态的参数修正电路的构成。在这里也是对参数为电阻元件的情况进行说明。

在同图中，1是电流源，10是具有第1和第2输出端子10a、10b，用晶体管构成的镜像电路，11、12分别是独立的第1和第2开关电路，R是搭载到LSI外部的基准电阻元件(基准参数)，Rv是电阻值可在0Ω到最大值RvΩ间切换的可变电阻元件(可变参数)，7是电压测量电路，8是CPU。

在上述参数修正电路中，恒流源1连接到镜像电路10上，在镜像电路10的第1输出端子10a上通过端子9直接连接用基准电阻元件R的一端，其另一端连接到GND上。此外，在镜像电路10的第2输出端子10b上直接连接有可变电阻元件Rv的一端，其另一端则连接到GND上。

再有，在上述镜像电路10的第1输出端子10a上，通过第1开关电路11连接有电压测量电路7，在第2输出端子10b上通过第2开关电路12也连接有电压测量电路7。用上述电压测量电路7测量的电压，在进行了A/D转换后，输出至CPU8。CPU8根据用上述电压测量电路7测量的电压等进行规定的运算，并使得与该运算结果相一致那样地调整、设定可变电阻元件Rv的电阻值。

其次，对本实施形态的参数修正电路的动作进行说明。

首先，对可变电阻元件Rv的电阻值的修正时的动作进行说明。第1开关电路11设定为ON，第2开关电路12设定为OFF。在该状态下，恒流源1的电流值I1从镜像电路10的第1输出端子10a提供给基准电阻元件R。这时，电阻值Rr的基准电阻元件R上产生的电位差Vr＝Rr·I1可用电压测量电路7进行测量，该电压值Vr被输出至CPU8，进行存储。基准电阻元件R的电阻值Rr由于是预先知道的，所以恒流源1的电流值I1可以用I1＝Vr/Rr求得。为了通过该电流值I1使可变电阻元件Rv获得目标值R的电阻值，只要把用电压测量电路7得到的测量电压R·I1调整为使得R·I1＝R·Vr/Rr即可。

其次，把第1开关电路11设定为OFF，把第2开关电路12设定为ON。在该状态下，恒流源1的电流值从于镜像电路10的第2输出端子10b提供给可变电阻元件Rv。假定可变电阻元件Rv的电阻值，归因于制造离差变成为所定值R1而不是目标值R。这时，在可变电阻元件Rv上产生的电位差V1＝R1·I1，虽然可用电压测量电路7进行测量，但是，要对可变电阻元件Rv的电阻值进行调整，使得该电压值V1变成为先前运算的电压值R·Vr/Rr。

对于通常时的动作来说，要把恒流源1设定为OFF，把第1开关电路11设定为OFF，把第2开关电路12也设定为OFF。通过把可变电阻元件Rv维持为调整后的设定，可以作为电阻输出取出使用。

因此，在本实施形态中，也可以通过把基准电阻元件R搭载到LSI外部，并使在该基准电阻元件R中流动的电流值I1精度高，可以把可变电阻元件Fv的电阻值修正为目标值R而不会受恒流源1的制造离差的影响。

而且，在上述实施形态1中，在测量在基准电阻元件R上产生的电压Vr和在可变电阻元件Rv上产生的电压V1时，由于要使来自镜像电路2的电流通过第1开关电路3或第2开关电路4流动，所以在设计时就要考虑第1和第2开关电路3、4的电阻成分的大小，但在本实施形态中，由于电流可以直接流向基准电阻元件R和可变电阻元件Rv而无须通过第1和第2开关电路11、12，所以可以把可变电阻元件Rv的电阻值精度更为良好地修正为目标值R而无须考虑由这些开关电路11、12的电阻成分带来的影响。

另外，可变电阻元件Rv的电阻值的上限值可采用预先估计为使得Rv>R、R1的办法制作。此外，在本实施形态中，虽然说明的是对把镜像电路10配置在电源一侧，把基准电阻R和可变电阻Rv配置在GND一侧的构成，但是理所当然地也可以是把镜像电路10配置在GND一侧，把基准电阻R和可变电阻Rv配置在电源一侧的构成，或者对于基准电压来说把这些镜像电路10和基准电阻R以及可变电阻Rv分别配置在各自的相反一侧的构成。此外，至于镜像电路2的内部构成，也可以用在这里所说明的构成以外的构成构成，这与上述的实施形态1是同样的。此外，至于镜像电路10的内部构成，也可以是在这里所说的构成以外的构成。

