CN100486394C - 发光型显示器 - Google Patents
发光型显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100486394C CN100486394C CNB2006100918983A CN200610091898A CN100486394C CN 100486394 C CN100486394 C CN 100486394C CN B2006100918983 A CNB2006100918983 A CN B2006100918983A CN 200610091898 A CN200610091898 A CN 200610091898A CN 100486394 C CN100486394 C CN 100486394C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- active layer
- substrate
- impurity ions
- conductive impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 50
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 92
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 53
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 20
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/18—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
发光型显示器。本发明提供了一种通过减小电阻并改善电流特性而具有快速响应特性的发光型显示器。一种发光型显示器，包括：第一基板，其具有：形成在第一基板上的栅极；被形成为覆盖栅极的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上并掺杂有第一导电杂质离子的有源层；形成在有源层的一侧的源极以及形成在有源层的另一侧的漏极；以及离子掺杂区，其中所述有源层的暴露于源极与漏极之间的预定区域掺杂有第二导电杂质离子；第二基板，其具有：形成在第二基板上的第一电极；形成在第一电极上的发光部；以及形成在发光部上的第二电极；以及连接电极，用于将第一基板的漏极与第二基板的第二电极电连接。
Description
技术领域
本发明涉及与响应特性相关联的发光型显示器。
背景技术
用于发光型显示器的发光器件是在两个电极之间形成有发光层的有源发光器件。根据材料可将发光器件分类为无机发光器件和有机发光器件。根据发光层的驱动方式可将发光器件分类为无源矩阵型和有源矩阵型。
图1是传统的发光器件。在第一透明基板12上形成有驱动器10，在驱动器10上设置有第一电极16、发光层18以及第二电极20。为了保护形成在第一基板12上的器件，通过密封剂26将第一基板12和第二基板28密封。为了防止器件受潮和氧化，还在第二基板28上形成有吸收(getter)单元22。
在驱动器10中，在第一基板12上形成有栅极31，在第一基板12上形成有栅绝缘膜32以覆盖栅极31。在栅绝缘膜32上由非晶硅(a-Si)或多晶硅(P-Si)形成有源层35，在有源层35上形成有欧姆接触层34。在有源层35上形成有源极36和漏极37。
在包括有源极36和漏极37的第一基板12上可以选择性地形成有保护模38。具体地，漏极37通过使漏极37的预定区域暴露的接触孔而与第一电极16电连接。第一电极16与作为像素电极的发光层18电连接。
下面将参照图2对通过驱动引起的电流进行说明。
当向栅极31施加电压时，通过栅极31的电压而在有源层35中形成沟道。施加到源极36的电流(I)沿形成在沟道中的低电阻层流到漏极37。驱动器10具有这样的特性：因为有源层35由非晶硅或多晶硅形成，所以通过栅极31形成的沟道区域具有相对高的电阻。
为了说明电阻特性，假设由栅极31的电压形成的沟道的电阻由“R1”来表示。而且，可以理解：在源极36的下表面上形成的电阻由“R2”表示、在有源层35中形成的电阻由“R3”表示的情况下，提供了下面的电阻特性。
当向栅极31施加电压时，源极与漏极之间的通过沟道的电流密度(I)由于串联电阻R1+R2+R3而减小。这就意味着在源极与漏极之间的通过沟道的迁移率减小。因此，电流驱动的有源有机发光器件的响应特性劣化。
在电流驱动的显示器中(诸如有机发光器件或无机发光器件的发光器件)的这种响应下降会导致显示器的性能劣化。
发明内容
因此，本发明的目的是至少解决现有技术中的问题和缺点。
在本发明的一个方面，提供了一种发光型显示器。该显示器包括有：第一基板、第二基板以及连接电极。第一基板具有栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、以及离子掺杂区。栅极形成在第一基板上。栅绝缘层被形成为覆盖栅极。有源层形成在栅绝缘层上，并掺杂有第一导电杂质离子。源极形成在有源层的一侧上，漏极形成在有源层的另一侧上。在离子掺杂区中，有源层的暴露于源极与漏极之间的预定区域掺杂有第二导电杂质离子。第二基板具有第一电极、发光部以及第二电极。第一电极形成在第二基板上。发光部形成在第一电极上。第二电极形成在发光部上。连接电极将第一基板的漏极与第二基板的第二电极电连接。