(实施形态5)

其次，边参看附图边对本发明的实施形态5进行说明。

图4(a)示出了本实施形态的参数修正电路的构成。在这里也是对参数为电阻元件的情况进行说明。

在图4(a)中，15是负载电路，由可切换为电源一侧和接地一侧的开关电路15a和P沟道型晶体管15b构成。上述p沟道型晶体管15b，其源极连接到电源上，向其栅极输入用上述开关电路15a选中的电源电位或接地电位。

此外，3、4分别是独立的开关电路，R是通过端子9搭载到LSI的外部上的基准电阻元件，Rv是电阻值可在0Ω到最大值RvΩ间切换的可变电阻元件，7是电压测量电路，8是CPU。

在本实施形态的参数修正电路中，替代在图2(a)～(c)以及在图3中说明的镜像电路2，使负载电路15的P沟道型晶体管15b的漏极经第1开关电路3连接到基准电阻元件R的一端上，基准电阻元件R的另一端则连接到GND上。此外，负载电路15的P沟道型晶体管15b的漏极也通过开关电路4连接到可变电阻元件Rv上，该可变电阻元件Rv的另一端则连接到GND上。再有，负载电路15的P沟道型晶体管15b的漏极，还连接到电压测量电路7上，用该电压测量电路7测量的电压被输出给CPU8。CPU8根据用上述电压测量电路7测量的电压等进行规定的运算，并使得与该运算结果相一致那样地调整、设定可变电阻元件Rv的电阻值。

以下，说明像以上那样地构成的本实施形态的参数修正电路的动作。

首先，对可变电阻元件Rv的电阻值的修正时的动作进行说明。负载电路15的开关电路15a，设定在GND一侧，第1开关电路1设定为ON，第2开关电路4设定为OFF。这时，因负载电路15的P沟道型晶体管15b变成为ON，在电源(电源电压VDD)与GND之间该P沟道型晶体管15b和基准电阻元件R就成为串联连接的状态，通过负载电路15的P沟道型晶体管15b的电阻值(规定参数值)RL和基准电阻元件R的电阻值Rr，在基准电阻元件R上就会产生电位差VL＝Rr/(Rr+RL)·VDD，该电位差VL可用电压测量电路7测量。该电位差VL在进行了A/D转换后被输出给CPU8进行存储。

其次，负载电路15的开关电路15a在保持设定为GND一侧的原状不变的状态下，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路设定为ON。这一次，通过负载电路15的P沟道型晶体管15b和可变电阻元件Rv，在未知的电阻值R1的可变电阻元件Rv上产生电位差VL’＝R1/(R1+RL)·VDD，该电位差VL’可用电压测量电路7测量。通过调整、设定可变电阻元件Rv的电阻值，使该电位差VL’成为先前存储在CPU8中的电位差VL。

对于通常时的动作，把负载电路15的开关电路15a设定为电源VDD一侧，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4设定为ON。通过使可变电阻元件Rv的电阻值维持为调整后的设定，可以作为电阻输出取出用。

如上所述，在本实施形态中，采用把基准电阻元件R搭载于LSI的外部，对其电阻值和可变电阻元件Rv的电阻值进行比较的办法，就可以精度良好地把可变电阻元件Rv的电阻值修正为目标值R而不会受负载电路15的制造离差的影响。另外，可变电阻元件Rv的电阻值的上限值Rv，可采用预先估计为使得满足Rv>R、R1的办法制作，此外，假定第1和第2开关电路3、4本身的电阻值被设定为可以忽略其影响的那种程度的小的值。

此外，在本实施形态中，虽然说明的是对把负载电路15配置在电源一侧，把基准电阻R和可变电阻Rv配置在GND一侧的构成，但是理所当然地也可以是把负载电路15配置在GND一侧，把基准电阻R和可变电阻Rv配置在电源一侧的构成。这时，负载电路15的P沟道型晶体管15b置换为N沟道型晶体管，该N沟道型晶体管的源极接地。另外，也可以是对于基准电压来说把这些负载电路15和基准电阻R以及可变电阻Rv分别配置在各自相反的位置上的构成。此外，至于负载电路15的构成，也可以用在这里所说明的构成以外的构成构成。此外，电压测量电路7也可以是使用比较器等的构成。

图4(b)示出了在同图(a)中所示的参数修正电路中，把作为参数的可变电阻元件Rv变更为可变电容Cv的变形例，其它的构成，与图4(a)是同样的。同图(b)的参数修正电路的动作说明，由于只要参看对图4(a)的动作说明和本发明的实施形态3的说明就可以理解，所以其说明省略。

(实施形态6)

接着，边参看附图边说明本发明的实施形态6。

图5示出了本实施形态的参数修正电路的构成。在这里，也是对参数为电阻元件的情况进行说明。

图5的参数修正电路，对于图2(a)的参数修正电路，还追加上了第3开关电路16这一点不一样。上述第3开关电路16的构成为：一端连接到镜像电路2的输出端子2a上，另一端连接到GND上，向第3开关电路16流以来自镜像电路2的电流。上述第3开关电路16的构成与第1和第2开关电路3、4的构成是同样的，第1、第2和第3开关电路3、4、16的各个电阻值RSW彼此是同一值。

首先，对可变电阻元件Rv的电阻值的修正时的动作进行说明。把第1开关电路3设定为ON，把第2开关电路4设定为OFF，把第3开关电路16设定为OFF。在该状态下，通过第1开关电路3从镜像电路2向基准电阻元件R提供恒流源1的电流I1。这时，在基准电阻元件R上就会产生电位差V1，可用电压测量电路7测量该电位差V1。该电位差V1，设基准电阻元件R的电阻值为Rr，则可以用V1＝(Rr+RSW)·I1表示，该测量值被输出至CPU8，进行存储。

其次，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4也设定为OFF，把第3开关电路16设定为ON。在该状态下，由镜像电路2把恒流源1的电流I1提供给第3开关电路16。这时，就会在第3开关电路16上产生电位差V2(V2＝RSW·I1)，该电位差V2可用电压测量电路7测量。借助于先前已存储在CPU8中的电位差V1和本电位差V1，从恒流源1流出的电流的值I1和第1、第3、第3开关电路3、4、16的电阻值RSW，就可以I1＝(V1—V2)/Rr、RSW＝Rr/(V1/V2—1)求得。

接着，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4设定为ON，把第3开关电路16设定为OFF。这一次，由镜像电路2通过第2开关电路4把同一恒流源1的电流I1提供给未知的电阻值R1的可变电阻元件Rv。这时，在可变电阻元件Rv上产生的电位差V3，可以用V3＝(R1+RSW)·I1表示，可以用电压测量电路7测量。该电位差V3，可以用在上述中求得的恒流源1的电流值I1、以及第2开关电路4的电阻值RSW，用V3＝(V1—V2)·R1/Rr+V2表示。因此，可以求在可变电阻元件Rv的电阻值R1是目标值R的情况下的电位差V3，使得在可变电阻元件Rv上产生的电位差变成为该电位差V3那样地，边用电压测量电路7进行电压测量，边调整、设定可变电阻元件Rv的电阻值。

至于通常时的动作，要把恒流源1设定为OFF，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4设定为ON，把第3开关电路16设定为OFF。通过使可变电阻元件Rv维持调整后的设定，可以作为电阻输出取出使用。

如上所述，在本实施形态中，也考虑第1和第2开关电路3、4的电阻值的影响后，可以把可变电阻元件Rv的电阻值精度良好地修正为目标值R。

另外，在本实施形态中，也像上边所说的那样，也可以采用把镜像电路2或第1到第3开关电路3、4、16变更配置在GND一侧的构成，或变更镜像电路2的内部构成。

(实施形态7)