在本发明的另一方面，提供了一种发光型显示器。该显示器包括有第一基板、第二基板以及连接电极。第一基板具有有源层、源极和漏极、绝缘层以及栅极。有源层形成在第一基板上，在有源层的中心处掺杂有第一导电杂质离子，并且在其两侧掺杂有第二导电杂质离子。源极和漏极形成在有源层的两侧。绝缘层覆盖有源层、具有被形成为使源极和漏极的预定区域暴露的接触孔，并且该绝缘层形成在基板上。栅极形成在绝缘层上以与有源层匹配。第二基板具有形成在其上的第一电极、形成在第一电极上的发光部、以及形成在发光部上的第二电极。连接电极将第一基板的漏极与第二基板的第二电极电连接。
在本发明的再一方面中，提供了一种发光型显示器。该显示器包括有驱动器、第一电极、发光部、以及第二电极。驱动器具有栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、以及离子掺杂区。栅极形成在基板上。栅绝缘层形成在栅极上。有源层形成在栅绝缘层上，并掺杂有第一导电杂质离子。源极形成在有源层的任一侧上，漏极形成在有源层的另一侧上。在离子掺杂区中，有源层的暴露于源极和漏极之间的预定区域掺杂有第二导电杂质离子。第一电极与驱动器的漏极电连接。发光部形成在第一电极上。第二电极形成在发光部上。
在本发明的再一方面中，提供了一种发光型显示器。该显示器包括有驱动器、第一电极、发光部、以及第二电极。驱动器具有有源层、源极和漏极、绝缘层、以及栅极。有源层形成在基板上，在有源层的中心处掺杂有第一导电杂质离子，并在其两侧掺杂有第二导电杂质离子。源极和漏极形成在有源层的两侧。绝缘层覆盖有源层、具有被形成为使源极和漏极的预定区域暴露的接触孔，并且该绝缘层形成在基板上。栅极形成在绝缘层上以与有源层匹配。第一电极将第一基板的漏极与第二基板的第二电极电连接。发光部形成在第一电极上。第二电极形成在发光部上。
可以以N型方式掺杂第一导电杂质离子，以P型方式掺杂第二导电杂质离子。
可以以P型方式掺杂第一导电杂质离子，以N型方式掺杂第二导电杂质离子。
附图说明
下面将参照附图详细地说明本发明，在附图中相似的附图标记表示相似的元件。
图1是例示了传统发光型显示器的视图以及例示了驱动器的分解图；
图2例示了图1的驱动器的电流的漂移(drift)；
图3是例示了根据本发明第一示例性实施例的发光型显示器的视图以及驱动器的分解图；
图4例示了图3的驱动器的电流漂移；
图5是例示了根据本发明第二示例性实施例的发光型显示器的视图以及驱动器的分解图；
图6是例示了根据本发明第三示例性实施例的发光型显示器的视图以及驱动器的分解图；
图7是例示了根据本发明第四示例性实施例的发光型显示器的视图以及驱动器的分解图。
具体实施方式
下面将参照附图对本发明的实施例进行更详细地说明。
图3是例示了根据本发明第一示例性实施例的发光型显示器的视图以及驱动器的分解图。
参照图3，根据本发明第一实施例的发光型显示器具有上基板和下基板。栅极131形成在源极136和漏极137的下面。
在第一基板150上形成有栅极131，并且形成有绝缘层132以覆盖栅极131。
在绝缘层132上形成有被掺杂有第一导电杂质离子的有源层135，以覆盖绝缘层132。在有源层135上形成有欧姆接触层134。在有源层135的一侧形成有源极136，而在其另一侧形成漏极137。
在源极136与漏极137之间暴露出有源层135。在有源层135的暴露区的预定区域上掺杂有第二导电杂质离子。将该区域称为离子掺杂区138。
在源极136和漏极137上形成有保护膜156，以使漏极137的预定部分暴露在外面。漏极137与连接电极155电连接。
在具有上基板和下基板的结构中，在第二基板160的上方形成有第一电极140，在第一电极140上形成有发光部144，在发光部144上形成有第二电极142。
通过将第一基板150的漏极137与第二基板160的第二电极142电连接的连接电极155，使第一基板150与第二基板160电连接，并且由密封剂126密封第一基板150与第二基板160，从而构造成发光型显示器。
在以上结构中，在第一电极140上形成有平坦层(planarizationlayer)147，另外还形成有各个滤色器146。
因此，通过掺杂N+型的第一导电杂质离子和P+型的第二导电杂质离子，本发明第一实施例的薄膜晶体管具有N-P-N特性。
换言之，用于形成有源层135的非晶硅或多晶硅掺杂有N+型离子，并具有N型。随后，通过在源极136与漏极137之间掺杂P+型离子而使其具有P型。结果，构造成了N-MOS薄膜晶体管。
参照图3，在具有上基板和下基板的发光型显示器中，将第一基板150定义为下基板，将第二基板160定义为上基板。
参照示出了驱动器的电流的图3和图4，以下基于本发明的特征部分，对根据本发明实施例的发光型显示器的驱动进行说明。
如果向形成在第一基板150上的栅极131施加电压，则在位于栅极131上方的P型离子掺杂区138中形成沟道。此时，电流通过该沟道从源极136流到漏极137。