其次，对本发明的实施形态7进行说明。

图6示出了本实施形态的参数修正电路的构成。在这里，也是对参数为电阻元件的情况进行说明。

在图6中，3、4分别是独立的第1和第2开关电路，R是通过LSI100的外部端子9配置的电阻值已预知的基准电阻元件，Rv是电阻值可在0Ω到最大值RvΩ间进行切换的可变电阻元件，7是电压测量电路，8是CPU，17是电流输出电路，24是开关电路。在上述电流输出电路17中，18是开关电路，19是电阻元件，20是开关电路，21是放大器，22和23分别是P沟道型晶体管。

在上述电流输出电路17中，电阻元件19的一端连接到GND上，其另一端则通过开关电路20连接到P沟道型晶体管22的漏极、放大器21的非倒相输入端子，以及、经开关电路20、开关电路18和外部端子9连接到基准电阻元件R的一端上。上述P沟道型晶体管22的源极连接到电源上，在其栅极上，则连接有放大器21的输出，和另一P沟道型晶体管23的栅极。该P沟道型晶体管23的源极连接到电源上，此外，漏极成为电流输出端子。此外，向上述放大器21的倒相输入端提供基准电压。

上述电流输出电路17，通过以上的构成，在通常时，通过把内置的开关电路18设定为ON，把开关电路20设定为OFF，把基准电阻元件R连接到放大器21的非倒相输入端子上，从P沟道型晶体管23输出电流值的精度高的电流。

此外，在本实施形态中，在上述电流输出电路17中使用的基准电阻元件R，可以用做可变电阻元件Rv的电阻值修正用的基准电阻元件。就是说，电流输出电路17的电流输出端子(P沟道型晶体管23的漏极)在通过第1开关电路3连接到基准电阻元件R的一端上的同时，还通过第2开关电路4连接到可变电阻元件Rv的一端上。该可变电阻元件Rv的一端，还连接到第3开关电路24上。

与在以上的说明中已经说过的同样，电压测量电路7连接到上述电流输出电路17的电流输出端子上，其所测量的电压被输出至CPU8。CPU8，如上所述，进行规定的运算，使得与该运算结果一致那样地调整、设定可变电阻元件Rv的电阻值。上述可变电阻元件Rv的另一端和基准电阻元件R的另一端一起都连接到GND上。

其次，对本实施形态的参数修正电路的动作进行说明。首先，对可变电阻元件Rv的电阻值的修正时的动作进行说明。第1开关电路3设定为ON，第2开关电路4设定为OFF，第3开关电路24设定为OFF，电流输出电路17的开关电路20设定为ON，开关电路18设定为OFF。在该状态下，在电流输出电路17中，由提供给放大器21的倒相端子的基准电压和电阻元件19，基准电流I1从P沟道型晶体管23流出，该电流I1通过第1开关电路3向基准电阻元件R流。在这时，用电压测量电路7测量在基准电阻元件R上产生的电位差Vr。

其次，在上述的状态下，这一次，要把第1开关电路3从ON切换为OFF，把第2开关电路4从OFF切换为ON。在该状态下，经由电流输出电路17的P沟道型晶体管23流动的基准电流I1，就通过第2开关电路4被提供给可变电阻元件Rv。在这时，用电压测量电路7测量可变电阻元件Rv上产生的电位差V1。使用这些测量电压结果修正可变电阻元件Rv的电阻值的方法，与在上述实施形态1中说明的修正方法是一样的。

对于通常时的动作来说，要把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4也设定为OFF，把第3开关电路24设定为ON，把在电流输出电路17内的开关电路20设定为OFF，把开关电路18设定为ON。在该状态下，通过把可变电阻元件Rv维持为调整后的设定，可以作为电阻输出取出使用。

在本实施形态中，在通常时，基准电阻元件R，虽然与电流输出电路17共同地，输出电流值精度高的电流，但在可变电阻元件Rv的电阻值调整时，由于要利用已有的基准电阻元件(原本连接的、参数值已知的参数)R，所以没有必要重新设置用于可变电阻元件Rv的电阻值的调整的基准电阻元件、或与此连接的端子9。

另外，在本实施形态中，虽然说明的是把电流输出电路17配置在电源一侧，把基准电阻元件R和可变电阻元件Rv配置在GND一侧的构成，但是，也可以采用把电流输出电路17配置在GND一侧，把基准电阻元件R和可变电阻元件Rv配置在电源一侧的构成，或者，对于基准电压把电流输出电路17和基准电阻元件R以及可变电阻元件Rv配置在各自的相反的位置上的构成。此外，至于电流输出电路17的内部构成，也可以用已经说过的构成以外的内部构成构成。

再有，在本实施形态中，虽然把在电流输出电路17中使用的基准电阻元件R用做可变电阻元件Rv的电阻值调整用的电阻，并使之共用化，但是，在电流输出电路17以外的电路中已经使用了基准电阻元件R的情况下，即便是利用该基准电阻元件，并使之共用化也可以得到同样的效果。

(实施形态8)

接着，边参看附图边说明本发明的实施形态8。

图7(a)示出了本实施形态的参数修正电路的构成。在这里，也是对参数为电阻元件的情况进行说明。

在示出了本实施形态的图7(a)中，与示出了上述实施形态1的图2(a)比较，在配置有比较器13和采样保持电路14而不配置图2(a)的电压测量电路7这一点上不一样。

上述比较器13，其非倒相输入端子连接到镜像电路2的输出端子2a上。此外，采样保持电路14的输入一侧，也连接到上述镜像电路2的输出端子2a上。采样保持电路14的输出一侧，则连接到上述比较器13的倒相输入端子上。比较器13的输出被输入至CPU8。

其次，对本实施形态的参数修正电路的动作进行说明。首先，对可变电阻元件Rv的电阻值的修正时的动作进行说明。第1开关电路3设定为ON，第2开关电路4设定为OFF。在该状态下，恒流源1的电流I1由镜像电路2通过第1开关电路3提供给基准电阻元件R。这时，用采样保持电路14保持在电阻值为Rr的基准电阻元件R上产生的电位差Vr＝Rr·I1，并输入至比较器13的倒相输入端子。

其次，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4设定为ON。这一次，由镜像电路2通过第2开关电路4把同一恒流源1的电流I1提供给可变电阻元件Rv。在这里，虽然可变电阻元件Rv的电阻值因制造离差偏移为所定值R1而不是目标值R(在这里，是基准电阻元件R的电阻值Rr)，但是要把该可变电阻元件Rv的电阻值R1设定为使之获得最小值。此外，使采样保持电路14为维持先前的电压的状态。在这里，因可变电阻元件Rv的电阻值R1与基准电阻元件R的电阻值Rr之间的关系，在R1<Rr的情况下，比较器13的输出状态虽然是L电平，但是之后，随着调整增大可变电阻元件R1，R1>Rr的状态，即保持比较器13的输出状态刚变成H电平的调整值。这时，是可变电阻元件Rv的电阻值R1被调整为基准电阻元件R的电阻值Rr的状态，该调整值被CPU8存储。

至于通常时的动作，要把恒流源1设定为OFF，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4设定为ON。通过使可变电阻元件Rv维持上述调整后的设定值Rr，就可以作为电阻输出取出来使用。

如上所述，在本实施形态中，即便是使用比较器13和采样保持电路14而不是使用图2(a)所示的电压测量电路7，也同样地可以在考虑恒流源1的制造离差的影响的同时，把可变电阻元件Rv的电阻值效率良好地修正为目标值。

但是，可变电阻元件Rv的电阻值的上限值Rv，要采用预先估计为使得满足Rv>R、R1的办法进行制作。此外，假定第1和第2开关电路3、4本身的电阻值已设计为可以忽略其影响的那种程度地小的值。

另外，在本实施形态中，虽然说明的是把镜像电路2配置在电源一侧，把基准电阻元件R和可变电阻元件Rv配置在GND一侧的构成，但是，也可以采用把镜像电路2配置在GND一侧，把基准电阻元件R和可变电阻元件Rv配置在电源一侧的构成，或者，对于基准电压把镜像电路2和基准电阻元件R以及可变电阻元件Rv配置在各自相反的位置上的构成。此外，镜像电路2的内部构成，可以采用别的构成，即便是连对比较器13的输入的连接极性也反过来也没有关系。除此之外，至于可变电阻元件Rv的电阻值的调整方法，当然也可以采用使得从大值变化成小值那样地调整电阻值的办法进行。