同时，因为有源层135在源极136和漏极137的下方形成为N型，所以通过沟道的电流量增大。此外，因为离子掺杂区138形成为P型，所以源极136的电子由于离子掺杂区138的空穴而被迅速引导。
因此，由于表面电荷从N型有源层135移动到具有空穴的离子掺杂区138的耗尽层的特性，而使在源极与漏极之间的通过沟道的迁移率大大改善。
由于将电子从具有P型掺杂物的掺杂区138大量地引入具有N型掺杂物的漏极137，所以存在通过设置在有源层135中的沟道的电流密度的增大。
因为形成在离子掺杂区138中的沟道还与施加给栅极131的电压成正比，所以当施加给栅极131的电压的幅值较大时，则形成在沟道中的耗尽层以及电子引入会正比于所施加的电压而增大。
假设“R1”表示当向栅极131施加电压时，在掺杂有P型离子的离子掺杂区138中形成的电阻。此外，假设“R2”表示在源极136的下端形成的电阻，而“R3”表示在有源层135中形成的电阻。
应该注意，各个电阻是基于理论分析的，并未在图中示出。
当R1+R2+R3＝Rs时，由串联电阻(Rs)形成的电阻具有将由非晶硅形成的有源层135的电阻(Rs)减小的用途。
因此，可以理解，因为有源层135分别被掺杂有N+型离子和P+型离子，从而减小了串联电阻(Rs)并改善了电流特性。此外，由于电流特性的改善，使得电荷积聚时间降低，同时电流密度保持很高，从而使得电流驱动的发光型显示器的响应速度很快。
[第二实施例]
图5是例示了根据本发明第二示例性实施例的发光型显示器的视图以及驱动器的分解图。
如图5所示，将根据本发明第二示例性实施例的发光型显示器形成为具有上基板和下基板。下面给出其中将栅极231形成为比源极236和漏极237更高的示意性结构。
在第一基板250上形成有在其中心处掺杂有第一导电杂质离子、在其两侧掺杂有第二导电杂质离子的有源层235。在有源层235的任一侧上形成有源极236，在其另一侧上形成有漏极237。
欧姆接触层234被形成为覆盖有源层235、源极236和漏极237。在欧姆接触层234上形成有与有源层235匹配的栅极231。
绝缘层232被形成为覆盖有源层235，并暴露源极236和漏极237的预定区域。
将第一保护膜249在源极236和漏极237上形成为具有使漏极237的预定区域暴露的接触孔。漏极237通过该接触孔与金属电极253电连接。金属电极253被形成为与连接电极255电连接。连接电极255形成在第二保护模256上，或者也可以使用隔件(spacer)来构造连接电极255。
在第二基板260的上方形成有第一电极240，在第一电极240上形成有发光部244，并且在发光部244上形成有第二电极242。
第一基板250的漏极237通过连接电极255与第二基板260的第二电极242电连接，并且通过密封剂226将第一基板250和第二基板260密封，从而构造成发光型显示器。
在以上的结构中，在第一电极240上形成有平坦层247，另外还形成有各个滤色器246。
根据本发明第二示例性实施例的发光型显示器的可选构成的元件，即薄膜晶体管，其通过掺杂有P+型的第一导电离子和N+型的第二导电离子而具有P-N-P特性。
换言之，用于形成有源层235的非晶硅或多晶硅掺杂P+型离子并具有P型。随后，通过在源极236与漏极237之间掺杂N+型离子而使其具有N型。结果，构造成了P-MOS薄膜晶体管。
参照图5，在具有上基板和下基板的发光型显示器中，将第一基板250定义为下基板，将第二基板260定义为上基板。
下面将对根据本发明第二示例性实施例的发光型显示器的驱动进行说明。
如果向栅极231施加电压，则在位于栅极231下方的有源层235的中心处形成的P型有源层235中形成有沟道。同时，电流通过该沟道从源极236流到漏极237。
因为在源极236与漏极237之间，有源层235在其两侧具有P型，所以在P型有源层235中形成的空穴将电子推向N型有源层235的中心。
因此，在N型有源层235的中心处形成的电子迅速移动到具有空穴的P型有源层235。这是由其中表面电荷的空穴从P型有源层235移动到N型有源层235的高迁移率的特性引起的，因此，电流迁移率被大大改善。
由于将电子从具有N型掺杂物的掺杂区238大量地引入具有P型掺杂物的漏极237，所以存在通过设置在有源层235中的沟道的电流密度的增大。
因为形成在有源层235中的沟道还与施加给栅极231的电压成正比，所以当施加给栅极231的电压的幅值较大时，则形成在沟道中的耗尽层以及电子引入会正比于所施加的电压而增大。
假设“R1”表示当向栅极231施加电压时，在掺杂有N型离子的有源层235的中心处形成的电阻。此外，假设“R2”表示在相邻于源极236而形成的N型有源层235中形成的电阻，而“R3”表示在相邻于漏极237而形成的N型有源层235中形成的电阻。
应该注意，各个电阻是基于理论分析的，未在图中示出。
当R1+R2+R3＝Rs时，由串联电阻(Rs)形成的电阻具有使由非晶硅形成的有源层235的电阻(Rs)减小的用途。
因此，可以理解，因为有源层235分别被掺杂有N+型离子和P+型离子，从而减小了电阻(Rs)并改善了电流漂移特性。此外，由于电流漂移特性的改善，使得电荷积聚时间降低，同时保持高电流密度，从而使得电流驱动的发光型显示器的响应速度很快。
[第三实施例]