图7(b)示出了采用电感Lv来取代在同图(a)中作为参数使用可变电阻元件Rv后的变形例。同图的全体构成和动作，由于只要参看图7(a)所示的可变电阻元件Rv的说明和图2(b)所示的实施形态2就可以理解，所以省略其说明。

图7(c)示出了作参数采用电容Cv的变形例。同图的全体构成和动作，由于只要参看图7(a)所示的可变电阻元件Rv的说明和图2(c)所示的实施形态3就可以理解，所以省略其说明。

(实施形态9)

以下，对本发明的实施形态9进行说明。

本实施形态，示出了在上述实施形态1～8中所说明的参数修正电路的应用例。

就是说，在本实施形态中，在把作为在上述实施形态1～8中说明的可变参数的可变电阻元件Rv的电阻值修正为目标值R之后，采用使该可变电阻元件Rv与电容组合起来的办法，制作成滤波器电路。然后，把使用该可变电阻元件Rv的滤波器电路，作为PLL电路的一部分的滤波器部分。

在把PLL电路内置于LSI100内的情况下，虽然因制造离差会在PLL电路的特性等方面产生问题，但是通过把使用上述修正后的可变电阻元件Rv的滤波器电路当作PLL电路的滤波器部分，可以稳定地保持PLL电路的环路增益等的特性。而且，在PLL电路中，还可以减少滤波器用端子。

(实施形态10)

其次，对本发明的实施形态10进行说明。

在本实施形态中，示出了在上述实施形态1～8中所说明的参数修正电路的另一应用例，是作为电流—电压变换器使用的应用例。

就是说，若使用在上述实施形态1中说明的图2(a)的参数修正电路进行说明，则首先要用在实施形态1中说明的修正方法修正可变电阻元件Rv的电阻值。然后，对于通常时的动作来说，把恒流源1设定为ON，把第1开关电路3设定为OFF，把第2开关电路4设定为ON。在该状态下，采用使恒流源1的电流值I1变化的办法，就可以通过镜像电路2也向可变电阻元件Rv流以同一电流值I1，作为结果，就可以从电阻输出取出电流—电压变化后的电压。此外，在可变电阻元件Rv中，也可以流过来自未图示的其它恒流源的电流，来替代上述恒流源1。

在这里，由于已把可变电阻元件Rv的电阻值修正为目标值R，所以可以得到高精度的电流—电压变换特性。

(实施形态11)

以下，对本发明的实施形态11进行说明。

在本实施形态中，示出了在上述实施形态1～8中所说明的参数修正电路的再一应用例。

就是说，在本实施形态中，例如，在含有已在上述实施形态1中说明的参数修正电路地构成半导体电路(LSI)的情况下，当在该半导体电路上，含有与上述参数修正电路的可变电阻元件Rv同一构成的另外的1个或多个可变电阻元件时，对于这些可变电阻元件，也可以使之反映与上述参数修正电路的可变电阻元件Rv同一的修正结果。

因此，在本实施形态中，只要对参数修正电路的可变电阻元件Rv的电阻值进行调整、修正，则也可以在其它的同一构成的可变电阻元件的电阻值中反映该修正结果，可以把这些其它的可变电阻元件的电阻值修正为目标值。

此外，在本实施形态中，虽然以可变参数是可变电阻元件Rv为例进行说明，但对于可变电容元件和可变电感元件当然也同样适用。

(实施形态12)

下面，对本发明实施形态12进行说明。

本实施形态，示出了在参数修正电路的可变参数是可变电感时，将该可变电感用作振荡电路中的可变电感时的具体例。

图8表示本实施形态的振荡电路30。该振荡电路30，包括：电流源31；2个可变电感Lv、Lv；2个N型晶体管32、33；以及2个变容二极管34、35。该振荡电路30构成了差动型负性Gm振荡电路。在2个变容二极管34、35上施加有控制电压Vc，通过调整改变这2个变容二极管34、35间的接合电容，控制振荡频率。该振荡电路30中的谐振电路，是以2个可变电感Lv、Lv和2个变容二极管34、35间的接合电容为基础的差动LC谐振电路。上述2个N型晶体管32、33，它们的栅极与漏极相互交叉连接，构成正反馈电路，并通过该正反馈电路获得振荡输出Vout+、Vout—。