图6是例示了根据本发明第三示例性实施例的发光型显示器的视图以及驱动器的分解图。
如图6所示，根据本发明第三示例性实施例的发光型显示器被构造为具有形成在基板350上的驱动器300和发光部344。下面给出其中将栅极331形成在源极336和漏极337的下方的示意性结构。
在基板350上形成有栅极331，并且在基板350上形成有栅绝缘层332以覆盖栅极331。
将掺杂有第一导电杂质离子的有源层335形成为覆盖栅绝缘层332。在有源层335上形成有欧姆接触层334。在有源层335的任一侧上形成有源极336，在其另一侧上形成有漏极337。
暴露在源极336与漏极337之间的有源层335在其预定区域上掺杂有第二导电杂质离子。将该区域称为离子掺杂区338。在漏极337上形成有保护膜356，以使漏极337的预定区域暴露在外面。
这里，形成有其中漏极337与第一电极340电连接的驱动器300。
因此，第一电极340与驱动器300的漏极337电连接，在第一电极340上形成有发光部344，在发光部344上形成有第二电极342，从而提供了其中通过密封剂326实现密封的发光型显示器。
发光部344显示红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)319。在通常的方法中，对发红光、绿光和蓝光用的单独的有机材料进行构图，并用于各个像素处。
根据本发明的第三示例性实施例的发光型显示器的可选构成的元件，即薄膜晶体管，其通过掺杂有N+型的第一导电离子和P+型的第二导电离子而具有N-P-N特性。
换言之，用于形成有源层335的非晶硅或多晶硅被掺杂有N+型离子，并具有N型。随后，通过在源极336与漏极337之间掺杂P+型离子而使其具有P型。结果，构造成了N-MOS薄膜晶体管。
下面将对根据本发明第三示例性实施例的发光型显示器的驱动进行说明。
如果向形成在基板350上的栅极331施加电压，则在位于栅极331上方的P型离子掺杂区338中形成沟道。此时，电流通过该沟道从源极336流到漏极337。
同时，因为在源极336和漏极337下方，有源层335被形成为N型，所以在源极336中施加并流动的电流量被极大地引入。
因此，由于离子掺杂区338形成为P型，所以源极336的电子由于离子掺杂区338的空穴而被迅速引导。
这是由其中表面电荷的空穴从N型有源层335移动到具有空穴的离子掺杂区338的特性而引起的，因此大大改善了电流迁移率。
由于将电子从具有P型掺杂物的掺杂区338大量地引入具有N型掺杂物的漏极337，所以存在通过设置在有源层335中的沟道的电流密度的增大。
因为形成在离子掺杂区338中的沟道还与施加给栅极331的电压成正比，所以当施加给栅极331的电压的幅值较大时，则形成在沟道中的耗尽层以及电子引入会正比于所施加的电压而增加。
假设“R1”表示当向栅极331施加电压时，在掺杂有P型离子的离子掺杂区338中形成的电阻。此外，假设“R2”表示在源极336的下端形成的电阻，而“R3”表示在有源层335中形成的电阻。
应该注意，各个电阻是基于理论分析的，未在图中示出。
当R1+R2+R3＝Rs时，由串联电阻(Rs)形成的电阻具有将由非晶硅形成的有源层335的电阻(Rs)减小的用途。
因此，可以理解，因为有源层335分别被掺杂有N+型离子和P+型离子，从而减小了电阻(Rs)并改善了电流漂移特性。此外，由于电流漂移特性的改善，使得电荷积聚时间降低，同时保持高电流密度，从而使得电流驱动的发光型显示器的响应速度很快。
[第四实施例]
图7是例示了根据本发明第四示例性实施例的发光型显示器的视图以及驱动器的分解图。
如图7所示，根据本发明第四实施例的发光型显示器被构造为具有形成在基板450上的驱动器400和发光部444。下面给出其中在源极436和漏极437的下面形成有栅极431这样的示意性结构。
在基板450上形成有在其中心处掺杂有第一导电杂质离子、在其两侧掺杂有第二导电杂质离子的有源层435。
在有源层435的任一侧上形成有源极436，在其另一侧上形成有漏极437。在有源层435上形成有欧姆接触层434。
栅极431被形成为与有源层435匹配，绝缘层432被形成为覆盖欧姆接触层434以及欧姆接触层434上的栅极431。提供有暴露栅极437的预定区域的接触孔，并且形成有保护膜449。在漏极437上形成有金属电极456，从而提供与第一电极440电连接的驱动器400。
因此，第一电极440与驱动器400的漏极437电连接，在第一电极440上形成有发光部444，在发光部444上形成有第二电极442，从而提供其中通过密封剂426实现密封的发光型显示器。
发光部444显示红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)419。在通常的方法中，对发红光、绿光和蓝光用的单独的有机材料进行构图，并用在各个像素处。
根据本发明第四示例性实施例的发光型显示器的可选构成的元件，即薄膜晶体管，其通过掺杂有P+型的第一导电杂质离子和N+型的第二导电杂质离子而具有P-N-P特性。
换言之，用于形成有源层435的非晶硅或多晶硅被掺杂有P+型离子，并具有P型。随后，通过在源极436与漏极437之间掺杂N+型离子而使其具有N型。结果，构造成了P-MOS薄膜晶体管。
下面将对根据本发明第四示例性实施例的发光型显示器的驱动进行说明。
如果向栅极431施加电压，则在位于栅极431下方的有源层435的中心处形成的P型有源层435中形成沟道。此时，电流通过该沟道从源极436流到漏极437。
因为在源极436与漏极437之间，有源层435在其两侧具有P型，所以在P型有源层435中形成的空穴将电子推向N型有源层435的中心。
在N型有源层435的中心处形成的N型电子迅速移动到具有空穴的P型有源层435。这是由其中表面电荷的空穴从P型有源层435移动到N型有源层435的高迁移率的特性引起的，因此，电流迁移率被大大改善。
由于将电子从具有N型掺杂物的掺杂区438大量地引入具有P型掺杂物的漏极437，所以存在通过设置在有源层435中的沟道的电流密度的增大。
因为形成在有源层435中的沟道还与施加给栅极431的电压成正比，所以当施加给栅极431的电压的幅值较大时，则形成在沟道中的耗尽层以及电子引入会正比于所施加的电压而增大。
假设“R1”表示当向栅极431施加电压时，在掺杂有P型离子的有源层435的中心处形成的电阻。此外，假设“R2”表示与源极436相邻地形成的电阻，而“R3”表示在有源层435中形成的电阻。
应该注意，各个电阻是基于理论分析的，未在图中示出。
当R1+R2+R3＝Rs时，由串联电阻(Rs)形成的电阻具有使由非晶硅形成的有源层435的电阻(Rs)减小的用途。
因此，可以理解，因为有源层435分别被掺杂有N+型离子和P+型离子，从而减小了电阻(Rs)并改善了电流漂移特性。此外，由于电流漂移特性的改善，使得电荷积聚时间降低，同时保持了高电流密度，从而使得电流驱动的发光型显示器的响应速度很快。
尽管如此描述了本发明，但是显然可以以多种方式来改变本发明。这样的变型并不认为是脱离本发明的精神和范围，并且对于本领域的技术人员来说，旨在将所有这样的修改都包括在以下权利要求的范围内是显而易见的。
Claims (16)
1、一种发光型显示器，包括：
第一基板，其具有：形成在第一基板上的栅极；被形成为覆盖栅极的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上并掺杂有第一导电杂质离子的有源层；形成在有源层的一侧的源极以及形成在有源层的另一侧的漏极；以及离子掺杂区，其中所述有源层的暴露于源极与漏极之间的预定区域掺杂有第二导电杂质离子；
第二基板，其具有：形成在第二基板上的第一电极；形成在第一电极上的发光部；以及形成在发光部上的第二电极；以及
连接电极，用于将第一基板的漏极与第二基板的第二电极电连接。
2、根据权利要求1所述的发光型显示器，其中以N型方式掺杂所述第一导电杂质离子，并且以P型方式掺杂所述第二导电杂质离子。
3、根据权利要求1所述的发光型显示器，其中以P型方式掺杂所述第一导电杂质离子，并且以N型方式掺杂所述第二导电杂质离子。
4、根据权利要求1所述的发光型显示器，其中所述发光部包括有机发光层。
5、一种发光型显示器，包括：
第一基板，其具有：形成在第一基板上的有源层，在所述有源层的中心处掺杂有第一导电杂质离子，在其两侧掺杂有第二导电杂质离子；形成在有源层的两侧的源极和漏极；覆盖有源层的绝缘层，其具有被形成为暴露源极和漏极的预定区域、并且形成在绝缘层上的接触孔；以及形成在绝缘层上以与有源层匹配的栅极，其中所述漏极通过所述接触孔与金属电极电连接；
第二基板，其具有：形成在第二基板上的第一电极；形成在第一电极上的发光部；以及形成在发光部上的第二电极；以及
连接电极，用于将所述金属电极与第二基板的第二电极电连接。
6、根据权利要求5所述的发光型显示器，其中以N型方式掺杂所述第一导电杂质离子，并且以P型方式掺杂所述第二导电杂质离子。
7、根据权利要求5所述的发光型显示器，其中以P型方式掺杂所述第一导电杂质离子，并且以N型方式掺杂所述第二导电杂质离子。
8、根据权利要求5所述的发光型显示器，其中所述发光部包括有机发光层。
9、一种发光型显示器，包括：
驱动器，其具有：形成在基板上的栅极；被形成为覆盖栅极的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上并掺杂有第一导电杂质离子的有源层；形成在有源层的一侧的源极以及形成在有源层的另一侧的漏极；以及离子掺杂区，其中所述有源层的暴露于源极与漏极之间的预定区域掺杂有第二导电杂质离子；
与驱动器的漏极电连接的第一电极；
形成在第一电极上的发光部；以及
形成在发光部上的第二电极。
10、根据权利要求9所述的发光型显示器，其中以N型方式掺杂所述第一导电杂质离子，并且以P型方式掺杂所述第二导电杂质离子。
11、根据权利要求9所述的发光型显示器，其中以P型方式掺杂所述第一导电杂质离子，并且以N型方式掺杂所述第二导电杂质离子。
12、根据权利要求9所述的发光型显示器，其中所述发光部包括有机发光层。
13、一种发光型显示器，包括：
驱动器，其具有：形成在基板上的有源层，在所述有源层的中心处掺杂有第一导电杂质离子，在其两侧掺杂有第二导电杂质离子；形成在有源层的两侧的源极和漏极；覆盖有源层的绝缘层，其具有被形成为暴露出源极和漏极的预定区域并且形成在绝缘层上的接触孔；以及形成在绝缘层上以与有源层匹配的栅极，其中所述漏极通过所述接触孔与金属电极电连接；
与所述金属电极电连接的第一电极；