在上述振荡电路30中，一方的可变电感Lv，如所述图2(b)所示的实施形态2那样，作为参数修正电路中的可变电感Lv，将其电感值修正为目标值Lo，而另一方的可变电感Lv，如上述实施形态11那样，使其反映与上述可变电感Lv相同的修正结果。然后，例如，将2个变容二极管34、35的接合电容调整到Co时，该振荡电路的输出Vout+、Vout一的振荡频率f，在不考虑寄生电容的情况下，可用下式表示。

f∝1/√(Lo·Co)

在此，已将2个可变电感Lv、Lv的电感值，通过本发明的参数修正电路高精度地修正在目标值Lo上，所以可以将振荡电路30的振荡频率f高精度地调整到任意频率，因而可以将这种振荡电路30内置在LSI内。

此外，在本实施形态中，虽然用图8所示的振荡电路30作为使用可变电感的振荡电路的例子，但本发明对于其它构成的振荡电路当然也同样适用。

(实施形态13)

接着，对本发明的实施形态13进行说明。

在本实施形态中，示出了在上述实施形态1～8中所说明的参数修正电路的具体的构成。

就是说，在本实施形态中，在以上所说明的参数修正电路的可变电阻元件Rv，如图9(a)所示，其构成为把多个(n个)单位电阻元件RU串联连接。

现在，在可变电阻元件Rv的修正后的电阻值R用2·N个单位电阻元件RU构成的情况下，其电阻值R就变成为R＝(2·N)·RU。假如说，要把该电阻值R的一半的值作为目标值的情况下，通过调整、设定，使可变电阻元件Rv由N个的单位电阻元件RU来构成，就可以容易地实现R/2＝N·RU。即，通过用CPU8运算可变电阻元件Rv的修正后的电阻设定值，在可变电阻元件Rv中就可以得到经修正的任意电阻值。

因此，在本实施形态的情况下，在参数修正电路中，就可以提供可规定为任意电阻值(参数值)的可变电阻元件(可变参数)Rv。

图9(b)是把n个单位电感元件LU而不是把在上述图9(a)中所示的n个可变电阻元件RU串联连接起来，构成可变电感Lv的电路图。同图(c)是把n个的单位电容元件CU并联连接起来构成可变电容Cv的电路图。因此，用这些电路构成，也可以提供可规定为任意的电感值或电容值(参数值)的可变电感Lv或可变电容Cv(可变参数)。

工业上利用的可能性

如上所述，本发明，在半导体集成电路的内部具备可变参数和该可变参数的修正电路的情况下，当在进行该可变参数的修正时，使用在半导体集成电路内部具备的电流供给电路时，即便是因存在着在该电流供给电路中含有的镜像电路或恒流源等的制造离差而不能得到其绝对精度，也可以精度良好地把可变参数的参数值修正为目标值，因而，可用于在半导体集成电路的内部具备的参数修正电路等，特别是，将该参数修正电路用于PLL电路的锁相环带宽的变更时，有效果。

Claims

1.一种参数修正电路，内置于半导体集成电路内，其特征在于：所述半导体集成电路具备：电流供给电路、可变参数、多个开关电路、电压测量电路、以及调整所述可变参数的参数值的CPU，

在所述多个开关电路中的某一个上，连接有已预先知道参数值的基准参数，

所述多个开关电路，切换所述电流供给电路、所述基准参数、所述可变参数以及所述电压测量电路间的电连接，

所述电流供给电路，经由所述多个开关电路向所述基准参数及所述可变参数供给电流，

所述电压测量电路，分别测量在所述基准参数及所述可变参数上产生的电压，并通知所述CPU，

所述CPU，根据由所述电压测量电路测量的所述基准参数和所述可变参数的电压，调整所述可变参数的参数值。

2.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述可变参数和基准参数，是可变电阻元件和基准电阻元件。

3.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述可变参数和基准参数，是可变电感和基准电感。

4.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述可变参数和基准参数，是可变电容元件和基准电容元件。

5.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述基准参数，配置在所述半导体集成电路的外部，并与所述半导体集成电路的外部端子连接。

6.根据权利要求5所述的参数修正电路，其特征在于：所述基准参数，是共用原本已连接在所述半导体集成电路的所述外部端子上的、参数值已预先知道的参数。

7.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述基准参数，内置于所述半导体集成电路内。

8.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：内置所述参数修正电路的半导体集成电路，是具备相位比较器、电荷泵、滤波器电路、压控振荡器及分频器的PLL电路，

所述滤波器电路由电阻元件和电容元件构成，

所述可变参数作为所述电阻元件或电容元件被内置于所述半导体集成电路内。

9.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述电流供给电路具备：电流源、和

与所述电流源连接、从输出端子流出与所述电流源的电流对应的电流的镜像电路。

10.根据权利要求9所述的参数修正电路，其特征在于：所述多个开关电路，具备第1和第2开关电路，

所述第1开关电路配置在所述镜像电路和所述基准参数之间，

所述第2开关电路配置在所述镜像电路和所述可变参数之间。

11.根据权利要求10所述的参数修正电路，其特征在于：所述多个开关电路，还具备第3开关电路，

所述第3开关电路，连接到所述镜像电路的输出端子上，

所述电压测量电路，测量从所述镜像电路向第3开关电路流过电流的情况下的第3开关电路的电压。

12.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述电流供给电路，具备：电流源，和

与所述电流源连接，使与所述电流源的电流同一值的电流、从第1输出端子流向所述基准参数并且从第2输出端子流向所述可变参数的镜像电路。

13.根据权利要求12所述的参数修正电路，其特征在于：多个开关电路，具备第1和第2开关电路，

所述第1开关电路配置在所述基准参数和所述电压测量电路之间，

所述第2开关电路配置在所述可变参数和所述电压测量电路之间。

14.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述电流供给电路，具备负载电路，

所述负载电路，具备：

源极与电源或接地连接，从漏极供给电流的晶体管；和

与所述晶体管的栅极连接，控制所述晶体管的ON/OFF的开关电路。

15.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：

所述电压测量电路，具备：

保持所述基准参数的电压的采样保持电路；和

将所述可变参数的电压与被所述采样保持电路保持的所述基准参数的电压进行比较的比较器。

16.根据权利要求2所述的参数修正电路，其特征在于：将所述可变电阻元件的电阻值修正为目标值后，用作取出当由所述电流供给源或其它电流供给源向所述可变电阻元件提供电流时在所述可变电阻元件中产生的电压的电流电压变换器。

17.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：

在所述半导体集成电路中，具备与所述可变参数同一构成的另一可变参数，

所述另一可变参数，可实施与在所述参数修正电路中具备的可变参数同样的参数值调整。

18.根据权利要求3所述的参数修正电路，其特征在于：所述可变电感的电感值被修正为目标值后，用作振荡频率被设定在规定频率的振荡电路。

19.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述可变参数，由多个单位参数串联连接构成，可以取出在所具备的全部单位参数中，连续的任意个数的单位参数的串联电路。

20.根据权利要求1所述的参数修正电路，其特征在于：所述可变参数，由多个单位参数并联连接构成，可以取出在所具备的全部单位参数中，连续的任意个的单位参数的并联电路。

21.一种参数修正方法，是用计算机修正可变参数的参数值的参数修正方法，其特征在于：

所述计算机，

将电流供给电路连接到预先知道参数值的基准参数上；

由所述电流供给电路向所述基准参数供给电流，测量这时在所述基准参数上产生的电压；

根据在所述基准参数上产生的电压和所述基准参数的参数值，计算出由所述电流供给电路所供给的电流值，并根据该电流值计算出在所述可变参数的参数值为目标值时的可变参数上产生的目标电压；

然后，由所述电流供给电路向所述可变参数供给电流，这时，边测量在所述可变参数上产生的电压，边对可变参数的参数值进行调整使得该电压成为所述目标电压。