形成在第一电极上的发光部；以及
形成在发光部上的第二电极。
14、根据权利要求13所述的发光型显示器，其中以N型方式掺杂所述第一导电杂质离子，并且以P型方式掺杂所述第二导电杂质离子。
15、根据权利要求13所述的发光型显示器，其中以P型方式掺杂所述第一导电杂质离子，并且以N型方式掺杂所述第二导电杂质离子。
16、根据权利要求13所述的发光型显示器，其中所述发光部包括有机发光层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050082418 | 2005-09-05 | ||
| KR1020050082418A KR20070025845A (ko) | 2005-09-05 | 2005-09-05 | 빠른 응답특성을 갖는 전계발광 표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1929707A CN1929707A (zh) | 2007-03-14 |
| CN100486394C true CN100486394C (zh) | 2009-05-06 |
Family
ID=37859434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006100918983A Active CN100486394C (zh) | 2005-09-05 | 2006-06-14 | 发光型显示器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7655948B2 (zh) |
| JP (1) | JP2007072437A (zh) |
| KR (1) | KR20070025845A (zh) |
| CN (1) | CN100486394C (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4600576B2 (ja) * | 2008-05-08 | 2010-12-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR102071330B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102084229B1 (ko) * | 2013-04-02 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| CN104465509B (zh) * | 2013-09-18 | 2017-08-04 | 昆山国显光电有限公司 | 一种oled显示器件阵列基板及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0864824A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| KR100392967B1 (ko) | 1996-06-28 | 2003-07-31 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 트랜지스터, 액티브 매트릭스 기판, 표시 장치, 프로젝터및 전자 기기 |
| US6281552B1 (en) * | 1999-03-23 | 2001-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having ldd regions |
| JP2001267578A (ja) | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Sony Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
| JP4340405B2 (ja) | 2001-08-09 | 2009-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| KR100435054B1 (ko) | 2002-05-03 | 2004-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| JP2004055461A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| KR100473590B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| DE102004031109B4 (de) | 2003-12-30 | 2016-03-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organisches Lumineszenzdisplay vom Doppeltafeltyp sowie Verfahren zum Herstellen desselben |
-
2005
- 2005-09-05 KR KR1020050082418A patent/KR20070025845A/ko not_active Application Discontinuation
-
2006
- 2006-06-05 JP JP2006156345A patent/JP2007072437A/ja active Pending
- 2006-06-14 CN CNB2006100918983A patent/CN100486394C/zh active Active
- 2006-06-19 US US11/455,517 patent/US7655948B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070025845A (ko) | 2007-03-08 |
| CN1929707A (zh) | 2007-03-14 |
| US7655948B2 (en) | 2010-02-02 |
| US20070096111A1 (en) | 2007-05-03 |
| JP2007072437A (ja) | 2007-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100354639B1 (ko) | Ｅｌ 표시 장치 | |
| CN100515153C (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
| CN108666348A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| CN103594476B (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法以及使用其的有机发光显示装置 | |
| CN100485994C (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
| US6724011B2 (en) | Display device | |
| CN102456846B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| JP2000242196A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2001035663A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法 | |
| KR100984359B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 | |
| CN100486394C (zh) | 发光型显示器 | |
| US7400089B2 (en) | Organic electroluminescent display device and method for fabricating the same | |
| CN113113425A (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
| CN100479177C (zh) | 有机电致发光器件 | |
| US20110084278A1 (en) | Thin film transistor and method for fabricating the same | |
| KR102596361B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| CN103489892A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
| JP2004522283A (ja) | 有機電界発光デバイス及びこれの製造方法 | |
| US7525125B2 (en) | Thin film transistor and organic electro-luminescence display device using the same | |
| KR100722116B1 (ko) | 양면발광형 유기 발광표시장치 | |
| KR20110100439A (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| JPH11345978A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、液晶表示装置 | |
| CN206471332U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN112289841B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| US20230163137A1 (en) | Driving thin film transistor and display device including the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |